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Universidad del valle sede Tuluá. Ortiz.

Rectificador trifasico y rectificadores controlados 1

RECTIFICADOR TRIFASICO Y
RECTIFICADORES CONTROLADOS
Posso.Ivan, Ortiz, Luis.
{, ortiz.luis}@correounivalle.edu.co
{145, 1455878} códigos
Universidad del valle sede Tuluá

Resumen— En el presente informe se podrá graphics difentes generated by the engine to inject a
observar algunos conceptos sobre la utilización y las PWM to appreciate as well to see the speed variation
características principales de los transistores, en of this after being 10% to 100%, plus you can see the
este caso los de potencia partiendo desde el punto en different simulations of the circuits proposed in the
el que los transistores de potencia como el (BJT, guide, with all data in the same simulation and thus
MOSFET, FET). es idéntico al de los transistores compare them with previously calculations and
normales, teniendo como características especiales power see difencias between them.
las altas tensiones e intensidades que tienen que
soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. I. Introducción
Ademas de esto se podrá ver los diferentes cálculos
que se deben tener en cuenta para poder crear un
circuito optimo para el uso de un motor o bombillo
DESARROLLO DE LA PRACTICA
conectado al microcontrolador, se apreciara las
difentes graficas generadas por el motor al inyectar
Consisten en conectar un diodo a la salida de cada
un PWM como tambien de ver la variación de arrollamiento, que se unirán en un punto común que
velocidad de este después de estar de 10% hasta el después alimentará a la resistencia o carga del
100%, ademas de poder ver las diferentes circuito. El retorno de la corriente se realiza a través
simulaciones de los circuitos propuestos en la guía, de la línea de neutro. La imagen inferior aclara esta
con todos los datos obtenidos en la misma explicación.
simulación y asi compararlos con los previamente
cálculos y poder ver las difencias entre ellos.

Índice de Términos— Modulación por ancho de


pulso, transistor de potencia,

Abstract— This report may observe some concepts


about the use and main characteristics of the
Fig. 1. Esquematico del transistor BJT como interruptor.
transistors, in this case the power starting from the
point where the power transistors as the (BJT,
Es evidente que el arrollamiento secundario está
MOSFET, FET). is identical to normal transistors,
dispuesto en estrella y que de la unión común de las
having special features the high voltages and
tres bobinas se saca la línea de neutro. Además, tal y
currents that have to support and therefore dissipate
como indica la imagen, cada bobina tendrá, con
high potencies. In addition to this you can see the
respecto a neutro, las tensiones V1, V2 y V3
different calculations that must be taken into account
respectivamente, que se producirán desfasadas 120º.
in order to create an optimal circuit for using a
motor or connected to the microcontroller bulb, the
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Se halla el voltaje promedio para un angulo de 80°

𝑉𝑚√2
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = (1 + cos(80°))
2𝜋
120√2
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = (1 + cos(80°)) = 31.7V
2𝜋

Fig. 2. Onda trifásica de un transformador sin rectificar


Resistencia base de salida del optoacoplador

Las tensiones V1, V2 y V3 están representadas en la 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 30𝑉 − 5𝑉


𝑅 𝐵1 = = = 781.25 Ω
gráfica, por las ondas roja, verde y azul. Pero en 𝐼𝐵 32 𝑚𝐴
realidad, al haber colocado un diodo a cada salida, el
semiciclo negativo de cada onda quedará suprimido, 𝑅𝐵1 = 𝑅𝐵2 ≈ 820Ω
es decir, que la tensión que le llegue a la carga será
la línea ondulada de color gris.

Resistencia de salida del microcontrolador


200𝜇𝐴 → Igt
1V → Vgt 𝑉𝑚𝑖𝑐𝑟𝑜𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙𝑎𝑑𝑜𝑟
𝑅𝑜 =
Tgt → 1.2 𝜇𝑠 (10) = 12 𝜇𝑠 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑠𝑜𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑎 𝑚𝑖𝑐𝑟𝑜𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙𝑎𝑑𝑜𝑟

𝜏 = 1ms ≤ 30ms 5𝑉
𝑅𝑜 = = 250Ω ≈ 220 Ω
20 𝑚𝐴
𝑄 (200𝜇𝐴)(12𝜇𝑠)
𝐶=𝑉= = 2.4𝑛𝐹
110 𝑉 Corriente en el optoacoplador
Se realizo la practica con un condensador de 1𝜇𝐹 30𝑉
𝐼𝑜𝑝𝑡𝑜 = = 36,58 𝑚𝐴
820Ω
Se halla R1
Voltaje en la base
1𝑚𝑠
𝑅1 = = 1𝐾Ω
1𝜇𝐹 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅 30𝑉 ∗ 820Ω
𝑉𝐵 = = = 15𝑉
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 820Ω + 820Ω
Se halla R2
Voltaje de emisor
30𝑚𝑠
𝑅2 = = 30𝐾Ω
1𝜇𝐹 VE = VB – VBE (2)

Se realizó la practica con una resistencia de 50KΩ VE = 15V – 5V= 10V

Se halla el voltaje promedio para un angulo de 10° Potencia en el transistor

𝑉𝑚√2 PT= IB(Sat)*VBE + IC(Sat)*VCE(Sat) (3)


𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = (1 + cos(10°)) PT=((32mA)*(5v))+((0,24A)*(1.5V))
2𝜋
PT= 0.52W
120√2
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = (1 + cos(10°)) = 53.6𝑉 PR = 𝐼 2 𝑅
2𝜋 PR= (36.58mA)*(820 Ω) = 1.097 MΩ
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El MOSFET como interruptor se emplea


frecuentemente en electrónica digital, para transmitir
o no, los estados lógicos a través de un circuito.
Existe, sin embargo, una pequeña dificultad: cuando
el MOSFET tipo N actúa como cortocircuito es capaz
de transmitir las tensiones bajas; sin embargo las
tensiones altas se ven disminuidas en una cantidad
igual al valor de la tensión umbral.

Fig. . Esquematico con valores de resistencias.

En los calculos teoricos realizados, fueron hallados


apartir de la potenca del bombillo y del voltaje que
este necesita para su alimentacion, hallar su corriente
y su resistencia con esos datos, se desencadena el
despligue matematico correspondiente, para hallar
las resistencia faltantes, y las corrientes en base, y Fig. 5. Montaje en protoboard del circuito de la
en colector, y algunos valores de voltajes. figura 2 del laboratorio.

CIRCUITO 2 Para la fig. 2; se puede pareciar el montaje de un


transistor mosfet como interruptor, el cual tuvo un
funcionamiento con lógica inversa por el el tipo de
configuración utilizado, y al cual tuvo el mismo
funcionamiento con microcontrolador y Lcd, a través
de los se mostro si estaba apagado o encendido y, lo
cual se reflejaba en el bombillo simultáneamente.

Cálculos teóricos 2

Primero se asume una resistencia que va en la base


Fig. 4. Esquematico del transistor Mosfet como del transistor y se halla los voltajes necesarios
interruptor. acoplados

Sabemos que si en un MOSFET la tensión entre la Se fija una resistencia en la de 1KΩ en la base del
Puerta y la Fuente es menor que la tensión umbral, Mosfet.
VGS<VT, el transistor está cortado. Es decir, entre
los terminales de Fuente y Drenador, la corriente es Se Aplica un divisor
nula, ya que existe un circuito abierto. Sin embargo,
cuando VGS es mayor que VT se crea el canal, y el
transistor entra en conducción. Cuanto mayor es la 30𝑉 ∗ 1𝐾Ω
= 10𝑉
tensión de puerta menor es la resistencia del canal, y (1𝐾Ω ∗ 𝑅1)
ésta puede llegar a aproximarse a un cortocircuito.
Así, el MOSFET es capaz de funcionar como un 30𝑉 ∗ 1𝐾Ω = 10𝑉(1𝐾 + 𝑅1)
interruptor.
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30𝑉 ∗ 1𝐾Ω = 10𝑉 ∗ 1𝐾Ω + 10𝑉𝑅1 P2N2222=((0.35mA)*1.3v))+(13.45mA)*(400mV)


P2N2222 = 5.8mW

30𝑉 ∗ 1𝐾Ω − 10𝑉 ∗ 1𝐾Ω = 10𝑉𝑅1 7.32W


4.6mW
PT = 0.36W
20𝐾Ω ∗ 𝑉 5.8mW
𝑅1 = = 2𝐾Ω -----------
10𝑉
7.7W
Se analiza el MOSFET
Hallar la eficiencia
100𝑊
𝐼𝐷 = = 0.9𝐴 7.32W
110𝑉
𝑛 = − − −* 100 = 94.4%
7.6 W
110𝑉
𝑅𝐷 = = 122Ω
0.9𝐴

Con todas las resistencias aplicamos el divisor

30𝑉 ∗ 1𝐾Ω
= 10𝑉
(1𝐾Ω ∗ 2𝐾Ω)

30𝑉
𝐼𝐷 = = 245𝑚𝐴
122Ω

Analizamos el BJT 2N2222


Fig. 6
30𝑉 − 400𝑚𝑉
𝐼𝐶 = = 14.8𝑚𝐴
2𝐾Ω Valores practicos

14.8𝑚𝐴 TABLA N ° 1
𝐼𝐵 = = 0.394𝑚𝐴
75(0.5)
TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR –
5𝑉 − 1.3𝑉 APAGADO
𝑅𝐵 = = 9.39 𝐾Ω TEORICO PRACTICO
0.394𝑚𝐴 4N25 TRANSISTOR 4N25 TRANSISTOR
BJT DE
Ahora se hallan las potencia POTENCIA
ILED = VBB =0V ILED = VBB =0V
PD = 𝐼 2 𝑅 0A 0A
PD= (245mA)²*(122 Ω) = 7.32W VE=0V IB = 0A VE=0V IB = 0A
VC = VBE = 0V VC = 30V VBE = 0V
30V
PMOSFET = 𝐼 2 𝑅 VCE = IC =0A VCE = VCB = 30V
PMOSFET= (245mA) ²*(0.077 Ω) = 4.6mW 30V 30V
IC = 0A
PR1 = 𝐼 2 𝑅
PMOSFET= (13.45mA) ²*(2KΩ) = 0.36W En la Tabla N° 1 se especifica los valores obtenidos
a partir de la simulación obeniendo cierto resultados,
P2N2222= IB(Sat)*VBE + IC(Sat)*VCE(Sat) que nos indican que el transistor esta en corte ya que
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se encuentra tomando un voltaje de colector – emisor VCE = VCB = 0.6V VCB= VCB = 0.5V
máximo, que es igual al voltaje de la fuente y tiene 0.2V 0.5V
IC = 0.45A IC = IC = 0.24A
una corriente de colecto minima, que tiende a 0, que
por ende es lo que se visualiza en la tabla. 0.2595
A
Calculos teoricos
Carga Apagada: El optoacoplador 4N25 se encuentra
0𝑉 en corte ya que no ha sido exitado por la salida del
𝐼𝐿𝐸𝐷 = = 0𝐴 microcontrolador (5v) por lo tanto VCE es máximo
220Ω
(30v), el transistor igualmente no ha entrado en
Como el transistor del optocoplador esta en corte saturación por lo tanto la carga no va a tierra y no
entonces: enciende.
Carga Encendida: al exitar el optoacoplador desde el
VC = VCC microcontrolador (5v) se satura y llega a la base del
VC= 30V transistor BJT el voltaje suficiente para también
hacerlo saturar por lo cual la carga ve a tierra y se
VE = 0V enciende.

VCE = VC – VE = 30V – 0V = 30V Calculos teóricos encendido el bombillo

EN TIP41 Optoacoplador cuando esta activo:

Como el optocoplador esta en corte: 5𝑉 − 1.3𝑉


𝐼𝐿𝐸𝐷 = = 16.8 𝑚𝐴
220Ω
VB = 0V
IB = 0A 30𝑉
𝐼𝐶 = = 35.5 𝑚𝐴
VBE= 0V 820Ω

VE = VB – VBE = 0V- 0V = 0V VC = 30V - 820Ω(35.5mA) = 0.9V

VCB = 30V
IC = β(IB) = 15 (0) = 0A Como VBE TIP41 = 0.7V entonces fija el VE en el
optoacoplador.

VE = 0.7V
COMPARACIÓN DE CALCULOS
TEORICO – PRACTICOS VCE = VC – VE = 0.9V – 0.7 V = 0.2V

TABLA N° 2 En TIP41
0.7𝑉
TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR – IB = IC – IE = 35.5mA – 820Ω
ENCENDIDO
TEORICO PRACTICO
4N25 TRANSISTOR 4N25 TRANSISTOR IB = 34.6mA
BJT DE
POTENCIA VB TIP41 = VE OPTOACOPLADOR
ILED = VBB= 0.7V ILED = VBB=0.69V
16.8mA 20mA
VBE = VB – VE
VE=0.7V IB= 34.6mA VE=0.69V IB= 34.6mA
VC = VBE = 0.7V VC = VBE = 0.69V
0.9V 0.9V VBE = 0.7V – 0V = 0.7V
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𝛽 15
IC= ∗ 𝐼𝐵 = ∗ 34.6 𝑚𝐴 = 0.2595 𝐴
2 2
VCB = 0.5V

CÁLCULOS TEÓRICOS CON CON EL


CIRCUITO DEL TRANSISTOR DE
POTENCIA.

ON- Bombillo apagado

2N2222
Fig. . Componentes con sus valores de resistencias.
Corriente de base
TABLA N° 3 Comparando valores teóricos
𝑉𝑀𝐼𝐶𝑅𝑂𝐶𝑂𝑁𝑇𝑅𝑂𝐿𝐴𝐷𝑂𝑅 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = carga en ON
𝑅𝑆𝐴𝐿𝐼𝐷𝐴 𝐷𝐸𝐿 𝑀𝐼𝐶𝑅𝑂(𝑅0)
TRANSISTOR DE POTENCIA COMO
5𝑉−1.3𝑉
𝐼𝐶 = = 0.39 mA INTERRUPTOR – BOMBILLO APAGADO
9.4𝐾Ω
TEORICO PRACTICO
Corriente de colector Transistor TRANSISTOR Transistor TRANSISTOR
auxiliar BJT auxiliar BJT
30𝑣 2N2222 2N2222
𝐼𝐵 = = 13.6𝑚𝐴 IB = VGS = 0.08V IB = VGS = 0V
2.2𝑘Ω 0.39mA 0.4mA
VBE= VDS = 30V VBE= VDS = 30V
VE = 0V 3.7V 3.4V
VCE= ID = 0V VCE= ID = 0A
VC = 30V – 13.6mA (2.2kΩ) = 0.08V 0,08V 0,07V
IC = 0A IC = 0A
VCE = VC-VE = 0.08V-0V = 0.08V VBB= VBB =
3.7V 3.5V
Como el transistor 2N2222 se satura
OFF- Bombillo Encendido
VG =0.08V
El 2N2222 no va a ser excitando con corriente ya
Por lo tanto el Mosfet no conduce que ne la base del transistor habrá un VB = 0V.

VD= 30V Corriente de base

VDS= 30V-0V 𝑉𝑀𝐼𝐶𝑅𝑂𝐶𝑂𝑁𝑁𝑇𝑅𝑂𝐿𝐴𝐷𝑂𝑅 − 𝑉𝐵𝐸


𝐼𝐵 =
𝑅𝑆𝐴𝐿𝐼𝐷𝐴 𝐷𝐸𝐿 𝑀𝐼𝐶𝑅𝑂(𝑅0)
VD=30V
𝐼𝐵 = 0𝑉
La carga esta apagada
Corriente de colector
ID = 0V.
30𝑣
𝐼𝐶 = = 9.37𝑚𝐴
2.2𝑘Ω + 1𝑘Ω
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VE = 0V TABLA N° 4 Comparando valores teóricos


carga en OFF
VC = 30V – 9.37mA (2.2kΩ) = 9.386V
TRANSISTOR DE POTENCIA COMO
VCE = VC-VE = 9.386V – 0V = 9.386V INTERRUPTOR – BOMBILLO ENCENDIDO

TEORICO PRACTICO
Como 2N2222 esta en corte Transistor TRANSISTOR Transistor TRANSISTOR
auxiliar BJT auxiliar BJT
VG =9.386V 2n2222 2n2222
IB = 0A VGS = 9.2V IB = 0A VGS = 9.2V
Por lo tanto el Mosfet se satura y la carga va a tierra, VBE= VDS = 0.16V VBE= VDS =
entonces se enciende. 1.3V 1.2V 0.16V
VCE= ID = 0.45A VCE= ID = 0.45A
VD= 30V 9.386 V 9.36 V
IC = IC =
9.37A 9.38A
VDS= 0V VBB= VBB=
0.16V
Vs=30V
Los cálculos realizados y la verificación del
30𝑉
ID = 122Ω = 0.246 𝐴. funcionamiento del circuito nos indica que este
funciona con lógica inversa, se analizan los
VB = 5V – 1.3V = 3.7V parámetros, cuando esta apagada la carga y cuando
VBE = VB – VE = 3.7V – 0V =3.7V esta encendida, apartir de lo mostrado en la
Tabla N° 4.
Carga Apagada: cuando la carga esta apagada quiere
decir que el microcontrolador ha exitado con 5
voltios la base del transistor bjt lo cual lo ha hecho
entrar en saturación y hace que Vcc en colector vaya
a tierra asi que el MOSFET no se exita y la carga
queda en OFF.

CONTROL PWM CON BOMBILLO

Los microcontroladores utilizan temporizadores


para generar señales PWM. En los PIC de 8 bits, el
módulo encargado de proveer la señal PWM se llama
Capture/Compare/PWM. En el PIC18F4550 hay dos
salidas PWM: CCP1 y CCP2.
Fig. . Elementos acoplados con resistencias.
Cuando la señal es alta, la denominamos "a tiempo".
Para describir la cantidad de "a tiempo", se utiliza el
concepto de ciclo de trabajo. El ciclo de trabajo se
mide en porcentaje. El ciclo de trabajo porcentaje
describe específicamente el porcentaje de tiempo de
una señal digital es en más de un intervalo o período
de tiempo. Este período es el inverso de la frecuencia
de la forma de onda.

Graficas analizadas con el circuito con transistor


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BJT como interruptor

Para las graficas que se analizaras de aquí en adelante


estarán descritas como la onda amrailla para la
entrada, y la onda azul para la salida.

Fig. 7. (a) Ciclo de trabajo del 30% y (b) Ciclo de


trabajo del 70%.

En la fig. 7; se muestra la variación de la onda, en


porcentajes de 30% y 70% para la modulacion, se
debe tener en cuenta que PWM requiere de la
variación del ciclo de trabajo para “regular” la
Fig. 6. Ciclo de trabajo del 50%. energía que se entrega a una carga. Como se sabe que
el PIC trabaja con voltajes binarios (0V o +5V), se
Para la fig. 6; se visualiza una señal se deduce que si puede configurar el PWM para que trabaje un
una señal digital pasa la mitad del tiempo de determinado tiempo en +5V (Ton) frente al tiempo
encendido y la otra mitad fuera, podríamos decir que que está en nivel bajo 0V (Toff).
la señal digital tiene un ciclo de trabajo del 50% y se
asemeja a una onda cuadrada ideal. Si el porcentaje Visualizando dos periodos de la onda se tiene los
es superior al 50%, la señal digital pasa más tiempo siguientes parámetros para cada onda: frecuencia,
en el estado alto que el estado bajo y viceversa, si el tiempo, ancho de pulso.
ciclo de trabajo es menor que 50%.
30%

Fig. 8. Valores generaddos en el osciloscopio con


un PWM de 30%.
50%

(a)
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Fig. 9. Valores generaddos en el osciloscopio con


un PWM de 50%.

70%

(a)

Fig. 10. Valores generaddos en el osciloscopio con


un PWM de 70%.

La fig. 8, 9 y 10, se observa los siguientes


parámetros: periodo, frecuencia, ancho de pulso,
para est ultimo se tiene en cuenta que el PWM puede
generar señales de tipo cuadrada o sinusiodales en las
cuales se les cambia el ancho relativo respecto al
período de la misma, el resultado de este cambio es
llamado ciclo de trabajo y sus unidades están (b)
representadas en términos de porcentaje. Fig. 11. (a) tiempo de encendido t(ON) y (b) tiempo
Expresado matemáticamente: de apagado t OFF, para la onda de 30%.

D: es el ciclo de trabajo.
τ : es el tiempo en que la función es positiva (ancho
del pulso).
T: es el período de la función.

τ
𝐷=
𝑇

Tiempos de encendido y apagado con circuito


transistor BJT.

(a)
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Fig. 13. (a) tiempo de encendido t(ON) y (b) tiempo


de apagado t OFF, para la onda de 70%.

Cuando el transistor está en saturación o en corte las


pérdidas son despreciables.

Pero si se tiene en cuenta los efectos de retardo de


conmutación, al cambiar de un estado a otro se
produce un pico de potencia disipada el cual se
observa en la fig. 7, 8 y 9; ya que en esos instantes el
producto IC x VCE va a tener un valor apreciable,
por lo que la potencia media de pérdidas en el
transistor va a ser mayor.
Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo,
(b) debido a que al aumentar ésta, también lo hace el
Fig. 12. (a) tiempo de encendido t(ON) y (b) tiempo número de veces que se produce el paso de un estado
de apagado t OFF, para la onda de 50%. a otro.

Se podra distinguir entre tiempo de excitación o


encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su vez,
cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros
dos.

(a)
(a)

(b)

(b)
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(c) (c)
Fig. 14. (a) valores tiempo de encendido en ciclo de Fig. 15. (a) valores tiempo de apagado en ciclo de
trabajo del 30%, (b) valores tiempo de encendido en trabajo del 30%, (b) valores tiempo de apagado en
ciclo de trabajo del 50%, (c) valores tiempo de ciclo de trabajo del 50%, (c) valores tiempo de
encendido en ciclo de trabajo del 70%. apagado en ciclo de trabajo del 70%.

Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts):
transcurre desde el instante en que se aplica la señal Tiempo que transcurre desde que se quita la
de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la excitación de entrada y el instante en que la señal de
señal de salida alcanza el 10% de su valor final. salida baja al 90% de su valor final.

Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea
la señal de salida en evolucionar entre el 10% y el la señal de salida en evolucionar entre el 90% y el
90% de su valor final. 10% de su valor final.
Esto se visualiza en la fig. 9; para cada uno de los
Para lo descrito en lo anterior se visualiza en la fig. ciclos de trabjao utilizados observándose en la
8; un tiempo de encendido en 30% de 15.6 μs, para grafica un tiempo de apagado en 30% de 14.5 𝜇s,
50% de 14.2 μs y para 70% será de 14.5 μs. para 50% de 4.90 𝜇s y para 70% será de 4.20𝜇s.

Graficas analizadas con el circuito del transistor


de potencia

Muchas veces, cuando se trabaja con


microcontroladores, estos no son capaces de ceder la
potencia que se necesita para mover motores, o
(a) controlar la luminosidad de una bombilla, por lo que
necesitamos una etapa de potencia. Al trabajar con
PWM, la etapa tiene que ser muy rápida, y el
componente que puede limitar esa velocidad es el
transistor, es por ello que utilizo el IRF530, un
MOSFET de alta velocidad.

(b)
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En la fig. 16; se muestra el ciclo de trabajo en 50$,


30% y 70%, los cuales generan un pulso de onda
cuadrado, como se ha visto con el transistor anterior.

Visualizando dos periodos de la onda se tiene los


siguientes parámetros para cada onda: frecuencia,
tiempo, ancho de pulso

Fig. 17. Valores generaddos en el osciloscopio con


(a) un PWM de 50%.

Fig. 18. Valores generaddos en el osciloscopio con


un PWM de 30%.

(b)

Fig. 19. Valores generados en el osciloscopio con


un PWM de 70%.

La graficas obtenidas con el circuito del transitor de


potencia, nos permiten generar distintos parámetros,
con lo cual podemos verificar ciclo de trabajo para
onda, y otras valores que se deseen encontrar aobre
esta, lo cual se magnifica en la fig.14, 15 y 16.

Encendido y apagado de onda con transistor


Mosfet

(c)

Fig. 16. (a) Ciclo de trabajo del 50%, (b) Ciclo de


trabajo del 50% y (c) Ciclo de trabajo del 70%.
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(b)
(a) Fig. 21. (a) tiempo de encendido t(ON) y (b) tiempo
de apagado t OFF, para la onda de 30%.

(b)
Fig. 20. (a) tiempo de encendido t(ON) y (b) tiempo (a)
de apagado t OFF, para la onda de 50%.

(b)
Fig. 22. (a) tiempo de encendido t(ON) y (b) tiempo
(a) de apagado t OFF, para la onda de 70%.
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En la fig. 20, 21 y 22, se describe la siguiente teoría,


que explica el comportamiento de la grafica. Los
MOSFET de potencia son dispositivos de
conducción unipolar. En ellos, los niveles de
corriente conducida no están asociados al aumento
de la concentración de portadores minoritarios, que
luego son difíciles de eliminar para que el dispositivo
deje de conducir. (b)

La limitación en la rapidez está asociada a la carga


de las capacidades parásitas del dispositivo. Se
pueden distinguir esencialmente tres:

Capacidad de lineal, CGS


Capacidad de transición, CDS
Capacidad Miller, no lineal, CDG (muy importante)
(c)
Capacitancias típicas Fig. 23. (a) valores tiempo de encendido en ciclo de
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran trabajo del 50%, (b) valores tiempo de encendido en
información de tres capacidades distintas de las ciclo de trabajo del 30%, (c) valores tiempo de
anteriores, pero relacionadas con ellas: encendido en ciclo de trabajo del 70%.

Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 (aproximadamente Valores en tiempo OFF


capacidad de entrada)
Crss = Cdg (capacidad Miller)
Coss = Cds + Cdg (aproximadamente capacidad de
salida)
La carga y la descarga de estas capacidades parásitas
generan pérdidas que condicionan las máximas
frecuencias de conmutación de los MOSFET de
potencia.
(a)
Además, en general estas capacidades parásitas
retrasan las variaciones de tensión, ocasionando en
muchos circuitos convivencia entre tensión y
corriente, lo que implica pérdidas en el proceso de
conmutación.

Valores en tiempo ON

(b)

(a)
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(c )
Fig. 24. (a) valores tiempo de apagado en ciclo de
trabajo del 50%, (b) valores tiempo de apagado en
ciclo de trabajo del 30%, (c) valores tiempo de
apagado en ciclo de trabajo del 70%.

El tiempo de encendido y apagado en un circuito cn


un transitor de potencia están dando en periodos mas
largos, ya que estas son descritas como perdidas por
conmutación capacitiva. Estas pérdidas ocurren
durante el proceso de encendido y durante el proceso
de apagado de cada MOSFET.
Las pérdidas por conmutación ocurren entre el
tiempo de retardo (Delay Time, td) y el tiempo de
subida (Rise time, tr) conceptos descritos Fig. 25. Pulso de onda del PWM de un motor con
anteriormente, ocurriendo debido a que el voltaje un ciclo de trabajo del 50%.
VDS y la corriente ID se sobreponen.
El PWM permite un control agradable ya que
CONTROL PWM CON EL MOTOR DC permiten mantener un determinado nivel de
variación de la cornte en el motor.

Sin embargo, tienen el inconveniente de que al variar


la frecuencia de modulación sobre un amplio rango
se producen, en algunos casos como se muestra en la
fig. 25., oscilaciones y ruidos audibles muy molestos
en el motor, debido a fenómenos de resonancias
mecánicas que hacen que sean de utilización poco
frecuente.

Fig. 25. PWM con motor.

La Regulación por Ancho de Pulso de un motor de


CC está basada en el hecho de que si se recorta la CC
de alimentación en forma de una onda cuadrada, la Fig. 26., Valores generados en el osciloscopio con
energía que recibe el motor disminuirá de manera un PWM de 50%.
proporcional a la relación entre la parte alta (habilita
corriente) y baja (cero corriente) del ciclo de la onda En la anterior fig. 26., se muestra algunos parámetros
cuadrada. Controlando esta relación se logra variar la obtenidos apartir de la obtención de la grafica del
velocidad del motor de una manera bastante PWM con motor dc.
aceptable.
Universidad del valle sede Tuluá. Ortiz. Rectificador trifasico y rectificadores controlados 16

Tiempo ON y OFF producido, como se ve reflejado en la fig. 27.

Valores para tiempo ON y OFF

(a)

(a)

(b)
Fig. 28. (a) valores tiempo de encendido, (b)
Valores tiempo de apagado, en ciclo de trabajo del
50%.

En la fig. 28., se muestra la diferencia en los tiempos


de encendido y apagado del motor, viendo un
intervalo de encendido bastante largo lo cual se
deduce de que estos picos son producidos por la
naturaleza de la forma de onda producida por el
variador aguas abajo, es decir, la forma de onda de
ancho modulado o PWM y la fuerza
(b) contraelectromotriz, conceptos ya descritos
Fig. 27. (a) tiempo de encendido t(ON) y (b) tiempo anteriormente.
de apagado t OFF, para la onda de 50%.
II. Conclusiones
Para explicar la otra parte del circuito hay que
mencionar un efecto que aparece en las bobinas (ej. Los transistores son elementos que han facilitado, en
motores). La fuerza contraelectromotriz, la cual se gran medida el diseño de circuitos electrónicos de
opone al paso de corriente. Es parecido a la inercia reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de
en los sistemas mecánicos. Cuando alguien quiere control. Gracias a esta práctica de laboratorio se pudo
iniciar el avance con una bici le cuesta, pero después tener claridad de las características que estos poseen
no se nota que va en bici, y cuando quiere parar, no y también mejorar conceptos que se vienen
vale con dejar de dar pedalas, sino que se debe frenar
trabajando a lo largo de la carrera además de poder
por la inercia. En la electricidad pasa algo parecido,
analizar y calcular los diferentes circuitos propuestos
pero en forma de corriente. Además, en motores este
efecto se incrementa, ya que cuando un motor deja en la guía permitiendo así la conexión de un bombillo
de recibir energía sigue girando por la inercia o de un motor sin preocuparse de la corriente que le
mecánica y se convierte en un generador de puede llegar al microcontrolador.
electricidad, aumentando el pico de energía
Universidad del valle sede Tuluá. Ortiz. Rectificador trifasico y rectificadores controlados 17

Se aprendió que para la conexión de un transistor al


microcontrolador previamente se deben hacen unos III. Referencias Bibliográficas
cálculos exactos para determinar los componentes
indicados y el juego de resistencias suficientes y de [1] Puente de wheatstone [2013]. Puente de
valores exactos para reducir la corriente al máximo y wheatstone (en línea). Consultado: marzo 2016.
que el microcontrolador no sufra ningún tipo de Disponible en:
riesgo ya que como se sabe el pic solo soporta una http://es.wikipedia.org/wiki/Puente_de_Wheats
corriente de 20 ma. tone
[2] Pérez García, Miguel Ángel. Instrumentación
electrónica. 1ª ed. Madrid
También se pudo observar e interpretar la señal
generada por un motor al inyectarle el PWM [3] Bopton, Lázaro, Manuel. “Mediciones y
(modulación por ancho de pulso). Mirando las pruebas eléctricas y electrónicas”, Alfaomega.
Problemas resueltos de instrumentación y
diferentes señales que se obtienen al varia del 0%
medidas electrónicas.
hasta el 100 %. Partiendo como característica
principal que el motor girara más rápido a un mayor [4] W.D. Cooper and A.D. Helfrick,
porcentaje. Instrumentación electrónica moderna y técnicas
de medición, Prentice-Hall. Hispanoamericana,
Se comparó los resultados obtenidos de manera 1991.
teórica y practica generando unas pequeñas [5] Buchla, David y Mc Lachlan, Wayne, “Applied
variaciones en los resultados lo que se debe a que electronic instrumentation and measurement”,
muchos componentes electrónicos no son ideales por Macmillan publishing company, New York.
lo que pueden dar una pequeña variación en su [6] Galga extensiométrica [2013]. Galga
construcción causando leves diferencias, pero casi extensiométrica (en línea). Consultado: marzo
siempre dando valores aproximados. 2016. Disponible en:
http://es.wikipedia.org/wiki/Galga_extensiom
Universidad del valle sede Tuluá. Ortiz. Rectificador trifasico y rectificadores controlados 18

Anexos

(a)

(b)
Fig. . (a) y (b) Esquematico del primer circuito simulado en el software Proteus.
Universidad del valle sede Tuluá. Ortiz. Rectificador trifasico y rectificadores controlados 19

(a)
Universidad del valle sede Tuluá. Ortiz. Rectificador trifasico y rectificadores controlados 20

(b)
Universidad del valle sede Tuluá. Ortiz. Rectificador trifasico y rectificadores controlados 21

(b)
Fig. . (a) y (b) Esquematico del primer circuito simulado en el software Proteus.

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