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CALLAO-2018
II. Introducción:
El uso de un cascodo es una técnica común para mejorar el rendimiento del circuito analógico, aplicable
tanto a los tubos de vacío y los transistores. La palabra "cascode" es una contracción de la frase "en cascada
al cátodo". Fue utilizado por primera vez en un artículo de F.V. Hunt y RW Hickman en 1939, en un debate
para su aplicación en los estabilizadores de baja tensión. Propusieron una cascodo de dos triodos como un
reemplazo.
En los circuitos modernos, la cascodo a menudo se construye a partir de dos transistores, con uno que
funciona como un emisor común o fuente común y el otro como una base común o puerta común. El
cascodo mejora el aislamiento de entrada-salida ya que no hay acoplamiento directo de la salida a la
entrada. Esto elimina el efecto Miller y por lo tanto contribuye a un ancho de banda mucho mayor.
La disposición cascodo ofrece alta ganancia, de alto ancho de banda, de alta velocidad de respuesta, alta
estabilidad, y la alta impedancia de entrada. El número de componentes es muy baja para un circuito de dos
transistores.
El amplificador cascode es un amplificador que mejora algunas características del amplificador de Base
Común. El amplificador Base Común es la mejor opción en aplicaciones de altas frecuencias, sin embargo su
desventaja es su muy baja impedancia de entrada. El amplificador cascode se encarga de aumentar la
impedancia de entrada pero manteniendo sobre todo la gran utilidad de la configuración Base Común,
ventajoso en el manejo de señales de alta frecuencia. Para conseguir este propósito, el amplificador casco
detiene una entrada de Emisor Común y una salida de Base Común, a esta combinación de etapas se le
conoce como configuración cascode.
El amplificador cascode está formado por una primera etapa en EC y una segunda en BC. La segunda etapa
presenta una impedancia de entrada (por emisor) muy pequeña por lo que la ganancia de tensión de la
primera etapa es reducida y, al calcular la capacidad Miller entre base y emisor resulta un valor pequeño.
Esto hace que la 1ª etapa presente sus polos a frecuencias bastante altas. La segunda etapa es en BC por lo
que sus polos estarán presumiblemente a frecuencias aún más elevadas. Esto da al conjunto una frecuencia
de corte superior fH elevada por lo que es apto para trabajar en RF.
i E 1 iC 2
iC1 i E 2
i E1 iC1
i E 1 iC 2
VCC VC 2 E1
iC1
RC RE
VB1 VBE
I E1
RE
R1
VB1 ·VCC
R1 R2 R3
VL V V V V V
AV L · cb 2 · eb 2 · ce1 · be1
Vs Vcb 2 Veb 2 Vce1 Vbe1 Vs
IV. Aplicativos:
1. Simulando el siguiente circuito en proteus:
a)Circuito 1:
Análisis:
I E 2 IC 2
(1 ) I B 2 I B1
3.9K ( I1 I B1 ) 0.7 1K (1 ) I B1
Hallando I B 2 , I B1 , I1
I B 2 18.053 A
I B1 18.143 A
I1 1.133mA
VB1 3.9 K ( I1 I B1 )
VB1 4.347V
VC 2 20 1.5K I B 2
VC 2 14.584V
VCE 2 VC 2 VC1
VCE 2 3.915V
VCE1 VC1 1K (1 ) I B1
VCE1 7.022V
-Análisis en AC:
El circuito equivalente será:
voNL
voNL 1.5K ( ib 2 ) 1.5K
ib 2
ib 2
(1 )ib 2 ib1
ib1 1
vi i 1
ib1 b1
hie1 vi hie1
VT
hie1 1.433K
I B1
1
AVNL (1.5K )
1 hie1
AVNL 208.3
Z o 1.5
Analizando en DC:
Con la intención de facilitar el análisis, se desprecia las corrientes de base de cada transistor. Es así como del
circuito equivalente anterior se obtiene una expresión válida para I E1, realizando las consideraciones
necesarias
(IE1 ≈ IC2):
RB 3
VB1 VCC
RB1 RB 2 RB3
4.7 x10 3
VB1 18 4.95 V
6.8 x10 3 5.6 x10 3 4.7 x10 3
VB1 VBE
I E1
RE
4.95 0.7
I E1 3.864 mA
1.1x10 3
Análisis en AC :
A partir del cual el cálculo de Zi y Zo se obtiene directamente, basándose en los resultados de la polarización
C.D. calculados anteriormente.
Z o RC
hie re
26 mV 26 mV
re 6.729
I E1 3.864 mA
RC RB 2 RB3 hie
Ai (hfb ) (hfe)
RC RL RB 2 RB3 hie hie
Sin embargo, puesto que no se encuentran presentes RS y RL, las expresiones se reducen a lo siguiente:
hfe
Av hfb ( RC )
hie
RB 2 RB3 hie
Ai hfb (hfe )
RB 2 RB3 hie hie
Donde:
200
hfb 0.995
1 201
hfe 200
De ahí que:
200
Av 0.995 (1.8 x10 3 ) 266 .12
1.346 x10 3
881 .5
Ai 0.995 (200 ) 78 .75
881 .5 1.346 x10 3
ANALIZANDO EN DC:
Tenemos:
R3 R1 R 2 9k (18k 4k )
Rb1 5.86k
R1 R 2 R3 9k 4k 18k
Vcc.R3 24 9k
Vb1 6.4v
R1 R 2 R3 8k 4k 18k
De la malla I:
Rb1
Vb1 ib1.Rb1 VBE ie1.Re ic Re VBE
Vb1 VBE
ic 2.745mA
Rb1
Re
Vcc i1.R1 i 2 R 2 i3R3 i1( R1 R 2 R3)
Vcc 24
i1 0.8mA
R1 R 2 R3 8 K 4 K 18K
TAMBIEN:
Vcc ic( Rc Re) VCE1 VCE 2 VCE 2 Vcc VCE1 ic( Rc Re)
VCE1 24 3.2 2.742(2 2) 9.83V
ANALIZANDO EN AC:
RB R3 R2
Vo Vo ie 2 ib
Av
Vi ie 2 ib Vi
Zi RB hie1 R e2 ( 1)
Zo Rc RL
26mA 75 26
hie1 710.9
Donde:
ic1 2.743
h fe
1
1 h fe
RB 8K 4K 2.67 K
ib ie 2
ib
ie 2
( I i ib ) RB ib (hie1 R e 2 ( 1))
h R e 2 ( 1) RB
I i ib ie1
RB
ib RB
I i hie1 R e 2 ( 1) RB
( Rc RL ) RB
Ai
RL hie1 R e2 ( 1) RB
Por lo tanto, reemplazando los valores respectivos:
Av 0.0468
Ai 2.46
Z i 76.7 K
Z o 48.78
V.CUESTIONARIO:
La disposición cascode también es muy estable. Su salida es efectivamente aislada de la entrada tanto
eléctricamente y físicamente. El transistor de baja tensión tiene casi constante, tanto en drenaje y la fuente
y por lo tanto no hay prácticamente "nada" para alimentar a volver a su puerta.
Todos los elementos amplificadores, (Transistores, etc) presentan una capacidad parásita entre la salida
y la entrada, que cuando trabajan en el montaje emisor común (que es el más usual), influye en el
circuito de entrada (base) añadiendo a la capacidad propia no solamente más capacidad, si no que ésta
influye negativamente en la respuesta de frecuencia más que la primera, por el hecho de que proviene
de una tensión ya amplificada del transistor.
A este efecto perjudicial, en la respuesta de frecuencia, se le llama Efecto Miller. Pues bien, utilizando el
montaje de base común, se consigue que la capacidad parásita colector base, no influya en el circuito de
entrada con la consiguiente mejora en la respuesta de frecuencia. Pero este montaje presenta una baja
impedancia de entrada, cosa que tampoco es deseable, por lo cual se le asocia a otra con emisor a masa
de la forma convencional. Este es el montaje "Cascode" mediante el cual se optimiza la respuesta de
frecuencia manteniendo una alta impedancia de entrada.
Su alta impedancia de salida y la reducción del efecto de la capacidad Miller a la entrada del
amplificador, lo cual será de gran importancia a la hora de realizar los diseños de amplificadores
operacionales y analizar el comportamiento de éstos en frecuencia.
3.¿POR QUÉ DIFIERE EN GRAN MEDIDA OBTENIDO TEÓRICAMENTE CON EL QUE ESPECIFICA EL
FABRICANTE EN SUS HOJAS TÉCNICAS?.
La respuesta está en que la ganancia de corriente de un transistor varía de una forma sustanciosa con la
corriente de colector. Además, la temperatura ambiente influye positivamente en el aumento de dicha
corriente. Hay que pensar que al aumentar la temperatura de la unión del diodo colector aumenta el
número de portadores minoritarios y, por tanto, se produce un aumento de la corriente de colector.
Para poder cuantificar este fenómeno, los fabricantes de transistores proporcionan, en las hojas de
especificaciones técnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se relacionan las variaciones que sufre β
con respecto a la corriente de colector y a la temperatura ambiente.
En estas curvas, se puede apreciar cómo la ganancia de corriente aumenta hasta un valor máximo mientras
la corriente de colector aumenta; sobrepasado ese límite, para mayores valores de dicha corriente, la
ganancia decrece. También, se hace observar la existencia de tres curvas distintas, que indican diferentes
condiciones de trabajo para diferentes temperaturas ambiente.
Cuando se diseña un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas variaciones de la ganancia de
corriente, de lo contrario se podrían cometer errores sustanciales, que invalidarían las condiciones de
trabajo requeridas por el diseño inicial.
4.¿CUÁLES SON LAS APLICACIONES DE UN AMPLIFICADOR EN CASCODE?
Con el auge de los circuitos integrados, transistores son baratos en términos de área de silicio. En la
tecnología MOSFET especialmente, cascode se puede utilizar en espejos corrientes para aumentar la
impedancia de salida de la fuente de corriente de salida. También se utiliza como un modulador de
amplitud. El dispositivo superior suministra la señal de audio, y la inferior es el dispositivo amplificador de
RF.
Tambien se puede autilizar el operacional cascodo plegado en la tecnología CNM25, para futuras
aplicaciones en circuitos de capacidades conmutadas.
Es una conexión que consiste en un amplificador en emisor común acoplado directamente con una
configuración en base común. Dicho circuito posee una impedancia de salida mayor y un ancho de banda
más grande.
VI)CONCLUSIÓN:
VII.REFERENCIAS:
http://www.monografias.com/trabajos-pdf/transistores-aplicaciones/transistores-
aplicaciones.pdf
Boylestad, Robert.Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos -Electrónica. 2009.
Electrónica.-Prentice Hall
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/MultIee2.pdf
https://books.google.com.sv/books/about/Electr%C3%B3nica_principios_y_aplicaciones.html?i
d=_50ty8YvPHEC&hl=es