Manual de electrónica básica

Versión: 003
Fecha de Publicación: Abril 2014

Chile

Realizado Por: Erwing Ibañez Burgos – Instructor Eléctrico

Aprobado Por: Eduardo Sánchez - Instructor Product Support

Fecha: Abril 2014.

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1.0 INDICE

1.0 INDICE ............................................................................................................................................. 3

2.0 OBJETIVOS....................................................................................................................................... 4
2.1 OBJETIVO GENERAL ................................................................................................................................ 4
2.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS ........................................................................................................................... 4
3.0 INTRODUCCIÓN ............................................................................................................................... 5
4.0 TEMAS DE SEGURIDAD .................................................................................................................... 6
5.0 CONCEPTOS BÁSICOS DE LA ELECTRONICA ...................................................................................... 8
5.1 FENÓMENOS ASOCIADOS A LA CORRIENTE ELÉCTRICA:.................................................................................... 9
5.2 ELEMENTOS BÁSICOS EN LA ELECTRÓNICA. ................................................................................................ 10
5.3 DIODOS ............................................................................................................................................. 11
5.4 CONDICIONES DE CONEXIÓN................................................................................................................... 12
5.5 CARACTERÍSTICA TENSIÓN CORRIENTE...................................................................................................... 14
5.6 MODELOS DEL DIODO. .......................................................................................................................... 15
5.7 APLICACIONES DE LOS DIODOS. ............................................................................................................... 15
5.8 CIRCUITOS RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA. ........................................................................................... 16
5.9 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO MEDIA ONDA. .................................................................................... 17
5.10 CIRCUITOS RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA. ..................................................................................... 19
5.11 CIRCUITO RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE. ...................................................... 19
5.12 CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO ONDA COMPLETA TIPO PUENTE. ............................................................. 20
5.13 TRANSISTORES..................................................................................................................................... 22
5.14 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR, (BJT). ................................................................................................... 24
5.15 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO, (FET). ................................................................................................... 26
5.16 TRANSISTOR TIPO MOSFET. .................................................................................................................... 28
5.17 TRANSISTOR TIPO FOTOTRANSISTOR. ....................................................................................................... 29
5.18 IGBT, TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA. ........................................................................................ 30
5.19 TIRISTORES. ........................................................................................................................................ 32
5.20 TIPOS DE TIRISTORES. ........................................................................................................................... 32
5.21 TIRISTOR SCR. .................................................................................................................................... 32
5.22 CARACTERÍSTICAS TENSIÓN-CORRIENTE .................................................................................................... 33
5.23 TIRISTOR TRIAC. ................................................................................................................................. 35
5.24 COMPARACIÓN ENTRE DISPOSITIVOS DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA. .............................................................. 35
6.0 AUTO-EVALUACIÓN ..................................................................... ERROR! BOOKMARK NOT DEFINED.
7.0 SOLUCIONES AUTOEVALUACIONES ............................................ ERROR! BOOKMARK NOT DEFINED.
7.1 SOLUCIÓN AUTO-EVALUACIÓN ..................................................................... ERROR! BOOKMARK NOT DEFINED.
8.0 HABILIDADES A DESARROLLAR PARA ACREDITAR COMPETENCIA DEL CURSO ............................... 37
9.0 UNIDAD DE COMPETENCIA LABORAL A ADQUIRIR. ....................................................................... 37
10.0 CONTACTO PARA SOPORTE VIRTUAL Y TUTORIAL ......................................................................... 37

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2.0 OBJETIVOS

O BJETIVO GENERAL

Identificar los diferentes componentes o dispositivos electrónicos usados en los

cargadores JoyGlobal, conocer sus fundamentos actuales y sus aplicaciones básicas.

O BJETIVOS ESPECÍFICOS

 Reconocer el funcionamiento y tipos de Diodos usado en la electrónica.

 Reconocer el funcionamiento y tipos de Transistores usado en la electrónica.
 Identificar e Interpretar las ondas de los rectificadores
 Reconocer las Características básicas de un IGBT
 Identificar componentes electrónicos en los cargadores P&H
 Evaluar la condición de un diodo utilizado en el cargador.
 Evaluar la condición de un rectificador en un cargador.
 Identificar los IGBT en el cargador.

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3.0 INTRODUCCIÓN

La electrónica es hoy día uno de los campos de la tecnología que más ha tenido
desarrollo a nivel mundial, es ella la protagonista principal de todos los nuevos adelantos
tecnológicos que tenemos hoy en día, reflejada en todos los campos del accionar
humano, ella está presente en absolutamente todos los ambientes en los que nos
desenvolvemos y claro ejemplo de ello son las comunicaciones (audio, video, Internet,
telefonía móvil, etc), los procesos industriales (la sensorica, la telemetría, la electrónica
industrial), la medicina (todos aquellos equipos que permiten realizar algún tipo de prueba
que diagnostica al paciente) y en general en todos los ramos del saber.

Desde la introducción del transistor en la década de los 40´s, los cambios en el desarrollo
de la electrónica han sido continuos y han manifestado una influencia de crear
dispositivos cada vez más pequeños y de bajo consumo eléctrico. El campo de la
electrónica se trata del control del manejo de corriente-voltaje mediante semiconductores
basados esencialmente en diodos y transistores para efectuar el control y la conversión
de la energía. La electrónica de potencia o electrónica industrial se puede definir como
la aplicación de la electrónica de estado sólido para conversión de la energía eléctrica de
potencia, utilizándose en controles de iluminación, sistemas de calefacción, fuentes de
alimentación, maquinaria industrial, etc.

La electrónica como concepto es el campo de la ingeniería y de la física aplicada

al diseño y aplicación de dispositivos cuyo funcionamiento depende del flujo de
electrones para la generación, transmisión, recepción y almacenamiento de información.
Esta información puede consistir en voz o música (señales de voz) en un receptor de
radio, en una imagen en una pantalla de televisión, o en números u otros datos en un
computador.

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4.0 TEMAS DE SEGURIDAD

En los procedimientos de taller siempre es indispensable trabajar en forma segura y

utilizando los EPP correspondiente para cada trabajo.

Particularmente en este curso nos encontramos con riesgos potenciales, que pueden
transformarse en invalidantes o con riesgo de vida, en muchos casos, si no se toman las
debidas precauciones indicadas en cada procedimiento de trabajo

Las siguientes reglas de seguridad pueden evitar accidentes tanto en el taller como en su
lugar de trabajo:

 No participe en juegos o bromas tontas. Muchas heridas dolorosas se deben al

descuido o travesuras cuando se está trabajando
 Si no sabe pregunte, aclare sus dudas
 No participe en trabajos que no esté debidamente capacitado ni autorizado por su
jefatura.
 El uso de su equipo de protección personal es obligatorio en todo momento dentro
de las áreas de trabajo.
 Informe inmediatamente cualquier incidente que se produzca, incluso el más leve.
Una pequeña herida puede producir serias complicaciones si no recibe el tratamiento
adecuado.
 Jamás abandone una máquina funcionando o apunto de detenerse. Quédese junto
a ella hasta que se detenga completamente.
 Realice sus actividades laborales respetando pautas de seguridad establecidas
por la empresa.

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PRECAUCIONES

Para especificaciones, testeos y ajustes, referirse al manual del

fabricante

Siga todas las normas de seguridad planteadas por el fabricante antes

de realizar alguna reparación u operación en el equipo, debemos
recordar que estamos propensos a cualquier accidente de tipo leve o
fatal por desconocimiento o no seguir las pautas de los fabricantes.

Todos los ajustes y testeos que tenga que realizar, utilice siempre el
manual de servicio como fuente de información. Todos los datos técnicos
que en este manual se mencionan están sujetos a modificaciones por
parte del fabricante. No deje de consultar nunca el manual del fabricante,
así se podrá evitar daños personales, o a sus compañeros de trabajo, o
simplemente a la máquina.

EVITE LOS ACCIDENTES

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5.0 CONCEPTOS BÁSICOS DE LA ELECTRONICA

Definición de corriente eléctrica:

Entendemos como corriente eléctrica al flujo de electrones que circula a través de un

conductor eléctrico. La circulación de estos electrones está determinada por las
propiedades del medio a través del cual se movilizan. La corriente se divide en dos
grandes ramas: alterna y continua. La corriente alterna es la que cambia de polaridad y
amplitud en el tiempo. La corriente continua es la que permanece con polaridad y amplitud
constante.

Estructura atómica de los conductores y aislantes:

Los elementos tienen propiedades conductoras o no de acuerdo a su estructura atómica.

El grado de conductividad de un elemento viene dado por la cantidad de electrones de la
última órbita del átomo. Por ejemplo “El cobre” que es un conductor, ya que un átomo de
cobre posee 29 protones en el núcleo y 29 electrones planetarios que giran en órbitas
dentro de cuatro capas alrededor del núcleo. La primera capa contiene 2 electrones, la
segunda 8, la tercera 18 y la cuarta, o capa más externa, 1 electrón.

El número máximo permitido en la cuarta capa es de 2 x 4², o sea, 32. Entonces, este
único electrón en la capa más externa no se halla ligado con fuerza al núcleo (se puede
mover fácilmente). Un átomo de un aislante posee dos o más órbitas, con cada una de
ellas completada con la cuota de electrones. Por ejemplo, si un átomo tiene un núcleo de
10 protones, tendrá 10 electrones. En la primera capa tendrá 2 electrones, y en la
segunda 8. Como la segunda órbita está completa, es muy difícil desalojar a un electrón
fuera del átomo.

La diferencia importante entre conductores y aislantes es que en un conductor hay uno o

dos electrones en la capa externa, por lo tanto no están ligados con fuerza al núcleo,
mientras que los aislantes tienen su última órbita completa o casi completa.

Los semiconductores son elementos fabricados, que no se hallan en la naturaleza.

Los elementos utilizados en la producción de semiconductores (mayoritariamente silicio),
no poseen ninguna propiedad que sea de utilidad para conducir electrones, pero mediante
un proceso conocido como doping, se adicionan átomos de impurezas (antimonio, fósforo,
boro, galio, etc.) logrando dispositivos que permiten el paso de cargas eléctricas bajo
determinadas condiciones.

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 F ENÓMENOS ASOCIADOS A LA CORRIENTE ELÉCTRICA :

El paso de corriente eléctrica deja a su paso una serie de fenómenos físicos, que han sido
estudiados y en algunos casos fueron aprovechados para otros usos, como por ejemplo el
magnetismo.

Los principales fenómenos asociados a la circulación de electrones son:

Temperatura:
En todo aparato existe un calentamiento debido al funcionamiento. Esto se debe a que no
existen conductores perfectos. Todo conductor posee una resistencia intrínseca, que
aunque sea muy baja, produce un consumo extra de energía, que al no ser aprovechada
por el equipo, es disipada al ambiente en forma de calor.

Campo magnético alrededor de un conductor:

Cuando circula corriente a través de un conductor, se inducen campos electromagnéticos
en torno al mismo. Este principio es el que se utiliza para los motores eléctricos, en los
cuales el campo que generan los bobinados de alambre de cobre, son combinados con
otros campos para producir esfuerzos que hagan girar al rotor del motor. Los generadores
aplican el mismo principio, pero para la obtención de energía.

Imantación:
Si se introduce un metal dentro de un campo electromagnético producido por corriente
continua de gran intensidad, se logra ordenar las moléculas del metal, haciendo que este
tome propiedades magnéticas. Esto no se produce con corriente alterna, ya que al
cambiar constantemente el sentido del campo, no se logra ningún efecto magnetizador.

Fuerza contra electromotriz:

Es una fuerza que se produce en todos los bobinados. Es debido a que toda carga
eléctrica tiende a oponerse a la causa que le dio origen. Las cargas inductivas como relés,
bobinas, parlantes, etc. pueden generar rebotes de corriente muy grandes.

Tensión:
Es la diferencia de potencial entre dos puntos de un circuito eléctrico. Su unidad de
medida es el Volt.

Corriente:
Es la cantidad de electrones que circulan por un conductor en el lapso de 1 segundo. Su
unidad de medida es el Ampere.

Resistencia:
Es el grado de oposición que genera un material al paso de la corriente eléctrica. Su
unidad de medida es el Ohm.

Impedancia:
Es lo mismo que la resistencia. La diferencia es que la primera se refiere a corriente
continua, y la segunda para corriente alterna.

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Inductancia:
Fenómeno producido en las bobinas, las cuales presentan mayor impedancia (oposición)
cuanto mayor sea la frecuencia de la corriente aplicada. Su unidad es el Henry.

Capacitancia:
Fenómeno producido en los condensadores, los cuales presentan menor impedancia
(oposición) cuanto mayor sea la frecuencia de la corriente aplicada. Su unidad es el
Faradio.

E LEMENTOS BÁSICOS EN LA ELECTRÓNICA .

Dependiendo del grado en que los materiales conducen la corriente eléctrica estos se
pueden clasificar en tres grandes grupos: Conductores, Semiconductores y Aislantes.

En electrónica los materiales semiconductores son los más utilizados. Entre los materiales
conductores, que conducen la electricidad con una resistencia relativamente baja, y los
materiales aislantes, que no conducen la electricidad, nos encontramos una gama de
materiales con propiedades propias que denominamos semiconductores. El diodo y otros
muchos componentes electrónicos están construidos con materiales semiconductores.

Los materiales semiconductores más utilizados son el Silicio y Germanio, a los que se
añade pequeñas cantidades de impurezas de otros materiales para aumentar su
conductividad eléctrica. Según el tipo de impurezas añadidas tenemos:

Materiales semiconductores Tipo N, obtenidos al añadir impurezas como el Fósforo o el

Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en
exceso), ver figura 1.

Figura 1: Material semiconductor Tipo N, donde los puntos redondos representan el exceso
de electrones que fácilmente cederán, quedando de esta forma cargados positivamente.

Materiales semiconductores Tipo P, obtenidos al añadir impureza como el Boro o el

Indio y se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones (pues en su
estructura presentan gran número de huecos), ver figura 2.

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 Figura 2: Material semiconductor Tipo P, donde los puntos cuadrados representan huecos
que fácilmente captarán electrones, quedando cargados negativamente.

D IODOS

Un diodo es un elemento de dos terminales cuya principal característica es dejar fluir la

corriente en una sola dirección, desde el terminal positivo llamado ánodo hacia el negativo
o cátodo. A continuación se muestra en la figura 3 el símbolo del diodo, recordar siempre
que el ánodo es la flecha y el cátodo la línea. Por tanto la corriente fluirá en la dirección
indicada por la flecha, desde el ánodo hacia el cátodo.

Figura 3: Símbolo del diodo común.

Un diodo se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en
que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos
que están en, o cerca de, la región de "unión", se combinan y esto da como resultado una
carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la región cercana
a la unión. Esta región de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de
Región de Agotamiento por la ausencia de portadores. (Ver figura 4).

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 Figura 4: Unión materiales tipo P y tipo N, formando un Diodo.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo:

 No hay polarización (Vd = 0 V).

 Polarización directa (Vd > 0 V).

 Polarización inversa (Vd < 0 V).

C ONDICIONES DE CONEXIÓN .

En condiciones sin polarización (Vd = 0 V)

Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la

región de agotamiento pasarán directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia
de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier
dirección es cero (como se indica en la figura 4) para un diodo semiconductor.

Condición de Polarización Directa (Vd > 0 V)

La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los electrones en el material tipo N y a los

huecos en el material tipo P para re combinar con los iones de la frontera y reducir la
anchura de la región de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD= 0.7 V para diodos de
Silicio (ver figura 5), donde se cumple que:

Id = I mayoritarios – Is

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 Figura 5: Polarización Directa.

Condición de Polarización Inversa (Vd < 0 V)

Bajo esta condición el número de iones positivos descubiertos en la región de agotamiento

del material tipo N aumentará debido al mayor número de electrones libres arrastrados hacia
el potencial positivo del voltaje aplicado. El número de iones negativos descubiertos en el
material tipo P también aumentará debido a los electrones inyectados por la terminal
negativa, las cuales ocuparán los huecos, provocando que la región de agotamiento se
ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios
no podrán superar, esto significa que la corriente Id del diodo será cero. Sin embargo, el
número de portadores minoritarios que estarán entrando a la región de agotamiento no
cambiará, creando por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de
polarización inversa se denomina corriente de saturación inversa, Is. (Ver figura 6).

Figura 6: Polarización Inversa.

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El término "saturación" proviene del hecho que alcanza su máximo nivel (se satura) en forma
rápida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarización
inversa.

C ARACTERÍSTICA T ENSIÓN C ORRIENTE .

La Figura 7 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

Figura 7: Característica V-I de un diodo.

En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento.

En polarización directa (PD, vD>0), se diferencian dos zonas de funcionamientos, si la
tensión aplicada no supera la barrera de potencial “Vγ”, la corriente que circula es muy
pequeña y podría considerarse nula, si bien va creciendo gradualmente. Cuando se va
alcanzando la tensión de la barrera de potencial, la resistencia que ofrece el componente al
paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta que al alcanzar esa tensión queda
limitada sólo por las resistencias intrínsecas de las zonas P y N y la intensidad de corriente
que circula por la unión aumenta rápidamente, grandes variaciones de corriente para
pequeñas variaciones de tensión.

En el caso de los diodos de silicio, la tensión que corresponde a la barrera de potencial se

sitúa entre los 0,6V y 0,7V y en los de germanio en el orden de los 0,2V.

En la gráfica se identifica el punto de trabajo de plena conducción para el cual el fabricante

realiza el ensayo y brinda los datos de la corriente de test (IT) para la cual mide la tensión
que definimos como umbral (Vγ). Normalmente esta corriente está en el orden del 10% al
20% de la corriente que circularía cuando el diodo disipase la máxima potencia permitida.
(Ver ecuaciones 1 y 2).
𝑃
𝐼𝑀𝐴𝑋 ≈ 𝑀𝐴𝑋𝑉
(Ecuación 1)
𝛾

𝐼𝑇 ≈ 0,1 × 𝐼𝑀𝐴𝑋 (Ecuación 2)

En polarización inversa, tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es prácticamente nula

(mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa, ya
que los responsables de esta conducción son los portadores minoritarios) hasta llegar a la
ruptura en la avalancha, en la que la corriente aumenta en forma abrupta.

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 M ODELOS DEL DIODO .

En resumen podemos sintetizar en existen dos tipos de diodos de Silicio para uso con
corrientes altas o de Germanio para uso de corrientes débiles y de mayor sensibilidad.
Las expectativas de comportamiento podemos asociarlas a las condiciones descritas a
continuación (ideal y real)

a)

b)

c)
Figura 9: a) Modelo elemental de conmutador de corriente. b) Modelo de conmutador de
corriente con caída de tensión (Vγ). c) Modelo de conmutador de corriente con caída de
tensión (Vγ) y resistencia equivalente (rd).

A PLICACIONES DE LOS DIODOS .

Circuitos Rectificadores.

Un rectificador es un subsistema electrónico cuya misión es la de convertir la tensión alterna,

cuyo valor medio es nulo, en otra tensión unidireccional de valor medio no nulo. A la hora de
llevar a cabo la rectificación, se han de utilizar elementos electrónicos que permitan el paso
de la corriente en un solo sentido permaneciendo bloqueado cuando se le aplique una
tensión de polaridad inapropiada. Para ello, el componente más adecuado utilizado es el
diodo semiconductor. Este dispositivo es el fundamental de los rectificadores no controlados.

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El diodo es un semiconductor de dos terminales, ánodo y cátodo, que dejará pasar la
corriente cuando el ánodo sea positivo respecto al cátodo, y no conducirá cuando la tensión
aplicada a sus extremos sea la contraria. Esto hace del diodo un componente adecuado para
ser utilizado, solo o con otros diodos, como rectificador.

En bloqueo, la corriente que circula por el diodo recibe el nombre de corriente de fuga y es
prácticamente cero.

También tendremos en cuenta, además de la tensión directa VF, la tensión inversa que
soporta el diodo VRRM.

Un rectificador a partir de una fuente alterna, generan una potencia eléctrica de corriente
continua de valor fijo. Su principal utilidad principal reside en la generación de líneas de
alimentación en continua para alimentar sistemas que requieren de este tipo de energía:
Trenes eléctricos (metro Santiago, motores de continua en los cargadores, etc.).

Por razones de calidad de la potencia continua que se requiere (que sea lo más parecida a
una señal CC), y de la alta potencia que se requiere en la mayoría de las aplicaciones
industriales en donde se usa este tipo de dispositivos, es que por lo general se utilizan para
ello esquemas del tipo trifásicos (3f).

C IRCUITOS RECTIFICADORES DE M EDIA O NDA .

Transforma una señal de entrada de corriente alterna, en una corriente continua pulsante
para el semiperiodo positivo de la señal de entrada. El circuito es el más simple de todos los
rectificadores, ver figura 15.

Figura 15: Rectificador Monofásico de Media Onda.

La señal de salida se muestra en la figura 16, donde se compara con la señal alterna de
entrada Vs, donde Vs corresponde al secundario de un transformador.

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 Figura 16: Gráfica de la salida contínua de tensión en la carga R.

Para la tensión en la carga “VL”, se tiene que:

𝑉𝑀𝐴𝑋 × 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) 𝑠𝑖, 0 ≤ 𝑤𝑡 ≤ 𝜋

𝑉𝐿 = {
0 𝑠𝑖, 𝜋 ≤ 𝑤𝑡 ≤ 2𝜋

C IRCUITO R ECTIFICADOR T RIFÁSICO M EDIA O NDA .

En la figura 17 se puede apreciar la conexión trifásica del rectificador de media onda.

Figura 17: Rectificador trifásico de media onda.

NOTA: El transformador trifásico con conexión del primario en “delta”, ayuda con la
eliminación de armónicos en la red trifásica.

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Condiciones de conducción

1. Conduce solo un diodo a la vez.

2. Conduce siempre el diodo que tiene el voltaje de fase, o de ánodo, más positivo.

Bajo estas condiciones es posible determinar la siguiente tabla de operación para el

rectificador en análisis, ver figura 18:

Figura 18: Operación básica del rectificador trifásico de media onda.

Formas de onda:

De la tabla es posible deducir que la señal en la carga adopta una forma pulsante, como
que muestra la figura siguiente, ver figura 19:

Figura 19: Señal de salida de un rectificador trifásico de media onda.

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 C IRCUITOS R ECTIFICADORES DE O NDA C OMPLETA .

 Circuito Rectificador Monofásico de Onda Completa con toma intermedia.

Cambiando el esquema de conexión a través de un transformador de toma intermedia que

permita tener dos señales de entrada, de igual magnitud pero desfasadas 180 grados y
agregando otro diodo, se puede realizar un rectificador más eficiente, ver figura 20:

Figura 20: Circuito rectificador monofásico de media onda con toma intermedia.

Dónde: VS1 y VS2, son de igual magnitud y están desfasadas en 180 grados

La señal de salida se muestra en la figura 21, donde se muestra una comparación entre la
señal alterna de entrada con respecto a la señal continua de salida.

C IRCUITO RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA TIPO

PUENTE .

Recibe el nombre de puente rectificador, por estar formado por estar formado por cuatro
diodos conectados en puente y su principal ventaja respecto al otro rectificador de onda
completa es que no necesita un transformador de toma intermedia.

Durante el semiciclo positivo de la señal de entrada conducirán D2 y D4, mientras que D1 y D3

estarán polarizados inversamente. Así, en el semiciclo negativo sucederá lo contrario.

Los parámetros característicos son prácticamente iguales que para el rectificador con
transformador de toma intermedia, excepto la tensión inversa máxima que soporta cada
diodo, que en este caso será VMAX.

A continuación se presenta la conexión necesaria para construir el puente rectificador, ver

figura 22:

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 Figura 22: Circuito rectificador monofásico tipo puente de onda completa.

La señal de salida del puente rectificador es similar al rectificador con toma intermedia, ver
figura 23:

Figura 23: Señal de salida para un rectificador tipo puente.

C IRCUITO R ECTIFICADOR T RIFÁSICO O NDA C OMPLETA TIPO

P UENTE .

Configuración llamada también Rectificador trifásico de Onda Completa, o de rectificador

de 6 Pulsos, y se caracteriza por tener un esquema de 6 diodos, que mejora los
resultados obtenidos en el caso del rectificador trifásicos de media onda, con la salvedad
de que exige que la Carga tenga una tierra flotante, evitando con ello que, al entrar en
conducción los diodos pares, se cortocircuiten las fases del transformador (si el neutro N y
la tierra de la carga fuesen iguales, entonces al conducir el diodo D2, la fase R se
cortocircuitaría a, lo mismo ocurriría con las fases S y T cuando conducen los diodos D4 y
D6). Lo anterior exige tomar ciertas precauciones de seguridad de los trabajadores al
momento de operar este tipo de equipos.

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Nota: Por simplicidad, se ha evitado en el esquema de la figura el transformador. Se
entiende que R, S, T, y N corresponden al secundario del transformador, véase figura 24.

Figura 24: Conexión circuito rectificador trifásico de onda completa.

Condiciones de conducción:

1. Dado el problema de las tierras, para cerrar circuito es necesario que conduzcan
simultáneamente dos diodos, uno superior y otro inferior.
2. Si se fija que la parte superior del rectificador (diodos D1, D3, D5) es equivalente a un
rectificador trifásico de media onda, entonces es posible concluir que, al igual como lo
hacen los rectificadores de este tipo, conducirá el diodo superior que tiene la fase más
negativa.
3. Por las mismas razones, en la parte inferior conducirá el diodo que tiene la fase más
positiva.

Tomando en cuenta los antecedentes antes esgrimidos, es que se obtienen en este caso
los siguientes resultados, véase figura 25:

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 Figura 25: arriba).-Tabla con estados de conducción de los diodos según el angulo de
entrada de la señal alterna. Abajo).- Forma de onda de señal de salida del rectificador
trifásico de onda completa.

T RANSISTORES .

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción
en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los
encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas,
lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Este dispositivo ha de tener tres electrodos o bornes, uno por cada uno de los cristales de
que se compone. Al cristal que recibe la corriente, el primero de los tres, se distingue con
el nombre de emisor; el cristal del centro como base, y al cristal de salida de la corriente,
colector. Entonces, en un transistor de tipo NPN, la primera N será el emisor, P será la
base, y la otra N, el colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B y C
respectivamente.

Para comprender bien el funcionamiento del transistor debemos recordar la teoría

atómica, donde el cristal N es un cristal que tiene exceso de electrones, y el cristal P, es
un cristal con exceso de huecos. Por ejemplo un transistor de tipo NPN, siguiendo la
imagen que se muestra en la figura 26, en la que una fuente de alimentación (B) provee
de corriente al emisor, conectado al polo negativo en el cristal N, negativo también.

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 Figura 26: Transistor tipo NPN

En estas condiciones se forman como unas barreras Z1 y Z2 en las uniones con el cristal
P de base, que impiden el paso de la corriente. La base está llena de huecos que pasan a
ser ocupados por los electrones más próximos de los cristales contiguos, formándose
estas barreras de átomos en equilibrio que impide el paso de la corriente (salvo una muy
débil corriente de fuga de escasísimo valor). Pero si se polariza la fuente del mismo signo
que ella, es decir, con una tensión positiva respecto al emisor, lo que se llama en sentido
contrario, la barrera Z1 desaparece porque el potencial positivo aplicado a la base repele
los huecos hacia los cristales N y penetran en la zona de resistencia. Los electrones libres
del emisor la atraviesan siendo atraídos por los potenciales positivos de la base y del
colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho más elevado que el de la
base, los electrones se sentirán más atraídos por el primero, por lo que se obtendrá una
elevada corriente del colector (que abreviaremos IC) y una pequeña corriente de base
(IB). La corriente del emisor (IE) será por tanto igual a la suma de la corriente de colector
y la corriente de base, tal como se deduce de las leyes de Kirchhoff.

Es decir: “IE= IC+IB”.

De esto se deduce que la corriente que sale por el colector no va incrementada con la
corriente de base. De hecho, la corriente que pasa por emisor y que se designa IE se
compone de la corriente de la base y del colector que luego circularán en diferente
sentido. En la imagen de la figura 27 se aprecia el esquema de circuito elemental de un
transistor en el que se designa también el nombre de las tensiones (V). Así tenemos que
VBE es la tensión base-emisor, VCE es la tensión colector-emisor. Como puede verse, en
el emisor las corrientes de base colector se suman, tal como dice la ley de Kirchhoff.

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 Figura 27: Distribución de corrientes y voltajes para un transistor tipo NPN.

Tipos de Transistores.

Existen varios tipos de transistores que dependen de su proceso de construcción y de las

aplicaciones a las que se destinan.

T RANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR , (BJT).

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT fue
inventado en 1947) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través
de sus terminales. El transistor bipolar está formado por una unión PN y por otra NP,
característica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos
de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 28.

JOYGLOBAL CHILE 24
 Figura 28: Diagramas y símbolos de los transistores de unión bipolar, en la izquierda del
diagrama el transistor tipo NPN y en la derecha el transistor tipo PNP.

Lo que se obtiene con esta configuración es una sección que proporciona cargas (de
huecos o de electrones) que son captadas por otra sección a través de la sección media.
El electrodo que proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La
base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el
emisor. Además, la base controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores
recibe el nombre de transistores de unión.

De esta manera quedan formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal.

 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

 Colector, de extensión mucho mayor.

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras

que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la
mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte,
estado de saturación y estado de actividad.

Funcionamiento

En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión

basecolector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico
que existe entre la base y el colector.

JOYGLOBAL CHILE 25
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la juntura base-emisor está polarizada en directa y la
juntura base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensión positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la
región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base está dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores
mayoritarios en la base.

La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusión de los electrones.

Control de tensión, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relación tensión-corriente de la juntura base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente
exponencial usual de una juntura PN (es decir, un diodo).

En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es

aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
varias veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo
que la tensión base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector
es varias veces la corriente de la base.

T RANSISTOR DE EFECTO CAMPO , (FET).

El transistor de efecto campo (field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una

familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad
de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores,
pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.

Ventajas del FET:

 Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy
elevada (10 Ω ).

 Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

 Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.

 Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar más dispositivos en un Circuito Integrado.

JOYGLOBAL CHILE 26
 Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores
pequeños de tensión drenaje-fuente.

 La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

 Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

Desventajas que limitan la utilización de los FET:

 Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad
de entrada.

 Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que
los BJT.

 Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.

Los transistores de efecto de campo (FET) o más conocidos son los JFET (Junction Field
Effect Transistor, transistor de unión de efecto de campo). Tienen tres terminales,
denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source), como se muestra en la
figura 30. La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado
a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una
tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción,
respectivamente.

Figura 30: a) JFET de canal N, b) Símbolo del JFET de canal N, c) Símbolo del JFET de
canal P.

JOYGLOBAL CHILE 27
La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas. En
un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente
para que exista un flujo de corriente a través de canal. Además, la puerta debe tener una
tensión más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado
inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 31.

Figura 31: Características de un JFET tipo N, o NJET.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los
transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a
diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente. Por ello, en el
JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente),
VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a source o
fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y
ruptura.

T RANSISTOR TIPO MOSFET .

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto

de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. Son
dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la tecnología MOS. Existen dos tipos de
transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su
vez, estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement); los MOS de
acumulación también conocidos como de enriquecimiento. La figura 32 indica los
diferentes símbolos utilizados para describir los transistores MOS.

JOYGLOBAL CHILE 28
 Figura 32: Símbolos para el transistor MOSFET.

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente pero sus
ecuaciones analíticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las
mismas regiones de operación: corte, lineal, saturación y ruptura.

T RANSISTOR TIPO F OTOTRANSISTOR .

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La

luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva
el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo
por el efecto de ganancia propio del transistor. Los fototransistores no son muy diferentes
de un transistor normal, es decir, están compuestos por el mismo material semiconductor,
tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector, base y emisor. Por
supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su
cápsula, que posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz
ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoeléctrico.

En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base como sin ella y
tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.

Aplicaciones de los fototransistores

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc. Para
comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. También
se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor
de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED,
formando interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz
por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.

Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su

corriente de colector por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus
características de elemento optoelectrónico, el fototransistor conduce más o menos
corriente de colector cuando incide más o menos luz sobre sus junturas.

JOYGLOBAL CHILE 29
 I GBT , TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA .

El transistor IGBT, de las siglas en inglés “Isolated Gate Bipolar Transistor”, es un dispositivo
híbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados anteriores,
o sea, el IGBT reúne la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeñas pérdidas en
conducción de los BJT de potencia. La puerta está aislada del dispositivo, con lo que se tiene
un control por tensión relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un
comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La figura 33
muestra la simbología para este tipo de transistores.

Figura 33: Simbología de los transistores IGBT.

Su velocidad de conmutación, en principio, similar a la de los transistores bipolares, ha

crecido en los últimos años, permitiendo que funcione a centenas de kHz, en componentes
para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios.

Principio de funcionamiento y estructura

La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusión de una capa P+ que
forma el colector del IGBT, como se puede ver en la figura 34. Gracias a la estructura interna
puede soportar tensiones elevadas, típicamente 1200V y hasta 2000V (algo impensable en
los MOSFETs), con un control sencillo de tensión de puerta. La velocidad a la que pueden
trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero permite trabajar en rangos de
frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas.

En términos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la región

N- tiene su conductividad modulada por la inyección de portadores minoritarios (agujeros), a
partir de la región P+, una vez que J1 está directamente polarizada. Esta mayor
conductividad produce una menor caída de tensión en comparación a un MOSFET similar.

JOYGLOBAL CHILE 30
 Figura 33: Estructura básica del IBGT.

En la figura 34 se muestra la característica I-V del funcionamiento de un IGBT.

El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas pérdidas de
conducción en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningún problema de ruptura
secundaria como los BJT.

Figura 34: Característica Tensión- Corriente para un transistor IGBT.

El IGBT es inherentemente más rápido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de

conmutación del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.

Comparación entre los diferentes transistores de potencia

A continuación se presenta una breve tabla de comparación de tensiones, corrientes, y

frecuencias que pueden soportar los distintos transistores descritos, ver tabla I.

JOYGLOBAL CHILE 31
 Tabla I: Comparación entre transistores de potencia.
BJT MOSFET IGBT
1000-1200V 500-1000V 1600-2000V
700-1000A 20-100A 400-500A
25kHz Hasta 300-400kHz Hasta 75kHz
P medias P bajas, <10kW P medias - altas

T IRISTORES .

El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega “ηθνρα”, que significa “una puerta”. El
tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutación,
teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia P-N-
P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).

La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de conducción (“ON”) se

realiza normalmente por una señal de control externa. La conmutación desde el estado “ON”
al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding current”), específica
para cada tiristor.

T IPOS DE T IRISTORES .

Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales,
una sola dirección) y TRIACs (tiristores bidireccionales, para ambas direcciones).

T IRISTOR SCR.

De las siglas en inglés “Silicon Controlled Rectifier, (rectificador controlado de Silicio)”, es el

miembro más conocido de la familia de los tiristores. En general y por abuso del lenguaje es
más frecuente hablar de tiristor que de SCR.

El SCR es uno de los dispositivos más antiguos que se conocen dentro de la Electrónica de
Potencia (data de finales de los años 50). Además, continua siendo el dispositivo que tiene
mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que permite soportar mayores
tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulación de corriente).

El SCR está formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N, teniendo
3 terminales: ánodo (A) y cátodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y la puerta
(G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en sentido
ánodo-cátodo. La figura 35 ilustra una estructura simplificada del dispositivo.

JOYGLOBAL CHILE 32
 Figura 35: Estructura simplificada y símbolo del SCR

Es un componente electrónico rectificador de estado sólido de 3 terminales: ánodo (A),

cátodo (K) y un electrodo de control denominado puerta (G, gate), desarrollado por la
General Electric (U.S.A.) en 1957 (10 años después de la invención del transistor bipolar de
unión).

Es un dispositivo rectificador unidireccional (es decir, que deja circular la corriente eléctrica
en un solo sentido: desde A hacia K como un diodo rectificador semiconductor), pero
además del estado "on" (cerrado, conduciendo) del diodo común, tiene un segundo estado
estable: "off" (cortado, abierto, sin conducir). Si el voltaje VGK entre G y K es el adecuado,
conduce desde A hacia K.

Además de la función de rectificación controlada del tiristor, éste sirve como dispositivos de
conmutación de estado sólido en corriente continua. Es decir, son como interruptores
(switches) pero compactos y pequeños, sin calefactor y de bajo consumo, rápidos y
silenciosos, sin partes móviles ni contactos electromecánicos, sin chispas ni necesidad de
mantención, y que además pueden controlarse electrónica y ópticamente.

Estos componentes se utilizan en circuitos muy diferentes, como por ejemplo controles de
velocidad de motores, regulador de intensidad de iluminación de ampolletas (dimmers y
luces "psicodélicas"), para activar sistemas de protección, o en convertidores de voltaje para
viajes, cargadores de baterías, magnetizadores de imanes, relays de estado sólido (SSRs),
controles de temperatura de hornos y de potencia de calefactores.

C ARACTERÍSTICAS TENSIÓN - CORRIENTE

En la figura 36 podemos ver la característica estática de un SCR. En su estado de apagado

o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensión directa y no conducir corriente. Así, si no hay
señal aplicada a la puerta, permanecerá en bloqueo independientemente del signo de la
tensión VAK. El tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conducción (ON)
aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeño
intervalo de tiempo, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo. La caída de tensión
directa en el estado de conducción (ON) es de pocos voltios (1-3 V).

JOYGLOBAL CHILE 33
Una vez que el SCR empieza a conducir, éste permanece en conducción (estado ON),
aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta.
Únicamente cuando la corriente del ánodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral,
por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasará a estado de bloqueo.

Figura 36: Característica Tensión Corriente de los SCR.

En régimen estático, dependiendo de la tensión aplicada entre ánodo y cátodo podemos

distinguir tres regiones de funcionamiento:

1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): Ésta condición corresponde al estado de no
conducción en inversa, comportándose como un diodo.

2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un circuito
abierto hasta alcanzar la tensión de ruptura directa.

3. Zona de conducción (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor
cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una corriente superior a la
de enclavamiento. Una vez en conducción, se mantendrá en dicho estado si el valor de la
corriente ánodo cátodo es superior a la corriente de mantenimiento.

JOYGLOBAL CHILE 34
 T IRISTOR TRIAC.

El TRIAC (“Triode of Alternating Current”) es un tiristor bidireccional de tres terminales.

Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y viceversa, y puede ser disparado con
tensiones de puerta de ambos signos.

Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos de
circulación de la corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos controlar el paso de
corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de
semiconductores han diseñado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer
TRIAC fue inventado a finales de los años 60. Simplificando su funcionamiento, podemos
decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De
esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulación de corriente. La figura 37
muestra el esquema equivalente de un TRIAC.

Figura 37: Esquema equivalente y simbología de un TRIAC.

Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo únicamente un
único circuito de control, dado que sólo dispone de un terminal de puerta. Sin embargo, tal y
como está fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de potencia muy
reducida. En general está pensado para aplicaciones de pequeña potencia, con tensiones
que no superan los 1000V y corrientes máximas de 15A. Es usual el empleo de TRIACs en
la fabricación de electrodomésticos con control electrónico de velocidad de motores y
aplicaciones de iluminación, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia máxima
a la que pueden trabajar es también reducida, normalmente los 50-60Hz de la red
monofásica.

C OMPARACIÓN ENTRE DISPOSITIVOS DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA .

A continuación se presenta una tabla con las prestaciones (ver tabla II) de los dispositivos de
potencia más utilizados, haciendo especial hincapié en los límites de tensión, corriente y
frecuencia de trabajo.

Tabla II: Prestaciones de dispositivos más usados.

DISPOSITIVO TENSIÓN CORRIENTE FRECUENCIA
DIODOS <10kV <5000A <10MHz
TIRISTORES <6000V <5000A <500Hz
TRIACs <1000V <25A <500Hz
MOSFETs <1000V <100A <1MHz
BJTs <1200V <700A <25kHz
IGBTs <2000V <500A <75kHz

JOYGLOBAL CHILE 35
Regiones de Utilización:

En función de las características de cada dispositivo, se suele trabajar en distintas zonas,

parametrizadas por la tensión, la corriente y la frecuencia de trabajo. Una clasificación
cualitativa se presenta en la siguiente tabla III:

Tabla III: Regiones de utilización.

DISPOSITIVO POTENCIA FRECUENCIA
TIRISTORES Alta Baja
TRIACs Baja Baja
MOSFETs Baja Alta
BJTs Media Media
IGBTs Media-Alta Media

JOYGLOBAL CHILE 36
6.0 HABILIDADES A DESARROLLAR PARA ACREDITAR
COMPETENCIA DEL CURSO

 Reconocer el funcionamiento y tipos de Diodos usado en la electrónica.

 Reconocer el funcionamiento y tipos de Transistores usado en la electrónica.
 Identificar e Interpretar las ondas de los rectificadores
 Reconocer las Características básicas de un IGBT
 Identificar componentes electrónicos en los cargadores P&H.
 Evaluar la condición de un diodo utiliza-do en el cargador.
 Evaluar la condición de un rectificador en un cargador.
 Identificar los IGBT en el cargador

7.0 UNIDAD DE COMPETENCIA LABORAL A ADQUIRIR.

Identificar los diferentes componentes o dispositivos electrónicos usados en los

cargadores JoyGlobal, conocer sus fundamentos actuales y sus aplicaciones básicas.

8.0 CONTACTO PARA SOPORTE VIRTUAL Y TUTORIAL

Hector.catalan@joyglobal.com
Mentor electromecánico
+56 9 42725392

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