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UPIBI
LABORATORIO ELECTRÓNICA I
EQUIPO NO.
17-04-18
OBJETIVOS
Observar y analizar la curva característica colector-emisor del transistor BJT
Observar y analizar la curva característica base-emisor del transistor BJT
INTRODUCCIÓN
Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensión actuando
como un interruptor o amplificador para señales electrónicas. El transistor,
inventado en 1951, es el componente electrónico estrella, pues inició una auténtica
revolución en la electrónica que ha superado cualquier previsión inicial. También se
llama Transistor Bipolar o Transistor Electrónico.
Los transistores están formados por la unión de tres cristales semiconductores, dos
del tipo P uno del tipo N (transistores PNP), o bien dos del tipo N y uno del P
(transistores NPN). Puedes saber más sobre estas uniones aquí: Unión PN. Según
esto podemos tener 2 tipos de transistores diferentes: PNP o NPN.
DESARROLLO
Experimento 1. Curva característica colector-emisor.
Repetir
para Ib=7,
8 y 12 µA
Repetir
para
Vce=3, 5 y
7V
RESULTADOS Y ANÁLISIS DE RESULTADOS
EXPERIMENTO 1 CURVA CARACTERÍSTICA COLECTOR-EMISOR.
Ib=3µA Ib=7µA
Vcc(V) Vce(V) Ib=3µA Vcc(V) Vce(V) Ib=7µA
0 0.02 0.01 0.00 0.02 0.16
1 0.12 0.41 1.00 0.11 0.42
2 0.19 0.87 2.00 0.14 0.92
3 0.95 0.96 3.00 0.17 1.40
4 1.95 0.96 4.00 0.37 1.78
5 2.90 0.96 5.00 1.31 1.80
6 3.89 0.96 6.00 2.25 1.80
7 4.90 0.96 7.00 3.29 1.80
8 5.86 0.96 8.00 4.19 1.80
9 6.83 0.96 9.00 5.20 1.80
10 7.75 0.96 10.00 6.15 1.80
11 8.74 0.96 11.00 7.09 1.80
12 9.73 0.96 12.00 8.05 1.80
Ib=8µA Ib=12µA
Vcc(V) Vce(V) Ib=8µA Vcc(V) Vce(V) Ib=12µA
10 0 0.015 0 0 0.02
1 0.09 0.42 1 0.08 0.44
2 0.11 0.91 2 0.1 0.92
3 0.15 1.35 3 0.12 1.4
4 0.19 1.856 4 0.14 1.87
5 0.9 2.01 5 0.18 2.34
6 1.85 2.02 6 0.45 2.71
7 2.73 2.02 7 1.44 2.72
8 3.78 2.02 8 2.43 2.72
9 4.78 2.02 9 3.31 2.73
10 5.76 2.02 10 4.3 2.73
11 6.7 2.02 11 5.22 2.76
12 7.63 2.02 12 6.26 2.76
Curva caracteristica Colector-Emisor
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
Ib=3µA
Ic(mA)
1.6
1.4 Ib=12µA
1.2
1 Ib=7µA
0.8 Ib=8µA
0.6
0.4
0.2
0
0 2 4 6 8 10
Vce (V)
De la ecuación de recta de carga cuando IC=0, es decir cuando el transistor bipolar está
apagado o cortado ya que no hay corriente a través del transistor bipolar, ocurre que
VCE=VCC, a esta tensión se la llama tensión colector emisor de corte
VCEcorte=VCC
de aquí se obtiene un punto de la recta de carga cuyas coordenadas son (VCEcorte,0); si
en la ecuación de recta de carga se hace VCE=0 esto es como si entre el colector y el
emisor hubiese un cortocircuito, se obtendrá IC=VCC/RC, esta es la máxima corriente que
circulará por el transistor y se la conoce como corriente de saturación
ICsat=VCC/RC
con lo cual se obtiene otro punto de la recta de carga cuyas coordenadas son (0,ICsat),
en realidad para la ICsat siempre hay una pequeña VCE (VCEsat) cuyo valor en los
cálculos aproximados se suele despreciar.
Cuando VBE es menor que 0,7V el diodo base emisor está apagado, por lo que IB=0 en
este caso se dice que transistor está polarizado en la región de corte, en la región activa
es donde se cumple IC=β*IB, IC aumentará mientras IB aumente, de la ecuación de la
recta de carga se puede ver que llegará un momento en que si se aumenta IB se provoca
que la tensión sobre la resistencia del colector VRC=IC*RC se iguale a VCC provocando
que VCE=0, en ese momento se ha llegado a la región de saturación, la IC ya no
aumentará por más que se aumente IB, se dice que el transistor bipolar se ha saturado y
a la corriente IC que ya no puede aumentar más se la llama corriente de colector de
saturación ICsatd
Teniendo es grafica como se menciona podemos encontrar en que región nuestro
transistor esta trabajando puede ser en su punto óptimo, región de corte o en la de
saturación.
Vce=5V Vce=6V
VBB VBE Ib(µA) VBB VBE Ib(µA)
0 0.1 0.002 0 0.1 0.002
0.5 0.466 0.321 0.5 0.611 8.215
1 0.551 3.883 1 0.612 4.044
1.5 0.571 8.071 1.5 0.615 0.266
2 0.581 12.317 2 0.617 4.667
2.5 0.590 16.582 2.5 0.617 9.083
3 0.595 20.894 3 0.619 13.548
3.5 0.600 25.272 3.5 0.621 18.023
4 0.604 29.540 4 0.623 22.625
4.5 0.608 33.872 4.5 0.624 27.060
5 0.611 38.229 5 0.625 31.545
Curva caracteristica base-emisor
45.000
40.000
35.000
30.000
25.000 VCE= 1V
Ib(µA)
20.000 VCE= 3V
15.000 VCE= 5V
10.000 VCE= 6V
5.000
0.000
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Vbe (V)
Experimento 1.
En el experimento uno se supondrá que el transistor bipolar está polarizado en la región
activa, el circuito correspondiente a la malla 1 se conoce como entrada del circuito, como
se puede ver corresponde al circuito de polarización directa de un diodo, por lo tanto la
curva característica de entrada será la curva de polarización del diodo base emisor, la
corriente IB es la corriente que circula por este diodo y la tensión sobre el diodo es VBE, ya
se sabe que para que este diodo se encienda la tensión sobre él tiene que ser 0,7V, por lo
cual para encender el transistor bipolar la tensión base emisor tiene que ser como mínimo
VBE=0,7V (esto es en teoría, en realidad puede llegar a encender a menos de 0,7V), a
tensiones menores a este valor el transistor estará apagado.
Para el caso de la salida del circuito se tiene que
IC=β*IB,
además
VCE=VCC-RC*IC,
esta ecuación se conoce como ecuación de recta de carga de salida, se asumirá que VCC
y RC se mantienen constantes, luego de ambas ecuaciones se puede ver que la VCE
dependerá de la IC y esta a su vez dependerá de IB, a una IB le corresponderá una IC, esto
indica que, si IB se mantiene constante, entonces IC se mantendrá constante por lo que
VCE también se mantendrá constante; al variar IB variará IC y a su vez variará VCE.
Por ello el comportamiento cuando Vce= 1,3,5 y 6 V. En la práctica se nos facilitaron los
datos de la resistencia, de lo contrario los tendríamos que calcular como en la practica
pasada con las formulas que se mostraron anteriormente.
CONCLUSIONES
Referencias
http://mrelbernitutoriales.com/transistor-bjt/transistor-bipolar-conociendolo/
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm
http://panamahitek.com/el-transistor-bjt-y-su-uso-en-la-electronica/