Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica

Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

INFORME FINAL 1

CATEDRÁTICO : LUQUE, Jaime

CATEDRA : Dispositivos Electrónicos I
ALUMNA : GAMARRA PAICO Erika (16190123)
CICLO : Tercero
FECHA : 10 de Mayo

LIMA-PERÚ

2017
TABLA 2:

Vd
Medición vr Id medido Ir = Vr/R
medido
1 0.1 0.48 444µA 0.45m
2 0.2 0.52 920 µA 0.9m
3 0.3 0.54 1402 µA 1.36m
4 0.4 0.56 1845 µA 1.81m
5 0.5 0.57 2296 µA 2.27m
6 0.6 0.60 2.8m A 2.72m
7 0.7 0.61 3.24m A 3.18m
8 0.8 0.62 3.69m A 3.63m
9 0.9 0.62 4.15m A 4.09m
10 1 0.63 4.61m A 4.54m
11 2 0.69 9.3m A 9.09m
12 3 0.73 13.93m A 0.0136
13 4 0.76 18.63m A 0.0181
14 5 0.79 23.43m A 0.0227
15 6 0.81 28.15m A 0.0272
16 7 0.82 33.06m A 0.3181
17 8 0.84 37.7m A 0.0363
18 9 0.85 42.7m A 0.0409
19 10 0.87 47.6m A 0.4545

a) Graficar la curva voltaje versus corriente del diodo de forma manual o

por computadora usando Matlab.

𝑅 = 220Ω
1
𝑙𝑛(𝑖) = 𝑙𝑛(𝐼𝑠 ) + 𝑣
𝑛. 𝑣𝑇 𝑑
𝑙𝑛(𝑖) = 𝑏 + 𝑚. 𝑣𝑑

Donde:
1 1
𝑚= → 𝑛=
𝑛. 𝑣𝑇 𝑚. 𝑣𝑇
𝑏 = 𝑙𝑛(𝐼𝑠 ) → 𝐼𝑠 = 𝑒 𝑏
Usaremos el método de Mínimos Cuadrados:

X = Vd Y = ln (i) X.Y X2
0.48 -7.72 -3.705 0.23
0.52 -6.99 -3.634 0.27
0.54 -6.57 -3.547 0.29
0.56 -6.29 -3.522 0.31
0.57 -6.07 -3.459 0.32
0.60 -5.87 -3.522 0.36
0.61 -5.73 -3.495 0.37
0.62 -5.60 -3.472 0.38
0.62 -5.48 -3.397 0.38
0.63 -5.37 -3.383 0.39
0.69 -4.67 -3.222 0.47
0.73 -4.27 -3.117 0.53
0.76 -3.98 -3.024 0.57
0.79 -3.75 -2.962 0.62
0.81 -3.57 -2.891 0.65
0.82 -3.41 -2.796 0.67
0.84 -3.27 -2.746 0.70
0.85 -3.15 -2.677 0.72
0.87 -3.04 -2.644 0.75
∑𝒙 ∑𝒚 ∑ 𝒙𝒚 ∑ 𝒙𝟐
12.91 -94.8 -61.215 8.98

Ahora reemplazamos para hallar el valor de m y b:

𝒑 ∑ 𝒙𝒚−∑ 𝒙 ∑ 𝒚 19(−61.215)−(12.91)(−94.8)
m= = = 15.38
𝒑 ∑ 𝒙𝟐 − (∑ 𝒙)𝟐 19(8.98)−(12.91)2

∑ 𝒙𝟐 ∑ 𝒚−∑ 𝒙 ∑ 𝒙𝒚 (8.98)(−94.8)−(12.91)(−61.215)
b= =
𝒑 ∑ 𝒙𝟐 − (∑ 𝒙)𝟐 19(8.98)−(12.91)2

𝑏 = −𝟏𝟓. 𝟒𝟒

𝑙𝑛(𝑖) = 15.38𝑣𝑑 − 15.44

 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
-1

-2
y = 11.356x - 12.706
-3 R² = 0.9865

-4
ln(i)

-5

-6

-7

-8

-9
v

b) Obtener el valor de la corriente de saturación inversa 𝐼𝑆 y el factor n del

diodo.

1. Corriente de saturación inversa 𝐼𝑆

𝐼𝑆 = 𝑒 𝑏 = 𝑒 −15.44 = 𝟏. 𝟗𝟕 ∗ 𝟏𝟎−𝟕

2. Factor “n” del diodo

𝑘. 𝑇 1.38 ∗ 10−23 ∗ (273 + 25)
𝑣𝑇 = = = 0.0257025
𝑞 1.6 ∗ 10−19

1 1 1
𝑛= = = = 𝟐. 𝟓𝟑
𝑚𝑣𝑇 22.26056 ∗ 𝑣𝑇 15.38 ∗ 0.0257025

a) Obtener la resistencia dinámica en un punto de a curva de operación

obtenida en (a).

𝑑𝑣
𝑟𝑑 =
𝑑𝑖
𝑖
𝑣 = ln ( ) 𝑛𝑉𝑇
𝐼𝑆
 𝑑𝑣 1 𝐼𝑆
= 𝑛𝑉𝑇 = 𝑛𝑉𝑇
𝑑𝑖 𝑖 𝑖
𝐼𝑆

𝐼𝑆 = e(−15.44) = 1.97 ∗ 10−4mA

1
𝑛𝑉𝑇 = = 𝟎. 𝟎𝟔𝟓
15.38
Nota 1: La elección de este punto es libre pero debe estar arriba del punto de
inflexión de la curva. Nota2: Para el cálculo considere un rango pequeño de
excursión de la corriente Id arriba y debajo del punto escogido.
Para i =18mA
1 18
𝑣𝑑 = ln ( ∗ 107 ) = 𝟏. 𝟏𝟗𝟏𝟖
15.38 1.97

Para i=19mA

1 19
𝑣𝑑 = ln ( ∗ 107 ) = 𝟏. 𝟏𝟗𝟓𝟑
15.38 1.97
Para i =17mA
1 17
𝑣𝑑 = ln ( ∗ 106 ) = 𝟏. 𝟏𝟖𝟖𝟏
15.38 2.186955
Entonces:
1 ln(19) − ln(18)
𝑟𝑑 = ∗ ∗ 103 = 𝟑. 𝟓𝟏𝟓
15.38 19 − 18
1 ln(18) − ln(17)
𝑟𝑑 = ∗ ∗ 103 = 𝟑. 𝟕𝟏𝟔
15.38 18 − 17

b) Obtener la resistencia dinámica en el mismo punto escogido en (c) pero

usando la ecuación 6.
𝒏 𝑽𝒕
𝑹𝒅 =
𝒊𝒅
En donde:

𝒌𝑻 1.38 ∗ 10−23 (25 + 273)

𝑽𝒕 = = = 257.025 ∗ 10−4 = 𝟎. 𝟎𝟐𝟓𝟕𝟎𝟐𝟓
𝒒 1.6 ∗ 10−19
𝟏 1
𝒏= = = 𝟐. 𝟓𝟑
𝒎 𝑽𝒕 15.38 ∗ 0.0257025

Para i =18mA
 𝑛 𝑉𝑡 0.044923
𝑹𝒅 = = = 𝟑. 𝟔𝟏𝟐𝟔 ∗ 𝟏𝟎−𝟑
𝑖𝑑 18
Para i=19mA
𝑛 𝑉𝑡 0.044923
𝑹𝒅 = = = 𝟑. 𝟒𝟐𝟐𝟒 ∗ 𝟏𝟎−𝟑
𝑖𝑑 19

Para i =17mA
𝑛 𝑉𝑡 0.044923
𝑹𝒅 = = = 𝟑. 𝟖𝟐𝟓𝟏 ∗ 𝟏𝟎−𝟑
𝑖𝑑 17
Entonces:

3.6126 ∗ 10−3 + 3.4224 ∗ 10−3

𝑟𝑑 = = 𝟑. 𝟓𝟏𝟕𝟓
2 ∗ 10−3

3.8251 ∗ 10−3 + 3.4224 ∗ 10−3

𝑟𝑑 = = 𝟑. 𝟔𝟐𝟑𝟕𝟓
2 ∗ 10−3