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Resumo—Esta prática trata-se do estudo da curva carac- Como visto, é necessário portanto projetar um circuito
terı́stica do diodo. Dado a curva caracterı́stica de um diodo, externo que limite a corrente que passa pelo diodo quando em
desenvolveu-se circuitos que mostram o seu comportamento em condução e a tensão entre seus terminais quando em corte.
resposta a aplicação de diversos valores de corrente. Verifica-se
também este componente em corte e em condução em um circuito Isso pode ser feito com a aplicação de um resistor entre a
chaveado. fonte e o diodo.
Um diodo real tem comportamento como mostrado pela
Figura 3. Esta é a curva caractarı́stica do diodo. Essas carac-
I. O BJETIVOS terı́sticas se devem ao material semicondutor ao qual é feito,
O objetivo principal desta prática é o levantamento mais especificamente, diodos de junção de silı́cio. O diodo real
das curvas caracterı́sticas do diodo mediante simulação e de silı́cio começa a conduzir com a aplicação de uma fonte
experimentação. de tensão de aproximadademente 0,7 V. Pode-se perceber que
também pela curva caracterı́stica que, em polarização reversa,
a partir de um certo valor de tensão aplicada, a tensão de
II. I NTRODUÇ ÃO
ruptura VZ , o diodo passa a conduzir. É descrita na figura
Diodos ideais são os elementos não-lineares mais simples. como região de ruptura.
Eles apresentam dois terminais, ânodo e cátodo. Os diodos
permitem que a corrente em um circuito circule em apenas
uma direção, do terminal positivo para o negativo. A Figura
1 mostra o sı́mbolo do diodo. O comportamento de um diodo
ideal é mostrado pela Figura 2.
de 1kΩ. Simulou-se o circuito em software Multisim e os O circuito da Figura 7, também já mostrado, foi simulado
resultados comparados com os obtidos em laboratório. para as todas possı́veis combinações de posição das chaves A
e B. Os valores de tensão V0 obtidos encontra-se na Tabela II.
Tabela II:
Foi simulado um segundo circuito formado por dois diodos,
Resultados esperados de tensão V0 para as difentes combinações de posição
três fontes de tensão de 5 V e um resistor articulados por das chaves A e B.
meio de um sistema com chaveamento dado pela Figura 5. Um
CHAVE A CHAVE B v0 (V)
voltı́metro foi colocado para medir a diferença de potencial V0 D D 0,577
entre os diodos alternando-se entre as possı́veis posições das D L 0,612
chaves. L D 0,612
L L 5,00
V. R ESULTADOS E XPERIMENTAIS
O circuito Figura 6 foi desenvolvido em laboratório
implementando-se os difentes valores de corrente, medindo-se
as tensões sobre o diodo. O processo foi repetido três vezes.
Foram obtidos os resultados conforme a Tabela III para a
tensão média no diodo VDmed .
Fig. 5: Sı́mbolo do diodo.
Tabela III:
Resultados encontrados de tensão sobre o diodo para os difentes valores de
IV. S IMULAÇ ÕES corrente.
Como já visto, o circuito Figura 6 foi simulado em software ID (A) VD1 VD2 VD3 VDmed (V)
Multisim para os difentes valores de corrente e medidas as 0,10 0,782 0,781 0,781 0,781
tensões sobre o diodo, sendo obtidos os resultados dados na 0,20 0,800 0,804 0,809 0,804
0,30 0,823 0,819 0,828 0,823
Tabela I. 0,40 0,826 0,826 0,832 0,828
0,50 0,834 0,834 0,834 0,834
0,60 0,841 0,841 0,838 0,840
0,70 0,842 0,846 0,840 0,843
0,80 0,838 0,831 0,843 0,837
0,90 0,834 0,834 0,844 0,837
Tabela I:
Resultados esperados de tensão sobre o diodo para os difentes valores de
corrente.
ID (A) VDsim (V)
0,10 0,778
0,20 0,818
0,30 0,843
0,40 0,862
0,50 0,878
0,60 0,892
0,70 0,904
0,80 0,915 Fig. 8: Curva caracterı́stica experimental do diodo para as três
0,90 0,926 medições.
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R EFER ÊNCIAS
[1] SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth Carless. Microeletrônica. Pearson
Prentice Hall, 2007.