UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS

FACULTAD DE INGENIERÍA
INFORME DE LABORATORIO ELECTRÓNICA II

EL TRANSISTOR EN ALTA FRECUENCIA, FRECUENCIA SUPERIOR DE CORTE (fH)

*Introducción:

La respuesta en frecuencia en los amplificadores establece el rango en el cual trabajará el sistema

sin distorsionar la señal. Este se conoce como ancho de banda (BW, Band Width) y determina las
frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplificación. El valor de este parámetro
depende de los dispositivos y de la configuración amplificadora. En los siguientes apartados, se
describen las zonas de trabajo de un amplificador, se analiza la respuesta en frecuencia de
configuraciones básicas.

*Objetivos

-Polarizar de manera adecuada el transistor en Base Común(BC) y Colector Común(CC) para

obtener un amplificador el cual responda en alta frecuencia.

-Verificar el comportamiento del transistor en altas frecuencias mediante barridos de frecuencia y

ganancia de voltaje (Av).

*Marco Teórico

-Respuesta en frecuencia:

La respuesta en frecuencia de un amplificador tiene tres áreas:

• La región de baja frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasa alto

• Una región independiente de la frecuencia (área central de la curva)

• La región de alta frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro pasa bajos

Figura 1. Respuesta en frecuencia de un amplificador.

La región de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de corte inferior fL (ó ωL), la región
de alta frecuencia se describe a través de la frecuencia de corte superior, fH (ó ωH). Se define ancho
de banda como:

BW = fH – fL.

En la práctica, si los circuitos son acoplados directamente, BW = fH. Para determinar la respuesta
en frecuencia de un amplificador monoetapa, se consideran tanto los efectos producidos por los
condensadores de acoplo, como los efectos capacitivos del dispositivo activo. Para el BJT se debe
usar un modelo que describa los efectos de alta frecuencia, éste se conoce como modelo híbrido
π.

-Modelo híbrido-pi de Giacoletto:

El modelo híbrido-pi es un modelo de circuito popular utilizado para analizar el comportamiento

de señal pequeña de la unión bipolar y transistores de efecto de campo. A veces también se llama
modelo de Giacoletto porque fue introducido por L.J. Giacoletto en 1969. El modelo puede ser
bastante preciso para circuitos de baja frecuencia y se puede adaptar fácilmente para circuitos de
mayor frecuencia con la adición de capacitancias inter-electrodo apropiadas y otros elementos
parásitos.

-Modelo hibrido-pi Base Común(BC):

-Modelo hibrido-pi Colector Común(CC) en alta frecuencia:

En los proyectos simples, que involucran corrientes continuas o de bajas frecuencias,
podemos prever una cierta ganancia para esta configuración y el resultado obtenido en la
práctica no será muy diferente.
Sin embargo, los transistores no se comportan del mismo modo cuando trabajan con señales
de altas frecuencias. La ganancia de un transistor comienza a ser cada vez más influenciada
a medida que la frecuencia aumenta más allá de cierto valor.
En la figura 2 mostramos como la ganancia de un transistor cae cuando Ia frecuencia se eleva,
hasta el punto en que el mismo no puede ser usado más para la amplificación

Figura 2. Muestra la caída de ganancia que ocurre para frecuencias por encima de cierto límite.

La frecuencia de corte es definida para el punto en que la ganancia cae en 0,707 en relación
a la ganancia en DC.

Es decir 𝐹𝛽=Frecuencia en donde la ganancia cae al 70%.

𝐹𝛽=0.7Avm

*Introducción teórica

-Por constantes de tiempo, tenemos que:

Base común(BC): Colector Comun(CC):

𝑅𝑙 (ℎ𝑓𝑒+1)𝑅𝑙
𝐴𝑣𝑚 = 𝑅𝑔+𝑍𝑖𝑏
𝐴𝑣𝑚 = 𝑅𝑔+ℎ𝑖𝑒+(ℎ𝑓𝑒+1)𝑅𝑙

Frecuencia en la que la ganancia cae al 70%, para BC y CC:

1
𝐹𝐻 =
2𝜋 ∑∞
𝑖=1 𝜏𝑖
*Diseño (cálculos, procedimientos)

*Simulaciones