MARCO TEORICO

El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está
compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada.

Figura 1
Analizando el grafico tenemos

Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes
muy pequeñas.
Muy importante: La caída de tensión entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios
que resulta de la suma de las caídas de tensión de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7
voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

PROCEDIMIENTO
1. Realice la simulación del circuito de la figura 2 con el fin de hallar el punto de reposo Q así
como Av, Ai, Zi, y ZO. Llene las celdas correspondientes de la tabla 1

Figura 2

2. Mediante simulación halle fL, fH y BW. Llene las celdas correspondientes de la tabla 3
3. Implemente el circuito de la figura 2
4. Mida los puntos de reposo y llene los campos correspondientes de la tabla 1

Tabla 1
𝑽𝑪𝑬𝟏 (𝑽) 𝑽𝑪𝑬𝟐 (𝑽) 𝑰𝑪𝟏 (µ𝑨) 𝑰𝑪𝟐 (𝒎𝑨) 𝑨𝑽 𝑨𝑰 𝒁𝒊 𝒁𝒐
Valor
6.53 7.23 51.8 5.18 0.99 598.7 8.62M 14k
calculado
Valor
6.09 6.75 20 5.4 1.6 351.79 1.77M 3.1k
medido
Valor
6.304 6.967 24.731 5.326 1.01 504.63 6.14M 11K
simulado
5. Aplicar una señal sinusoidal de 1KHz de frecuencia en la entrada del amplificador. Varíe la
amplitud de la señal hasta que se obtenga en la salida del amplificador la señal de mayor
amplitud, no distorsionada
6. Determine Zi, Av y AI luego de medir VO, Vg, IO e If. Realice la simulación respectiva. Llene
la tabla 2. Los valores de Zi, Av y AI colóquelos en la tabla 1.

Tabla 2
𝑽𝑶 𝑽𝒈 𝑰𝑶 𝑰𝒇
Valor
3.4 v 3.45 v 240 µA 0.4 µA
calculado
Valor medido 2.11 v 3.45 v 686µA 1.95 µA
Valor
3.403 v 3.45 v 283.6µA 0.562 µA
simulado

7. Determine experimentalmente el ancho de banda. Para ello determine las frecuencias de corte
inferior, fL, y superior, fH.
𝐵𝑊 = 𝑓𝐻 − 𝑓𝐿

Tabla 3
𝒇𝑳 (𝑲𝑯𝒛) 𝒇𝑯 (𝑲𝑯𝒛) 𝑩𝑾(𝑲𝑯𝒛)

Valor medido 2.63 7.17 4.545

SIMULACION

Figura 3.
 Figura 4. Imagen generada por el osciloscopio en la simulación

Figura 5. Obtención del voltaje colector emisor de los transistores en la simulación

Figura 6. Obtención de las corrientes de colector de los transistores

Figura 7. Obtención del valor de la corriente y voltaje de entrada así como también la corriente y
voltaje de salida