Вы находитесь на странице: 1из 7

Elementos de circuito en frecuencias ópticas: Nanoinductores, nanocapacitores

y nanorresistores
Se presenta el concepto de circuitos de nanoelementos en el dominio óptico utilizando nanopartículas plasmónicas y no
plasmónicas. En términos de pequeñas nanoestructuras con diferentes propiedades de los materiales, se discuten tres
elementos de circuitos básicos, es decir, nanoinductores, nanocapacitores y nanoresistores. También se prevee que los
circuitos a nanoescala acoplados, en combinaciones en paralelo y en serie puedan proporcionar mapas de caminos
para la síntesis de circuitos más complejos en el IR y bandas visibles. Se presentan ideas para la aplicación óptica de
líneas de nanotransmision diestros y zurdos.

Actualmente, uno de los problemas más importantes en nanotecnología y nanofotónica es la


interacción de ondas ópticas con medios metálicos y no metálicos. Es bien sabido que en ciertos
metales nobles tales como Ag, Au, la frecuencia de plasma está en los regímenes visible o
ultravioleta (UV). De esta manera, estos metales se comportan como materiales plasmónicos en las
frecuencias ópticas. En otras palabras, la componente real de su permitividad es un número
negativo. Como resultado de esto, la interacción de las señales ópticas con nanopartículas
plasmónicas implica resonancias de plasmón superficial. Dado que estas partículas pueden ser
mucho más pequeñas que la longitud de onda óptica, puede surgir de forma natural la siguiente
pregunta: “¿pueden las nanopartículas metálicas y no metálicas ser tratadas como circuitos de
“nanoelementos concentrados”, tales como nanoinductores, nanocapacitores y nanorresistores en
los regímenes ópticos?”. Bien es sabido que los circuitos convencionales en los rangos de
frecuencias más bajas, implican elementos mucho más pequeños que la longitud de onda de
operación, por lo que puede usarse una aproximación de las ecuaciones de Maxwell en la
descripción de la teoría de los mismos en el límite de estos tamaños tan pequeños. De esta manera,
en el siguiente trabajo se explora cuantitativamente la manera en que estos conceptos de circuitos y
elementos pueden extenderse a estas frecuencias ópticas cuando se trata de nanopartículas.
Cabe destacar que un simple escalado de los conceptos de los componentes del circuito utilizados
convencionalmente en frecuencias más bajas puede no funcionar en las frecuencias más allá del
infrarrojo lejano, dado que la realización de materiales (por ejemplo, metales) se comportan de
manera diferente a estas frecuencias más altas. En este caso, sin embargo, se presenta el concepto de
la sintetización de los elementos de estos circuitos y de circuitos más complejos en el régimen
óptico. Estos elementos nanoópticos pueden encontrar aplicaciones futuras en áreas tales como
circuitos biológicos, nano-óptica, almacenamiento de información óptica, biofotónica y señalización
molecular.
Para empezar, consideramos una nanoesfera de radio R, confeccionada de un material homogéneo y
con la función dieléctrica E( w) , que en general, es una cantidad compleja. La esfera además se
supone que es mucho más pequeña que la longitud de onda de operación en el vacío y en el
λ0
material, es decir, R≪λ0 y R≪ .
ε0√
|R e(ε)|

Consideremos una onda electromagnética incidente E0 iluminando esta esfera bajo una excitación
monocromática e−iω t . Debido al pequeño tamaño de la partícula (con respecto a la longitud de
onda), los campos electromagnéticos dispersos en la zona de la esfera y los campos totales dentro
de ella se pueden obtener con muy buena aproximación utilizando la aproximación cuasiestática
temporal armónica ya conocida. Esto conduce a las siguientes expresiones aproximadas para los
campos dentro y fuera de la esfera:

⃗ =3 ε0 E⃗0 /(ε+2 ε0)


Einterno (1)

E⃗ext = E⃗0+ E⃗dip = E⃗0 +[3 ⃗ u )−⃗p ]/(4 π ε0 r 3)


u⋅( ⃗p . ⃗ (2)
con ⃗ u =⃗r /r , ε0 la permitividad fuera de la región, r⃗ el vector
P=4 π ε0 (ε−ε0 ) E⃗0 /(ε−2 ε0) , ⃗
posición desde el centro de la esfera al punto de observación, y r=|⃗r| . En cada punto de la
superficie de la esfera, la componente normal de la corriente de desplazamiento −i ω Dn es
contínua, lo que implica que:

−i ω(ε−ε0 ) E⃗0⋅^n=−i ωε0 E⃗dip⋅^n +i ωε E⃗res⋅^n (3)

donde n^ es el vector normal exterior a la superficie de la esfera. En esta ecuación,


E⃗res= E⃗inte − E⃗0 representa el campo residual interno de la nanoesfera cuando el campo incidente
se resta con el campo interno total.
Si E⃗0 está orientado como se muestra por las flechas negras en la fig. 1, cuando la ec. (3) se
integra en la superficie semiesférica superior tenemos la corriente de desplazamiento “total” para
cada término relevante en la ecuación (3):

−i ωε π R (ε−ε0 )|E⃗0| i ω ε0 2 π R (ε−ε 0)|E⃗0|


2 2
−i ω(ε−ε0 )= − (4)
(ε+ 2ε0 ) (ε+2 ε0)

El primer termino de la ec. (4) lo llamamos “fuente de corriente de desplazamiento impresionado'',


al segundo “corriente de desplazamiento que circula en el nanoesfera” y al tercero “corriente de
desplazamiento del campo marginal (dipolar)”, respectivamente. Todos ellos están relacionados con
las cargas de polarización en la superficie de la nanoesfera, inducidas por la excitación. La relación
anterior entre los diversos segmentos de la corriente de desplazamiento se puede interpretar como
las corrientes de las ramas en un nodo en un circuito en paralelo, como se muestra en la fig. 1. De
hecho, esas corrientes como las definidas anteriormente obedecen la ley actual Kirchhoff. La ley de
voltaje de Kirchhoff es también satisfecha, ya que ∇ × ⃗ E es localmente cero en esta
aproximación cuasi-estática. La impedancia equivalente para la “nanoesfera” y las ramas
“marginales” del circuito que se muestra en la figura 1, se calcula como la relación entre el
“promedio” de la diferencia de potencial (debido a E⃗res ) entre las superficies hemisféricas
superior e inferior de la esfera (franja)

⟨V ⟩esfera =⟨ V ⟩ franja =R(ε−ε0 )|E⃗0|/(ε+2 ε0) (5)

y las corrientes eficaces evaluadas en la ec. (4). Por lo tanto, podemos obtener:

Z esfera =(−i ω ε π R)−1 , Z franja=(−iω 2 π Rε 0)−1 (6)

De la ec. (6) podemos ver claramente que los dos elementos paralelos en los circuitos mostrados en
la fig. 1 pueden comportarse de manera diferente dependiendo de la permitividad de las
nanoesferas. Podemos considerar dos casos;

Esfera no metálica como un nanocapacitor

En este caso, la parte real de ε es una cantidad positiva, y por lo tanto Z sph en la ecuación (6) es
capacitiva junto con la parte resistiva relacionada con la parte imaginaria de la permitividad. La
impedancia de la franja exterior es siempre capacitiva, ya que se supone que la permitividad de la
región exterior es positiva. Así, el nanocircuito equivalente para una nanoesfera no plasmónica
puede mostrarse en la parte inferior izquierda de la fig. 1. Aquí los elementos del circuito
equivalente se pueden expresar en términos de parámetros de las nanoesferas de la siguiente
manera:
C esfera=π RRe[ε] , Gesfera =π ω RIm[ε] , C franja =2 π ω R ε0 (7)

Puesto que hay dos elementos capacitivos, no hay resonancia presente en este caso, un hecho que es
coherente con la ausencia de resonancia para la interacción de la onda óptica con las pequeñas
nanoesferas no plasmónicas.

Figura 1: Circuito básico a escala nanométrica en el régimen óptico. En la izquierda: una esfera no plasmónica con
ε>0 , que proporciona un nanocapacitor y un nanorresistor. En la derecha: una esfera plasmónica con ε<0 ,
dando un nanoinductor y un nanorresistor. Las flechas negras contínuas muestran el campo eléctrico incidente, y las
líneas de campo más delgadas junto con las flechas grises representan el campo eléctrico dipolar en las nanoesferas.

Esfera metálica como nanoinductor

En este caso, vamos a asumir que la esfera está hecha de un material plasmónico, como por
ejemplo, metales nobles en la banda visible o IR (por ejemplo, Ag, Au). Como resultado, la parte
real de la permitividad puede alcanzar un valor negativo en estas bandas de frecuencia. Por lo tanto,
la impedancia equivalente de las nanoesferas [Eq. (6)] puede ser “negativamente capacitiva” en
cualquier frecuencia dada para R e [ε]<0 . Esto se puede interpretar como una “inductancia”
efectiva positiva, como se discute en [4 - 6]. Por lo tanto, el circuito equivalente para el caso de la
interacción de la onda óptica con una nanoesfera plasmónica se puede presentar como en la parte
inferior derecha de la fig. 1. Aquí el elemento de circuito equivalente para la esfera se convierte en:
2 −1
Lesfera =(−ω π R R e [ε]) (8)

En este caso, puesto que hay un inductor en paralelo con el condensador en placas, el circuito puede
exhibir una resonancia, que corresponde a la resonancia de plasmón para la interacción de ondas
ópticas con las nanopartículas metálicas, como se menciona en [4]. Se puede verificar que la
condición de resonancia para el circuito de Lesfera C esfera =ω−2 requiere la condición bien conocida
de la resonancia de plasmón para una nanoesfera R e [ε]=−2 ε0 .
Se desprende de la discusión anterior que una pequeña nanoesfera excitada por una señal óptica
puede comportarse de manera efectiva como un “nanocapacitor” o “nanoinductor” en la frecuencia
óptica, si la esfera está hecha de materiales no plasmónicos o plasmónicos, respectivamente. La
parte imaginaria de la permitividad del material puede proporcionar un nanorresistor equivalente.
Es interesante notar que a frecuencias más bajas el diseño convencional para un inductor requiere la
forma de “alambres enrollados”, mientras que aquí las características plasmónicas de metales
nobles naturales nos pueden proporcionar una inductancia intrínseca eficaz, cuyo valor puede ser
otorgado seleccionando adecuadamente el tamaño, forma, y el contenido del material de la
nanoestructura.
Estos conceptos de hecho ofrecen nuevas posibilidades para la miniaturización de los circuitos
eléctricos que operan en las frecuencias ópticas. Los circuitos convencionales en las frecuencias de
RF e inferiores, basándose en la corriente de conducción que circula en alambres metálicos a lo
largo de los elementos concentrados, francamente no pueden ser reducidos a las frecuencias ópticas
de infrarrojos, en el que los materiales conductores metálicos se comportan de manera muy
diferente. Sin embargo, la introducción de nanopartículas plasmónicas y no-plasmónicas como
elementos básicos de nanocircuitos ópticos, en los que la corriente de “desplazamiento” puede
“circular” similarmente, pueden proporcionar funcionalidades análogas a las frecuencias ópticas.
Uno puede tener esencialmente los tres elementos básicos de circuito, es decir, nanoinductor,
nanocapacitor y nanorresistor operando en la frecuencia óptica, formando los bloques de
construcción para el diseño de circuitos más complejos en estas longitudes de onda.
Para tener una idea acerca de los valores de estos nanoelementos, supongamos un nanoesfera hecha
de plata con R=30 nm . A una longitud de onda λ 0=633 nm , la permitividad de la plata es
conocida por su valor de ε Ag =(−19+i 0,53)ε0 . De la ecuación (8) podemos entonces encontrar
que Lesfera ≃7,12 femtoH , Gesfera =1,32 mS y C Franja≃1,67 attoF . Si la partícula esta hecha de
Au2 S con permitividad ε Au S a λ 0=633 nm la capacitancia de la nanoesfera deberá ser
2

C esfera=4,53 attoF .
Podemos notar que para una longitud de onda dada y un material específico, los valores de estos
nanoelementos dependen directamente del radio de la nanoesfera. Sin embargo, si uno quiere tener
más flexibilidad en su diseño, se pueden utilizar nanopartículas con diferentes geometrías
(elipsoides, por ejemplo, con 3 grados de libertad correspondiendo a los tres ejes). Expandiendo
este concepto a configuraciones con más de una nanopartícula, como por ejemplo dos nanoesferas
con radios R1 y R2 , permitividades ε1 y ε2 y con una cierta distancia d de diferencia, un
análisis electromagnético de la distribución de campo muestra que en el límite “cuasiestático”, las
configuraciones aquí consideradas pueden ser tratadas eficazmente como nanocircuitos
“acoplados”, cada uno representando a una de las nanopartículas. Además de los elementos
representados en la figura (1) para la nanopartícula aislada, aquí cada circuito debe también incluir
una “fuente de corriente dependiente” que represente la influencia del campo de otra partícula o
partículas en este ámbito. En otras palabras, la interacción entre las partículas aquí expuestas puede
ser descripta usando “fuentes dependientes”. El valor de cada fuente de corriente dependiente puede
derivar explícitamente en términos de la diferencia de potencial inducido a través de otra de las
nanoesferas, en analogía con las fórmulas anteriores.
Con el fin de formar elementos de circuito en paralelo o en serie con estas nanopartículas, sería
necesario yuxtaponer dos (o más) de ellas muy estrechamente con orientaciones específicas con
respecto al campo eléctrico incidente. La figura (2) muestra la geometría de una estructura que
consta de dos semicilindros estrechamente unidos de diferentes permitividades.
Figura 2: nanoelementos en paralelo y en serie. En la parte superior: dos semicilindros sin pérdidas fusionados con
permitividades positivas y negativas, inmersos en un campo óptico. En el medio, las distribuciones de los potenciales
alrededor y dentro de las estructuras (las líneas continuas muestran superficies equipotenciales). En la parte inferior:
circuitos equivalentes que muestran elementos en paralelo y en serie que representan la estructura fundida como se ve
desde el exterior

Para mayor simplicidad, los cilindros se consideran sin pérdidas. Cuando sobre esta estructura de
dos materiales incide un campo eléctrico, la distribución del potencial alrededor de la misma,
proporciona información útil acerca de su comportamiento como elementos de circuito combinados.
Las interfaces medias presentan el potencial de distribución y superficies equipotenciales para los
dos casos, uno en el que el campo eléctrico es paralelo (columna izquierda) y otro para el caso en el
que es perpendicular al plano de la interfaz (columna derecha), con permitividades ε y −ε ,
calculados bajo la aproximación “cuasiestática”. Cabe destacar que las superficies equipotenciales
cerca del cilindro compuesto por dos materiales en la columna izquierda de la figura (3) son
perpendiculares a su superficie exterior, lo que implica que la componente normal del campo
eléctrico total es cero en esta superficie.
Figura 3: Síntesis de un nanocircuito. Arriba a la izquierda: circuito conceptual a nanoescala formado por bloques
rectangulares de segmentos plasmónicos y no-plasmónicos; abajo a la izquierda: su circuito equivalente; derecha: un
loop cerrado de un nanocircuito.

Sin embargo, hay de hecho una cierta diferencia de potencial entre las partes superior e inferior de
la superficie del cilindro. Como se ve desde el exterior, esta estructura fundida puede ser
considerada como un circuito resonante LC paralelo (que de hecho tiene una impedancia infinita en
su resonancia, y por lo tanto cero la corriente desplazamiento neta que fluye en él), en paralelo con
el condensador de placas paralelas, como se representa en el circuito equivalente en la parte inferior
izquierda de la columna de la fig (2). De una manera análoga, los semicilindros fusionados en la
columna de la derecha de esta figura, que tienen el campo eléctrico externo perpendicular a la
interfaz de límite entre las dos mitades, pueden ser considerados como series de circuitos L-C
resonantes, como se observa desde el exterior. Este circuito equivalente se expuso en la columna de
la derecha de la parte inferior de la figura (2). De hecho, como se ve en la parte central derecha, las
superficies equipotenciales en este caso son paralelas a la superficie del cilindro fundido, lo que
implica que la diferencia de potencial en la superficie de esta estructura es efectivamente cero,
mientras que la corriente de desplazamiento fluye dentro y fuera de la misma.

Figura 4: Una idea para la aplicación óptica de líneas de nanotransmisión derechas e izquierdas. Arriba: líneas
convencionales derechas e izquierdas utilizando elementos inductores y condensadores distribuidos (o agrupados); en
el medio: nanoestructuras plasmónicas y no-plasmónicas pueden desempeñar el papel de nanoinductores y
nanocapacitores; abajo: como las nanoestructuras están muy cerca, en el límite, pueden ser previstas la construcción
de capas plasmónicas y no-plasmónicas para constituir líneas de transmisión con marcha adelante y hacia atrás.

El comportamiento de la resonancia en estos ejemplos está presente debido a la elección particular


de las permitividades, ya que son opuestas pero igual magnitud. Sin embargo, los diferentes pares se
comportarían en serie o en paralelo como elementos no resonantes, dependiendo de su
emparejamiento y orientación con la excitación externa. Por otra parte, otras geometrías para
nanoestructuras igualmente emparejadas pueden dar lugar a configuraciones en paralelo y en serie
análogas. Por ejemplo, la Fig. (3) muestra una nanoestructura conceptualmente formada por bloques
rectangulares de materiales plasmónicos y no-plasmónicos. Básicamente se especula que cuando
esta estructura es excitada por un campo eléctrico local (por ejemplo, por un campo cercano de un
microscopio óptico de barrido (NSOM)), los bloques “plasmónicos y no-plasmónicos” podrían
actuar como nanoinductor y nanocapacitor (junto con algunos nanoresistores), respectivamente, y la
estructura de esta manera podría funcionar como el circuito más complejo mostrado en la parte
inferior izquierda de la Fig. (3). Tales circuitos a nanoescala podrían de hecho comportarse como
barras de códigos nanométricas plasmónicas y sistemas de almacenamiento de datos plasmónicos.
Un circuito de este tipo también puede estar configurado como un “loop” cerrado, de acuerdo a
como se muestra en la parte derecha de la figura (3). Cuando este circuito óptico cerrado es excitado
por un NSOM en un punto, se especula que la corriente de desplazamiento a lo largo de este bucle
puede comportarse como la corriente en un circuito equivalente formado por inductores y
condensadores. Estas técnicas de nanotecnología y fabricación para la confección de
nanoestructuras con diferentes segmentos metálicos y óxido están siendo investigadas activamente
por varios grupos. La construcción de estos nanoelementos y circuitos propuestos se encuentran
dentro de este reino. Tales circuitos ópticos también pueden conectarse con los elementos
biológicos, como moléculas, siendo las mismas reemplazantes de uno de los elementos plasmónicos
o no-plasmónicos en el circuito. Actualmente estos conceptos están en constante exploración. Por
último, es interesante señalar que mediante la disposición adecuada de estos elementos de circuitos
a nanoescala se pueden formar líneas de nanotransmisión ópticas. Sin embargo, si son usados
derivados de nanoinductores y nanocapacitores en serie, para el modo dominante incluso esto
proporcionará líneas de transmisiones ópticas convencionales en la frecuencia óptica [también
conocida como diestros (RH)]. Sin embargo, si se utilizan los derivados de los nanoinductores y
nanocapacitores en serie, podemos sintetizar el índice negativo (LH) en las líneas de transmisión en
el dominio óptico, de manera similar a lo que se propuso hace poco en el microondas [5,9]. Esto
puede conducir a interesantes efectos de sublongitud de onda centrándose en las frecuencias ópticas,
junto con un camino para el desarrollo de índice de refracción negativo de materiales en el IR y
regímenes visibles. Tales estructuras RH y LH planas son de alguna manera consistentes con las
geometrías planas que se sugieren en [10], aunque se haya llegado con enfoques y operaciones
diferentes. La figura 4 muestra un esquema de este tipo de conceptos.