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RECTIFICADOR TRIFASICO Y
RECTIFICADORES CONTROLADOS
Posso.Ivan, Ortiz, Luis.
{, ortiz.luis}@correounivalle.edu.co
{145, 1455878} códigos
Universidad del valle sede Tuluá
Resumen— En el presente informe se podrá graphics difentes generated by the engine to inject a
observar algunos conceptos sobre la utilización y las PWM to appreciate as well to see the speed variation
características principales de los transistores, en of this after being 10% to 100%, plus you can see the
este caso los de potencia partiendo desde el punto en different simulations of the circuits proposed in the
el que los transistores de potencia como el (BJT, guide, with all data in the same simulation and thus
MOSFET, FET). es idéntico al de los transistores compare them with previously calculations and
normales, teniendo como características especiales power see difencias between them.
las altas tensiones e intensidades que tienen que
soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. I. Introducción
Ademas de esto se podrá ver los diferentes cálculos
que se deben tener en cuenta para poder crear un
circuito optimo para el uso de un motor o bombillo
DESARROLLO DE LA PRACTICA
conectado al microcontrolador, se apreciara las
difentes graficas generadas por el motor al inyectar
Consisten en conectar un diodo a la salida de cada
un PWM como tambien de ver la variación de arrollamiento, que se unirán en un punto común que
velocidad de este después de estar de 10% hasta el después alimentará a la resistencia o carga del
100%, ademas de poder ver las diferentes circuito. El retorno de la corriente se realiza a través
simulaciones de los circuitos propuestos en la guía, de la línea de neutro. La imagen inferior aclara esta
con todos los datos obtenidos en la misma explicación.
simulación y asi compararlos con los previamente
cálculos y poder ver las difencias entre ellos.
𝑉𝑚√2
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = (1 + cos(80°))
2𝜋
120√2
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = (1 + cos(80°)) = 31.7V
2𝜋
𝜏 = 1ms ≤ 30ms 5𝑉
𝑅𝑜 = = 250Ω ≈ 220 Ω
20 𝑚𝐴
𝑄 (200𝜇𝐴)(12𝜇𝑠)
𝐶=𝑉= = 2.4𝑛𝐹
110 𝑉 Corriente en el optoacoplador
Se realizo la practica con un condensador de 1𝜇𝐹 30𝑉
𝐼𝑜𝑝𝑡𝑜 = = 36,58 𝑚𝐴
820Ω
Se halla R1
Voltaje en la base
1𝑚𝑠
𝑅1 = = 1𝐾Ω
1𝜇𝐹 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅 30𝑉 ∗ 820Ω
𝑉𝐵 = = = 15𝑉
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 820Ω + 820Ω
Se halla R2
Voltaje de emisor
30𝑚𝑠
𝑅2 = = 30𝐾Ω
1𝜇𝐹 VE = VB – VBE (2)
Cálculos teóricos 2
Sabemos que si en un MOSFET la tensión entre la Se fija una resistencia en la de 1KΩ en la base del
Puerta y la Fuente es menor que la tensión umbral, Mosfet.
VGS<VT, el transistor está cortado. Es decir, entre
los terminales de Fuente y Drenador, la corriente es Se Aplica un divisor
nula, ya que existe un circuito abierto. Sin embargo,
cuando VGS es mayor que VT se crea el canal, y el
transistor entra en conducción. Cuanto mayor es la 30𝑉 ∗ 1𝐾Ω
= 10𝑉
tensión de puerta menor es la resistencia del canal, y (1𝐾Ω ∗ 𝑅1)
ésta puede llegar a aproximarse a un cortocircuito.
Así, el MOSFET es capaz de funcionar como un 30𝑉 ∗ 1𝐾Ω = 10𝑉(1𝐾 + 𝑅1)
interruptor.
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30𝑉 ∗ 1𝐾Ω
= 10𝑉
(1𝐾Ω ∗ 2𝐾Ω)
30𝑉
𝐼𝐷 = = 245𝑚𝐴
122Ω
14.8𝑚𝐴 TABLA N ° 1
𝐼𝐵 = = 0.394𝑚𝐴
75(0.5)
TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR –
5𝑉 − 1.3𝑉 APAGADO
𝑅𝐵 = = 9.39 𝐾Ω TEORICO PRACTICO
0.394𝑚𝐴 4N25 TRANSISTOR 4N25 TRANSISTOR
BJT DE
Ahora se hallan las potencia POTENCIA
ILED = VBB =0V ILED = VBB =0V
PD = 𝐼 2 𝑅 0A 0A
PD= (245mA)²*(122 Ω) = 7.32W VE=0V IB = 0A VE=0V IB = 0A
VC = VBE = 0V VC = 30V VBE = 0V
30V
PMOSFET = 𝐼 2 𝑅 VCE = IC =0A VCE = VCB = 30V
PMOSFET= (245mA) ²*(0.077 Ω) = 4.6mW 30V 30V
IC = 0A
PR1 = 𝐼 2 𝑅
PMOSFET= (13.45mA) ²*(2KΩ) = 0.36W En la Tabla N° 1 se especifica los valores obtenidos
a partir de la simulación obeniendo cierto resultados,
P2N2222= IB(Sat)*VBE + IC(Sat)*VCE(Sat) que nos indican que el transistor esta en corte ya que
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se encuentra tomando un voltaje de colector – emisor VCE = VCB = 0.6V VCB= VCB = 0.5V
máximo, que es igual al voltaje de la fuente y tiene 0.2V 0.5V
IC = 0.45A IC = IC = 0.24A
una corriente de colecto minima, que tiende a 0, que
por ende es lo que se visualiza en la tabla. 0.2595
A
Calculos teoricos
Carga Apagada: El optoacoplador 4N25 se encuentra
0𝑉 en corte ya que no ha sido exitado por la salida del
𝐼𝐿𝐸𝐷 = = 0𝐴 microcontrolador (5v) por lo tanto VCE es máximo
220Ω
(30v), el transistor igualmente no ha entrado en
Como el transistor del optocoplador esta en corte saturación por lo tanto la carga no va a tierra y no
entonces: enciende.
Carga Encendida: al exitar el optoacoplador desde el
VC = VCC microcontrolador (5v) se satura y llega a la base del
VC= 30V transistor BJT el voltaje suficiente para también
hacerlo saturar por lo cual la carga ve a tierra y se
VE = 0V enciende.
VCB = 30V
IC = β(IB) = 15 (0) = 0A Como VBE TIP41 = 0.7V entonces fija el VE en el
optoacoplador.
VE = 0.7V
COMPARACIÓN DE CALCULOS
TEORICO – PRACTICOS VCE = VC – VE = 0.9V – 0.7 V = 0.2V
TABLA N° 2 En TIP41
0.7𝑉
TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR – IB = IC – IE = 35.5mA – 820Ω
ENCENDIDO
TEORICO PRACTICO
4N25 TRANSISTOR 4N25 TRANSISTOR IB = 34.6mA
BJT DE
POTENCIA VB TIP41 = VE OPTOACOPLADOR
ILED = VBB= 0.7V ILED = VBB=0.69V
16.8mA 20mA
VBE = VB – VE
VE=0.7V IB= 34.6mA VE=0.69V IB= 34.6mA
VC = VBE = 0.7V VC = VBE = 0.69V
0.9V 0.9V VBE = 0.7V – 0V = 0.7V
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𝛽 15
IC= ∗ 𝐼𝐵 = ∗ 34.6 𝑚𝐴 = 0.2595 𝐴
2 2
VCB = 0.5V
2N2222
Fig. . Componentes con sus valores de resistencias.
Corriente de base
TABLA N° 3 Comparando valores teóricos
𝑉𝑀𝐼𝐶𝑅𝑂𝐶𝑂𝑁𝑇𝑅𝑂𝐿𝐴𝐷𝑂𝑅 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = carga en ON
𝑅𝑆𝐴𝐿𝐼𝐷𝐴 𝐷𝐸𝐿 𝑀𝐼𝐶𝑅𝑂(𝑅0)
TRANSISTOR DE POTENCIA COMO
5𝑉−1.3𝑉
𝐼𝐶 = = 0.39 mA INTERRUPTOR – BOMBILLO APAGADO
9.4𝐾Ω
TEORICO PRACTICO
Corriente de colector Transistor TRANSISTOR Transistor TRANSISTOR
auxiliar BJT auxiliar BJT
30𝑣 2N2222 2N2222
𝐼𝐵 = = 13.6𝑚𝐴 IB = VGS = 0.08V IB = VGS = 0V
2.2𝑘Ω 0.39mA 0.4mA
VBE= VDS = 30V VBE= VDS = 30V
VE = 0V 3.7V 3.4V
VCE= ID = 0V VCE= ID = 0A
VC = 30V – 13.6mA (2.2kΩ) = 0.08V 0,08V 0,07V
IC = 0A IC = 0A
VCE = VC-VE = 0.08V-0V = 0.08V VBB= VBB =
3.7V 3.5V
Como el transistor 2N2222 se satura
OFF- Bombillo Encendido
VG =0.08V
El 2N2222 no va a ser excitando con corriente ya
Por lo tanto el Mosfet no conduce que ne la base del transistor habrá un VB = 0V.
TEORICO PRACTICO
Como 2N2222 esta en corte Transistor TRANSISTOR Transistor TRANSISTOR
auxiliar BJT auxiliar BJT
VG =9.386V 2n2222 2n2222
IB = 0A VGS = 9.2V IB = 0A VGS = 9.2V
Por lo tanto el Mosfet se satura y la carga va a tierra, VBE= VDS = 0.16V VBE= VDS =
entonces se enciende. 1.3V 1.2V 0.16V
VCE= ID = 0.45A VCE= ID = 0.45A
VD= 30V 9.386 V 9.36 V
IC = IC =
9.37A 9.38A
VDS= 0V VBB= VBB=
0.16V
Vs=30V
Los cálculos realizados y la verificación del
30𝑉
ID = 122Ω = 0.246 𝐴. funcionamiento del circuito nos indica que este
funciona con lógica inversa, se analizan los
VB = 5V – 1.3V = 3.7V parámetros, cuando esta apagada la carga y cuando
VBE = VB – VE = 3.7V – 0V =3.7V esta encendida, apartir de lo mostrado en la
Tabla N° 4.
Carga Apagada: cuando la carga esta apagada quiere
decir que el microcontrolador ha exitado con 5
voltios la base del transistor bjt lo cual lo ha hecho
entrar en saturación y hace que Vcc en colector vaya
a tierra asi que el MOSFET no se exita y la carga
queda en OFF.
(a)
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70%
(a)
D: es el ciclo de trabajo.
τ : es el tiempo en que la función es positiva (ancho
del pulso).
T: es el período de la función.
τ
𝐷=
𝑇
(a)
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(a)
(a)
(b)
(b)
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(c) (c)
Fig. 14. (a) valores tiempo de encendido en ciclo de Fig. 15. (a) valores tiempo de apagado en ciclo de
trabajo del 30%, (b) valores tiempo de encendido en trabajo del 30%, (b) valores tiempo de apagado en
ciclo de trabajo del 50%, (c) valores tiempo de ciclo de trabajo del 50%, (c) valores tiempo de
encendido en ciclo de trabajo del 70%. apagado en ciclo de trabajo del 70%.
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts):
transcurre desde el instante en que se aplica la señal Tiempo que transcurre desde que se quita la
de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la excitación de entrada y el instante en que la señal de
señal de salida alcanza el 10% de su valor final. salida baja al 90% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea
la señal de salida en evolucionar entre el 10% y el la señal de salida en evolucionar entre el 90% y el
90% de su valor final. 10% de su valor final.
Esto se visualiza en la fig. 9; para cada uno de los
Para lo descrito en lo anterior se visualiza en la fig. ciclos de trabjao utilizados observándose en la
8; un tiempo de encendido en 30% de 15.6 μs, para grafica un tiempo de apagado en 30% de 14.5 𝜇s,
50% de 14.2 μs y para 70% será de 14.5 μs. para 50% de 4.90 𝜇s y para 70% será de 4.20𝜇s.
(b)
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(b)
(c)
(b)
(a) Fig. 21. (a) tiempo de encendido t(ON) y (b) tiempo
de apagado t OFF, para la onda de 30%.
(b)
Fig. 20. (a) tiempo de encendido t(ON) y (b) tiempo (a)
de apagado t OFF, para la onda de 50%.
(b)
Fig. 22. (a) tiempo de encendido t(ON) y (b) tiempo
(a) de apagado t OFF, para la onda de 70%.
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Valores en tiempo ON
(b)
(a)
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(c )
Fig. 24. (a) valores tiempo de apagado en ciclo de
trabajo del 50%, (b) valores tiempo de apagado en
ciclo de trabajo del 30%, (c) valores tiempo de
apagado en ciclo de trabajo del 70%.
(a)
(a)
(b)
Fig. 28. (a) valores tiempo de encendido, (b)
Valores tiempo de apagado, en ciclo de trabajo del
50%.
Anexos
(a)
(b)
Fig. . (a) y (b) Esquematico del primer circuito simulado en el software Proteus.
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(a)
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(b)
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(b)
Fig. . (a) y (b) Esquematico del primer circuito simulado en el software Proteus.