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Atenção
O material constante destas notas de aula foi preparado com base na
bibliografia recomendada e destina-se a servir como um apoio ao
acompanhamento da disciplina.
Em alguns slides são utilizados recursos coletados da INTERNET e
considerados de domínio público.
Resistividade: Conceito
Considere uma amostra de um material
L
submetida a uma diferença de potencial
(V) como ilustrado ao lado.
Pela lei de Ohm, a corrente (I) mantém I
uma relação com V através de uma
grandeza que é a Resistência Elétrica (R): A
V
I _
R +
A Resistência Elétrica depende da V
geometria (L e A) da amostra e de uma
característica intrínseca do material que é
a Resistividade (r):
L
Rρ
A
OBS: Entende-se por corrente elétrica a deriva de
portadores de carga em função da presença de um campo George Simon Ohm (1789 – 1854)
elétrico (Adendo 1).
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Resistividade: Conceito
Dependendo do valor da resistividade, podemos classificar os materiais em
condutores (opõem baixa resistência ao fluxo de corrente), isolantes (opõem alta
resistência ao fluxo de corrente) e semicondutores (apresentam valores de
resistência entre os limites dos condutores e isolantes).
Resistividade
Elemento
(Ohm.cm)
Prata 1,6.10-6
Cobre 1,7.10-6
Condutores Ouro 2,3.10-6
Alumínio 2,8.10-6
Germânio (puro) 47
Semicondutores Silício (puro) 21,4.104
Vidro 1012 a 1013
Âmbar 5.1016
Isolantes Mica 9.1016
Quartzo (fundido) 75.1018
Tabela Comparativa entre níveis de Resistividade
(Observar as várias ordens de grandeza que separam os limites inferior e superior da Resistividade)
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Resistividade: Tabela Comparativa e Elementos Semicondutores
(simples e compostos)
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Materiais Semicondutores: Silício
Principais motivos para o uso de materiais semicondutores na indústria eletrônica:
Obtenção de altos graus de pureza (Adendo 2);
Disponibilidade (20% a 30% da crosta terrestre - silicatos);
Modificação de suas características elétricas em função da Dopagem, da
Temperatura e da Luz (possibilidade de fabricação de dispositivos
especializados, por exemplo, sensores).
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Silício: Estrutura Atômica (Átomo de Bohr)
A distribuição dos elétrons obedece a solução da
equação de Schrödinger que quantifica a energia total
(potencial + cinética) destes portadores.
Esta solução indica que existem órbitas específicas
estabelecendo níveis discretos de energia. Entre as
órbitas existe um Gap de energia que representa estados
proibidos.
Erwin Schrödinger. (1887 - 1961)
Quanto mais afastada a órbita, maior o estado de
energia.
Existe uma tendência na natureza para que os sistemas fiquem nos seus estados
mínimos de energia. Então, estão preenchidas as 3 primeiras órbitas o que não
significa que existam outras órbitas mais externas que também representam soluções
para o equacionamento de Schrödinger.
A última órbita é chamada de órbita de valência e possui 4 elétrons. Assim, o Si é
dito ser tetravalente.
A órbita de valência, através de seus elétrons, é responsável pelas propriedades
químicas e elétricas do material.
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Silício: Átomo de Bohr (Níveis de Energia)
Existe a possibilidade de se alterar o posicionamento de um elétron mudando-o de
uma órbita para outra. Para ascender a uma órbita superior é necessário receber
energia externa que seja pelo menos igual à energia do Gap.
Ao retornar à orbita inferior (lembre-se que os sistemas tendem a estar nos estados
de energia mínima) deve liberar a diferença de energia relativa ao Gap.
E [eV]
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Cristal de Silício: Bandas de Energia e Geração Térmica de Pares
Elétron-Lacuna
O cristal de silício apresenta uma Na temperatura ambiente (TAMB= 270C = 300K), a
Gap de 1,1[eV] entre a Banda de energia térmica cedida ao cristal permite
Valência e a Banda de Energia “quebrar” algumas ligações covalentes
relativa às próximas órbitas (1,5.1010/cm3). Assim, elétrons passam da BV
(Adendo 3) para a próxima de Banda de Energia deixando em
seu lugar uma ligação covalente incompleta. A
ausência deste elétron é denominada de lacuna.
O processo recebe o nome de: Geração de Pares
Elétron-Lacuna.
Como existe a tendência do material estar no seu
estado de energia mínimo, elétrons retornam para
a BV liberando energia. Este processo é chamado
Recombinação e restabelece a ligação covalente
quebrada.
Em uma situação de Equilíbrio Térmico:
Taxa de Geração = Taxa de Recombinação
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Cristal de Silício: Corrente de Elétrons e de Lacunas
Se aplicarmos uma diferença de potencial (ddp)a um cristal de silício (TAMB) vamos
observar a presença de uma corrente elétrica. Contudo, diferentemente de um
material metálico, esta corrente é composta por dois tipos de portadores: os elétrons e
as lacunas.
Na Banda de Energia acima da BV existem muitos níveis de energia disponíveis e
uma quantidade reduzida de elétrons. Pela presença da ddp, estes elétrons, com
pequenos ajustes de energia, podem caminhar de um átomo para outro estabelecendo
um fluxo ordenado de portadores de carga. Os elétrons presentes nesta Banda de
Energia, pela sua liberdade de locomoção, são chamados de elétrons livres e por
permitir a condução de uma corrente elétrica a banda passa a se chamar de Banda de
Condução (BC).
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Semicondutores: Observações Importantes
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Semicondutores: Cristais Extrínsecos
Para aumentar a capacidade de corrente dos semicondutores intrínsecos e, com isto,
poder produzir dispositivos eletrônicos dentro de uma realidade prática de uso,
estes cristais passam por um processo chamado de Dopagem. Um cristal dopado
é, então, dito ser Extrínseco.
Através deste processo, de forma muito bem controlada, é possível alterar a
disponibilidade tanto de elétrons na BC quanto de lacunas na BV.
A idéia fundamental é inserir impurezas no cristal intrínseco de modo a provocar
a substituição de alguns átomos de sua estrutura.
Dependendo da valência (quantidade de elétrons na órbita de valência) desta
impureza obtém-se dois tipos de cristais:
Um, denominado de Cristal N, em que houve uma aumento dos portadores
elétrons;
Outro, denominado Cristal P, em que houve um aumento dos portadores lacunas.
Os níveis de dopagem situam-se, tipicamente, na faixa de uma parte para 10
milhões (compare com o grau de pureza de uma parte para cada 10 bilhões).
Entretanto, cristais fortemente dopados podem degenerar e migrar o seu
comportamento de semicondutor para condutor.
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Semicondutores: Cristal N
Para aumentar o número de elétrons na BC, a dopagem é feita com átomos
pentavalentes (5 elétrons na órbita de valência). Assim, 4 elétrons do dopante são
usados para formar as ligações covalentes com os átomos de Si e o quinto elétron
fica muito fracamente preso ao átomo original. Em outras palavras, a energia térmica
do meio ambiente é mais do que suficiente para levá-lo à BC. Diz-se que os dopantes
estabelecem um Nível de Energia dos Doadores pois cada um deles “doa” um
elétron para a BC.
Cristais N com níveis de dopagem mais leves são simbolizados por N- e com níveis
de dopagem mais elevados por N+
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Semicondutores: Cristal P
Para aumentar o número de lacunas na BC, a dopagem é feita com átomos
trivalentes (3 elétrons na órbita de valência). Assim, 3 elétrons do dopante são
usados para formar as ligações covalentes com os átomos de Si e fica faltando um
elétron, ou seja, inseriu-se uma lacuna. Diz-se que os dopantes estabelecem um
Nível de Energia dos Aceitadores pois cada um deles “aceita” um elétron para a
este nível deixando uma lacuna na BV. Este nível está muito próximo da BV de
modo que a temperatura ambiente, todos dopantes contribuem com uma lacuna.
Cristais P com níveis de dopagem mais leves são simbolizados por P- e com níveis
de dopagem mais elevados por P+
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Cristais N e P: Observações Complementares
Considerando-se o nível atômico, cada átomo dopante é um Íon. Positivo no caso
do dopante pentavalente (perdeu um elétron) e negativo no caso do dopante
trivalente (perdeu uma lacuna);
Macroscopicamente, entretanto, os cristais N e P permanecem eletricamente
neutros ;
Os dopantes pentavalentes mais comuns são: Fósforo (P), Arsênio (AS) e
Antimônio (Sb) ;
Os dopantes trivalentes mais comuns são: Boro (B), Gálio (Ga) e Índio (In).
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Junção PN: Observações Importantes
Toda análise aqui desenvolvida pressupõe que a junção PN esteja em equilíbrio
térmico e não esteja sob ação de nenhum tipo de campo eletromagnético;
O valor de VT depende dos níveis de dopagem dos cristais, do tipo de material
semicondutor e da temperatura;
Para o Si, VT vale aproximadamente 700mV@TAMB e tem um coeficiente
térmico de -2mV/0C. Para o Ge, VT vale aproximadamente 300mV@TAMB;
Não é possível medir a tensão VT com um multímetro (escala voltimétrica)!!
Algumas literaturas fazem menção a esta tensão como sendo Vbi (built-in
voltage), uma tensão embutida. Para se avaliar o seu valor é necessário tirar a
junção PN da condição de equilíbrio;
Macroscopicamente, a junção PN, em equilíbrio, permanece eletricamente
neutra;
A região de depleção pode ser modelada como um isolante uma vez que não
possui portadores de carga (qualquer portador nesta região será acelerado “para
fora” pela presença do campo elétrico). As regiões restantes dos cristais N e P são,
normalmente, referenciadas como regiões neutras e continuam a ser consideradas
semicondutoras.
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Adendo 1: Corrente de Deriva
Alguns dispositivos eletrônicos, por exemplo os transistores de efeito de campo,
caracterizam-se por apresentar a predominância da corrente de deriva em seu
funcionamento. A corrente de deriva está relacionada com a presença de um
campo elétrico. Observar a figura na seqüência.
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Adendo 3: Comparação entre Bandas de Energia retornar
Nos metais existe uma superposição das bandas, indicando que o seu comportamento se
mantém mesmo a baixas temperaturas. Já o isolante, para haver condução, é necessário
rompê-lo, ou seja, o material deverá ser exposto a uma grande quantidade de energia.
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Adendo 4: Junção PN (outra abordagem) retornar
xN
E X Q
xP
X dx
xN
V X E
xP
Xdx
Linhas Espectrais
Distribuição Eletrônica
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Adendo 6: Um pouco de história
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