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I. OBJETIVOS:
ESTRUCTURA:
Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de
los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en
modo activo.
Osciloscopio
Multímetro digital
Generador de señales
Fuente de poder DC
Miliamperímetro DC
Microamperímetro DC
Resistores de R1 = 47KΩ/56 KΩ, R2 = 22KΩ/3.3 KΩ, Rc =1.2KΩ/3.3KΩ,
RL = 10KΩ/1 KΩ, Re = 1 KΩ
Condensadores de Ci = 10uF, Co = 22uF, Ce = 100uF
Transistores BC548 (NPN) o BC558 (PNP)
01 protoboard
Cables de conexión diversos
01 Computadora con Multisim
IV. PROCEDIMIENTOS:
VII. BIBLIOGRAFIA:
http://hacedores.com/identifica-transistores-npn-y-pnp-con-este-sencillo-circuito/
http://www.ecured.cu/Transistor_2N3904
http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/2/N/3/9/2N3904.shtml
http://www.futurlec.com/Transistors/2N3904.shtml