Universidad Nacional Autónoma de

México

Facultad de Ingeniería

Laboratorio de Amplificadores
Electrónicos.

Practica 1. Técnicas de polarización y

estabilidad del punto de operación del TBJ.

Prof. M.I. Francisco Javier Martínez Rodríguez

Castillo Anzures Erik Adrian

Grupo: 4

Fecha: 21/Agosto/2018
 1. Objetivo
Polarizar un transistor con diferentes configuraciones, así como también ver la estabilización
del punto de operación del mismo.
2. Introducción
La polarización del TBJ se realiza mediante tensión continua y consiste en preparar el
transistor para que trabaje en la región activa dentro de un circuito en el cual se le quiere
utilizar, se busca que a través del colector circule una cantidad de corriente IC, y a su vez
se obtenga una tensión entre el colector y el emisor VCE para esa cantidad de corriente IC, a
esto se le llama obtener el punto de operación o punto Q del transistor. La corriente IC va
depender de la corriente en la base IB que exista en la malla de entrada, esto porque IC=β*IB,
la VCE dependerá de la malla de salida del circuito, para ver esto será de utilidad uso de las
curvas características y la ecuación de recta de carga.
Para realizar los circuitos de polarización del TBJ es importante tener en cuenta siempre las
siguientes características vistas anteriormente que son IC=β*IB, IE=IC+IB pero para los
cálculos se asume que IE≈IC esto porque IB es muy pequeña en comparación con IC, y además
que la tensión base emisor es aproximado VBE=0,7V.

Figura 1. Regiones del transistor TBJ. [2]

Cuando se tiene un circuito ya polarizado y se quiere conocer su punto Q, se hace lo sigue, a
partir de la malla de entrada se puede calcular la corriente de la base IBQ, de la malla de salida
se obtiene la ecuación de la recta de carga, esta recta de carga se traza sobre la curva
característica de salida, donde se intercepten la recta de carga con la curva correspondiente
a IBQ será el punto de operación del TBJ, para conocer el valor de la corriente de colector en
el punto Q se traza a partir del punto de intercepción una paralela al eje de VCE donde corte
esta al eje IC ese será el valor de la ICQ, para conocer el valor de la tensión colector emisor
en el punto Q se traza a partir del punto de intercepción una paralela al eje de IC donde corte
esta al eje VCE ese será el valor de la VCEQ.
Si lo que se quiere es realizar un circuito de polarización del TBJ, entonces será necesario
conocer cuanta debe ser la corriente de colector en el punto de operación ICQ y también
cuanto debe ser el valor de la tensión colector emisor en el punto de operación VCEQ.
El punto de operación se puede ubicar en cualquier lugar de la región activa, eso va a
depender de lo que se quiera que haga el transistor, normalmente cuando se está estudiando
se dice de polarizarlo en la parte media de la recta de carga, esto es así porque cuando se
utiliza el transistor como amplificador de señales analógicas se desea que la señal amplificada
no se obtenga distorsionada.
En resumen, lo que se busca al polarizar el TBJ es un nivel fijo para la corriente del colector
ICQ así como también un nivel fijo para la tensión colector emisor VCEQ, en el cual opere el
transistor. [1]
3. Material

• Transistor 2N2222
• Cables (banana-banana, banana-caimán, jumpers)
• Protoboard
• Resistencias (diferentes valores).
Instrumentos de medición

• Multímetro

4. Desarrollo
Para el desarrollo de la practica de alambraran los siguientes circuitos para los cuales se
analizará su diseño para poder polarizar y obtener el punto de operación deseado, y también
para hacer que el punto de operación sea estable.
Experimento 1. Con la siguiente configuración obtener el diseño del circuito para que el
transistor opere en el punto de operación Q(7 V, 10 mA).
Características del transistor (simulación hecha por el profesor):
𝛽 = 151
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉
 Circuito 1. Polarización en emisor fijo.
De acuerdo al análisis del circuito podemos derivar las siguientes expresiones.
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 …(1)
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐶𝐸 …(2)
Despejando a RC de (1) y sustituyendo valores.
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 12 𝑉 − 7 𝑉
𝑅𝐶 = = = 500 Ω
𝐼𝐶 10 𝑚𝐴
Ahora despejando RB de (2) y sustituyendo valores, y recordando que.
𝐼𝐶 10 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 66.22 𝜇𝐴
𝛽 151
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 12 𝑉 − 7𝑉
𝑅𝐶 = = = 171 𝐾Ω
𝐼𝐵 66.22 𝜇𝐴
Sin embargo, estas resistencias no son valores comerciales por lo que se ajustaron con valores
comerciales.
Experimento 2. Con el siguiente circuito polarizado en retroalimentación obtener el diseño
del circuito para que el transistor tenga el punto de operación Q(7 V, 10 mA).Este circuito se
agrega una resistencia en el emisor para hacer mas estable al circuito del experimento 1.
 Circuito 2. Polarización estabilizador en el emisor.
Haciendo el análisis del circuito podemos derivar las siguientes expresiones.
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶 …(3)
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶 …(4)
𝛽
Puesto que 𝐼𝐶 = 𝛽+1 𝐼𝐸 así podemos hacer una aproximación de 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸

Debido a que con esta configuración es imposible determinar a todas las resistencias por
separado, se suponen los siguientes valores, de acuerdo a la simulación realizada por el
profesor,
𝑅𝐶 = 250 Ω
𝑅𝐸 = 250 Ω
𝑅𝐵 = 68 𝐾Ω
Con la configuración de estas resistencias tenemos el punto de operación deseado.
Siguiendo el análisis de (4) podemos llegar a la siguiente expresión.
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝛽𝐼𝐵
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 (𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 𝛽) + 𝑉𝐵𝐸
Si despejamos IB y la sustituimos en 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 tenemos.
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = 𝛽 …(5)
𝑅𝐵 +𝑅𝐸 𝛽

5. Resultados
Experimento 1.
Los resultados obtenidos son los siguientes.
Valores de las resistencias medidas.
𝑅𝐶 = 495.46 Ω
𝑅𝐸 = 169 𝐾Ω
Podemos ver que son cercanos a las requeridos lo cual hará que en teoría el punto de
operación difiera ligeramente,
Mediciones.
𝑉𝐶𝐸 = 6.1 𝑉
𝐼𝐶 = 11.7 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 66.91 𝜇𝐴
Con estos datos podemos observar que el punto de operación Q( 6.1 V, 11.7 mA) deseado es
cercano, sin embargo, si esta algo alejado a lo que realmente queremos obtener.
Además, podemos determinar la 𝛽 del transistor con 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 , despejando a 𝛽.
𝐼𝐶 11.7 𝑚𝐴
𝛽= = ≈ 174
𝐼𝐵 66.91 𝜇𝐴
Notamos que también es cercano al simulado por el profesor que fue de 151, y es por lo mismo
de la diferencia entre el punto de operación.
Experimento 2.
Los resultados obtenidos son los siguientes.
Valores medidos de las resistencias.
𝑅𝐶 = 246.18 Ω
𝑅𝐸 = 246.56 Ω
𝑅𝐵 = 69.46 𝐾Ω
Son cercanos a los requeridos, lo cual hará que el punto de operación deseado no sea el mas
parecido
Mediciones.
𝑉𝐶𝐸 = 5.9 𝑉
𝐼𝐶 = 11.6 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = 117 𝜇𝐴
De igual manera que en el experimento anterior tenemos un punto de operación Q(5.9 V, 11.6
mA) parecido al deseado, pero notamos que estamos algo alejado a lo deseado.
De igual forma podemos determinar la 𝛽 para comprobar si es parecida a la obtenida en el
experimento anterior.
𝐼𝐶 11.6 𝑚𝐴
𝛽= = ≈ 99
𝐼𝐵 117 𝜇𝐴
En esta ocasión notamos que las betas no coinciden, existe una marcada diferencia, sin
embargo, si sustituimos datos en la expresión (5) notamos:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐶 = 𝛽 = (99) = 11.9 𝑚𝐴
𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 𝛽 69.46𝐾Ω + (99)(246.18Ω)
Notamos que de las expresiones los cálculos son correctos puesto que la corriente medida es
de 11.6 mA.
6. Conclusión
La polarización de un transistor TBJ puede resultar un tanto obstruida por diversos factores,
como lo notamos en el diseño en donde al calcular las resistencias necesarias para obtener el
punto de operación, estas no son valores comerciales de las cuales podemos hacer uso si no
que tenemos que aproximarlas, sin embargo esas aproximaciones son buenas y pueden
resultar útiles puesto que los puntos de operación obtenidos en ambos experimentos fueron
bastante cercano al deseado, por otro lado al ver ambos experimentos se puede notar que
existe un factor importante que hace dudar la experimentación, debido a la diferencia entre
las betas calculadas pues en teoría la beta es la misma para el transistor, pero sucedió todo lo
contrario, y pudo deberse a que los valores de las resistencias necesitaban ser exactamente
las mismas, por utilizar demasiados cables para armar el circuito, el error de medición de los
instrumento, y le podemos agregar mas cosas, pero lo importante a recalcar es que aun así
logramos que el punto de operación del transistor fuera parecido en ambos casos, con lo cual
se logró el objetivo de la estabilización del punto de operación, así como también el de
polarizar el transistor.
7. Referencias
[1] RASHID, M. H. Microelectronic Circuits: Analysis and Design, 2nd edition, Boston
Cengage Learning, 2011.
[2] Imagen tomada del sitio web
http://hispavila.com/total/3ds/tutores/eltransistorbjt.html#axzz5OlA6kuIy