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Circuitos Electrónicos I

Ing. Gabriel Ávila Buitrago – gavilabu@poligran.edu.co


Polarización en AC- BJT
(Bipolar Junction Transistor)
Modelo de transistor BJT

Un modelo es una combinación de elementos de un circuito,


apropiadamente seleccionados, que simula de forma
aproximada el comportamiento real de un dispositivo
semiconductor en condiciones específicas de operación.

Existen 3 modelos de transistor para realizar el análisis en AC:

 Modelo re

 Modelo π

 Modelo híbrido
Transistor en AC
Transistor en AC:
Eliminación de la fuente DC
Parámetros del sistema
Circuito equivalente en AC
El equivalente de AC de una red se obtiene como sigue:
1. Poniendo en cero todas las fuentes de cd y reemplazándolas
por un equivalente de cortocircuito.
2. Reemplazando todos los capacitores por un equivalente de
cortocircuito.
3. Quitando todos los elementos evitados por los equivalentes
de cortocircuito introducidos por los pasos 1 y 2.
4. Volviendo a dibujar la red en una forma más conveniente y
lógica.
Circuito equivalente en AC
Modelo re
Configuración en emisor común

Modelo de entrada:

• Voltaje de entrada Vi = Vbe

• Corriente de entrada Ib
Configuración en emisor común

Aproximando el Beta como un valor constante, todas las


características en la sección de salida pueden ser reemplazadas
por una fuente controlada cuya magnitud es beta veces la
corriente de base.
Configuración en emisor común

El modelo se puede mejorar reemplazando el diodo por su


resistencia determinada por el nivel de IE.

La resistencia del diodo se determina como rD=26mV/ID, usando


el subíndice e, porque la corriente está en el emisor, se obtiene
re=26mV/IE.
Circuito equivalente mejorado
Circuito equivalente con ro

Los valores comunes de beta van de 50 a 200, con valores que van de unos
cientos de ohms a un máximo de 6 k a 7 k. La resistencia de salida r en
general está en el intervalo de 40 k a 50 k.
Polarización fija en emisor
común (AC)
Polarización fija en emisor común
La señal de entrada Vi se aplica a la base del transistor.
La señal de salida Vo se toma del colector.
La corriente de entrada Ii es la suministrada por la fuente AC.
La corriente de salida Io es la corriente del colector.
Polarización fija en emisor común:
Modelo re
Resumen AC con BJT
Polarización fija

Configuración Zi Zo Av Ai
Polarización por divisor de voltaje

Configuración Zi Zo Av Ai
Polarización de emisor sin puentear

Configuración Zi Zo Av Ai
Emisor seguidor

Configuración Zi Zo Av Ai
Base común

Configuración Zi Zo Av Ai
Realimentación del colector

Configuración Zi Zo Av Ai
Ganancia de corriente
Ganancia de corriente

Para cada configuración del transistor, la ganancia de corriente


se puede determinar directamente a partir de la ganancia de
voltaje, la carga definida y la impedancia de entrada.
Ganancia de corriente

Ganancia de corriente:

Aplicando Ley de Ohm:

Sustituyendo:
Efecto de RL y RS
Efecto de RL y RS

Se desea estudiar el efecto de la aplicación de una carga a la


terminal de salida y el de utilizar una fuente con una resistencia
interna.
Efecto de RL y RS
Circuito con carga: Circuito con carga y resistencia
en la fuente:
Consideraciones

 La ganancia de voltaje con carga de un amplificador siempre es


menor que la ganancia sin carga. Cuanto mayor sea el nivel de RL,
mayor será el nivel de la ganancia de AC. En otras palabras, cuanto
mayor es la resistencia de carga, más se aproxima a la condición de
circuito abierto, lo cual daría por resultado una mayor ganancia sin
carga.

 La ganancia obtenida con una resistencia de la fuente en el lugar


siempre será menor que la obtenida con carga o sin carga. Para un
amplificador particular, cuanto menor sea la resistencia interna de
la fuente de señal, mayor será la ganancia total.

 En resumen AvNL > AvL > Av


Análisis de redes con RL y RS

Dos formas de analizar:

1. Insertar el circuito equivalente y seguir métodos para


determinar las cantidades de interés.

2. Definir un modelo equivalente de 2 puertos y utilizar los


parámetros para el circuito sin carga.
Ejemplo
Amplificadores con FET
Características

Circuitos de amplificación con JFET y MOSFET:

 Excelente ganancia de voltaje.

 Alta impedancia de entrada (Zi MOSFET > Zi JFET)

 Bajo consumo de potencia.

 Buen intervalo de frecuencia.

 Peso y tamaño mínimos.


Modelo del JFET de señal pequeña

El factor de amplificación del FET se denomina:


Transconductancia ( gm )

Este factor se puede encontrar en datasheets como “Forward


Transfer Admittance” y determina la relación entre el voltaje de
entrada y la corriente de salida:
∆𝐼𝐷
𝑦𝑓𝑠 = 𝑔𝑚 = ቤ
∆𝑉𝐺𝑆 𝑉 =𝐾
𝐷𝑆
La unidad es Siemens.
Modelo del JFET de señal pequeña

 El voltaje de la compuerta a la fuente (VGS) controla la


corriente del drenaje a la fuente (canal) de un JFET.

 La transconductancia se puede hallar en la gráfica, como la


pendiente de la ecuación de Shockley en el punto de
operación:
∆𝐼𝐷 ∆𝑦
𝑦𝑓𝑠 = 𝑔𝑚 = =
∆𝑉𝐺𝑆 ∆𝑥
Definición de gm
Definición matemática de gm

Para mejor precisión, se obtiene la derivada de la ecuación de


Shockley con respecto a VGS:

gm0: El valor más grande de gm ocurre cuando VGS=0;


Ejercicio

1. Determine la magnitud de gm para un JFET con:


𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8mA y 𝑉𝑝 = −4V
Cuando:
𝑉𝐺𝑆 = −0.5V
𝑉𝐺𝑆 = −1.5V
𝑉𝐺𝑆 = −2.5V

2. Repita realizando los cálculos con la ecuación.


Respuesta
Gráfica gm contra VGS
Efecto de ID en gm

Reescribiendo la ecuación de Shockley como:

Se obtiene entonces:

Si ID=IDSS, gm=gm0.
Si ID=IDSS/2, gm=0,7gm0
Si ID=IDSS/4, gm=0,5gm0
Impedancias del FET

 Impedancia de entrada (Zi):

 Impedancia de salida (Zo), en el datasheet se especifica el


valor yos (Admitancia en la salida, en la fuente).
Impedancia de salida (en la gráfica)
Impedancia de salida

Determinar la Zi para VGS=0V y -2V, con VDS -8V.


Impedancia de salida
Circuito equivalente en AC
Configuración en
polarización fija
Polarización fija

Determinar los niveles de gm y rd a partir de la configuración de


DC.
Polarización fija
Resumen de FET en AC
Polarización fija

Configuración Zi Zo Av
Autopolarización sin Rs

Configuración Zi Zo Av
Autopolarización con Rs

Configuración Zi Zo Av
Polarización por divisor de voltaje

Configuración Zi Zo Av
Compuerta común

Configuración Zi Zo Av
Sistemas en cascada
Sistemas en cascada
Bibliografía

Boylestad, R. y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoría de


Circuitos 10a Ed. Pearson Educación.