UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE

MÉXICO
FACULTAD DE INGENIERÍA

DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Introducción a la Física del Estado Sólido

Trabajo Final
“Análisis de la Simulación de
Semiconductores
(PhET-Colorado)”

Profesor: Fis. Villalobos Pérez Salvador Enrique

Grupo: 1

Alumno: Escobar Guzmán Ricardo

Semestre 2018-2

“Per Aspera, Ad Astra…”

Introducción

Es reconocible el estudio de las propiedades que a lo largo del tiempo se han obtenido de los
semiconductores, mismos que aportan sorprendentes desarrollos en la creación de
dispositivos eléctricos. Quizá el más importante dentro de la innovación tecnológica hasta
la fecha, sea el de los transistores, puesto que es uno de los semiconductores que están
presentes en la mayoría de dispositivos de uso en la cotidianeidad: radios, televisiones,
celulares, grabadoras, etcétera.

Cabe mencionar, que otra forma de llamar a los semiconductores es “dispositivos de estado
sólido” y que gracias a ellos se obtuvo un cambio significativo en áreas como las
telecomunicaciones, la computación y la electrónica.
Marco Teórico

Existen diversos semiconductores que constituyen elementos que poseen características tanto
de conductores y aislantes (como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se)), por lo que no
se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos
mismos elementos permiten la circulación de la corriente eléctrica en un sentido dextrógiro,
pero no en un sentido en levógiro. Aprovechando esta característica, se rectificar corriente
alterna, detectar señales de radio, amplificar señales, o bien funcionar como interruptores o
compuertas utilizadas en Sistemas Digitales (lógica combinacional).

La temperatura interna es indispensable ya que de ésta depende la mayor o menor

conductividad eléctrica que pueden presentar los dispositivos de estado sólido. Podemos
decir que la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando
diferentes métodos como: Elevación de su temperatura Introducción de impurezas (dopaje)
dentro de su estructura cristalina Incrementando la iluminación, etcétera.

Los dispositivos de estado sólido, se pueden clasificar en dos tipos:

Semiconductores intrínsecos: aquellos que poseen una conductividad eléctrica de fácil

control, permitiendo que se comporten como interruptores, amplificadores o dispositivos de
almacenamiento.

Semiconductores extrínsecos: se forman al agregar a un semiconductor intrínseco sustancias

dopantes o impurezas, su conductividad dependerá de la concentración de esos átomos
dopantes.

Asimismo, al depender de dichas impurezas, se pueden clasificar en dos subtipos:

Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen elementos del grupo 15 los
cuales debido a que tienen un electrón más en su capa de valencia que los elementos del
grupo14 se comportan como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos.
[Ecured, 2011].

Semiconductores de tipo p: En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan
un electrón menos en su capa de valencia, por lo que se comportan como aceptores o
captadores de electrones. [Ecured, 2011].

Tomada de: http://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/SEMICONDUCTORES.htm

Simulación de Semiconductores en PhET

“PhET es un sitio de simulaciones interactivas de distintas áreas como la física, química,

entre otras.”

Simulación de semiconductores PhET

Esta simulación nos presenta la adición de impurezas para la creación de un diodo, que es el
dispositivo de estado sólido más sencillo, éste cuenta con dos electrodos por los cuales la
corriente fluye en cierto sentido.

Además de ello, nos permite hacer cierta combinación de impurezas tipo p y tipo n, y como
se comportan en conjunto, cambiando el nivel de energía de los electrones en el
semiconductor.

El software nos permite simular en un segmento o en dos (en dos segmentos ocurre la
combinación np: diodo).

Si se simula en un segmento, se puede observar el comportamiento de ambas impurezas:

Cuando se utilizan los dos segmentos, se nos permite hacer la combinación de ambas
impurezas, a lo que se le llama “pn”, que es la estructura fundamental de dispositivos como
los ya mencionados diodos y transistores.
Se muestra además el cambio de la fuerza interna y la fuerza impulsora (en este caso la
batería), variando en dependencia de la variación en la batería y la combinación de las
impurezas (esto igual al usar dos segmentos).

N-N: La fuerza interna se muestra intermitente, en un momento dado es cero y aumenta

levemente. La energía es alta en ambos segmentos.
N-P: La fuerza interna se muestra intermitente, en un momento dado es cero y aumenta
levemente. La energía es alta en el primer segmento, mientras que en el segundo es baja.
P-P: La fuerza interna se muestra intermitente, en un momento dado es cero y aumenta
levemente. La energía es baja en ambos segmentos.

P-N: La fuerza interna va aumentando con el tiempo, la energía en el primer segmento es

baja y al pasar al segundo segmento se torna alta. (Diodos, transistores).
Referencias

 https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=6&cad=rja
&uact=8&ved=0ahUKEwjbos6itLvbAhVEM6wKHeZqB88QFgh1MAU&url=http
%3A%2F%2Fwww4.ujaen.es%2F~egimenez%2FFUNDAMENTOSFISICOS%2Fs
emiconductores.pdf&usg=AOvVaw2z4QC81HdyPLo6RLN9Jdq1

 https://phet.colorado.edu/es/simulation/legacy/semiconductor
 http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Solids/pnjun.html
 https://www.ecured.cu/Semiconductores