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Introducción a la simulación con ORCAD

PSPICE
Duarte, Duvar 1161400; Mejia, Angelica 1161231

I. OBJETIVOS

Objetivo General

Analizar el comportamiento del amplificador de Emisor

Común (EC) mono etapa utilizando los diferentes tipos de
análisis disponibles con la herramienta de simulación
ORCAD PSPICE.

Objetivos específicos

Familiarizar al estudiante con el uso de la herramienta de Fig. 1: Esquematico de amplificador en emisor comun.
simulación ORCAD PSPICE como complemento al proceso
de diseño y análisis de circuitos amplificadores.
En este paso se hicieron los cambios correspondientes al βf =
Identificar los principales tipos de simulación que presenta la 213 y el Vaf = 300 en el editor de texto del modelo Pspice, el
herramienta ORCAD PSPICE para utilizarlos como soporte al cual se hizo la simulacion del modelo en Bias Point, y al
análisis y diseño de circuitos con transistores. verificar el BETADC del archivo de salida se observa que no
corresponde al valor deseado, arrojando como resultado en el
Obtener los parámetros de voltaje de polarización VCEQ, achivo de salida el valor de 134, como se observa en la tabla 1.
corriente de operación ICQ, constante Beta del transistor y las
diferentes corrientes y voltajes del circuito de prueba a partir
del modelo de pequeña señal del transistor con la herramienta
de simulación.

Determinar los parámetros que pueden modificarse en el

modelo utilizado por el ORCAD PSPICE con la herramienta
PSPICE MODEL.

Utilizar la herramienta PROBE de ORCAD para visualizar

los diferentes resultados que se pretenden obtener con la
simulación.

II. PROCEDIMIENTO
Para el desarrollo de la práctica se procede a relaizar el
montaje del circuito que aparece en el esquema de la figura 1,
el cual fue extraido de la guía de laboratorio [1], quedando en
el OrCAD Capture como se aprecia en el anexo A agregandole
los alias a los nodos correspondientes.
Tabla 1. : Caracteristicas del transistor BJT en el archivo de salida
con βf = 213
Al ajustar por medio de ensayo y error se llega a un valor de βf
= 525 para lograr un BETADC = 213 como se observa en la
tabla 2.
 2

B.

Seguido se comprueva la diferencia de fase entre la señal de

entrada y la de salida en el menú trace/evaluate
measurement… arrojando el resultado de la tabla 3.

Tabla 2. : Caracteristicas del transistor bjt en el archivo de salida con

un βf = 525.

Seguidamente se hace el analisis en el tiempo, editando el perfil Tabla 3.: Resultado de la función
de simulacion, otorgandole un tiempo de 500µs, empezando de
0.1µs, dando un paso de 1µs y el las opciones del archivo de PhaseMargin (V(Vo),V(Vin))
salida se activa la casilla de verificacion que incluye la
informacion detallada del BIAS POINT, como lo muestra la Para finalizar la practica se hace un último analisis en dominio
figura 2. de la frecuencia y se edita el perfil de simulación como lo
mustra la figura 3.

Fig 3.: edición del perfil de simulación para el analisis en dominio de

la frecuencia.

Observando el grafico en el anexo C se selecciona los valores

FL y FH cuando la ganancia cae un 70.7% representados en los
cursores verde y rojo en el prove.

Procedimiento matematico
Fig 2.: Caracteristicas modificadas en el perfil de simulación.
Teniendo conocimientos previos para este procedimiento se
Al ejecutar la simulación se puede observar el comportamiento recurre a buscar los valores de IB, IC, IE y VCE, además de los
senoidal de la entrada y la salida en el parámetros que obtienen a través de analisis en pequeña señal,
los cuales son Vin, Vout y Av, a travez de un analisis matemático.
Iniciando por el análisis en CD se recurre a un nuevo esquema
como el observado en la figura 4.
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Fig 5.: Esquematico con equivalente tevenin.

Con este esquemático solo queda analizar la malla de la

corriente de la base la cual queda de la siguiente forma:

−4.8𝑉 + 13.2𝑘Ω ∗ 𝐼𝐵 + 0.7𝑉 + 4𝑘Ω ∗ 𝐼𝐸 = 0

Por concepto se conoce que IC=β*IB y que IE=IC+IB,

Fig 4.: configuracion para el analisis en DC. reemplazando IC se tiene como resultado IE=β*IB+ IB para llegar
Para facilitar el analisis matematico se procede a buscar un a la expresión IE=(1+ β)*IB, teniendo en cuenta que β=213
equivalente de tevenin. entonces:

𝑅1 ∗ 𝑅2 4.8𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝑡ℎ𝑣 = 𝐼𝐸 = = 1.009𝑚𝐴
𝑅1 + 𝑅2 13.2𝑘Ω
( + 4𝑘Ω)
214
𝑅𝑡ℎ𝑣 = 13,2𝐾𝛺
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 Hallado IE y reemplazando en las relaciones antes
𝑉𝑡ℎ𝑣 = mencionadas se obtiene que:
𝑅1 + 𝑅2

𝑉𝑡ℎ𝑣 = 4.8 𝑉 𝐼𝐵 = 4.717µ𝐴

𝐼𝐶 = 1.005𝑚𝐴
Quedando la nueva configuración como se muestra en el la
figura 5. Conociendo las corrientes, ahora solo queda hallar VCE se
obtienen proponiendo una malla:

−12𝑉 + 4𝑘Ω ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 4𝑘Ω ∗ 𝐼𝐸 = 0

𝑉𝐶𝐸 = 3.944𝑉

Con esto se termina en analisis en DC. Ahora para analizar

el circuito en AC es necesario realizarlo a través del modelo de
pequeña señal del transistor, como se muestra en la figura 6.

Fig 6.: Modelo en pequeña señal.

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𝑉𝑜𝑢𝑡 = −177.3𝑚𝑉
Al observar el modelo de la pequeña señal se le da
apreciación a los nuevos elementos que aparecen como lo son Y para transconductancia que relaciona la corriente de base
el rπ y el ro los cuales se hallan mediante las siguientes en función de la tención de base [2], se tiene:
ecuaciones.
𝐼𝐶𝑄
𝛽 ∗ 𝑉𝑡 𝑔𝑚 =
𝑟𝜋 = 𝑉𝑇
𝐼𝐶 1.005𝑚𝐴
𝑔𝑚 = = 38.95𝑚Ω−1
25.8𝑚𝑉
𝑉𝐴
𝑟0 =
𝐼𝐶 Y en cuanto a la fase se evalua la señal de entrada
representada en la figura 7, con respecto a la señal de salida en
Para este caso se toman los valores de VA= 300V y Vt= la figura 8, donde se puede apreciar el desfase de 180º
25mV; ya con esos datos se al valor de las resistencias. (Los
datos de voltaje anterior fueron dados en la guía de
laboratorio)

𝑟𝜋 = 5.30 𝑘𝛺

𝑟0 = 298.507 𝑘𝛺
Fig 7.: Representación de la señal de entrada.
Ya obtenidos esos dos valores, se conocen todos los
parámetros de los componentes en pequeña señal, y se puede
Av.

Para Vin:

𝑉𝑖𝑛 = 2𝑚𝑉
Fig 8.: Representación de la señal de salida.
Para Vout:
𝜑1 − 𝜑2= ф(𝑓𝑎𝑠𝑒)
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝐴𝑉 ∗ 𝑉𝑖𝑛 0 − (−180º) = 180º

𝑉𝑜𝑢𝑡 = −2.216 𝑉 Así se obtuvieron los datos buscados de manera analítica

Para Av:
III. RESULTADOS
(𝑟0 ||𝑅𝑐||𝑅𝐿) ∗ 𝐼𝐵 ∗ 𝛽
𝐴𝑣 = −
𝑟𝜋 ∗ 𝐼𝐵
Analisis en DC
Donde re es igual a: Variable V. Teorico V. Simulado
IC 1.005 mA 1.018mA
𝑟𝜋 Vce 3.94 V 3.84 V
𝑟𝑒 = Vbe 0,7 V 0,646 V
𝐵
B 213 213
Entonces Av es igual a:
Analisis en el tiempo
𝐴𝑣 = −88.65 Variable V. Teorico V. Simulado
Vin(pk) 2 mV 1.97 mV
Teniendo en cuenta que se toma el potencial de entrada como: Vout(pk) -177.3mV -173.12mV
AV -88.65 -87.88
𝑉𝑖𝑛 = 2𝑚𝑉 Bacq 213 247
rπ 5.3kΩ 6.29kΩ
En la guía sugiere un valor de 20mV para el potencial de
gm 38.95mΩ-1 39.2mΩ-1
entrada, por comonidad en la excursión y evitar problemas con
Ф(fase) 180° 180°
la operación del transistor se decide tomar el valor de 2mV para
el potencialde entrada, debido que a 20mV produce una
deformación en la excursión. Analisis en frecuencia
Variable Valor simulación
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑖𝑛 ∗ 𝐴𝑣 FL 645.203Hz
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FH 4.84MHz Al relacionar los valores de las corrientes Ib e Ic para hallar el beta,

BW 60.322V se obtiene

𝐼𝑐 986.6𝑢𝐴
𝛽= = ≈ 213
𝐼𝑏 4.632𝑢𝐴
IV. RECOMENDACIONES
El estudio mediante el ORCAD PSPICE a la hora de necesitar Aproximándose sin tanto problema al valor del beta configurado.
un beta, resulta tedioso estar buscándolo en la herramienta Para configurar este transistor, se procede a seleccionar el componente
PROVE, y probando diferentes valores para llegar al beta
propuesto, para lo cual se ha buscado una solución, en el menú
place, se encuentra un componente en la librería breakout,
qbreakn y qbreakp, para los canales N y P.

Los dispositivos "QbreakN" y "QbreakP" de la biblioteca de

Breakout. QbreakN es un transitor npn genérico con un βF =
100 predeterminado. QbreakP es un modelo pnp genérico,
también con βF = 100 predeterminado. En la primera ejecución
de simulación, utilizaremos estos valores predeterminados.
Como siempre, las resistencias provienen de la biblioteca
analógica y la fuente de CC proviene de la biblioteca fuente
Tenga en cuenta que podríamos usar componentes BJT
específicos de la biblioteca EVAL, pero no necesariamente
sabemos que las descripciones de modelos que se utilizan para
eso. Los modelos de ruptura Permite modelar los componentes
exactamente de la manera que queremos.

Reproducioendo el circuito del laboratorio obtenemos.

Fig 10.: selección del QbreakN.

Ahora se configura el beta mediante mediante el editor de modelo

de texto agregando Bf=213

Fig 11.: Configuración del parámetro beta para el QbreakN.

A diferencia de los otros modelos y única desventaja de este es que

el Vbe, tiende a ser mayor para polarizar este transistor, por lo tanto
la corriente dará un poco mas baja de lo habitual

Fig 9.: solución del circuito usando QbreakN.

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V. CONCLUSIONES
Al nombrar los diferentes nodos con un “Alias”, permite
además de encontrar errores, usar la herramienta PROVE del
ORCAD PSPICE con facilidad.

La herramienta de simulación ORCAD PSPICE representa

una gran ayuda a la hora de verificar los análisis matemáticos,
pues muestra unos resultados muy similares, con márgenes de
error relativamente pequeños.

Se pudo lograr diferentes tipos de análisis de la herramienta

computacional ORCAD PSPICE, y que estos concuerdan con
los matemáticos a los que fueron sometidos.

Se determinaron los parámetros que se pueden modificar del

transistor BJT en el ORCAD PSPICE con la herramienta
PSPICE MODEL para lograr los valores adecuados que se han
propuesto encontrar a través de los modelos matemáticos.

La herramienta PROVE de ORCAD PSPICE permite

visualizar diferentes tipos de resultado, incluyendo un
osciloscopio virtual, los valores pico de las señales senoidales,
la diferencia de fase entre la señal de entrada con respecto a la
salida, entre otros, incluso generando un archivo de salida con
las diferentes características de los componentes usados en la
simulación.

REFERENCES

[1] J. J. Ramírez, “INTRODUCCIÓN A LA SIMULACIÓN CON ORCAD

PSPICE”, Universidad Francisco de Paula Santander, Laboratorio 1,
2017, p. 5.

[2] E. Sanchis. (2008, Oct 22). El transistor bipolar [Online].

Available: https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf.
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ANEXOS

Anexo A. Circuito montado ORCAD CAPTURE

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Anexo B. Señales sonosoidales de Vin Y Vout.

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Anexo C. Analisis en respuesta a la frecuencia con FL y FH a un 70.7%.