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OPERACIONALES CMOS
ELC-315 2017
UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR
I8 50 I7 100 75
WL 8
3
2I 8
V SG8 Vt V SG8 1.4
k p WL 8
V1 V DD V SG8 150
I1 I8 WL 1
3
2I 1
V SG1 Vt V SG1 1.283 V2 V SG1
k p WL 1
V 2 1.283
VSS
Copyright (c) José Ramos López 8
Repuesta en frecuencia y estabilidad
fz = Gm1/(2piCc)
ft < fp2
sz = 1/ Cc(1/Gm2 –R)
SR = dvo(t)/dt = I/Cc t
Pero
SR = 2pi ft VOV1
En dB, 20 log(Avo) = 99 dB
M8 M5 M7
18u/0.8u 54u/0.8u
2.4u/0.8u
Rref M1 M2
40k
(-) (+)
1.2u/2.4u
M13
Cc
L, se usan diferentes valores de kn y kp.
1.2u/2.4u
Vout • En contrapartida, se ilustra la aplicación
M9
M10
40u/0.8u
0.443p CL de MOSFET (M9) que funciona en región
2p
8u/0.8u M6
óhmica para establecer fz >> ft, haciendo
M11 M3 M4 R9 = 1/gm6.
64u/0.8u
14u/0.8u 14u/0.8u
8u/0.8u
VSS=-2.5V
Copyright (c) José Ramos López 20
Referencias
• Sedra, A.S. and Smith, K.C., 1998. Microelectronic circuits. New York:
Oxford University Press.
• Howe, R.T. and Sodini, C.G., 1997. Microelectronics: an integrated
approach(p. 193). Upper Saddle River, NJ USA:: Prentice Hall.