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GUÍAS PARA LAS PRÁCTICAS DE

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ANALÓGICA Y APLICACIONES

2018 - 3

ASIGNATURA DEL NÚCLEO FUNDAMENTAL


DE LA CARRERA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Redacción y Revisión:
SECCIÓN DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA


FACULTAD DE INGENIERÍA
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
Bogotá, Julio de 2018
PONTIFICIA UNIVERSIDAD JAVERIANA
FACULTAD DE INGENIERÍA
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
SECCIÓN DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

CARRERA: INGENIERIA ELECTRÓNICA

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA Y APLICACIONES CÓDIGO: 031681

OBLIGATORIA: X ELECTIVA:

TEÓRICA: TEÓRICO-PRÁCTICA: X PRÁCTICA:

HORAS SEMANA: TEORÍA: 4 PRÁCTICA: 2

CRÉDITOS: 4

FECHA: Julio de 2018

DESCRIPCIÓN
El componente práctico de esta asignatura es de vital importancia, ya que le permite al estudiante verificar y contrastar
los modelos teóricos con elementos reales. En particular, los experimentos propuestos para este curso permiten comprobar,
en forma práctica, la validez y limitaciones de teorías de circuitos electrónicos sencillos y verificar propiedades y
aplicaciones de elementos semiconductores. De esta manera, al realizar el trabajo de laboratorio -en forma cuidadosa- el
estudiante no sólo fijará y profundizará sus conocimientos teóricos, sino que al mismo tiempo empleará y dominará
técnicas básicas de medición en ingeniería.

Por estas razones y con el fin de obtener los mejores beneficios del trabajo experimental de laboratorio, se deberá
preparar cada una de las prácticas que se desarrollarán en este curso. Esto incluye, entre otros aspectos:

 Entendimiento total de las guías de laboratorio.


 Estudio del material de referencia.
 Análisis teórico y estimación de lecturas, respuestas y formas de onda esperadas.
 Diseño cuidadoso de los circuitos necesarios para lograr los requisitos establecidos.

Dicha preparación deberá, normalmente, evidenciarse en el desarrollo de las actividades solicitadas antes de la sesión
práctica las cuales, y debido a la gran importancia que tiene la preparación de los experimentos, el monitor-instructor
podrá verificar mediante preguntas durante la realización de las prácticas, las cuales serán propuestas y coordinadas por
el profesor titular del curso.

OBJETIVOS
Al finalizar el curso los estudiantes deben:

1. Aplicar la teoría sobre los principios de funcionamiento, aplicaciones y modos de operación de dispositivos
semiconductores básicos.
2. Corroborar la validez, limitaciones y utilidad de los modelos teóricos utilizados, con el funcionamiento de
elementos semiconductores reales.
3. Interpretar especificaciones dadas por los fabricantes de diferentes dispositivos semiconductores básicos.
4. Conocer y adquirir destreza en el manejo de herramientas de simulación de circuitos.
5. Relacionar e integrar diferentes dispositivos semiconductores y componentes pasivos para diseñar e implementar
aplicaciones reales sencillas.

METODOLOGÍA DE TRABAJO
Para el laboratorio, el estudiante debe tener en cuenta:

1. Preparar las prácticas a realizar (pre-informes), con base en estas guías, las cuales, al igual que los manuales de
los instrumentos y las hojas de especificaciones de los dispositivos semiconductores a utilizar, deben ser leídas
con mucha atención y entregar, cuando se requieran –de acuerdo con la programación adjunta- la información
solicitada en estas guías.
2. Durante la realización de la práctica, seguir todos y cada uno de los diferentes pasos del experimento
(indicados en la guía). En caso de existir alguna duda sobre el manejo de un equipo o ensamblaje de un
circuito, deberá pedir ayuda al monitor-instructor del laboratorio. En caso de no hacerlo, serán
responsabilidad del estudiante las consecuencias que, de alguna acción inconsulta, se deriven.

3. Conseguir, con anterioridad a la realización de la práctica, los elementos necesarios para construir los circuitos
con los que va a trabajar durante la misma. El equipo necesario, por otro lado, será suministrado por la Sección
de Laboratorio del Departamento, de acuerdo con lo dispuesto por ésta.

4. Tener disponibles para la realización de las prácticas:


 10 cables “caimán – caimán” o caimanes y cables suficientes (por grupo).
 1“tablero para el montaje de circuitos prototipo” (protoboard) (por grupo).
 Alambre para conexiones en protoboard.
 “Guías para las prácticas de Laboratorio de Electrónica Analógica y Aplicaciones”.
 Si se desea, también puede disponer de soldadura y pistola o cautín.
 En caso de utilizar cautín, se debe tener el respectivo “porta – cautín”.

5. Presentarse a la sesión de laboratorio, en forma puntual, es decir a la hora indicada en el horario, y antes de
iniciar el experimento, verificar los instrumentos, para asegurarse que el equipo asignado se encuentra en
buenas condiciones. A continuación, debe firmar la “hoja de préstamo” y entregarla inmediatamente al
Laboratorio. Esto le evitará responsabilidades y eliminará excusas como: “pero si yo no recibí ese equipo” o
“ya estaba dañado cuando lo recibí”. Recuerde que también es importante, en caso de duda, hacer verificar los
circuitos por parte del monitor-instructor antes de aplicarles potencia. En la guía de la práctica se debe tomar
nota de la información específica de los equipos con los cuales se va a trabajar (marca, modelo y número
de serie o inventario).

6. Mantener ordenadas y aseadas las aulas de laboratorio; por esto, se deben arrojar papeles y demás basura, a los
recipientes colocados para tal fin y no fumar ni consumir bebidas o alimentos dentro de estos cubículos. Así
mismo, se deben retirar del área de trabajo de la mesa de laboratorio, sacos, libros, maletas, bolsos o material
innecesario. Las anteriores son normas de seguridad que siempre deberán tenerse en cuenta.

7. Realizar el trabajo con agilidad y cuidado adecuados de tal forma que diez (10) minutos antes de finalizar el
tiempo previsto para la práctica, se entregue todo el equipo en las condiciones en que se recibió, de acuerdo
con las disposiciones de la Sección de Laboratorio.

8. Entregarlos datos tomados, de las mediciones realizadas, al terminar el tiempo destinado para la práctica. Por
esta razón se deberán tener las guías de las prácticas y tomar los datos en, al menos, dos de estos libros; uno
para entregar al monitor-instructor y otro para que el grupo pueda trabajar el informe posteriormente. En caso
de no haber terminado la práctica, se entregarán únicamente los resultados de las mediciones hechas hasta ese
momento.

9. Cada estudiante debe tener, durante el desarrollo de las prácticas su propia guía de la práctica a desarrollar,
tomada del presente documento: “Guías para las prácticas de Laboratorio de Electrónica Analógica y
Aplicaciones” para el registro de mediciones, observaciones y anotaciones de lo ocurrido durante la práctica.
Este hará el papel de lo que se conoce con nombres como “bitácora” o “diario de laboratorio” y debe
convertirse en un hábito corriente para todos los cursos prácticos, experimentos, diseños o proyectos que se
realicen durante la Carrera o en el ejercicio de la profesión.

10. En la semana siguiente a la realización de la práctica, se deberá entregar al monitor-instructor el informe


correspondiente al trabajo realizado en la práctica. Esto con el fin de disponer del tiempo necesario para el
análisis de los resultados y la obtención de las conclusiones del mismo.

Nota: Los informes se deberán entregar en papel bond, blanco, sin rayas, tamaño carta, escritos en letra tipo Times New
Roman con tamaño de 11 o 12 puntos y con espacio y medio entre líneas, siguiendo las normas y metodología
correspondientes. Se pueden entregar escritos por ambas caras del papel. Tanto los pre-informes, realizados en los
formatos pre-impresos de estas guías (a mano), como las gráficas realizadas en los informes, a partir de los datos
tomados en la práctica, deben presentarse en tinta negra, o impresos por computador.

Tener siempre presentes las normas contenidas en el Manual de Seguridad, publicado por la Sección de Laboratorio.
CONTENIDO MÍNIMO DE LOS INFORMES DE LABORATORIO

El informe es un documento que presenta, con base en la práctica realizada, los datos experimentales, el análisis de
resultados y las conclusiones obtenidas del desarrollo del experimento. A continuación, se describen las secciones que
lo componen:

1. Encabezado
Debe ser de la siguiente forma:

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS


INFORME DE LA PRÁCTICA No. _____
(TÍTULO DE LA PRÁCTICA)

INTEGRANTES: PROFESOR: ________________________________


______________________________________________ MONITOR: _________________________________
______________________________________________ GRUPO: ____________________________________
______________________________________________ FECHA DE ENTREGA: _______________________

2. Introducción o presentación
Su objeto, como lo indica su nombre, es introducir o presentar el trabajo entregado y para ello debe contener, en forma
muy breve, lo que objetivamente se requiere para entender el contenido del trabajo. No se trata de un marco teórico,
sino de “introducir” al lector al documento que está recibiendo. Esta no debe contener más de 150 palabras.

3. Equipo y material empleados


Tabla en la que se detallen los materiales y equipos EMPLEADOS, indicando tipo de equipo, marca, modelo y
números de serie (o de inventario).

4. Procedimientos de medición
Indicar sólo aquellos procedimientos no dados en la guía de la práctica.

5. Tablas de resultados
Trascripción de los datos tomados en la práctica y los calculados a partir de ellos.

6. Análisis de resultados
Responder las preguntas contenidas en las guías.

7. Conclusiones y recomendaciones
Este es quizá el aspecto más importante de un informe de laboratorio, porque indica -de alguna manera- los resultados
reales logrados en cuanto a experiencia de aprendizaje, para cada grupo de laboratorio. Adicionalmente, son de suma
importancia las recomendaciones que se puedan sugerir para mejorar los experimentos propuestos.

8. Referencias
Fuentes de información, bibliografía ó direcciones de Internet consultadas para la realización de este documento; para
esto, se deben seguir las normas correspondientes señaladas en las normas técnicas IEEE.

En la primera reunión, con su monitor-instructor, se acordarán aspectos específicos relacionados con la forma y el
momento de entregar la información trabajada como preparación para la práctica de laboratorio, los datos tomados
durante la práctica y los informes.
PRÁCTICA 1

FUNCIONAMIENTO DE LAS HERRAMIENTAS DE SIMULACIÓN DE CIRCUITOS

OBJETIVOS

1. Conocer el funcionamiento de la herramienta de simulación de circuitos CadenceOrCAD.


2. Contrastar los modelos utilizados para realizar cálculos teóricos y de simulación.
3. Entender que los modelos de simulación no entregan los mismos resultados de la realidad.
4. Saber utilizar el simulador y las hojas de especificaciones de los componentes para estimar los resultados que se
obtendrán en un circuito experimental.

PRE-REQUISITOS

 Revisar la guía de usuario de CadenceOrcad Capture entre otras en la página


web:http://www.seas.upenn.edu/~jan/spice/PSpice_CaptureGuideOrCAD.pdf
 Por lo menos un computador por grupo debe tener instalada la versión de evaluación de Cadence Orcad. Esta
versión es gratuita y es suficiente para desarrollar todas las prácticas del semestre.
 Desarrollar y completar el preinforme de la presente práctica.
 Realizar el montaje, en protoboard, de todos los circuitos que se medirán en esta práctica, previamente a la
iniciación de la misma.

EQUIPO NECESARIO

Cada grupo de laboratorio tendrá:

 1 Computador (por grupo)


 1 Paquete de software CadenceOrCAD, DEMO Ver 9.0 o superior
 1DVM Fluke 8010A, 8020B, 8022B, o Leader LDM 852A, con puntas de prueba.
 1 Fuente Regulada Kikusui 7325, 7326, Heathkit IP-27, o Leader LPS-162, LPS-163.
 1 Generador de Audiofrecuencia Leader LAG 120A, LAG 120B, o Instek GAG-810.
 1 OsciloscopioTektronix 2213, 2215, 2312A, Leader LBO 522, o Instek GOS-653G.
 2 Puntas de Osciloscopio X1 y X10.
 Resistencias, Condensadores, Protoboard y Caimanes (Elementos no suministrados por el laboratorio y que
deben ser adquiridos por los estudiantes).

PREPARACIÓN DE LA PRÁCTICA

PREGUNTAS Y CÁLCULOS PREVIOS

1. Realizar manualmente los cálculos de corriente y voltaje para cada uno de los puntos y ramas del siguiente
circuito, con el fin de comprobar la congruencia con los resultados de la simulación.

R2 R3

2k 2k
R1 R4

V1 1k 4k
10 Vdc

R5

5k

Figura 1. Circuito resistivo

A continuación, se da una guía básica para realizar las simulaciones de los circuitos que se medirán posteriormente. Todos
los circuitos deben estar simulados antes de iniciar la práctica y los datos de las simulaciones deben ser entregados de
manera impresa a los monitores antes de iniciar la práctica.
CREACIÓN DE UN PROYECTO DE SIMULACIÓN - ORCAD

1. Crear un nuevo proyecto: En la barra de herramientas, en la pestaña File, escoger New Project. Escribir el
nombre del proyecto a crear. Se recomienda que el nombre esté relacionado con el proyecto a simular, en este caso puede ser
“CircuitoResistivo”. Seleccione el tipo de proyecto seleccionando AnalogorMixed A/D y compruebe la ruta de la carpeta de
creación del archivo. La ruta por defecto se encuentra en el directorio donde se instaló CadenceOrCAD, pero se sugiere
colocarla en una carpeta diferente, por ejemplo C:\Simulaciones\Practica1\. Luego se crea el proyecto y posteriormente se
selecciona Create a blankproject.

Figura 2. Proyecto Nuevo

2. Agregar librerías: Los modelos de componentes que utiliza OrCAD están almacenados en varios archivos
denominados librerías. Para agregarlas, se debe hacer clic en el botón Place Part, en la barra de herramientas. A
continuación, se selecciona la opción Add Library, y se seleccionan las librerías que se necesiten. Para esta práctica se
necesitan agregar las librerías Analog y Source, correspondientes a componentes análogos como resistencias y a
modelos de fuentes, respectivamente.

Figura 3.Barra de Herramientas

Figura 4. Agregar librerías


Figura 5. Directorio de librerías

3. Para poder realizar la simulación se debe especificar en qué punto del circuito se encuentra la tierra. Con el fin de
seleccionar la parte “GND” se deben agregar los componentes pertenecientes a la librería SOURCE, ubicada en la carpeta
Orcad\Capture\Library\PSpice, y cada vez que se incluya el símbolo de tierra en el esquemático, se debe utilizar el símbolo
GND mostrado en la Figura 7. Agregar librerías de Tierra (GND).

Figura 6. Agregar librerías de Tierra (GND)

Figura 7. Símbolo de Tierra para la simulación

Discuta posteriormente con su monitor ¿por qué razón se debe utilizar este tipo de tierra para que la simulación sea
ejecutada correctamente?

4. Agregar componentes al esquemático: Para agregar componentes existen dos formas, la primera consiste en
escribir el identificador (o nombre) del componente a insertar en el espacio en blanco mostrado en la Figura 8. Por
ejemplo, para componentes típicos discretos como resistencias, condensadores, y bobinas, es posible escribir su inicial.
Otros modelos de componentes comunes son: Vcc para símbolo de fuente, 0 para tierra, y Vdc para fuentes de voltaje
DC.
Figura 8. Búsqueda de componentes

Cuando no se conoce el nombre exacto del componente a insertar, se busca a través de la segunda forma, haciendo clic
en el botón Place Part ubicado en la barra de herramientas, mostrado en la Figura 3. Para realizar una búsqueda más
específica del componente es posible seleccionar la librería que lo incluye, por ejemplo, para los componentes discretos
como resistencias usados en esta práctica, se utiliza la librería Analog, mostrada en la Figura 9.

Figura 9. Búsqueda de componentes en Place Part

5. Dibujo del circuito: Después de agregar los componentes necesarios, se debe conformar el siguiente circuito:

R2 R3

2k
2k
R1
R4
1k
V1 4k
10Vdc

R5

5k
0
Figura 10. Circuito resistivo

Para realizar el cambio de valores en los componentes, se hace doble clic en la etiqueta del valor del componente. Las
conexiones de los componentes se realizan seleccionando Place wire, que se encuentra en la Figura 11.

Figura 11. Botón Place Wire


6. Definir un perfil de simulación: Para realizar la simulación del circuito, se necesita crear un perfil de
simulación, el cual depende del tipo de análisis a realizar, como, por ejemplo: DC Sweep, AC Sweep, Time Domain, o
BiasPoint. Se debe crear un nuevo perfil para cada análisis utilizado, el cual se realiza en la opción New
SimulationProfile, se escoge un nombre para el perfil. Se recomienda que también sea un nombre relacionado con el
tipo de proyecto a simular, por ejemplo, SimulacionPractica1. Se abrirá una ventana llamada SimulationSettings,
seleccione la pestaña Analysis, en la sección Analysistype escoger Bias Point, con el fin de establecer puntos de
polarización a través de un análisis en DC.

Figura 12. Nuevo perfil de simulación

Figura 13. Configuración de la simulación

7. Ejecutar la simulación: Para comenzar la simulación, se ejecuta en el botón RunPspice.

Figura 14. Ejecución de la simulación

8. Mostrar los valores de polarización de voltaje y corriente simulados: Se habilitan las opciones de
indicadores de polarización, tanto de voltaje como de corriente, denominados EnableBias Voltaje Display y
EnableBiasCurrentDisplay. Con esto, es posible ver los valores de la polarización en cada uno de los puntos del
circuito. En este momento, se debe obtener el resultado mostrado en la Figura 16:
Figura 15. Habilitar visualización de valores de polarización

Figura 16. Resultado de la simulación

Realice el montaje de este circuito sobre un Protoboard. Durante la práctica mida con un
DVM los diferentes valores de voltaje y corriente y compárelos con los datos obtenidos
mediante simulación y teoría.
Verifique durante la práctica que los resultados de esta simulación sean similares a los medidos en el circuito real. Si
son diferentes, corrija según su diagnóstico.

Según los cálculos y la simulación realizada, anote la potencia que disipa aproximadamente cada componente. Utilice
esto para realizar el montaje con las resistencias adecuadas (1/4W, 1/2 W, 1W).

Para R1: P: _________ P comercial: ___________


Para R2: P: _________ P comercial: ___________
Para R3: P: _________ P comercial: ___________
Para R4: P: _________ P comercial: ___________
Para R5: P: _________ P comercial: ___________

9. A continuación, se realizará la simulación del comportamiento de un circuito RC, a través del análisis en
tiempo, donde se podrá observar la curva exponencial de carga del condensador.
R1

1k
V
V1
10Vdc C1
1m

0
Figura 17. Carga de condensador

Cuando se utilizan condensadores (o inductancias), se deben establecer las condiciones iniciales del componente (la
polaridad es importante en este caso). Para esto, se hace clic secundario sobre el condensador, e ingresar a
EditProperties. Se encontrará una columna denominada IC, InitialConditions, donde se debe especificar el valor de
voltaje inicial que posee el condensador, en este caso 0 V.

Figura 18. Condiciones Iniciales

Luego de configurar este parámetro, se crea un nuevo perfil de simulación, el cual es Time Domain (Transient).
Teniendo en cuenta los valores de la resistencia y condensador, se establece el tiempo hasta el cual se ejecutará la
simulación. Recuerde que aproximadamente un condensador se carga al alcanzar los 5τ, donde τ viene dado por la
ecuación:τ = RC. Por tal razón, según los valores dados en la Figura17, establecemos el tiempo en 5s.

Figura 19. Dominio en el tiempo

Al ejecutar la simulación, se debe obtener la siguiente gráfica:


Figura 20. Curva exponencial de carga de un condensador

10. Realizar la actividad anterior, estableciendo una carga inicial en el condensador de 5 V.

Graficar el resultado a continuación. No olvide colocar la escala al eje Y.

Realice el montaje de este circuito sobre un Protoboard. Durante la práctica realice las
mediciones sobre el circuito, utilice un Osciloscopio para ver la forma de onda de voltaje.

Si no cuenta con un osciloscopio de almacenamiento, puede tener alguna dificultad para observar la imagen en pantalla
dado que esta permanece relativamente poco tiempo (persistencia).

11. Realizar la simulación de los dos circuitos que se muestran a continuación, utilizando un perfil de simulación
Bias Point, identificando los voltajes diferenciales sobre las resistencias R1 y R2. Tenga en cuenta la posición de la
tierra en ambos circuitos.
R1

1k

V1 R2
10Vdc
1k

0
Figura 21. Circuito con referencia de tierra original
R1
0
1k

V1 R2
10Vdc
1k

Figura 22. Circuito con referencia de tierra modificada

De los resultados obtenidos en la simulación, ¿qué puede concluir de la ubicación de la referencia de la tierra,
respecto a los valores diferenciales de los componentes?

PARE Y PREGÚNTESE

1. ¿Cuándo y por qué utilizaría un software de simulación de circuitos?

2. ¿Es una buena práctica, realizar una simulación sin tener conceptos básicos del funcionamiento del circuito a
simular? Explique

3. ¿Al utilizar esta herramienta, qué condiciones físicas y factores externos, limitan la aproximación de resultados
entre una simulación y un montaje real?

DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

1. Revisar en conjunto con el monitor el resultado de las simulaciones realizadas. (Nota 2/5)
2. Realice las mediciones sobre los diferentes circuitos montados. (Nota 2/5)
3. Compare los resultados experimentales con los datos obtenidos mediante simulación. Explicar y entender las
posibles diferencias. (Nota 1/5)

INFORME
Se debe entregar, una semana después de realizar la práctica, un informe de la práctica, donde se muestren las dudas
resueltas, conocimientos adquiridos, análisis de resultados y preguntas pendientes.
Nota: No imprimir imágenes de ORCAD con fondo negro.
PRÁCTICA 2

SIMULACIÓN DE FILTROS PASIVOS Y ACTIVOS

OBJETIVOS

1. Simular y comprender el funcionamiento de un filtro pasivo de primer orden.


2. Simular y comprender el funcionamiento de un filtro activo de segundo orden.
3. Realizar comparaciones para los dos tipos de filtros.

PRE-REQUISITOS

 Revisar la información necesaria para el desarrollo de la práctica la cual se encuentra disponible, entre otras, en
las siguientes referencias: manuales del software de simulación Cadence OrCAD, disponibles en el Centro de
Documentación de Ingeniería Electrónica (CEDIE) y en la biblioteca de la Universidad Javeriana, ó
información contenida en la página web: http://www.pdf-search-engine.com/orcad-16-capture-pdf.html
 Revisar la guía de usuario de Cadence Orcad Capture en la siguiente página web:
http://www.seas.upenn.edu/~jan/spice/PSpice_CaptureGuideOrCAD.pdf
 Revisar las hojas de especificaciones de los circuitos integrados usados en la práctica.

EQUIPO NECESARIO

Cada grupo de laboratorio tendrá:

 1 Computador
 1 Paquete de software Cadence OrCAD.

PREPARACIÓN DE LA PRÁCTICA

PREGUNTAS Y CÁLCULOS PREVIOS

1. Explique las diferencias de un filtro pasivo y uno activo.

2. ¿En qué se diferencian los filtros de primer orden y de segundo orden?

3. Para el siguiente filtro pasivo de primer orden, calcule su función de transferencia, halle su frecuencia de corte y
la pendiente de caída:

R1

V1 100 k
5 Vac C1

10 nF

Figura 1. Filtro pasivo


FILTRO PASIVO

1. Cree un nuevo proyecto con el nombre “Filtropasivo”, y construya el esquemático que se muestra a continuación:
R1

V1 100 k
5 Vac C1
0 Vdc
10 nF

0 0
Figura 2. Filtro pasivo pasa bajos de primer orden

2. Inserte etiquetas en los puntos de señal de entrada (Vin) y señal de salida (Vout) en el circuito, a través de la
herramienta Place Net Alias:

Figura 3. Place Net Alias

3. El circuito con los puntos de señal debe quedar de la siguiente forma:


Vin R1 Vout

V1 100 k
5 Vac C1
0 Vdc
10 nF

0 0
Figura 4. Circuito con puntos de señal
Un barrido en frecuencia consiste en mantener constante el voltaje pico al cual se encuentra configurado un generador,
mientras su valor de frecuencia varía dentro de un rango determinado.

4. Configure el perfil de simulación para un análisis AC Sweep, el cual realizará un barrido en frecuencia del
generador V1, comenzando en 1 Hz hasta 100 MHz, con 100 puntos por década. La resolución de la gráfica que se obtendrá
viene dada por la cantidad de puntos por década que se configure. En la siguiente figura, se observa la configuración de la
simulación y los parámetros seleccionados.

Figura 5. Configuración de la simulación

5. Ejecute la simulación dando clic en el botón Run Pspice. En la ventana de simulación adicione una nueva traza en
el menú Trace > Add Trace. Se escogen los puntos de referencia o variables configuradas anteriormente, para la relación
Vout/Vin, y se escoge la función “DB ( )” para obtener los resultados en decibeles. La configuración de trazas y operaciones
entre variables se observa a continuación:

Figura 6. Variables de simulación


¿Cuál es el resultado de la simulación?

Gráfica 1. Resultado de simulación Vout/Vin del filtro pasivo

6. Ahora, habilitamos el Toggle Cursor, indicado en la siguiente figura, para utilizar los cursores de posición, con el
fin de visualizar la frecuencia de corte con mayor exactitud, y la pendiente de caída. A través del uso de éstos, responda las
preguntas que se formulan a continuación.

Figura 7. Cursores de posición

Recuerde que la frecuencia de corte se debe evaluar cuando la señal se reduce en 3 dB.

¿Son los resultados de esta simulación similares a los obtenidos en los cálculos previos de este laboratorio? Si son
diferentes, identifique las razones de las diferencias.

Frecuencia de corte calculada = ___________________

Frecuencia de corte en simulación = ___________________

Pendiente de caída calculada = ___________________ dB/década

Pendiente de caída en simulación = ___________________ dB/década


Nota: Para medir la frecuencia de corte de una señal, sin utilizar la función “dB”, se debe evaluar cuando la señal
disminuye al 70%. Realice esta verificación, eliminando la traza creada anteriormente y creando la siguiente: V(VOUT)/
V(VIN).

Realice el montaje de este circuito sobre un Protoboard. Durante la práctica mida la


respuesta del filtro y compárelos con los datos obtenidos mediante simulación y teoría.
Verifique durante la práctica que los resultados de esta simulación sean similares a los medidos en el circuito real. Si
son diferentes, concluya.

FILTRO ACTIVO

El filtro activo que se muestra a continuación, es un filtro de primer orden con una red RC y cuya pendiente de caída de
20 dB/década. Los filtros activos están compuestos por elementos activos, como amplificadores operacionales y una o
más redes RC o RL. En este caso se simulará utilizando el amplificador LF351 o LF411 (de acuerdo a la disponibilidad
del modelo PSPICE). Éste se polariza con +15 V y –15.V. Se recomienda revisar las hojas de especificaciones para
examinar el diagrama de conexiones.

1. Para comenzar a realizar esta simulación, cree un nuevo proyecto con el nombre “Filtroactivo”, y construya el
esquemático que se muestra a continuación:

VCC
7

U1
3 1
V+

+ B1
6 Vout
R1 0 OUT
Vin 2 5
V-

- B2
V1 10 k LF351/NS
5 Vac
4

0 Vdc

-VEE

0 R2

100 k

C1

10 nF

Figura 8. Filtro activo pasa bajos de primer orden

El diseño en cascada es uno de los métodos utilizados para obtener filtros activos de orden alto, debido a que la
impedancia de salida es muy baja. La principal ventaja de los filtros activos es poder ajustar la ganancia a un valor
deseado y también los parámetros de la función de transferencia sin afectar los demás, sin embargo, el amplificador
operacional, limita la operación en alta frecuencia de los filtros.

2. Realice la configuración del perfil de la simulación para un análisis AC Sweep, el cual realizará un barrido en
frecuencia del generador V1, que comenzará en 1 Hz hasta 1 GHz, con 100 puntos por década.

3. Ejecute la simulación dando clic en el botón Run Pspice. En la ventana de simulación, para visualizar el resultado
de la simulación en decibeles, agregue la traza: DB (V (VOUT)/ V(VIN))
4. Recuerde que la frecuencia de corte se debe evaluar cuando la ganancia de la señal se reduce 3 dB.

5. Dibuje a continuación, la gráfica que obtiene al realizar la simulación:

Gráfica 2. Resultado de simulación Vout/Vin del filtro activo

¿Cuál es la frecuencia de corte del filtro activo? Utilice los cursores para verificar este valor.

Frecuencia de corte Filtro Activo = _______________

¿Cuál es el valor de la pendiente de caída del filtro activo? Utilice los cursores para verificar este valor.

Pendiente de caída Filtro Activo = _______________ dB/década

6. Para realizar la comparación de los filtros, haga click en File > Append Waveform, y seleccione la simulación
anterior, denominada “Filtropasivo”. Luego, haga click en Open > Do not skip sections. De esta forma, es posible
superponer los resultados obtenidos en las dos simulaciones, y observar que la frecuencia de corte se presenta
aproximadamente en la misma frecuencia.

Gráfica 3. Comparación entre un filtro pasivo y activo de primer orden

El filtro activo presenta una ganancia mayor a 1 a diferencia del filtro pasivo. ¿Cuál es el valor de esta ganancia?
Utilice los cursores para verificar este valor (dB/década).

Ganancia Filtro Activo = _______________


Realice el montaje de este circuito sobre un Protoboard. Durante la práctica mida la
respuesta del filtro y compárelos con los datos obtenidos mediante simulación y teoría.
Verifique durante la práctica que los resultados de esta simulación sean similares a los medidos en el circuito real. Si
son diferentes, concluya.

7. En casa, realice la simulación del filtro activo, pero cambie el voltaje de la fuente V1 de 5 Vac a 50 Vac y
repita el procedimiento descrito anteriormente para observar la función DB (V (VOUT)/ V(VIN)). Observe el resultado de
la simulación.

Gráfica 4. Simulación de un filtro activo, con amplitud de la señal de entrada mayor al manejo

Note que, aunque 50 Vac está por fuera del manejo del amplificador LF351, en el simulador no se aprecia este efecto
cuando se utiliza el perfil de la simulación AC Sweep, contrario a lo que ocurre en la realidad.

8. En casa, realice la simulación del filtro activo nuevamente, pero realizando un barrido de R2/R1. Visualice las
curvas para los cinco tipos de filtros, para esto debe realizar una nueva simulación para cada cambio en la relación de
resistencias. Después, superponga todas las gráficas y responda la siguiente pregunta:

Sugerencia: Mantenga fijo el valor de R2 y haga una variación de los valores de R1 a 1 kΩ, 2 kΩ, 10 kΩ, 20 kΩ y 50
kΩ.

De los resultados obtenidos en la simulación, ¿cuáles son las variaciones que se presentan al realizar el barrido de R1
y por qué no se modificaron las frecuencias de corte?
A continuación, se observa la gráfica obtenida a partir de la superposición de las cinco simulaciones realizadas.

Gráfica 5. Comparación entre diferentes filtros activos

9. En casa, realice la simulación del filtro pasivo de segundo orden que se muestra a continuación y responda las
siguientes preguntas:

R1 L1
1 2 Vout

Vin 100 2 mH

5 Vac V1 C1
0 Vdc
10 u

0 0
Figura 9. Filtro pasivo pasa bajos de segundo orden

¿Cuál es el resultado de la simulación?

Gráfica 6. Resultado de simulación Vout/Vin del filtro pasivo de segundo orden


¿Cuál es la frecuencia de corte del filtro? Utilice los cursores para verificar este valor.

Frecuencia de corte Filtro Pasivo de segundo orden = _______________

¿Cuál es el valor de la pendiente de caída del filtro? Utilice los cursores para verificar este valor.

Pendiente de caída Filtro Pasivo de segundo orden = _______________ dB/década

CONCLUSIONES

Anotaciones, conclusiones y sugerencias.


PRÁCTICA 3

VERIFICACIÓN DE CARACTERÍSTICAS DEL MOSFET Y POLARIZACIÓN

OBJETIVOS

1. Comprender el funcionamiento de un transistor MOSFET.


2. Observar las curvas características de un MOSFET.
3. Observar la dependencia de las características de polarización de una etapa amplificadora MOSFET, con el cambio del
dispositivo por otro de la misma referencia.
4. Observar la variación con la temperatura de la corriente de polarización en una etapa con MOSFET.

PRE-REQUISITOS

 Revisar la información necesaria para el desarrollo de la práctica la cual se encuentra disponible entre otras, en
las siguientes referencias:
FLOYD, Thomas, “Dispositivos Electrónicos”. Octava Edición, Pearson Education, 2008.
SEDRA & SMITH,“Microelectronic Circuits”,Ed. Oxford, 5a.Edición, 2004.
SCHILLING, Donald. & BELOVE, Charles.“Electronic circuits: discrete and integrated”,McGraw – Hill,
2a.Edición, 1979.
 Leer, analizar y traer la hoja de especificaciones del MOSFET 2N7000.
 Revisar los MANUALES TÉCNICOS de los equipos a utilizar durante la práctica.

EQUIPO NECESARIO

Cada grupo de laboratorio tendrá:

 1 Trazador de curvas HAMEG HM6042


 1 DVM Fluke 8010A, 8020B, 8022B, Leader LDM 852A, o Tektronix DM-502, con puntas de prueba.
 1 Fuente Regulada Kikusui 7325, 7326, Heathkit IP-27, o Leader LPS-162, LPS-163.
 1 Secador de cabello.
 1 Termómetro Digital

COMPONENTES NECESARIOS
 2 MOSFET 2N7000
 Resistor de 4,7k ½W.
 1 Resistor de 100k ½W.
 1 Resistor de 470  ½W.
 1 Resistor de 12 k ½W.
 1Resistores de 1 M¼ W .
 1 Manilla antiestática
Elementos no suministrados por el laboratorio y que deben ser adquiridos por los estudiantes.
Nota: Para la realización de la práctica, tenga a su disposición las hojas de especificaciones de los MOSFET a trabajar
en este experimento. Interprete las características especificadas por el fabricante.

No olvide sus herramientas de trabajo. (Pinzas, pelacables, cables, elementos no suministrados por el laboratorio, etc.).

PREPARACIÓN DE LA PRÁCTICA

PREGUNTAS Y CÁLCULOS PREVIOS

1. ¿Cuáles son los valores máximos de voltaje y corriente del MOSFET a utilizar?

 MOSFET 2N7000
IG = _______ VGS = _______ VGD = _______
2. Calcule la polarización de los circuitos 1 y 2 (Figura 2) con los valores de los parámetros de los MOSFET,
que se encuentran en las hojas de especificaciones del 2N7000. Complete las tablas 1 y 2 con estos valores.

Si tiene alguna duda sobre cómo polarizar una etapa amplificadora con MOSFET, a partir de los datos suministrados por el
fabricante en las hojas de especificaciones, consulte los ejemplos mostrados en: FLOYD, Thomas, “Dispositivos
Electrónicos”. Octava Edición, Pearson Education, 2008. Capítulo 8.

3. De los circuitos 1 y 2 (Figura 2), ¿cuál espera que sea más independiente al cambio de MOSFET por otro de
la misma referencia? ¿Por qué?

4. Si aumenta la temperatura, ¿aumenta o disminuye la corriente Ids del circuito 2? ¿En qué proporción? Revise
este parámetro en las hojas de especificaciones.

5. Explique las condiciones de polarización (voltajes y corrientes) para cada uno de los estados de un transistor
MOSFET.

PROCEDIMIENTO

USO DEL TRAZADOR DE CURVAS PARA LA CARACTERIZACIÓN DE UN MOSFET

Antes de iniciar estas mediciones recuerde las consideraciones que hay que tener a la hora de manipular un MOSFET.
No olvide utilizar la manilla antiestática.

1. Identifique los terminales del MOSFET 2N7000. Para esto, es posible utilizar la hoja de especificaciones del
componente.
Figura 1. MOSFET 2N7000 TO-92

GATE: __________ DRAIN: __________ SOURCE: __________

2. Coloque, en el trazador de curvas, los controles de posición (X y Y) para que el trazo coincida con la esquina
inferior izquierda de la retícula, así mismo ajuste adecuadamente la intensidad y el foco.

3. Ajuste el voltaje máximo en 10 V, la corriente en 200 mA y la potencia en 0,4 W; estos valores corresponden a
los valores máximos del MOSFET 2N7000, que es en este caso el DUT.

4. Conecte entre los terminales adecuados el MOSFET que se ha de caracterizar.

5. Active la prueba del dispositivo, con la tecla correspondiente (DUT).

Dibuje la característica observada.

Gráfica 5. Característica del 2N7000Curva ID-VDS

VGS (th): _______ Resistencia Drain - Source: _______

¿Qué valor aproximado posee Vds cuando el MOSFET se encuentra en el límite entre tríodo y saturación?
VDS = _______

Teniendo en cuenta que, en la región de saturación, la corriente Id se estabiliza respecto al voltaje Vds, y en la región
tríodo éstos valores varían casi de forma lineal ¿en cuál región utilizaría un MOSFET para realizar una etapa de
amplificación y en cuál un circuito de conmutación? Justifique su respuesta.

POLARIZACIÓN DE LOS MOSFET - ANÀLISIS DC

1. Realice el montaje de los siguientes circuitos:


VCC
VCC

RD
4.7 k R1 RD
100 k 470

RG M1 M2

M2N7000 M2N7000
1M
R2
12 k
0
0 0
Circuito 1 Circuito 2
Figura 2. Estabilidad con el cambio del MOSFET

2. Ajuste el voltaje de la fuente Vcc en 24 V.

3. Mida los voltajes y corrientes de polarización en el Circuito 1 y escríbalos en la Tabla 1.

ID VD VS VG Valores

Medidos

Calculados

Tabla 1

Explique las posibles diferencias entre los valores medidos y los calculados.

4. Mida los voltajes y corrientes de polarización en el Circuito 2 y escríbalos en la Tabla 2.

ID VD VS VG Valores

Medidos

Calculados

Tabla 2

Explique las posibles diferencias entre los valores medidos y calculados.


5. Apague la fuente e intercambie los MOSFET de los circuitos 1 y 2, luego mida la corriente de polarización en cada
circuito.

Registre los datos.


ID Cto1 (M1) = ________ ID Cto1 (M2) = ________

ID Cto2 (M2) = ________ ID Cto2 (M1) = ________


¿Cuál circuito es más estable con el cambio del MOSFET? ¿Por qué? Coincide esto con lo analizado en las preguntas
previas.

VARIACIÓN DE LA CORRIENTE CON LA TEMPERATURA.

1. Conecte el amperímetro en el circuito 2 (Figura 2) para monitorear la corriente Ids y acerque una fuente de calor
puntual (un secador de cabello) al MOSFET del circuito 2, durante unos segundos.

¿Qué cambio nota en la corriente de polarización del circuito? ¿Coincide el resultado con lo asegurado en las preguntas
previas?

CONCLUSIONES

Anotaciones, conclusiones y sugerencias.


PRÁCTICA 4

REGIONES DE OPERACIÓN DEL MOSFET

OBJETIVOS

1. Extraer, mediante medición, los parámetros del MOSFET.


2. Comparar los parámetros medidos con las hojas de especificaciones del fabricante.
3. Extraer la función de transferencia de un MOSFET en configuración source común.
4. Identificar las regiones de operación en dicha función de transferencia.
5. Analizar la ganancia y el manejo como función del punto de operación.

PRE-REQUISITOS

 Revisar la información necesaria para el desarrollo de la práctica la cual se encuentra disponible entre otras, en
las siguientes referencias:
SEDRA & SMITH, “Microelectronic Circuits”, Ed. Oxford, 5a. Edición, 2004.
SCHILLING, Donald. & BELOVE, Charles.“Electronic circuits: discrete and integrated”, McGraw – Hill,
2a.Edición, 1979.
 Revisar los MANUALES TÉCNICOS de los equipos a utilizar durante la práctica. En particular: principios de
funcionamiento, modos de operación y precauciones para su uso.
 Leer y analizar las hojas de especificación de los elementos a utilizar.

EQUIPO NECESARIO

 1 Mainframe Hameg con fuente triple HM8040-2 y DVM HM8012


 1 Osciloscopio con base de tiempo retardada calibrada: Tektronix 2235, 2236A, 465A, Hameg HM-1400-3
 1 Generador de Funciones: Leader LFG-1300/10, Tektronix CFG-280
 2 Puntas de prueba para osciloscopio (X10)

COMPONENTES NECESARIOS

 1 Circuito integrado ALD1105 (Suministrado por el laboratorio, solo un IC por grupo para esta y otras
prácticas)
 1 Condensador de 1nF que pueda soportar un voltaje mayor a 16V
 Resistencias de acuerdo a los cálculos

Elementos pasivos no suministrados por el laboratorio y que deben ser adquiridos por los estudiantes.

Nota: Para la realización de la práctica, tenga a su disposición las hojas de especificaciones del ALD1105. Interprete
las características especificadas por el fabricante.

No olvide sus herramientas de trabajo. (Pinzas, pelacables, cables, componentes no suministrados por el laboratorio,
etc.).

Figura 1. Distribución de pines del ALD1105


PROCEDIMIENTO

COMPROBACIÓN DE PARÁMETROS DEL MOSFET (Medición de Vt y Kn).

Realice los siguientes montajes experimentales mostrados abajo para obtener los parámetros del MOSFET y
compárelos con los suministrados por el fabricante. Los esquemáticos ilustran el caso de un NMOS, pero usted puede
trabajar con PMOS.

Nota. Recuerde que el Sustrato, Bulk, Body o cuerpo del MOSFET debe ir al potencial más alto o más bajo del circuito
según sea PMOS o NMOS respectivamente, para evitar que se prenda alguna juntura Drain-Bulk o Source-Bulk. Puede
también poner el terminal Source en corto con el sustrato. Puede variar Vin entre 0V y aproximadamente 3V
dependiendo del MOS, y tomar los pares ordenados (Id, Vin), garantizando siempre que el MOS no pase a región
Tríodo.

Figura 2. Esquemático para obtener Vt y Kn.

Monte los circuitos mostrados en los esquemáticos, grafique Id Vs Vin. Calcule matemáticamente el valor de la
pendiente de la recta resultante y obtenga Vt y Kn, explique cómo calculó dichos valores.

FUNCIÓN DE TRANSFERENCIA

Figura 3. Esquemático para obtener la función de transferencia.

Con base en las especificaciones típicas del fabricante y luego con sus mediciones, dibuje de manera aproximada la
función de transferencia Vout/Vin, indicando los valores cuando el Mosfet cambia de región de operación. Obtenga
luego en el osciloscopio (en modo X-Y) dicha función de transferencia, para esto fije en Vin un voltaje DC (offset)
igual al voltaje pico de la señal, que puede ser triángulo o seno a una frecuencia de los cientos de Hz; se quiere
garantizar que el voltaje Gate-Source Vgs≥0V, además la amplitud de la señal Vin mas el offset debe garantizar que el
MOSFET pase por los tres estados.

Agregue la función de transferencia medida a sus dos gráficas anteriores.


ANÁLISIS DE MANEJO

Con una señal seno de 0V de amplitud, fije ahora varios voltajes DC (offset) en el generador, tal que los voltajes de
polarización de Voltaje Drain-Source sean:

VDS1 VDS2 VDS3


3V 5V 7V

Si se define manejo, como el rango de valores tal que el MOSFET no salga de la región de saturación, calcule en los
tres casos anteriores el manejo por arriba y por debajo del Voltaje a la salida, Drain-Source. y a la entrada, Voltaje
Gate-Source.

Aplicando ahora, en cada uno de los tres casos, una señal seno y visualizando en el osciloscopio las dos señales
simultáneamente, confirme sus cálculos realizando las medidas sobre el circuito e incluya las formas de onda medidas
VDS y VGS, indicando claramente los puntos de interés que sean coherentes con sus cálculos de manejo.

CONCLUSIONES

Anotaciones, conclusiones y sugerencias.


PRÁCTICA 5A

APLICACIONES DEL MOSFET: AMPLIFICACIÓN

OBJETIVOS

1. Verificar el funcionamiento del MOSFET como amplificador.


2. Obtener la función de transferencia de un inversor CMOS.
3. Analizar el efecto de carga en una compuerta negadora (Fan-out).

PRE-REQUISITOS

 Revisar la información necesaria para el desarrollo de la práctica la cual se encuentra disponible entre otras, en
las siguientes referencias:
FLOYD, Thomas, “Dispositivos Electrónicos”. Octava Edición, Pearson Education, 2008.
SEDRA & SMITH, “Microelectronic Circuits”, Ed. Oxford, 5a. Edición, 2004.
SCHILLING, Donald. & BELOVE, Charles.“Electronic circuits: discrete and integrated”, McGraw – Hill,
2a.Edición, 1979.
 Manuales de Semiconductores (Transistores y MOSFET).
 Revisar los MANUALES TÉCNICOS de los equipos a utilizar durante la práctica. En particular: principios de
funcionamiento, modos de operación y precauciones para su uso.
 Leer y analizar las hojas de especificación de los elementos semiconductores a utilizar.

EQUIPO NECESARIO

1 Mainframe Hameg con fuente triple HM8040-2 y DVM HM8012


1 Osciloscopio con base de tiempo retardada calibrada: Tektronix 2235, 2236A, 465A, Hameg HM-1400-3.
1 Generador de Funciones: Leader LFG-1300/10, Tektronix CFG-280.
2 Puntas de prueba para osciloscopio (X10)

COMPONENTES NECESARIOS

1 Circuito integrado CD4007UB (Suministrado por el laboratorio) (el laboratorio suministrará un integrado adicional
por grupo a nombre del monitor)
1 Resistencia 5,1 kΩ; ¼ W, condensador de 47uF a más de 10V*
* Elementos no suministrados por el laboratorio y que deben ser adquiridos por los estudiantes.

Nota: Para la realización de la práctica, tenga a su disposición las hojas de especificaciones del CD4007UB, a
trabajar en este experimento. Interprete las características especificadas por el fabricante.

No olvide sus herramientas de trabajo. (Pinzas, pelacables, cables, componentes no suministrados por el
laboratorio, etc.).

PROCEDIMIENTO

TRANSISTOR MOSFET CANAL N (NMOS) COMO AMPLIFICADOR.

1. Realice el montaje mostrado en la Figura 1. Tenga en cuenta qué pines del CD4007UB se deben cablear (número
dentro del recuadro).
Ajuste el valor DC del generador de funciones (Offset), hasta obtener en la salida (Vo) un voltaje Vdd/2. Durante
este procedimiento mantenga el valor AC del generador en su valor mínimo.
2. Garantizando que el MOS opera en saturación de corriente tome dos medidas distintas de niveles DC del voltaje en
los terminales del transistor y/o la corriente y con esto estime el valor de kn‘ y vth.
3. Ajuste ahora la amplitud de la señal sinusoidal en la entrada, hasta obtener una señal de 1 V pico en la salida y una
frecuencia de 1 kHz. Calcule la ganancia de voltaje del amplificador, Impedancia de entrada e impedancia de
salida.
4. Suponiendo que los transistores NMOS y PMOS son perfectamente complementarios, realice el esquemático
completo (incluyendo los valores de voltajes y corrientes de polarización) de la configuración “Source-Común”,
utilizando el transistor PMOS, con el fin de obtener la misma ganancia de voltaje que en el circuito de la Figura 1.
Si lo requiere, puede estimar los valores de kp y Vt, tomando dos valores distintos de polarización.
Vdd=10 V

R1
5.1k
Vo

6 8

Vac 7
Vdc

0 0

Figura 1. Amplificador en configuración: “Source Común”

5. Realice el montaje mostrado en la Figura 2. Tenga en cuenta qué pines del CD4007UB se deben cablear (número
dentro del recuadro).

Figura 2. Amplificador en configuración: “Drain Común”

6. Ajuste la amplitud de la señal sinusoidal en la entrada, hasta obtener una señal sin distorsión en la salida y una
frecuencia de 1 kHz. Calcule la ganancia de voltaje del amplificador. Con base en los datos anteriores calcule el gm
del transistor. Comente los resultados obtenidos
7. Realice el montaje mostrado en la Figura 3. Tenga en cuenta qué pines del CD4007UB se deben cablear (número
dentro del recuadro).

Figura 3. Amplificador en configuración: “Gate Común”


8. Ajuste la amplitud de la señal sinusoidal en la entrada, hasta obtener una señal sin distorsión en la salida y una
frecuencia de 1 kHz. Calcule la ganancia de voltaje del amplificador. Con base en los datos anteriores calcule el gm
del transistor.
9. Realice el montaje mostrado en la Figura 4. Tenga en cuenta qué pines del CD4007UB se deben cablear (número
dentro del recuadro). El valor de C=47uF que soporte un valor mayor a 10V, si el condensador es polarizado, debe
tener cuidado en colocar el terminal marcado + al potencial más positivo.

Figura 4. Amplificador en configuración: “Gate Común” modificado

10. Ajuste la amplitud de la señal sinusoidal en la entrada, hasta obtener una señal sin distorsión en la salida a una
frecuencia de 1 kHz. Calcule la ganancia de voltaje del amplificador. Con base en los datos anteriores calcule el gm
del transistor.

CONFIGURACIÓN COMPLEMENTARIA (CMOS) COMO AMPLIFICADOR

1. Modifique el montaje para obtener el circuito de la Figura 5. ASEGÚRESE de ajustar el valor de las fuentes (+/- 6
V).
2. Ajuste el valor DC del generador de funciones (Offset), hasta obtener en la salida 0 V DC. Durante este
procedimiento mantenga el valor AC del generador en su valor mínimo.
3. Varíe la amplitud de la señal sinusoidal del generador de funciones, hasta tener una distorsión apreciable en la
salida (picos planos en los semiciclos positivos y negativos).
4. Utilizando el osciloscopio en modo X-Y, realice la función de transferencia entrada-salida (Vo vs. Vin). Ajuste la
posición horizontal del osciloscopio para que la curva obtenida pase por el origen.
5. Sobre la gráfica obtenida en el punto anterior, identifique las diferentes regiones de operación de cada uno de los
MOSFETs.
6. Para la zona en la cual los dos MOSFETs están en saturación, calcule la ganancia de voltaje.
7. Suponiendo que el gm para los dos transistores es igual, calcule el valor de ro de cada transistor.

Vdd= 6V

14

13
6 Vo
8

Vin 7

0
-Vdd= -6V
Figura 5. CMOS como amplificador

INVERSOR CMOS (Compuerta NOT o negadora)

1. Modifique el montaje para obtener el circuito de la Figura 6. ASEGÚRESE de ajustar el valor de las fuentes
(+ 5 V y tierra).
2. Modifique la señal de entrada a una señal cuadrada, que varíe entre 0 y 5 V a una tasa de repetición de 4 Mpps. (4
Mega pulsos por segundo)
3. Mida los tiempos de retardo de propagación de la compuerta (td), observando las señales de entrada y salida
simultáneamente en el osciloscopio. ASEGÚRESE que las puntas del osciloscopio estén compensadas.
Vdd= 5V

14

13
6 Vo
8

Vin 7

0 0

Figura 6. Inversor CMOS

4. Adicione las conexiones necesarias hasta obtener el circuito de la Figura 7. Observe que se agrega una compuerta
negadora a la salida de la previamente montada en la figura 6.
5. Observando Vin y Vo, de manera simultánea en el osciloscopio. Verifique si hubo cambios en la señal de salida
(Vo).
6. Calcule aproximadamente, cuál sería el tiempo de retardo a la salida Vo, si se conectara no una sino __ negadoras,
dibuje de manera aproximada Vo, sobrepuesta a Vin.
Vdd= 5V Vdd= 5V

14 Vo
11

13
6 10
8

Vin 7 9

0 0 0

Figura 7. Inversor CMOS con carga

CIRCUITO LÓGICO

1. Realice el montaje de la Figura 8. Encuentre la tabla de verdad entre las entradas (A y B) y la salida (Y), a partir de
las medidas realizadas sobre el circuito. ¿a qué tipo de circuito lógico corresponde este montaje?
2. Para A=0; B=0; indique en una tabla la región de operación de cada MOSFET.
3. Vuelva a realizar la tabla para A=0; B=1.
Vdd= 5V

14

6
M1

11
Vdd= 5V

A 13
10 2
M5
B M2

12 3 1
Y
5
8
6 10
M6 4
7 9
M3 M4
0 0 0

Figura 8. Circuito lógico


PRÁCTICA 5B

EVALUACIÓN DE LA VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN DE UNA COMPUERTA

OBJETIVOS

A partir de un amplificador inversor NMOS en configuración SC que se usará como una compuerta lógica inversora:
analizar y evaluar los tiempos de conmutación, con modelos simplificados de primer orden.
1. Determinar los tiempos de subida y de bajada de la compuerta
2. Evaluar el efecto de las capacitancias parásitas en los tiempos de conmutación.
3. Evaluar y medir los tiempos de retardo de la compuerta.
4. Relacionar el FanOut con la inmunidad al ruido y la velocidad máxima de operación de la compuerta.

EQUIPO NECESARIO

1 Mainframe Hameg con fuente triple HM8040-2 y DVMHM8012


1 Generador de Funciones Leader LFG1310
1 Osciloscopio Digital Tektronix TDS210
2 Puntas de Osciloscopio X10.
1 Circuito Integrado CD4007, resistencia de 5,1 kΩ, condensadores

COMPONENTES NECESARIOS

1 Circuito integrado CD4007UB (Suministrado por el laboratorio)


No olvide sus herramientas de trabajo. (Pinzas, pelacables, cables, componentes no suministrados por el laboratorio,
etc.).

Gráfica tomada de: Dr. Lynn Fuller 8-17-2015 - https://people.rit.edu/lffeee/CD4007_SPICE_MODEL.pdf


PROCEDIMIENTO

COMPUERTA NEGADORA NMOS

1. Realice el montaje mostrado en la Figura 1.


2. Ajuste el generador de pulsos a una frecuencia de 500kpps y ajuste la señal entre 0V y Vdd. ASEGÚRESE de usar
puntas x10 con el osciloscopio y que estas estén compensadas.

Figura 1. Compuerta negadora NMOS

El esquema de la figura 2 muestra la compuerta de la figura 1, que llamaremos “Compuerta 0” a cuya salida se
conectarían varias compuertas iguales; con resistencia de entrada →∞ y capacitancia de entrada Cin=5pF.

Con el generador de pulsos con resistencia de salida muy baja, de 50Ω conectada al Gate del MOSFET. Observe con el
osciloscopio el voltaje en Gate y mida los tiempos de subida y bajada de esta señal (medidos entre el 10% y 90% del
valor máximo).

Mida con otra punta la salida en Drain y mida los tiempos de subida y de bajada de esta señal.

Despliegue en la pantalla del osciloscopio las dos señales simultáneamente y mida el tiempo de retardo, definido como
el tiempo transcurrido desde que la entrada llega a la mitad del valor máximo hasta que la salida llega también a la
mitad del valor máximo.

Los voltajes mínimos y máximos de entrada y salida de la compuerta aparecen en la siguiente tabla:

VOH(max) VOH(min) VOL(max) VOL(min)


VDD VDD-0.1V 800mV 190mV

VIH(max) VIH(min) VIL(max) VIL(min)


VDD VDD-1.3V 1.4 0V
Agregue ahora un condensador de 100pF a la salida, entre Drain y Tierra, que emula unas 20 compuertas, y mida de
nuevo los tiempos de subida, de bajada y de retardo.

Figura 2. Interconexión de compuertas NMOS

Calcule el mayor número de compuertas que se pueden conectar a la salida de la Compuerta 0 (FAN OUT), para
garantizar una “Inmunidad al Ruido” de 1V.

Si N=20 determine la máxima frecuencia del tren de pulsos para obtener la misma inmunidad al ruido.

Para emular en el laboratorio las compuertas 1 a N, simplemente coloque un condensador cuyo valor es NxCin.

Compare sus resultados teóricos con las mediciones que realiza en el laboratorio.
PRÁCTICA 5C

DISEÑO Y ANÁLISIS DE RESPUESTA EN FRECUENCIA

OBJETIVO

1. Diseñar, analizar y medir las características de un amplificador en el dominio de la frecuencia.

PRE-REQUISITOS

 Revisar la información necesaria para el desarrollo de la práctica la cual se encuentra disponible entre otras, en las
siguientes referencias:
FLOYD, Thomas, “Dispositivos Electrónicos”. Octava Edición, Pearson Education, 2008.
SEDRA & SMITH, “Microelectronic Circuits”, Ed. Oxford, 5a. Edición, 2004.
https://people.rit.edu/lffeee/CD4007_SPICE_MODEL.pdf
 Revisar los MANUALES TÉCNICOS de los equipos a utilizar durante la práctica.
 Revisar el esquemático del circuito a utilizar en la práctica, junto con sus cálculos.

EQUIPOS NECESARIOS

1 Fuente de alimentación múltiple, Kikusui 7325, 7326; o Leader LPS162 o PS163.


1 DVM Fluke 8010A, 8012A, 8020; Leader LDM 852; Fluke 77; o Tektronix DM-502, con puntas de prueba.
1 Osciloscopio Leader LBO 520, LBO 522A, Tektronix 2213, 2215, 2235, Philips 3206, 3055, o Instek GOS-653G.
1 Generador de Funciones con ajuste de offset, Leader LFG 1300/1310, o Tektronix CFG-280.
2 Puntas de Osciloscopio X1 y X10.

COMPONENTES NECESARIOS

Circuito debidamente montado en protoboard por parte de los estudiantes.


No olvide sus herramientas de trabajo. (Pinzas, pelacables, cables, caimanes etc.).

PREPARACIÓN DE LA PRÁCTICA

CÁLCULOS PREVIOS A LA PRÁCTICA

En el esquemático del amplificador mostrado en la Figura 1, Rg modela la resistencia del generador y R8 la resistencia
de carga.

Usando los transistores del circuito integrado CD4007 (https://people.rit.edu/lffeee/CD4007_SPICE_MODEL.pdf) debe


entregar un preinforme escrito en que muestra el cumplimiento de los siguientes incisos:

1) Diseñar el amplificador de forma tal que la ganancia de voltaje a frecuencias medias (entre 1KHz y 20 KHz),:
VR 8
 40
Vi
2) Diseñar de forma tal que el manejo simétrico en la carga R8 sea mayor a 3Vpp
3) Para diseñar la respuesta en frecuencia de la función de transferencia de voltaje citada atrás, calcular los
condensadores de forma tal que los polos asociados a cada uno esté ubicado en la frecuencia indicada en la
siguiente tabla: (Recuerde que también hay ceros en las funciones de transferencia, solo debe calcularlos)

Condensador C1 C2 C3 C4 C5

Frecuencia del polo 10 Hz 100 Hz 1 KHz 20 KHz 10 Hz

Debe por tanto calcular y justificar el valor de todas las resistencias y condensadores, y ajustar sus cálculos a valores
comerciales, dado que deberá montar el circuito. Resuma los valores en la siguiente tabla:
Componente R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 C1 C2 C3 C4
Valor
Calculado
Valor
Comercial

Componente R9 R10 C5
Valor
Calculado
Valor
Comercial

Junto con sus análisis y cálculos debe entregar un conjunto de simulaciones con resultados que sean congruentes con
sus cálculos y las especificaciones y resumir sus resultados en una tabla similar a la mostrada abajo.

Polarización:

Parámetro Vg1 Vd1 Vs1 Id1 Vd2 Vs2 Id2


Calculada
Simulada

De forma similar debe comparar la ganancia y respuesta en frecuencia calculadas con las simuladas, tanto de la
magnitud como de la fase. Diseñe usted las simulaciones que le permitan comparar los resultados de estas con sus
cálculos de las siguientes funciones de transferencia.

Vg1 / Vi Vd1 / Vg1 Vd 1 / Vi Vd 2 / Vg 2 VR8 / Vi

Para la realización de la práctica en el laboratorio, deberá llevar el circuito previamente montado en


protoboard, y tener disponibles las hojas de especificaciones de los transistores elegidos.

PROCEDIMIENTO

PARTE 1. MEDICIONES SOBRE EL CIRCUITO MONTADO.

POLARIZACIÓN

1. Fije la fuente de alimentación Vcc en 6V y por precaución fije la limitación de corriente a valores algo
mayores a los que consumirá su circuito, de acuerdo a sus cálculos y simulaciones.
2. Compare los resultados de sus cálculos y simulaciones con los valores medidos, resuma sus resultados en
la siguiente tabla:

Parámetro Vg1 Vd1 Vs1 Id1 Vd2 Vs2 Id2


Calculada
Simulada
Medida
Figura 1. Esquemático del Amplificador

DIAGRAMA DE BODE

1. Seleccione una señal sinusoidal a una frecuencia en el rango de frecuencias medias y mida tanto la ganancia
como el manejo y compárelos con sus cálculos y simulaciones. Resuma los resultados en la siguiente tabla:

Parámetro Valor Calculado Valor Simulado Valor Medido


VR8
Vi
Manejo.

2. En principio ajuste el generador, con una señal de entrada sinusoidal y a una magnitud tal que el amplificador
opere a todas las frecuencias a máximo la mitad del manejo diseñado, para obtener a la salida una señal sin
distorsión aparente. Es posible que a algunas frecuencias requiera aumentar dicha amplitud para facilitar la
medida.

3. Haga suficientes medidas para obtener el Bode de magnitud y fase, en la región de interés, de las funciones
de transferencia mostradas en la siguiente tabla:

Vg1 / Vi Vd1 / Vg1 Vd 1 / Vi Vd 2 / Vg 2 VR8 / Vi

Sugerencias:

 Tome las muestras a diferentes frecuencias cercanas a los puntos de interés.


 Se puede dar una idea aproximada del BODE de magnitud si hace un barrido en frecuencia con ayuda del
osciloscopio en configuración XY.
 Haga las mediciones de fase en el dominio del tiempo, esto le ayudará a aclarar conceptos y a visualizar
señales.

a) En la misma gráfica dibuje los bodes de Magnitud de VR8/Vi, tanto del calculado (aproximación con rectas)
como el simulado y el medido.
Sugerencia, puede traer el resultado gráfico de la simulación y sobre esta gráfica dibujar los otros dos.
Gráfica 1. Bode de magnitud de VR8/Vi en dB

b) En la misma gráfica, dibuje los diagramas de bode de fase de: VR8/Vi tanto del calculado (aproximación con
rectas) como el simulado y el medido.

Gráfica 2. Bode de Fase de VR8/Vi

Para las demás funciones de transferencia (ver tabla abajo), grafique solamente los tres Bodes de magnitud: el calculado
aproximado, el simulado y el medido.

Vg1 / Vi Vd1 / Vg1 Vd 1 / Vi Vd 2 / Vg 2

Compare los valores medidos con calculados en las preguntas previas, explique y justifique las posibles diferencias.

CONCLUSIONES

1. Conclusiones, recomendaciones y sugerencias personales


PRÁCTICA 6

DISEÑO, MONTAJE Y MEDICIÓN DE UN AMPLIFICADOR DIFERENCIAL MOS

OBJETIVOS

1. A partir de las especificaciones requeridas para un amplificador diferencial, calcular el valor de los componentes
pasivos requeridos.
2. Comparar los resultados de un análisis teórico con las mediciones de una realización práctica.
3. Consolidar los conceptos de ganancia diferencial, ganancia en modo común y factor de rechazo en modo común.
4. Consolidar el concepto de manejo.

EQUIPO NECESARIO

1 Mainframe HAMEG (Fuente dual y DVM).


1 Osciloscópio Leader LBO 520,522, o Tektronix 2213, 2213A, 2215 o 223, o Instek GOS-653G.
1 Generador de Audiofrecuencia o de funciones Leader LAG 120A, LAG 120B, o Instek GAG-810
2 Puntas de Osciloscopio X1 y X10.

COMPONENTES NECESARIOS

1 Circuito integrado CD4007UB (Suministrado por el laboratorio), se entregará uno adicional a nombre del monitor.

PREPARACIÓN

Para el circuito mostrado a continuación, identifique la manera de conectar los 3 MOSFETs canal N que están dentro de 1
sólo circuito integrado (CD4007UB).

+5V +5V

RD
vo

100 kΩ vi
-5V

+5V

R1

R2

-5V -5V

Ahora, calcule los valores de las resistencias RD, R1 y R2 para cumplir con las siguientes especificaciones:

 Ganancia diferencial aproximadamente igual a 10.


 Manejo de voltaje en la salida superior a 1V (el valor AC de la salida debe poder subir o bajar 1 V respecto a la
polarización).
 Potencia disipada en el circuito integrado inferior a 100 mW.

Para facilitar los cálculos suponga que el sustrato de cada uno de los MOSFETs está conectado a su source, en lugar de
estar conectado al potencial más bajo (-5V).

Utilice como valores para los parámetros de los MOSFET: Kn’*W/L = 125 E-6 y |Vth| = 2.
Proponga circuitos de prueba para estimar el valor de los parámetros Kn’*W/L, y Vth.
Simule los circuitos de prueba propuestos por usted y verifique el valor de los parámetros; tenga en cuenta que en el caso
específico del integrado CD4007 el valor de Kn’*W/L variar en función de la corriente (ver:
http://www.eecs.berkeley.edu/Pubs/TechRpts/1980/9610.html).

Asegúrese de usar el modelo de SPICE correcto para el integrado CD4007UB. O en su defecto puede usar el siguiente
modelo:

(Tomado de http://web.eece.maine.edu/~hummels/classes/ece342/docs/umaine.lib)

.model CD4007 NMOS


+ Level=2 Gamma= 2.7 Xj=0
+ Tox=1200n Phi=.6 Rs=0 Kp=111u Vto=2.0 Lambda=0.01
+ Rd=0 Cbd=2.0p Cbs=2.0p Pb=.8 Cgso=0.1p
+ Cgdo=0.1p Is=16.64p N=1 L=10E-6 W=30E-6
* L & W added 2/22/07 -DMH

.model CD4007 PMOS


+ Level=2 Gamma= 2.7 Xj=0
+ Tox=1200n Phi=.6 Rs=0 Kp=55u Vto=-1.5 Lambda=0.04
+ Rd=0 Cbd=4.0p Cbs=4.0p Pb=.8 Cgso=0.2p
+ Cgdo=0.2p Is=16.64p N=1 L=10E-6 W=60E-6
* L & W added 2/22/07 -DMH

Una vez verificado el valor de Kn’*W/L, y Vth, simule el amplificador diseñado. Primero verifique que la polarización sea
la esperada.

Si es necesario, modifique el diseño para que cumpla con las especificaciones dadas.

Utilice la hoja de especificaciones del circuito integrado para identificar los pines y para identificar los parámetros de los
MOSFETS a partir de las curvas típicas. http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/26834/TI/CD4007UB.html

Realice el montaje del circuito del par diferencial con antelación a la práctica.

DESARROLLO

1. Conecte el circuito a las fuentes de alimentación con el generador de audio apagado. Verifique los voltajes de
polarización.
2. Realice la medición de la ganancia del circuito. Verifique la señal de entrada y de salida en el osciloscopio.
3. Mida el manejo del circuito en la entrada y en la salida. Verifique si varía la ganancia cuando la señal es grande.
4. Mida el factor de rechazo en modo común.

CONCLUSIONES

 Realice las conclusiones de la práctica. ¿Qué diferencias encontró entre los cálculos y las mediciones?
 Si sólo se tuviera una fuente de 10 V. ¿Cómo se podría modificar el circuito para tener la misma señal en la
salida?