Reporte escrito
Presentación: Celdas Solares de Silicio: Tecnologías estudiadas y mejores eficiencias
Articulo #1. High-efficiency crystalline silicon
solar cells: status and perspectives
El desarrollo de técnicas para la producción
de silicio monocristalino, así como para su
dopaje empleando procesos de difusión de
impurezas a altas temperaturas conllevó a
que en 1954 laboratorios Bell reportara la
primera celda solar moderna con una
eficiencia de 4,5% que rápidamente subió a
6% al cambiar el proceso de difusión de litio
por el dopaje con boro.1
Figura 1. Evolución celdas silicio, a) Primera celda solar
de silicio moderna reportada en 1954, b) celda solar
espacial que se desarrolló en los 60, c) celda Passivated
emitter, rear locally-diffused (PERL) con 23% de
eficiencia.1
La eficiencia de las celdas pronto subió al 10%,
sin embargo, con esas eficiencias era
insostenible su uso terrestre a gran escala,
pero el incentivo para la continuación de su
desarrollo lo dio su aplicación en los satélites
durante la carrera espacial. En el desarrollo de
celdas para aplicaciones espaciales se empezó
a notar que el silicio dopado con boro (tipo p)
posee una resistencia superior a la radiación
de alta energía y por ello este material se
encuentra con mayor frecuencia como base
de la celda solar. Otras estructuras que vale la
pena destacar porque son la base de las
celdas solares actuales son la celda PERL
(Passivated emitter, rear locally-diffused) que
combina el uso de una superficie anti
reflectiva creada con etching anisotrópico
(que deja unas microestructuras en forma de
pirámide), además incorpora estrategias de
pasivación para suprimir la recombinación. La
otra estructura que se destaca se denomina
HIT (heterojunction whit intrinsic thin layer) y
pertenece a la compañía Samsung y se
destaca por que los procesos para su
producción a partir de silicio monocristalino
son de baja temperatura (<200 oC) a
diferencia de las altas temperaturas
requeridas para el dopado en las celdas de la
familia PERL.1,2
Figura 2. Estructura de una celda solar HIT
(heterojunction whit intrinsic thin layer).3
La estructura HIT es una manera ingeniosa de
obtener contactos selectivos ya sea de
electrones o huecos. Para lo anterior se hace
uso de silicio amorfo el cual es un material
semiconductor con un ancho de banda
prohibida (1,7 eV) mayor al del silicio
cristalino (1,1 eV). La diferencia de 0,6 eV
entre el gap de estos semiconductores se
distribuye como 0,15 eV de diferencia entre
las bandas de conducción de entre los
materiales y los 0,45 eV restantes entre las
bandas de valencia. Por lo anterior el silicio
amorfo se podía emplear eficazmente como
una barrera de bloqueo de huecos para evitar
que huecos en la banda de valencia fluyan en
contra de la celda, sin embargo, los 0,15 eV de
diferencia en la banda de conducción
impondrían una barrera al paso de electrones
lo cual va en contra de la eficiencia de la celda.
Para resolver lo anterior en lo primero que se
pensaría es en dopar el silicio amorfo para
alinear adecuadamente las bandas según los
niveles de fermi, pero se ha encontrado que
al dopar este material entonces se
incrementa la recombinación en la interface
silicio amorfo-cristalino. Así que la solución
que ideó Sanyo fue aprovechar el
tunelamiento cuántico que se da cuando se
trabaja con dimisiones nanométricas, para
ello la capa de silicio amorfo intrínseco debe
ser muy delgada (unos cuantos nm) y luego se
coloca una capa de silicio amorfo dopado. De
este modo se consigue una notable
pasivación del silicio cristalino que actúa
como material fotoactivo ya que el silicio
amorfo consigue pasivar los enlaces colgantes
(esto permite alcanzar Voc mayores a 720 mV
y mejor desempeño a altas temperaturas -
0,23%/K en comparación a -0,45%/K para
silicio monocristalino)4 y se consigue el
siguiente alineamiento de bandas.
Figura 3. Diagrama de bandas en una celda solar HIT.
Con este alineamiento de bandas se consigue
bloquear efectivamente el paso de huecos
hacia la parte frontal de la celda con la ventaja
de que la barrera de potencial que se le
impone al paso de electrones en la banda de
conducción es de muy poco espesor que los
electrones pasan al frente por efecto túnel
para ser recolectados. Similarmente en la
parte posterior de la celda los electrones en la
banda de conducción son efectivamente
bloqueados y los huecos debido al delgado
espesor del silicio amorfo intrínseco pueden
pasar por efecto túnel para obtener una celda
solar funcional. Un limitante de esta
configuración es la baja conductividad del
silicio amorfo debido a su bajo nivel de
dopaje, esto hace necesario el uso de un
oxido conductor trasparente en el frente de la
celda para mejorar la recolección de cargas.4,5
Lo anterior disminuye un poco la cantidad de
luz que llega a la celda y con ello la densidad
de corriente sin embargo Samsung lo vende
como una ventaja que permite disminuir
perdidas óhmicas para el trasporte de la
corriente debido al mayor Voc que consiguen
sus paneles solares. Todo lo anterior permitió
obtener una eficiencia de 24,7% y un Voc de
750 mV de los más altos reportados.6
Artículo #2: Celdas solares de tipo n con el
contacto pasivo con electrones:
Identificando orígenes para las limitaciones
de la eficiencia por espesor y variaciones de
la resistividad (Camilo Peña) 7
El presente artículo investigado es sobre las
celdas solares de silicio de tipo n en donde se
alcanza una eficiencia de 25%
aproximadamente. El objetivo principal del
estudio es observar las variaciones en los
parámetros de la eficiencia, el voltaje de
circuito abierto (VOc), la corriente de corto
circuito (JSC) y el fill factor (FF) variando el
grosor de la capa n (capa de silicio) y su
resistividad. Otro de los enfoques del artículo
es observar la conveniencia y las ventajas del
uso de contactos pasivantes de óxido de túnel
(TOPCon) usando un homojunction clásico
debido a sus excelentes propiedades
eléctricas y transparencia óptica. Además,
basados en una simulación de dispositivo de
área completa tridimensional (3D) y los
parámetros experimentales necesarios es
posible cuantificar los principales
mecanismos de perdida de energía de la
celda, así como estimar el potencial de
eficiencia de esta. La celda realizada tiene un
recubrimiento antireflectante de doble capa
(DARC) que consistía en 50 nm de nitratos de
silicio, el emisor está recubierto por una capa
de Al2O3 de 10 nm de espesor, el contacto
TOPCon está cubierto por un grosor de 15 nm
de HNO3 y la celda tiene un área de 2x2 cm2,
como se puede observar en la figura 4.
Figura 4. Esquema transversal de la celda solar de
Silicio usada en la experimentación
Para la experimentación se usaron capas de
tres resistividades diferentes (1Ω.cm, 5Ω.cm y
10Ω.cm) y un grosor de 200 μm para la
variación de resistividad y capas con tres
grosores diferentes (150μm, 200μm y 400μm)
y una resistividad de 5 Ω.cm fueron utilizados
para la variación del espesor.
Los resultados encontrados indican que para
la resistividad:
 Existe una ligera reducción de la
eficiencia con el incremento de la
resistividad con un pico de 25,3%
usando una resistividad de 1 Ω.cm.
 La corriente de corto circuito JSC es
independiente de la resistividad con
un nivel de 42,5 mA/cm2.
 El voltaje de circuito abierto VOc
muestra un ligero incremento con el
aumento de la resistividad, con un
promedio de 717 mV.
 El Fill Factor FF tiene una
pronunciada reducción de un 0,7%
con el incremento de la resistividad,
sobre un promedio para el nivel alto
de 82,5 a un nivel de 81,8%.
Mientras que, para la variación del grosor se
encuentra:
 Existe un aumento de la eficiencia con
el aumento del grosor hasta un pico
de 25,3% con un grosor de 400 µm.
 El voltaje de circuito abierto
desincrementa desde 720 mV A 712
mV con el aumento del grosor. Este
resultado era de esperarse debido a
la recombinación por el aumento de
bulk causado por el grosor.
 El Fill Factor es constante con un
promedio de 81,5%.
Se puede analizar que, el incremento de la
eficiencia está fuertemente influenciado por
el aumento de la corriente de corto circuito,
ya que pasa de 42,2 mA/cm2 para la de 150
µm a 43 mA/cm2 para la de 400 µm hasta un
pico de 43,3, el cual es el valor más alto
reportando para las celdas c-Si single junction.
Además, se observa que el shunt resistance
no muestra una influencia ni con la variación
del grosor ni con la variación de la resistividad.
Con respecto a los resultados de la simulación
se puede observar que, las principales
perdidas de energía surgen de la
recombinación de tipo SRH y las
recombinaciones en la superficie. Las
perdidas en el bulk disminuyen con la
disminución del grosor y al mismo tiempo
aumentan las pérdidas de recombinación
superficial, de modo que, las pérdidas de
recombinación total son prácticamente
independientes del grosor. Las pérdidas en la
superficie son casi independientes del grosor
y de la resistividad excepto para las celdas
hechas con 1 Ω.cm.
Finalmente, se logra concluir que las celdas de
solares estudiadas en el artículo tienen una
influencia en la variación del grosor y la
resistividad con un mayor enfoque en las
recombinaciones en la superficie y en el bulk
de tipo SRH. Además, con la optimización de
los factores estudiados se logra presentar una
celda con una eficiencia máxima de 25,7%.
Artículo #3: Carbon/Silicon Heterojunction
Solar Cells: State of the Art and Prospects
(Camilo Peña) 8
La combinación de materiales de carbono con
semiconductores de silicio tradicionales fue
un campo prometedor en las celdas solares.
La eficiencia de conversión de energía ha
alcanzado 15-17% y la diversidad de sistemas
estimula el interés en futuras investigaciones.
Los materiales de carbono forman dos tipos
de heterojunction cuando se colocan en
contacto con sustratos de silicio: unión p-n
(semiconductor/semiconductor) y uniones
Schottky (metal/semiconductor). El principal
obstáculo de estas tecnologías es la
controlabilidad del cristal, el tamaño y la
estructura de los materiales de carbono. Sin
embargo, casi tres cuartos de siglo de
evolución y desarrollo de celdas solares
basadas en silicio es una inspiración
significativa, ya que el PCE de la célula solar de
silicio original reportado en 1941 fue menor al
1% y el 25.6% se logró en 2014.
Figura 5. Evolución de las eficiencias de celdas solares
de C/Si medidos en el laboratorio bajo diferentes
condiciones
Las celdas solares de heterojunction C/Si
desempeñarían un gran papel en un campo
particular para realizar productos de película
delgada portátiles o ligeros integrados
multifuncionales, tales como la recolección de
energía para teléfonos inteligentes,
dispositivos portátiles, dispositivos médicos,
etc. Hasta cierto punto, el camino hacia la
comercialización es impredecible. Sin
embargo, cada nueva tecnología o diseño
estructural daría un paso más para la
aplicación práctica de la célula solar C/Si y se
espera un nuevo aumento de las células
solares más delgadas, económicas y
eficientes.
La primera tecnología fue usando el carbón
amorfo en 1996 reportando una eficiencia del
3,8%. Esta película de carbono fue
considerada con propiedades de
semiconductor, por lo que se han realizado
mejoras utilizando dopajes de boro y
nitrógeno las cuales lograron un registro de
7,9% en la eficiencia usando una técnica de
arco en 2001. Aunque se han dedicado
muchos esfuerzos a mejorar las técnicas de
fabricación de celdas fotovoltaicas de
heterojunction C/Si y ajustar el bandgap del
carbono amorfo, la aplicación de estas celdas
se ha desarrollado lentamente debido a la alta
densidad de defectos, la dificultad de
controlar la relación de hibridación sp2/sp3 del
carbón amorfo, la falta de homogeneidad de
dopantes y el proceso de crecimiento
extremo del carbón amorfo.
La segunda tecnología fue usando el fulereno
(C60), el cual fue descubierto por primera vez
en 1985. Esta estructura tiene un
comportamiento de semiconductor de tipo n
con un bandgap directo de 1,4-2,3 eV. Uno de
los problemas de esta tecnología es el control
de la conductividad del fulereno y, aunque se
demostró que la resistencia disminuía con la
implantación iónica los avances no fueron
más favorables. Por otro lado, se realizaron
capas tipo n de fulereno mediante la dopacion
de fosforo y capas de tipo p mediante la
dopacion de Aluminio. Finalmente, el uso de
la técnica de irradiación laser aumento los
estados acotados de la hibridación sp2 lo que
llevo a la máxima eficiencia obtenida con este
tipo de tecnología la cual fue de 0,7%.
La tercera tecnología fue usando los
nanotubos de carbón (CNT), los cuales fueron
por primera vez reportados en 1991. Mientras
que las primeras celdas de Silicio utilizando
esta tecnología fue reportada en 1993. El
primer reporte de este tipo de celdas arrojo
una eficiencia de 1,3%, la cual estaba muy por
encima de las anteriores tecnologías. Estas
celdas tienen la capacidad de tener
propiedades de tipo metálicas
semiconductoras al cambiar tres posibles
quiralidades: zigzag, sillón y quiral, las cuales
son determinadas por el ángulo quiral de las
láminas enrollables de grafeno, que son las
recubren los nanotubos. El bandgap de este
material varia de 0,4 a 2 eV dependiendo de
la estructura de los nanotubos.
Aproximadamente el 40% de los CNT son
metálicos y el resto son semiconductores. Sin
embargo, las propiedades eléctricas de los
CNT son extremadamente sensibles al
ambiente de aire. Las moléculas de oxígeno
serían adsorbidas en los CNT, y los CNT se
dopados debido a la afinidad electrónica del
oxígeno. La evolución de este tipo tecnologías
ha tenido un importante avance, llevando
desde el 1,3% hasta 17% en eficiencia en 8
años.
Finalmente, la última tecnología usando el
carbono es usando el grafeno. Una de sus
principales propiedades es que cuenta con
una movilidad de electrones de 2,5 ∗
105 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑆 −1, es decir hasta cientos de
veces más que la del silicio, lo que hace que
los electrones pueden moverse por varios
micrómetros sin desprenderse en el grafeno.
Además, este material tiene un bandgap
infinitamente pequeño, por lo que es capaz
de absorber luz en el mismo nivel en todo su
espectro. En cuanto a la evolución de esta
tecnología, la primera celda reportada logró
una eficiencia de 1,65% y en sólo 5 años ha
logrado obtener una eficiencia de 15,6%
reportada en 2015. Las mejoras de estas
celdas se han dado gracias a las dopaciones de
la capa tipo n usando acidos, polímeros, Au,
Ag, boro y electrolitos, ya que lograron
aumentar la conductividad del grafeno.
Artículo #4: Black silicon solar cells with
interdigitated back-contacts achieve 22.1%
efficiency (Héctor García)
El silicio negro es un material descubierto
o
desde la década de los 90 en un grupo de
investigación de Harvard por medio de
femtopulsos sobre una oblea de silicio de
fabricación estándar (por lingot), sin
embargo, solo se ha presentado como un
contendiente para lograr una eficiencia
satisfactoria para celdas solares desde el año
2013.
El silicio negro es una capa nano estructurada
cuya formación se da en forma de nanoconos
o nanopinchos que atrapan la luz de manera
muy efectiva, por lo que a simple vista, el
color de una celda fabricada con este material
es de un negro lustroso, es un material con
varias ventajas fotovoltáicas y prácticas, pues
al igual que las alas de las libélulas, la
organización nanoscópica del material en
pinchos hace pedazos a casi cualquier
bacteria que se quiera posar sobre el
material, lo que brinda cierta ventaja
económica al ser un material que pueda
mantenerse limpio sin la necesidad de
agregar alguna capa adicional. Con todas
estas propiedades, el material se ha asentado
como útil en más de una aplicación, como
superficies autolimpiables, fotodetectores,
superficies antibacterianas y otros sistemas
microelectromecánicos.
El silicio negro puede funcionar durante más
horas a lo largo del día en comparación a las
celdas de silicio clásico gracias a la capacidad
de captar radiación solar desde ángulos bajos,
hecho que le haría útil en países en los que el
ángulo en que el sol brilla es más bajo (i.e.
Finlandia). Así se ha predicho que podría ser
un material que podría entrar al mercado de
la energía fotovoltaica con éxito.
La fabricación de estas celdas se da en varios
métodos como la fabricación de estructuras
por femtopulsos, la texturación con láser, la
implantación iónica por inmersión en plasma
o grabado con agua. Sin embargo, se ha
preferido utilizar el método de grabado iónico
criogénico o DRIE al ser rápido, económico y
no depender de orientaciones cristalinas. Con
un acoplador inductivo criogénico, a 120
grados con oxígeno como gas de ataque y
obleas de silicio de 4 pulgadas con una
resistividad de aproximadamente 2,6 y un
grosor de 280 nm. Algunas obleas fueron
grabadas por lado y lado y otros se grabaron
con isopropanol y agua desionizada a 80
grados por 70 minutos para formar pirámides
aleatorias en la superficie.
Luego del grabado, las obleas se limpiaron
con HF y se pasivaron con óxido de aluminio
de 20 y 90 nm de espesor con TMA y AGUA
como precursores. Se dejaron las obleas a
recocido a 400 grados por media hora en
nitrógeno. Se hicieron difusiones de boro y
fósforo estructurando contactos base,
emisores dopados bajos y altos con
fotolitografía estándar.
La muestra se caracterizó con un simulador
solar ORIEL bajo condiciones de 1kW por
metro cuadrado a 25°C.
A pesar de las ventajas respecto a su
fabricación, como el hecho de que
proporciona ahorros significativos en el costo
de producción gracias a que no requiere un
cubrimiento anti reflectante por separado,
existen algunos problemas al aplicar el
material en una celda solar, puesto que hasta
el 2014, cualquier experimento con ella dio
una eficiencia menor al 20% debido a
recombinación en la superficie. Además, las
celdas solares de contacto frontal también
poseen ciertos problemas debido a la
recombinación Auger. Han surgido estudios
que proponen una capa de alúmina que
puede resolver el problema al proporcionar
una pasivación química y eléctrica excelente,
además de no ser un obstáculo en cuanto a
absorción de electrones debido a su alto
bandgap.
Los parámetros encontrados para la celda
solar de silicio negro con mayor eficiencia
fueron hechos con una corriente de más de 40
miliamperios por centímetro cuadrado y
voltaje de aproximadamente 0,65 voltios,
logrando un récord por encima del 22,1%. Los
resultados obtenidos son bastante superiores
a viejos intentos que aprovechaban
únicamente la estructura de b-Si mostrando
una excelente pasivación frontal de óxido de
aluminio, además de haber conseguido una
eficiencia cuántica externa de 96%.
Referencias.

1 M. A. Green, Semicond. Sci. Technol. Semicond Scl Techno1, 1993, 8, 1–12.

2 J. Zhao, A. Wang, P. P. Altermatt, S. R. Wenham and M. A. Green, Sol. Energy Mater. Sol.
Cells, 1996, 41–42, 87–99.
3 M. Taguchi, A. Yano, S. Tohoda, K. Matsuyama, Y. Nakamura, T. Nishiwaki, K. Fujita and E.
Maruyama, IEEE J. Photovoltaics, 2014, 4, 96–99.
4 T. Saga, NPG Asia Mater., 2010, 2, 96–102.
5 A. Kanevce and W. K. Metzger, J. Appl. Phys., 2009, 105.
6 C. Battaglia, A. Cuevas and S. De Wolf, Energy Environ. Sci., 2016, 9, 1552–1576.
7 Armin Richter, Jan Benick, Frank Feldmann, Andreas Fell, Martin Hermle, Stefan W. Glunz, n-
Type Si solar cells with passivating electron contact: Identifying sources for efficiency
limitations by wafer thickness and resistivity variation, Solar Energy Materials and Solar
Cells, Volume 173, 2017, Pages 96-105.
8 Li, X. , Lv, Z. and Zhu, H. (2015), Carbon/Silicon Heterojunction Solar Cells: State of
the Art and Prospects. Adv. Mater., 27: 6549-6574.