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FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA
ELECTRONICA
SEMICONDUCTOR
ES
CURSO:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PROFESOR:
Manuel Carnero Arroyo
ALUMNO Y NUMERO DE ORDEN:
Cáceres Alvarado, César (4)
Trujillo 2018
MATERIALES SEMICONDUCTORES
p = n = ni
σ = σn + σp
σn = q ni un
σp = q ni up
σn
un
= q ni
σp
up
= q ni
σn σp
un
= up
= q ni
σn un
σp
= up
= relacion de conductibilidad(σ), a la cual def inire como α
2
un 1358 cm
α= up
= V s
2
461 cm
V s
E = 3, 38 V /cm respuesta b
c. Calcule y tabule ni(T) para T comprendida entre 50 K y 500K,
en saltos de 50 K.
DATOS
Asumo una oblea como un circulo, en el cual hallaré el espesor
R = 0, 1Ω
r = 2, 5cm
15
ni = 10 cm−3
2
un = 1360 cm
Vs
SOLUCION
= 4, 59 ΩcmR = ρ espesor
1 1 1 R (área)
ρ= ρ = ρ = ρ espesor = espesor
q ni un (1,6x10−19 A s)(1015 cm−3 )(1360 cm2 /V s) 0,2671 VA cm area ρ
→Bibliografía
Robert F Pierret FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES, Edit. Addison-
Wesley Iberoamericana - Estados Unidos, segunda edición 1988; pag 57-70.
Jean Chatelain DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, Edit. Limusa – Mexico,
primera edición 1987; pag 11-23.
1. Máxima hora para entregar el trabajo: 6pm del sábado 19 de mayo del
2018.
2. Los alumnos que entreguen el trabajo con anticipación a la fecha límite,
tienen un mayor puntaje en su calificación.
3. Trabajos similares serán anulados (cero puntos)
4. Los alumnos con número de orden par, resolverán las preguntas pares
y los alumnos con número de orden impar las preguntas impares.
5. Máximo puntaje del trabajo 3 puntos; los cuales se sumaran a su nota
de examen parcial