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TITULO DEL TRABAJO:

TIPOS DE MEMORIA RAM Y MEMORIA ROM


NUMERO DE CONTROL:
16660360

MATERIA:
ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

NOMBRE DEL MESTRO(A):


ROBLES CONDE JUAN JOSE

NOMBRE DEL ALUMNO:


SERGIO ALEJANDRO SERRANO HERNÁNDEZ

GRUPO:
AULA MA1, SEMESTRE 5

FECHA DE ENTREGA:
27/08/2018 ANTES DE LAS 18:00 HRS.
INDICE
Contenido
1.-Introducción ............................................................................... Error! Bookmark not defined.
12.- Desarrollo .......................................................................................................................... 1
2.1.-Tipos de memorias RAM ............................................................................................................. 1
2.1.1.-DRAM (Dynamic RAM) ...............................................................Error! Bookmark not defined.
2.1.2.- VRAM (Vídeo RAM) ................................................................................................................. 3
2.1.3.- SRAM (Static RAM).................................................................................................................. 4
2.1.4.- FPM (Fast Page Mode) ............................................................................................................ 4
2.1.5.- EDO (Extended Data Output) .................................................................................................. 5
2.1.6.- BEDO (Burst EDO) ......................................................................Error! Bookmark not defined.
2.1.7.- SDRAM (Synchronous DRAM) ...................................................Error! Bookmark not defined.
2.1.8.-DDR SDRAM ó SDRAM II (Double Data Rate SDRAM) ............................................................ 6
2.1.9.- PB SRAM (Pipeline Burst SRAM) ...............................................Error! Bookmark not defined.
2.1.10.- RAMBUS ..................................................................................Error! Bookmark not defined.
2.1.11.- ENCAPSULADOS.......................................................................Error! Bookmark not defined.
2.1.12.- SIMM (Single In line Memory Module)................................................................................. 9
2.1.13.- DIMM (Dual In line Memory Module) ....................................Error! Bookmark not defined.
2.1.14.- DIP (Dual In line Package) .......................................................Error! Bookmark not defined.
2.1.15.- Memoria Caché ó RAM Caché ............................................................................................ 11
2.1.16- RAM Disk ..................................................................................Error! Bookmark not defined.

2.2.- Tipos de memorias ROM .............................................................Error! Bookmark not defined.


2.2.1.- ROM ...........................................................................................Error! Bookmark not defined.
2.2.2.- PROM .........................................................................................Error! Bookmark not defined.
2.2.3.- EPROM .......................................................................................Error! Bookmark not defined.
2.2.4.- EEPROM .....................................................................................Error! Bookmark not defined.

3.- Conclusión ................................................................................. Error! Bookmark not defined.


4.-Referencias Utilizadas ......................................................................................................... 17
1.-Introducción
Antes que nada, para comenzar la introducción de esta investigación cabe mencionar que
es importante para el ingeniero en sistemas el conocimiento acerca de los tipos de memoria
RAM, ya que es de gran importancia para el momento de interactuar en el campo laboral
con cada una de ellas. Muchos no conocen todos los tipos de memoria RAM que existen en
el mundo, aun así, no se debe de tener ninguna preocupación, ya que con esta actividad
lograrás identificar cada uno de los tipos y su funcionamiento.

2.- Desarrollo
En esta sección se desarrollarán las definiciones de cada uno de los tipos de memoria RAM
existentes en el mundo informático.

2.1.-Tipos de memorias RAM


La memoria RAM es la memoria donde se almacenan los datos (programas) con los que
estamos trabajando en ese momento.
Por ejemplo, si abro el programa Word para escribir con él, el programa completo o lo que
es lo mismo, todas las instrucciones de funcionamiento del Word, pasarán a la memoria
RAM. Si trabajo con 2 o 3 programas a la vez, esos 2 o 3 programas estarán dentro de la
memoria RAM almacenados.
OJO no confundir con el disco duro. Todos los programas que yo tengo instalados en mi
ordenador o PC están en el disco duro, de esos programas, solo estarán en la memoria RAM
los programas con los que esté trabajando en ese momento. Habrá muchos programas que
estarán en mi disco duro, pero NO en la memoria RAM.
El microprocesador, cuando trabaja, solo busca datos en esta memoria, es decir cuando
estemos trabajando con un programa (programa abierto), estará en la memoria RAM y el
micro irá allí a buscar las instrucciones que le demos del programa para ejecutarlas (el
microprocesador). Esto hace que trabaje mucho más rápido el ordenador, ya que solo
tendrá que buscar instrucciones en un almacén donde están las instrucciones con las que
yo voy a trabajar. Si tuviera que ir a buscar las instrucciones al disco duro, tardaría más, ya
que dentro del disco duro hay muchas más instrucciones porque están todos los programas
que tengo instalados, no solo con los que estoy trabajando. La memoria RAM es una
memoria temporal. Al cerrar el programa desaparece el contenido del mismo de la memora
RAM.

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2.1.1.-DRAM (Dynamic RAM)
DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que significa
memoria dinámica de acceso aleatorio (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de
tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga
progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período,
revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.
Se usa principalmente como módulos de memoria principal RAM de ordenadores y otros
dispositivos. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran
densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se
fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones
de bit por segundo.
Como el resto de memorias RAM, es volátil, es decir, si se interrumpe la alimentación
eléctrica, la información almacenada se volatiliza. Fue inventada a finales de los sesenta y
es una de las memorias más usadas en la actualidad.

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2.1.2.- VRAM (Vídeo RAM)
Memoria gráfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo de
memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información
visual que le envia la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria
es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible
que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en
el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported.
En un principio (procesadores de 8 bits) se llamaba así a la memoria sólo accesible
directamente por el procesador gráfico, debiendo la CPU cargar los datos a través de él.
Podía darse el caso de equipos con más memoria VRAM que RAM (como algunos modelos
japoneses de MSX2, que contaban con 64 KiB de RAM y 128 KiB de VRAM).

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2.1.3.- SRAM (Static RAM)
SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria
estática de acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de
memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga
alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Este concepto surge en oposición al de
memoria DRAM (RAM dinámica), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada
en condensadores, que sí necesita refresco dinámico de sus cargas.
Existen dos tipos: volátiles y no volátiles, cuya diferencia estriba en si los datos permanecen
o se volatilizan en ausencia de alimentación eléctrica.

2.1.4.- FPM (Fast Page Mode)


Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) fue inspirado en técnicas como el Burst Mode usado en
procesadores como el Intel 486.3 Se implantó un modo direccionamiento en el que el
controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas
sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que
ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones
consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de
la primera vez no sería necesario decir el número de la calle únicamente seguir la misma.
Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas
basados en el 486 y los primeros Pentium.

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2.1.5.- EDO (Extended Data Output)
Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el
rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto
de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.
Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO,
el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que
comienza el próximo ciclo.
BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un
contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las
operaciones.

2.1.6.- BEDO (Burst EDO)


Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) fue la evolución de la EDO-RAM y
competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba
generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada
ciclo de reloj, de manera que lograba un 50 % de beneficios, mejor que la EDO. Nunca salió
al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria
sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan
funcionalidades distintas como señales de reloj.

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2.1.7.- SDRAM (Synchronous DRAM)
Siglas de Synchronous DRAM, DRAM síncrona, un tipo de memoria RAM dinámica que es
casi un 20% más rápida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o más matrices de memoria
interna de tal forma que mientras que se está accediendo a una matriz, la siguiente se está
preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnología SDRAM más rápida esperada para 1998.
También conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM),
permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bús.

2.1.8.-DDR SDRAM ó SDRAM II (Double Data Rate SDRAM)


DDR SDRAM (de las siglas en inglés Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access
Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde principios
de 1990. Su primera especificación se publicó en junio de 2000.
CONSIDERACIONES.
No todas las placas base soportan un diseño de una única muesca de DDR RAM y algunos
sólo pueden soportar tipos específicos como PC 2700 o inferior. Un módulo DDR RAM más
rápido seguirá funcionando con una placa base no compatible pero sólo funcionará a una
velocidad menor. La mayoría de las placas base sólo pueden manejar entre 2 y 4 módulos
DDR RAM, así que insertar módulos adicionales no aumentará realmente las velocidades.
También puedes hacer "overclock" en la DDR RAM para que funcione más rápido, aunque
no es algo que los fabricantes de RAM recomienden porque hace que el módulo tenga más
posibilidades de calentarse demasiado y hace que consuma más energía de la fuente de
alimentación de la computadora.

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2.1.9.- PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)
PB SRAM son las siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categoría de
técnicas que proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora,
y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una
'tuberia' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por
ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutando, la computadora está decodificando
la siguiente instrucción.
En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de
operaciones de coma flotante. La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades
de entre 4 y 8 nanosegundos.

2.1.10.- RAMBUS
RIMM, acrónimo de Rambus In-line Memory Module (Módulo de Memoria en Línea
Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada
RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir
un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de
memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años.
Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de
trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los
chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades
de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 MHz (PC-800) que por su pobre bus de 16 bits
tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento
similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la
DDR.
Inicialmente los módulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados en
Intel Pentium 4. Rambus no manufactura módulos RIMM sino que tiene un sistema de
licencias para que éstos sean manufacturados por terceros, siendo Samsung el principal
fabricante de estos.

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A pesar de tener la tecnología RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la
tecnología SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de esta
tecnología no tuvo gran aceptación en el mercado de PC. Su momento álgido tuvo lugar
durante el periodo de introducción del Pentium 4 para el cual se diseñaron las primeras
placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos más económicos decidió lanzar
placas base con soporte para SDRAM y más adelante para DDR RAM desplazando esta
última tecnología a los módulos RIMM del mercado que ya no ofrecían ninguna ventaja.

2.1.11.- ENCAPSULADOS
En manufactura de circuitos integrados e Ingeniería Electrónica, el encapsulado es el
resultado de la etapa final del proceso de fabricación de dispositivos con semiconductores,
en la cual un semiconductor o un circuito integrado; se ubica en una carcasa para protegerlo
de daño físico, de la corrosión, evacuar el calor generado y a su vez permitirle la
comunicación con el exterior mediante contactos eléctricos. El término de encapsulado se
entiende comúnmente como algo para proteger el trozo de oblea semiconductora con la
que se construyen los circuitos integrados tales como microprocesadores,
microcontroladores y DSPs; pero también protegen otros componentes electrónicos, tales
como TO-92 (Ejemplos: Transistores 2N3904 y 2N3906, sensor de temperatura IC LM35),
TO-3 (Transistor 2N3055), TO-220 (Reguladores IC 78xx y 79xx, Transistores TIP31 y TIP32),
DO-41 (Diodos de la serie 1N4000), DO-41G (Diodo Zener de 5.1V 1N4733).
Encapsulado de antiguo circuito integrado fabricado en la URSS.
Los primeros circuitos integrados tenían encapsulados planos de cerámica. Fueron
utilizados por los militares durante muchos años por su fiabilidad y pequeño tamaño. Los
circuitos integrados comerciales adoptaron la forma (DIP), al comienzo en cerámica y más
tarde en plástico. En la década de 1980 en los circuitos integrados VLSI el número de de
patillas excedió el límite práctico para el encapsulado DIP, llegando nuevos formatos como
pin grid array (PGA), (LCC) (QFP). Los componentes de montaje superficial, aparecieron en
la década de 1980 y se hicieron populares. Estos nuevos formatos de encapsulado de
montaje superficia reducir aún más el tamaño de los equipos electrónicos de los que forman
parte.

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2.1.12.- SIMM (Single In line Memory Module)
SIMM (siglas en inglés de Single In-line Memory Module), es un formato para módulos de
memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los
integrados de memoria DRAM. Estos módulos se insertan en zócalos sobre la placa base.
Los contactos en ambas caras están interconectados, esta es la mayor diferencia respecto
de sus sucesores los DIMMs. Fueron muy populares desde principios de los 80 hasta finales
de los 90, el formato fue estandarizado por JEDEC bajo el número JESD-21C.

2.1.13.- DIMM (Dual In line Memory Module)


Los DIMM (sigla en inglés de dual in-line memory module, traducible como «módulo de
memoria con contactos duales») son, al igual que sus precedentes SIMM, módulos de
memoria RAM que se conectan directamente en las ranuras de la placa base de las
computadoras personales y están constituidos por pequeños circuitos impresos que
contienen circuitos integrados de memoria. Los módulos DIMM son reconocibles
externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus caras separado del opuesto
de la otra, a diferencia de los SIMM en que cada contacto está unido a su opuesto. La
disposición física de los DIMM duplica el número de contactos diferenciados con el bus.
Los módulos DIMM comenzaron a reemplazar a los SIMM como el tipo predominante de
memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium tomaron dominio del mercado.
Un DIMM puede comunicarse con la caché a 64 bits (y algunos a 72 bits), a diferencia de
los 32 bits de los SIMM.
El hecho de que los módulos en formato DIMM sean memorias de 64 bits, explica por qué
no necesitan emparejamiento. Los módulos DIMM poseen circuitos de memoria en ambos
lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual

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suma un total de 168 contactos. Además de ser de mayores dimensiones que los módulos
SIMM (130x25 mm), estos módulos poseen una segunda muesca que evita confusiones.
Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su inserción,
gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector.
También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno
pequeño), diseñados para computadoras portátiles. Los módulos SO DIMM sólo cuentan
con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en el caso de
las memorias de 32 bits.

2.1.14.- DIP (Dual In line Package)


Un empaquetado/paquete de doble hilera o dual in-line package (DIP o DIL) es una forma
de encapsulamiento, común en la construcción de circuitos integrados que consiste en un
bloque con dos hileras paralelas de pines; la cantidad de estos depende de cada circuito.
Por la posición y espaciamiento entre pines, los circuitos DIP son especialmente prácticos
para construir prototipos en tablillas o placas de pruebas (protoboard). Concretamente, la
separación estándar entre dos pines o terminales es de 0,1 pulgadas (2,54 mm).
La nomenclatura normal para designarlos es «DIPn», donde “n” es el número de pines
totales del circuito. Por ejemplo, un circuito integrado DIP16 tiene 16 pines, con 8 en cada
fila.
Dada la actual tendencia a tener circuitos con un nivel cada vez más alto de integración, los
paquetes DIP están siendo sustituidos en la industria por encapsulados de tecnología de
montaje superficial, conocida por las siglas SMT (Surface-Mount Technology) o SMD
(Surface-Mount Device). Estos últimos tienen un diseño mucho más adecuado para circuitos
con un alto número de pines, mientras que los DIP, raras veces se encuentran en
presentaciones de más de 40 pines.

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2.1.15.- Memoria Caché ó RAM Caché
Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un
área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta
velocidad independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las
computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché, llamada
tambien a veces almacenamiento caché ó RAM caché, es una parte de memoria RAM
estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada
como memoria principal. La memoria caché es efectiva dado que los programas acceden
una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta información en SRAM,
la computadora evita acceder a la lenta DRAM. Cuando un dato es encontrado en el caché,
se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un caché juzgado por su tasa de
impactos (hit rate). Los sistemas de memoria caché usan una tecnología conocida por caché
inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados
frecuentemente. Las estrategias para determinar qué información debe de ser puesta en el
caché constituyen uno de los problemas más interesantes en la ciencia de las
computadoras. Algunas memorias caché están construidas en la arquitectura de los
microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene una caché L2 de 512
Kbytes. El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria caché, pero
en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos
más recientes del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectores adyacentes) se
almacenan en un buffer de memoria.

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2.1.16- RAM Disk
Un disco RAM o unidad RAM es una unidad de disco que usa una zona de memoria RAM del
sistema como almacenamiento secundario en lugar de un medio magnético (como los
discos duros y las disqueteras) o memoria flash, implementada como un controlador de
dispositivo más. El tiempo de acceso mejora drásticamente, debido a que la memoria RAM
es varios órdenes de magnitud más rápida que las unidades de disco reales. Sin embargo,
la volatilidad de la memoria RAM implica que los datos almacenados en un disco RAM se
perderán si falla la alimentación (por ejemplo, cuando el ordenador se apaga). Los discos
RAM suelen usarse para almacenar datos temporales o para guardar programas
descomprimidos durante cortos periodos.

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2.2.- Tipos de memorias ROM
2.2.1.- ROM
Se trata de una memoria que usan los equipos electrónicos, como es el caso de las
computadoras. Aquella información que se almacene en esta memoria no puede ser
modificada por el propio usuario, de allí su nombre.

2.2.2.- PROM
Por las siglas de Programmable Read Only memory, en castellano ROM programable, se
caracteriza por ser digital. En ella, cada uno de los bits depende de un fusible, el cual puede
ser quemado una única vez. Esto ocasiona que, a través de un programador PROM, puedan
ser programadas por única vez. La memoria PROM es utilizada en casos en que los datos
necesiten cambiarse en todos o la mayoría de los casos. También se recurre a ella cuando
aquellos datos que quieran almacenarse fe forma permanente no superen a los de la ROM.

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2.2.3.- EPROM
por las siglas en inglés de Erasable Programmable Read-Only Memory, en castellano, ROM
programable borrable de sólo lectura. Esta memoria ROM es un chip no volátil y está
conformada por transistores de puertas flotantes o celdas FAMOS que salen de fábrica sin
carga alguna. Esta memoria puede programarse a través de un dispositivo electrónico cuyos
voltajes superan a los usados en circuitos electrónicos. A partir de esto, las celdas
comienzan a leerse como 1, previo a esto se lo hace como 0. Esta memoria puede ser
borrada sólo si se la expone a luces ultravioletas. Una vez que la EPROM es programada, se
vuelve no volátil, o sea que los datos almacenados permanecen allí de forma indefinida. A
pesar de esto, puede ser borrada y reprogramada con la utilización de elevados niveles de
voltaje. Si bien actualmente siguen siendo utilizadas, presentan algunas desventajas, entre
ellas que el proceso de borrado del chip es siempre total, es decir que no se puede
seleccionar alguna dirección en particular. Por otro lado, para reprogramarlas o borrarlas,
deben removerse de su circuito y este proceso lleva por lo menos veinte minutos. Estas
desventajas han sido superadas por memorias flash y EEPROM, por lo que las EPROM están
cayendo en desuso en ciertos diseños y aplicaciones.

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2.2.4.- EEPROM
por las siglas en inglés de Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, en
castellano ROM programable y borrable eléctricamente. Esta memoria, como su nombre
indica puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente y no con rayos
ultravioleta, como en el caso de las EPROM, lo que hace que resulten no volátiles. Además
de tener las puertas flotantes, como las anteriores, cuenta con una capa de óxido ubicado
en el drenaje de la celda MOSFET, lo que permite que la memoria pueda borrarse
eléctricamente. Como para realizar esto no se precisan programadores especiales ni rayos
ultravioletas, se puede hacer en el propio circuito. Además, presenta la posibilidad de
reescribir y borrar bytes individualmente, y son más fáciles y veloces de reprogramar que
las anteriores. Las desventajas que presenta en comparación a las anteriores son la
densidad y sus costos altos.

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3.- Conclusión
Bueno en conclusión puedo decir que me sorprende el saber que existen una gran tipología
de memorias tanto RAM como ROM, esto me lleva a deducir que cada una tiene distintas
funcionalidades dentro de la tarjeta madre y en el campo tecnológico desde tiempos atrás.
Gracias a esta investigación mi percepción con el almacenamiento cambio y me percate que
el desarrollo tecnológico ha ido avanzando enormemente.

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4.-Referencias Utilizadas
https://es.wikipedia.org/wiki/DRAM
https://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_gr%C3%A1fica_de_acceso_aleatorio
https://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio
https://es.wikipedia.org/wiki/SRAM
https://es.wikipedia.org/wiki/DDR_SDRAM
http://www.tecnologiahechapalabra.com/datos/software/articulo.asp?i=3428
https://es.wikipedia.org/wiki/RIMM
https://es.wikipedia.org/wiki/Encapsulado_(Electr%C3%B3nica)
https://es.wikipedia.org/wiki/SIMM
https://es.wikipedia.org/wiki/DIMM
https://es.wikipedia.org/wiki/Dual_in-line_package
https://sistemas.com/cache-ram-cache.php
https://es.wikipedia.org/wiki/Disco_RAM
https://www.tiposde.org/informatica/538-tipos-de-memoria-rom-2/

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