1.

CHAVES SEMICONDUTORAS
1.1 Dispositivos semicondutores e a eletrônica de potência.
Aliado ao desenvolvimento de dispositivos semicondutores, o campo da
eletrônica de potência avança continuamente. Esses são largamente empregados no
chaveamento de altas correntes em altas tensões, o que possibilitou a ampliação das
aplicações da eletrônica de potência, como controle de iluminação e de aquecimento,
fontes reguladas de energia, motores acionadores DC ou AC de velocidade variável,
compensador estático VAR e sistemas de transmissão DC em alta tensão.

1.2 Transferência de potência

A transmissão de potência elétrica de uma fonte para uma carga pode ser
controlada pela alternância da tensão de alimentação (utilizando-se um transformador
variável) ou pela inclusão de um regulador (um reostato, um reator variável ou uma
chave). Neste caso, a utilização de dispositivos semicondutores como chaves se mostra
bastante eficaz, uma vez que, esses dispositivos apresentam alta confiabilidade, baixo
custo, eficiência e são usados no controle automático da potência.
Uma conversão eficiente se torna importante quando a potência a ser controlada
é grande. Do ponto de vista econômico, uma eficiência baixa se torna preocupante, pois
gera grandes perdas, além de calor para o sistema, podendo superaquece-ló caso não
seja removido. Dessa forma, o emprego de um reostato com esta finalidade se mostra
ineficiente, pois a transferência de potência da fonte para a carga é muito baixa. Já no
uso de uma chave como dispositivo de controle se tem uma perda de potência mínima,
pois a tensão é igual a zero no momento em que a chave está ativada ou a corrente é
praticamente nula quando a chave está desconectada, resultando em uma eficiência de
quase 100%.

1.3 Perda de potência em chaves não ideais

As chaves semicondutoras de potência são os elementos mais importantes em
circuitos de eletrônica de potência. Admitindo o uso de uma chave ideal, a perda
associada à elas é obtida fazendo o produto da corrente que atravessa-a pela tensão
sobre ela. Assim, no momento em que a chave se encontrar aberta, não passará corrente
e, quando a chave estiver ligada, passará uma corrente (Vs/RL), mas não haverá queda
de tensão. Além disso, para que as perdas sejam nulas, consideremos que o tempo de
subida e de descida da chave seja zero. Ou seja, a chave permuta do estado desligado
para o ligado instantaneamente, assim sendo, teremos que a perda durante o
chaveamento será reduzido à zero.

Figura 1 Perda de potência em uma chave ideal

No caso de uma chave real, teremos duas enormes causas de perda: perda na
condução e perda por chaveamento. Para exemplificarmos essas fontes de perda,
usaremos um transistor como chave.

1.3.1 Perda na condução

Quando a chave (transistor) permanecer desligado, passará uma corrente que
denominaremos de corrente de fuga (IFUGA). A perda de potência relacionada com essa
corrente é POFF = VS • IFUGA. Porém, poderemos considerar essa perda sendo zero
quando a corrente de fuga for muito pequena e consequentemente não variar
significativamente com a tensão, dessa forma a desprezamos e logicamente anula-se a
perda.
No momento em que se encontrar ligada, ocorrerá uma pequena, mas
significativa queda de tensão sobre ela, designada tensão de saturação (VSAT). Logo,
teremos como resposta do sistema a dissipação de potência no transistor ou a perda na
condução proveniente da tensão de saturação.

Esta equação sugere o valor da perda de potência, uma vez que a chave
permaneceu continuamente ligada. Entretanto, quando queremos obter o valor da perda
para o qual houve o controle da potência (procedimento em que a chave deverá ser
comutada entre os estados ligado e desligado regularmente), devemos admitir o ciclo de
trabalho. Desse modo:
1.3.2 Perda por chaveamento
A segunda fonte de perda associada às chaves semicondutoras está à perda por
chaveamento. Isso em decorrência da incapacidade de permutar de estado de modo
instantâneo.
Demanda um tempo finito (tempo de transição) para que a chave possa mudar de
estado, tanto para ligado quando para desligado, resultando durante a transição
dissipação de potência, bem como limitação da máxima frequência de chaveamento
possível. Habitualmente o tempo de transição para ligar (tON) é maior que o tempo para
desligar (tOFF). Entretanto, analisaremos de forma que ambos sejam iguais em virtude da
exemplificação a seguir.

Quando a chave estiver desconectada, a tensão sobre ela será igual a da fonte de
tensão. No tempo de fechamento a tensão cairá a zero. Para o mesmo instante de tempo
a corrente passa de zero a IC. Durante esse procedimento (chaveamento), uma corrente
passa pelo transistor e há tensão sobre ele; o que resulta em perda de potência.

2. DIODOS DE POTÊNCIA
São de extrema importância para circuitos de eletrônica de potência. Geralmente
(POSSO USAR O TERMO GERALMENTE, OU SÃO SEMPRE UTILIZADOS
DESSA FORMA?) são aplicados em retificadores não-controlados, fazendo a
conversão de tensões AC (correntes alternadas) para DC (corrente contínuas) fixas, e
como diodos de retorno.

2.1 Tensão-corrente de um diodo

À medida que o diodo se encontra diretamente polarizado, iniciará o processo de
condução assim que a tensão no ânodo for maior que a do cátodo. Sempre que o a
tensão se aproxima de 1V, denominada tensão-joelho, perceberemos que a corrente
aumenta repentinamente. Todavia, quando o diodo está inversamente polarizado, uma
pequena corrente (corrente de fuga inversa) origina-se assim que a tensão entre o ânodo
e o cátodo aumenta. Isso nos mostra que o diodo apresenta uma grande resistência na
direção inversa. Poderemos observar essa propriedade com o aumento da tensão
inversa, até que se atinja a tensão de ruptura. Quando a ruptura for alcançada, o diodo
permite a passagem de uma corrente grande, com pequenos acréscimos de tensão.