FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA
Carrera de Ingeniería Electrónica y Control
Carrera de Ingeniería Eléctrica

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRÁCTICA N°4
1. TEMA

CARACTERIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

2. OBJETIVOS
2.1. Diseñar e implementar el circuito de control para la activación de un transistor
bipolar de juntura de potencia.

2.2. Conocer las características de conmutación del transistor bipolar de juntura en

circuitos de potencia.

2.3. Tomar medidas de voltaje, corriente y potencia para observar el desempeño en las

conmutaciones que realiza el transistor bipolar de juntura.

3. MARCO TEÓRICO

El transistor bipolar de juntura TBJ es un elemento de tres terminales Figura 1(a). Cada
terminal accede a una de las tres capas de semiconductor que forman el elemento. El TBJ
tiene dos junturas tal como se indica en la Figura 1(b), la juntura colector-base JCB y la
juntura base-emisor JEB.

Las regiones de operación del transistor son: región de corte, región activa y región de
saturación.

• Región de corte: el transistor esta desactivado o la corriente de base es insuficiente

para activarlo por la tanto ambas junturas JCB y JEB están polarizadas inversamente.

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• Región activa: el transistor actúa como un amplificador de corriente y el voltaje colector

emisor JCB disminuye con el incremento de la corriente de base. La juntura VCE está
en polarización inversa y la juntura JEB en polarización directa.

• Región de saturación: la corriente de base es lo suficientemente alta para que el voltaje

colector-emisor sea bajo y ambas junturas tienen polarización directa. Un incremento
en la corriente de base no produce cambios considerables en la corriente de colector.
El transistor actúa como interruptor.

Figura 1. Símbolo y estructura interna de un BJT.

Por lo tanto, si un transistor trabaja entre las regiones de corte y saturación puede ser usado
como un switch o en régimen de conmutación, siendo la configuración de emisor común la
más utilizada en estas aplicaciones.

Para entrar a la región de saturación la juntura JCB debe estar en polarización directa, caso
contrario si está en polarización inversa, está en la región activa o en la región de corte por
lo que el límite para entrar a la región de saturación es cuando VCB = 0 es decir VBE =
VCE por lo que la corriente mínima requerida en la base para entrar en saturación estará
dada por:

𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 (𝑚𝑖𝑛)=𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝛽

Donde ICsat es la corriente de colector cuando VCE = VCEsat.

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶

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Es recomendable diseñar el circuito para una corriente mayor que I Bsat(min) para garantizar
que el TBJ está trabajando en la región de saturación, caso contrario una corriente de base
insuficiente puede ocasionar que el TBJ trabaje en la región activa lo que implica
funcionamiento como amplificador ocasionando un excesivo calentamiento del elemento.
La relación entre IB e IBsat(min) se conoce como el factor de sobreexcitación ODF:

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝑂𝐷𝐹 =
𝐼𝐵

Y la relación entre IC(sat) e IB se conoce como la ganancia forzada:

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝛽𝑓 =
𝐼𝐵

CONSIDERACIONES DE DISEÑO PARA EL CIRCUITO DE ACTIVACIÓN DEL TBJ

Como se puede observar el diseño del circuito de control para transistores de potencia tiene
un cierto grado de complejidad por las siguientes razones:

Ganancia de corriente baja: los transistores de potencia al ser un elemento controlado por
corriente y con una baja ganancia (en saturación la ganancia disminuye) por lo que se
requiere una corriente considerable aplicada a la base en ocasiones en las decenas de los
amperios por lo que un circuito lógico es incapaz de manejar un transistor directamente lo
que hace necesaria una etapa intermedia de acoplamiento, en esta ocasión se lo realizará
con un opto acoplador que es el que se encarga de desacoplar el control de la potencia y
suministrar la corriente necesaria a la base del transistor de potencia tal y como se muestra
en la Figura 2.

Figura 2. Circuito de conmutación de potencia.

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Corriente negativa de apagado: A veces es necesario aplicar una corriente negativa

temporal durante el apagado para reducir el tiempo de apagado evitando así una mayor
disipación de potencia durante la conmutación. Para esto se debe diseñar un circuito
especial que durante un intervalo de tiempo corto, en el orden de toff polarice inversamente
con unos pocos voltios la juntura base - emisor. Algunos de estos circuitos son descritos en
[1].

Figura 3. Corriente de Base Recomendada [1].

Figura 4. Circuito con base no aislada [1].

Figura 5. Circuito sin polaridad negativa [1]

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Figura 6. Diodos de anti saturación [1].

4. TRABAJO PREPARATORIO
4.1. Consultar las condiciones para el disparo de TBJs en aplicaciones de electrónica
de potencia, incluir el dimensionamiento de la resistencia en la base y el disparo
mediante el uso de un opto-transistor.

4.2. Consultar acerca de los Gate Drivers comerciales para disparo de TBJs.

4.3. Realizar el diagrama de flujo e implementar el control necesario. El control debe

permitir cambiar la frecuencia a valores aproximados de 1[KHz] y 10[KHz], además
debe poder variar la relación de trabajo entre 0,1 < δ < 0,9.

4.4. Diseñar y simular el circuito de la Figura 2 si la fuente a usarse es de

aproximadamente 40 V y la resistencia de carga es un foco de 120V/100W.

4.5. Traer armados los circuitos diseñados.

5. EQUIPO Y MATERIALES

• Fuente de poder DC.

• Osciloscopio.
• Capacitor de 1000 µF.
• Foco de 100 W. 120 V.
• Inductor.
• Puente de diodos.
• Autotransformador.

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• Transformador de asilamiento.
• Puntas de prueba.
• Pinza amperimétrica.
• Cables.

6. PROCEDIMIENTO
6.1. Para el circuito diseñado en el literal 4.4 del trabajo preparatorio, pero con carga
resistiva, observar formas de onda y comprobar que el elemento está trabajando
en las regiones de corte y saturación.

6.2. Con el módulo matemático del osciloscopio, multiplicar las ondas de voltaje y
corriente para observar la curva de potencia disipada en el dispositivo.

6.3. Modificar la frecuencia y la relación de trabajo según le indique el instructor y

observe las variaciones sobre el desempeño del TBJ.

6.4. Tomar medida de los tiempos de conmutación para una frecuencia y relación de
trabajo solicitado por el instructor. Utilice el canal 1 del osciloscopio para observar
el voltaje en la base; y el canal 2 para observar las formas de onda de corriente a
través del TBJ, y luego el voltaje VCE. Con ayuda de la Figura 7, determine los
tiempos de conmutación y los valores de voltaje y corriente necesarios para el
cálculo de las pérdidas.

Figura 7. Respuesta dinámica para una carga resistiva [1]

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6.5. Tomar datos del valor de la resistencia del foco a penas se haya retirado la energía
del circuito. Es importante tomar el dato de la resistencia de forma inmediata debido
a que la resistencia del filamento del foco cambia de acuerdo a la temperatura a la
cual se encuentre en funcionamiento.

Figura 7. Respuesta dinámica para una carga resistiva [1]

6.6. Repetir el procedimiento del literal 6.4 con carga R-L. Para medir los tiempos de
conmutación, utilice como referencia la Figura 8.

6.7 Tomar datos del valor de la inductancia utilizada y del valor de la resistencia del foco

a penas se haya retirado la energía del circuito tomando en cuenta el numeral 6.5.

7. INFORME
7.1. Presente las formas de onda obtenidas tanto para carga R y para carga RL.
Comente los diferentes resultados obtenidos.

7.2. Calcular la potencia de disipación del TBJ para carga R y RL. Compare los
resultados entre las pérdidas medidas en el laboratorio y las calculadas
teóricamente.

7.3. Conclusiones y recomendaciones.

7.4. Bibliografía.

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Figura 8. Respuesta dinámica para una carga inductiva [1]

8. REFERENCIAS
[1] P. Marcelo Godoy Simoes, Power Electronics Handbook, Power Bipolar
Transistors, 2011.

[2] C. J. Savant and G. L. Carpenter, Diseño electrónico circuitos y sistemas.

[3] N. Mohan, T. Undeland, W. Robbins, "Electrónica de Potencia: Convertidores,

Aplicaciones y diseño".

Elaborado por: Ing. Jorge Luis Medina, MSc.

Revisado por: Dr. Alberto Sánchez / Dr.-Ing. Marcelo Pozo

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