Módulo

1
semiconductor de potencia
dispositivos
Version 2 EE IIT, Kharagpur 1
 Lección 2

Características constructivas,
Principio de funcionamiento,
características y
especificaciones de potencia
diodo de semiconductor
Version 2 EE IIT, Kharagpur 2
Objetivo de instrucción

Al Finalizar el estudiante será capaz de

1. Dibujar la distribución espacial de la densidad de carga, campo eléctrico y el potencial eléctrico en una
unión paso pn diodo.

2. Calcular la caída de tensión a través de un diodo polarizado hacia adelante para una corriente dada y hacia adelante
viceversa.

3. Identificar las características de construcción que distinguen a un diodo de potencia desde un nivel de señal
diodo.

4. Diferenciar entre los diferentes rangos de voltaje inverso que se encuentran en una especiación potencia del diodo
hoja.

5. Identificar la diferencia entre la característica delantera de un diodo de potencia y una señal

nivel de diodo y explicarlo.

6. Evaluar las especificaciones de corriente directa de un diodo para una aplicación determinada.

7. Dibuje las características “ENCENDER” y “apagar” de un diodo de potencia.

8. Definir “Voltaje delantero de recuperación”, “corriente de recuperación inversa” “recuperación inversa

carga”, como aplicable a un diodo de potencia.

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Los diodos semiconductores de potencia

2.1 Introducción

diodo semiconductor de potencia es la contraparte “nivel de potencia” de los “diodos de señal de baja potencia” con la que la mayoría
de nosotros tenemos algún grado de familiaridad. Estos dispositivos de potencia, sin embargo, están obligados a llevar hasta varios
KA de la condición de polarización directa bajo actual y bloquear hasta varios kV bajo condiciones de polarización inversa. Estos
requisitos extremos requieren cambios estructurales importantes en un diodo de potencia que afectan significativamente sus
características de funcionamiento. Estas modificaciones estructurales son genéricos en el sentido de que las mismas modificaciones
básicas se aplican a todos los demás dispositivos de semiconductores de baja potencia (todos los cuales tienen una o más uniones
pn) para ampliar sus capacidades de potencia. Es, por lo tanto, importante para entender la naturaleza y la implicación de estas
modificaciones en relación con el más simple de los dispositivos de potencia, es decir,

2.2 Revisión de Básico pn Características de diodos

UN pn diodo de unión se forma colocando pag y norte escriba materiales semiconductores en contacto íntimo en una escala
atómica. Esto se puede conseguir por difusión de impurezas aceptoras en a una norte tipo de cristal de silicio o por la secuencia
opuesta. En un circuito abierto pn diodo de unión, portadores mayoritarios de cada lado será desactivar través de la unión hacia
el lado opuesto donde están en minoría. Estas rutas se difunden dejarán atrás una región de átomos ionizados en las
inmediaciones de la unión metalúrgica. Esta región de átomos ionizados inmóviles se llama la zona de carga espacial. Este
proceso continúa hasta que el campo resultante eléctrico (creado por la densidad de carga espacial) y la barrera de potencial en
la unión se acumula a nivel suficiente para evitar cualquier migración adicional de portadores. En este punto el

pn unión se dice que está en condición de equilibrio térmico. Variación de la densidad de carga de espacio, el campo eléctrico y el potencial
a lo largo del dispositivo se muestra en la figura 2.1 (a).

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 (un) (segundo) (do)

Fig 2.1: densidad cambio espacial del campo eléctrico y el potencial eléctrico en el lado de un pn
unión en (a) estado de equilibrio térmico, (b) revertir estado retenido, (c) condiciones de polarización
directa.

Cuando una tensión externa se aplica con pag movimiento lado negativo entonces el norte lado de la unión se dice que es en
condiciones de polarización inversa. Esta polarización inversa se suma a la altura de la barrera de potencial. La intensidad de campo
eléctrico en la unión y la anchura de la región de cambio espacio (también llamados “la región de agotamiento” debido a la ausencia de
portadores libres) también aumenta. Por otro lado, las densidades de portadores minoritarios libres (n pag en el pag lado y p norte en el norte
lado) será cero en el borde de la región de agotamiento en cada lado (Fig 2.1 (b)). Este gradiente en la densidad de portadores
minoritarios provoca un pequeño flujo de portadores minoritarios para desactivar hacia la capa de eliminación donde son barridas de
inmediato por el gran campo eléctrico en la región neutral eléctrica del lado opuesto. Esto constituirá una pequeña corriente de fuga a
través de la unión de la norte lado a la pag lado. También habrá una contribución a la corriente de fuga por los pares de agujeros de
electrones generados en la capa de cambio de espacio por el proceso de ionización térmica. Estos dos componentes del conjunto
actual se llama la “Me corriente de saturación inversa s ” del diodo. Valor de I s es independiente de la magnitud de la tensión inversa
(hasta un cierto nivel), pero extremadamente sensibles a la variación de temperatura. Cuando la tensión inversa aplicada excede algún
valor umbral (para un diodo dado) a la inversa corriente aumenta rápidamente. El diodo se dice que ha sufrido “Reverse romper” .

Revertir descomponer es causada por "ionización por impacto", como se explica a continuación. Los electrones acelerados por el
campo eléctrico grande capa de agotamiento debido a la tensión inversa aplicada puede alcanzar suficiente energía Knick para liberar
otro electrón de los enlaces covalentes cuando golpea un átomo de silicio. El electrón liberado a su vez puede repetir el proceso. Este
efecto en cascada (avalancha) puede producir un gran número de electrones libres resultantes muy rápidamente en una gran corriente
inversa. La potencia disipada en el dispositivo aumenta la variedad y puede causar su destrucción. Por lo tanto, el funcionamiento de
un diodo en la región de ruptura inversa debe ser evitada.

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Cuando el diodo está polarizado hacia delante (es decir, pag lado más positivo que norte lado) la barrera de potencial se baja y un
número muy grande de portadores minoritarios se inyectan a ambos lados de la unión. Los portadores minoritarios inyectados finalmente
se recombina con la mayoría lleva ya que distender más en la región de deriva eléctricamente neutro. El exceso de densidad de
portadores libres en tanto pag y norte
lado sigue características de desintegración exponencial. La longitud decadencia característica se denomina la "minoría longitud de
difusión portador"
gradientes de densidad de portadores en ambos lados de la unión son soportadas por una corriente I hacia delante F
(Que fluye desde pag lado a norte lado) que se puede expresar como

( QV(/ kT -1 ) )
IF = IS exp (2,1)

Donde s = corriente de saturación inversa (Amps)

v = Applied tensión directa a través del dispositivo (voltios) q = Cambio de un k = constante de electrones T de
Boltzman = temperatura en grados Kelvin De la discusión anterior, el iv características de una pn diodo de unión se puede
extraer como se muestra en la figura 2.2. Mientras dibuja estas características la caída óhmica en el grueso del cuerpo
semiconductor se ha descuidado.

Fig 2.2: Volt-Ampere ( iv ) características de un diodo de unión pn

ejercicio 2.1

(1) Llenar los espacios en blanco con la palabra (s) apropiado. (yo) La anchura de la región de carga espacial aumenta a medida que la tensión

aplicada ______________
aumenta. (Ii) La máxima intensidad de campo eléctrico en el centro de la capa aumenta el agotamiento

con _______________ en la tensión inversa. (Iii) corriente de saturación inversa en un diodo de potencia es
extremadamente sensible a ___________
variación.

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 (Iv) átomos donantes son _____________________ proveedores de portador en la pag tipo y
_________________ proveedores de transporte en el norte escriba materiales semiconductores. (V) densidad de corriente hacia
adelante en un diodo es proporcional a la __________________________
tiempo de vida de los portadores.

Responder: ( i) Invertir, (ii) aumento, (iii) temperatura, (iv) la minoría de la mayoría, (v) inversamente (2) A pn diodo de unión tiene

una capacidad nominal de corriente de saturación inversa de 50 nA a 32 ° C. ¿Cuál debe ser el valor de la corriente directa para una

caída de tensión de 0,5V. Suponga V T =

KT / q a 32 ° C = 26 mV.

Responder
VV
• •
I F= I s • mi
T
- 1,• I = 5 × 10 A, V = T26 × 10 VV = 0,5V
-8 -3

• • s

∴ I=
F
11,24 amperios.

di dv
(3) para el diodo de Problema-2 calcular la resistencia ac dinámico r=
C.A
F
a 32 ° C y una
F

caída de tensión de 0,5V.

Responder:
VVF VV Fs
• • di me
i=
F
I s • mi
T
-1 • ∴ F
= mi
T

• • dV F
V T

Ahora I =s 5 × 10 A, V = 0,5 V, F
-8

o
V =T 2 6 × 1 0 V a 3 2 C
-3

V
dV V -V F

∴ F
= r =ac F T
mi
T
= 2 0,3 1 3 mO
di yos

2.3 construcción y características de los diodos de potencia

Como se menciona en la introducción diodos de potencia de mayor potencia son necesarios para llevar a cabo varios amperios kilo de
corriente en la dirección hacia adelante con muy poca pérdida de energía, mientras que el bloqueo de varios kilovoltios en la dirección
inversa. tensión de bloqueo grande requiere capa de agotamiento amplia con el fin de restringir la máxima intensidad de campo eléctrico por
debajo del nivel “ionización por impacto”. densidad de carga espacial en la capa de agotamiento también debe ser baja con el fin de
producir una capa de agotamiento de ancho para una máxima resistencia campos eléctricos dado. Estos dos requisitos se cumplen en un
diodo de unión pn ligeramente dopado de anchura suficiente para acomodar la capa de agotamiento requerido. Tal construcción, sin
embargo, dará como resultado un dispositivo con alta resistividad en la dirección hacia adelante. Por consiguiente, la pérdida de potencia en
la corriente nominal requerida será inaceptablemente alta. Por otra parte si la resistencia hacia adelante (y por lo tanto la pérdida de
potencia) se reduce al aumentar el nivel de dopaje, revertir tensión de ruptura reducirá. Esta aparente contradicción en los requisitos de un
diodo de potencia se resuelve mediante la introducción de un ligeramente dopado “capa de deriva” de requerido

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espesor entre dos p y n capas fuertemente dopadas como se muestra en la figura 2.3 (c). Fig 2.3 (a) y (b) muestra el símbolo de
circuito y la fotografía de un diodo de potencia típico, respectivamente.

(segundo)

Fig. 2.3: Diagrama de una potencia; (A) símbolo de circuito (b) fotografía; (C) transversal esquemática
sección.

Para llegar a la estructura mostrada en la figura 2.3 (c) un ligeramente dopado norte- capa epitaxial de anchura especificada (dependiendo
de la necesaria tensión de ruptura) y la densidad átomo donante (N dD) se cultiva en una gran medida de dopado n + sustrato (N dK atoms.Cm
donante - 3) que actúa como el cátodo. Finalmente, el pn
unión está formado por la desactivación de una fuertemente dopado (N Automóvil club británico atoms.Cm- aceptor 3) p + región en la capa epitaxial. Esta pag tipo
de región actúa como el ánodo. densidades de átomos de impureza en el cátodo fuertemente dopado (N dk. Cm - 3) y el ánodo (N Automóvil club británico. Cm - 3) son
aproximadamente del mismo orden de magnitud (10 19 Cm - 3) mientras que la de la capa epitaxial (también llamada la región de deriva) es menor en
varios órdenes de magnitud (N dD ≈ 10 14 Cm- 3). En un diodo de baja potencia esta región de deriva está ausente. La implicación de la introducción de
esta región de deriva en un diodo de potencia se explica a continuación.

2.3.1 Poder diodo bajo polarización inversa Condiciones Espalda

Como en el caso de un diodo de potencia bajo la tensión inversa aplicada se apoya en la capa de agotamiento formada en el p + n- unión
metalúrgica. la neutralidad global de la región de cambio espacio dicta que el número de átomos ionizados en la p + región debe ser el
mismo que el de la norte- región. Sin embargo, puesto N dD << norte Automóvil club británico, la zona de carga espacial se extiende casi
exclusivamente en el norte- deriva

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región. Ahora la anchura física de la región de deriva (W RE) puede ser o bien mayor o menor que la anchura de la capa de agotamiento
en la tensión de ruptura. En consecuencia dos tipos de diodos existe, (i) sin perforar a través de tipo, (ii) perforar a través tipo. En
“no-punzón a través de” diodos el límite capa de agotamiento no alcanza el extremo de la capa de deriva. Por otro lado en “perforar a
través” Diodes la capa de agotamiento se extiende por toda la región de deriva y está en contacto con el n + cátodo. Sin embargo,
debido a la muy grande densidad de dopado del cátodo, la penetración de región de deriva dentro del cátodo es insignificante.
Intensidad de campo eléctrico dentro de la región de deriva de estos dos tipo de diodos a la rotura por tensión se muestra en la figura
2.4.

La Fig 2.4: intensidad de campo eléctrico en diodos de potencia de polarización inversa; (A) no punzón a través
tipo; (B) perforar a través tipo.

En no punzón a través de diodos de tipo de la intensidad de campo eléctrico es máximo en el p + n- unión y la disminución a cero al final de la
región de agotamiento. Donde como, en el punzón a través de la construcción de la intensidad de campo es más uniforme. De hecho, por la
elección de un muy ligeramente dopado norte- la deriva región, la intensidad del campo eléctrico en esta región puede ser el modo casi
constante. Bajo el supuesto de intensidad de campo eléctrico uniforme se puede demostrar que, para la misma tensión de romper, el
“perforar a través de” construcción requerirá aproximadamente la mitad del ancho de la región de deriva de un comparable “no - perforar a
través” de la construcción.

Menor dopaje región de deriva en una “perforar” diodo no lleva la pena de muchachas de conducción más altos debido a la “modulación de
la conductividad” que se discutirán en breve. De hecho, la reducción de anchura de la región de deriva en estos diodos reduce la caída de
tensión en el estado para la misma densidad de corriente adelante en comparación con un no-punzón a través del diodo.

Bajo condición de polarización inversa sólo una pequeña corriente de fuga (menos de 100 mA para una corriente
directa puntuación en exceso de 1000A) fluye en la dirección inversa (es decir, del cátodo al ánodo). Esta corriente
inversa es independiente de la tensión inversa aplicada pero muy sensible a la variación de la temperatura de unión.
Cuando la tensión inversa aplicada alcanza la tensión de ruptura, revertir corriente aumenta muy rápidamente debido a
la ionización por impacto y el consiguiente proceso de multiplicación de avalancha. Voltaje a través del dispositivo de
dosis no aumentar más lejos mientras que la corriente inversa está limitada por el circuito externo. pérdida de potencia
excesiva y el consiguiente aumento de la temperatura de la unión debido al funcionamiento continuado en la región
inversa del freno destroies rápidamente el diodo. Por lo tanto, la operación continua en el reverso romper región debe
ser evitado.

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 La Fig 2.5: Reverse características sesgo IV de un diodo de potencia.

Algunas otras especificaciones importantes de un diodo de potencia en condiciones de polarización inversa que normalmente se encuentran en la
hoja de datos del fabricante se explican a continuación.

DC Tensión de bloqueo (V RDC): tensión continua máxima que puede ser aplicada en la dirección inversa (es decir, positivo con
respecto al ánodo cátodo) a través del dispositivo para el período de tiempo indefinido. Es útil para la selección de los diodos de rueda
libre en CC-CC de los interruptores y circuitos inversores de fuente de tensión CC-CA.

RMS Tensión inversa (V RMS): Es el valor RMS de la frecuencia de potencia (50/60 HZ) desde tensión de onda que se puede aplicar
directamente a través del dispositivo. Útil para la selección de diodos para incontrolada línea controlada / frecuencia de alimentación de CA
conmutado a rectificadores de corriente continua. Se administra por el fabricante en el supuesto de que la tensión de alimentación puede
elevarse en un 10% como máximo. Esta calificación es diferente para cargas resistivas y capacitivas.

Pico Tensión repetitiva inversa (V RRM): Esto es tensión que aparece periódicamente a través del dispositivo el valor máximo
admisible de las instanciaciones inversa. El período de tiempo entre dos apariciones consecutivas se supone que es igual a la mitad
del ciclo de potencia (es decir, 10 ms para el suministro de 50 Hz). Este tipo de tensión inversa periodo puede aparecer debido a la
“conmutación” en un convertidor.

Pico no repetitiva de Tensión inversa (V RSM): Es el valor máximo admisible de la tensión inversa instantánea a través del dispositivo que
no debe repetirse. Tal tensión inversa transitoria puede ser generado por la conmutación de la línea de alimentación (es decir, la apertura
del interruptor de circuito / cierre) o sobretensiones causadas por rayos.

La Fig. 2.6 muestra la relación entre estos diferentes especificaciones de tensión inversa.

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Fig. 2.6: Reverse clasificaciones de tensión de un diodo de potencia; (A) forma de onda de tensión de alimentación; (segundo)
Invertir características IV

2.3.2 diodo de potencia bajo polarizar Condición

En la sección anterior se mostró cómo la introducción de una región de deriva ligeramente dopado en la estructura de n p- de un diodo
aumenta su capacidad de tensión de bloqueo. Puede parecer que esta región de deriva ligeramente dopado ofrecerá alta resistencia
durante la conducción directa. Sin embargo, la resistencia efectiva de esta región en el estado ON es mucho menor que la aparente
resistencia óhmica calculada sobre la base del tamaño geométrico y las densidades de portadores equilibrio térmico. Esto es debido a
la inyección sustancial de portadores en exceso tanto de la p + y el n + regiones en la región de deriva como se explica a continuación.
A medida que el metalúrgico p + n- unión queda polarizado directamente habrá inyección de exceso pag

tipo de portadora en el norte- lado. En bajo nivel de inyecciones (es decir δ p << norte no) todo el exceso pag soportes de tipos recombinan con norte
soportes de tipos en el norte- la deriva región. Sin embargo a nivel alto de la inyección (es decir, gran densidad de corriente hacia adelante)
el exceso pag distribución de la densidad de soporte tipo llega a la n- n + unión y atrae electrones de la n + cátodo. Esto conduce a electrones
inyección en la región de deriva a través de la n- n + cruce con densidades de portadores δ n = δ pag. Este mecanismo se llama exceso de “doble
inyección” pag y norte soportes de tipos distender y se recombinan dentro de la región de deriva. Si la anchura de la región de deriva es
menor que la longitud de difusión de lleva la distribución espacial de exceso de densidad de portadores en la región de deriva será órdenes
bastante planas y varios de magnitud más alta que la densidad de portadores equilibrio térmico de esta región. Conductividad de la región de
deriva será mucho mayor como consecuencia (también llamada modulación de la conductividad). El dropt voltaje a través de un diodo de
potencia realización delantero tiene dos componentes es decir,

V ak = V j + V RD (2,2)

donde V j es la caída a través de la p + n- unión y puede ser calculado a partir de la ecuación (2.1) para un j corriente directa dado F. El

componente V RD es debido a la caída óhmica en su mayoría en la región de deriva. Cálculo detallado muestra V RD ∞ J F W re

(2,3)
donde J F es la densidad de corriente en el diodo forword y W re es la anchura de la región de deriva. Por lo tanto

V ak = V j + R EN yo F (2,3)
La caída óhmica hace que la característica iv delante de un diodo de potencia más lineal.

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La Fig 2.7: Características de un diodo de potencia de polarización directa; (A) El exceso de densidad de portadores libres
distribución; características (b) iv.

tanto V j y V Alaska tener coeficiente de temperatura negativo, como se muestra en la figura. Algunas otras especificaciones importantes relacionados
con la operación de avance sesgo de diodo de potencia como se encuentra en la hoja de datos del fabricante se explican a continuación.

RMS máxima Corriente directa (I FRMS): Debido a la naturaleza predominantemente resistiva de la caída de tensión directa a través de un
diodo de potencia de polarización directa, el valor RMS de la corriente hacia adelante determina la pérdida de potencia de conducción. La
especificación proporciona el valor máximo permisible RMS de la corriente hacia adelante de una forma de onda dada (normalmente una
onda sinusoidal ciclo medio de la frecuencia de potencia) y a una temperatura caso especificado. Sin embargo, esta especificación se puede
utilizar como una guía para casi todas las formas de onda de la corriente directa.

Máxima Corriente directa media (I FAVM): Diodos menudo se utilizan en circuitos rectificadores suministrar una corriente DC
(promedio) para ser carga. En tales casos, la corriente media de carga y la corriente directa del diodo por lo general tienen una
relación simple. Por lo tanto, será de interés para conocer la

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máximo medio de un diodo de corriente puede conducir en la dirección hacia delante. Esta especificación da el valor medio máximo de
medio ciclo de corriente de onda sinusoidal de frecuencia de potencia que se deja fluir a través del diodo en la dirección hacia adelante.
Valoración media de corriente de un diodo disminuye con la reducción en el ángulo de conducción debido al aumento en “factor de forma”
actual. tanto yo FRMS y yo FAVM Las calificaciones se dan a una temperatura caso especificado. Si la temperatura caso aumenta más allá de este
límite estas calificaciones tiene que ser reducida correspondientemente. “Curvas de reducción de potencia” proporcionan por los fabricantes
dan la relación entre I FAVM ( yo FRMS) con la temperatura caso admisible como se muestra en la Fig. 2.8.

Fig 2.8: Curvas de desclasificación de la corriente directa de un diodo de potencia.

pérdida directa media de potencia (P FAV): Casi toda pérdida de potencia en un diodo se produce durante el estado de conducción directa. Por
consiguiente, la pérdida de potencia hacia delante es un parámetro importante en el diseño de la disposición de refrigeración. La pérdida
media de pívot durante un ciclo completo es especificada por los fabricantes en función de la media de corriente directa (I FAV) para diferentes
ángulos de conducción, como se muestra en la figura 2.9.

Fig 2.9: Promedio de pérdida de potencia hacia adelante frente a la media corriente directa de un diodo de potencia.

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Estabilizadores de tensión y corriente de fallo: En algunas aplicaciones de rectificación de un diodo puede ser necesaria para llevar a cabo
corrientes directas muy por encima de sus RMS o calificación promedio de corriente directa de cierta duración (varios ciclos de la frecuencia de
red). Esto se conoce como la corriente directa incremento repetitivo de un diodo. Se espera que un diodo para funcionar normalmente después de
la duración oleada ha terminado. Por otra parte, corriente de defecto que surja debido a alguna anomalía en el circuito de potencia puede tener una
válvula de pico más alta, pero existe para duración más corta (por lo general menos de un ciclo de la mitad de la frecuencia de potencia). Se espera
que un circuito de diodo que ser desconectado de la línea de alimentación después de un fallo. Por lo tanto, una corriente de falla es una corriente
de pico no repetitiva. Diodos de potencia son capaces de soportar ambos tipos de corrientes de descarga y esta capacidad se expresa en términos
de clasificación de corriente de dos picos como se discute a continuación.

Pico repetitivo aumento nominal de corriente (I FRM): Esta es la válvula de pico de la corriente de sobretensión repetitiva que se puede
permitir que fluya a través del diodo por una duración específica y para las condiciones especificadas antes y después de la oleada. La
forma de onda corriente de sobretensión se supone que es un medio sinusoidal de frecuencia de potencia con impulsos de corriente
separados por puntos “OFF” de igual duración. La temperatura de la caja se especifica normalmente en su válvula de máxima admisible
antes del aumento. El diodo debe ser capaz de soportar tensión máxima de punta inversa repetitiva (V RRM) y la corriente promedio de
avance máxima permitida (I FAVM) después de la oleada. La especificación de corriente de sobretensión se da generalmente como una
función de la duración aumento en el número de ciclos de la frecuencia de red, como se muestra en la figura 2.10

Fig 2.10: corriente de sobretensión pico repetitiva VS curva de tiempo de un diodo de potencia.

En caso de que la corriente de choque sólo se especifica para un número fijo de ciclos 'm'
a continuación, la especificación de corriente de sobretensión aplicable a cualquier otro número de ciclo 'n' se puede encontrar a partir de la fórmula
aproximada.

mI
FRM n
\= yoFRM m \ (2,4)
n

Pico de corriente de pico no repetitiva (I FRM): Esta especificación es similar a la anterior, excepto que la duración del
impulso de corriente se supone que es el plazo de un medio ciclo del poder

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frecuencia. Esta especificación se da como una función de la duración del pulso de corriente como se muestra en la figura
2.11.

aumento máximo actual Integral (∫i 2 dt): Esta es una especificación relacionada corriente de sobretensión y da una medida de la energía
térmica generada en el interior del dispositivo durante una oleada no repetitiva. Es útil para seleccionar el fusible de protección para ser
conectado en serie con el diodo. Esta especificación también se da como una función de la duración del pulso de corriente, como se muestra la
figura 2.11

Fig. 2.11: surge no repetitiva actual y sobretensiones de corriente integral vs. ancho de pulso actual
características de un diodo de potencia.

ejercicio 2.2

(1) Llenar los espacios en blanco con la palabra (s) apropiado.

yo. La región ____________ en un diodo de potencia aumenta su capacidad de bloqueo de tensión inversa.

ii. El máximo valor de tensión DC (V RDC) de un diodo de potencia es útil para seleccionar ________________ diodos
en un helicóptero DC-DC.
iii. La tensión de ruptura inversa de un diodo de potencia debe ser mayor que
________________.
iv. Las características IV de un diodo de potencia para la gran corriente directa es __________.
v. La corriente nominal promedio de un diodo de potencia _______________ con la reducción en el ángulo de conducción
debido al aumento en la corriente ___________________.
VI. Las curvas de degradación de un diodo de potencia que proporciona la relación entre ______________ y ​el
_________________.
2
vii. ∫ i dt Evaluación de un diodo de potencia es útil para seleccionar el ________________.

Responder: ( i) deriva, (ii) de rueda libre, (iii) V RSM, ( iv) lineal, (v) reducción, factor de forma, (vi) I FAVM / yo FRM, temperatura de la caja,
(vii) fusible de protección.

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(2). (A) Para la fase de simple medio rectificador tejió mostrado averiguar el V RRM calificación de D.
(B) la V requerida RRM cambio de puntuación si un inductor se coloca entre el diodo y
n condensador.
(C) ¿Cuál será el V requerida RRM Puntuación de si se retira el condensador. Asumir un resistiva
carga.
(D) La fuente del circuito rectificador monofásico tiene una resistencia interna de 2 Ω. Encontrar
la capacidad nominal de corriente de pico repetitivo aumento no se requiere del diodo. También encontrará el i 2 t calificación del
fusible de protección que se conecta en serie con el diodo.

Responder: ( a) Durante cada medio ciclo positivo de la alimentación el condensador se carga al valor de pico de la tensión de
alimentación. Si la carga desconectada la tensión del condensador no va a cambiar cuando el suministro pasa a través de su pico
negativo como se muestra en la forma de onda asociada. Por lo tanto el diodo será sometido a una tensión inversa igual al pico de
tensión de pico de suministro en cada ciclo. Por lo tanto, la V requerida RRM calificación será

V RRM
= 2 x 2 x 230V = 650V
(segundo) Cuando un inductor está conectado entre el diodo y el condensador de la corriente del inductor tendrá algún valor positivo
en t = t 1. Si la carga se desconecta la energía almacenada en el inductor, se cargará el condensador más allá de la tensión de
alimentación de pico. Puesto que no hay trayectoria de descarga para el condensador se mantiene esta tensión a través del
condensador cuando la tensión de alimentación pasa a través de pico negativo. Por lo tanto, el diodo estará sometido a una tensión
inversa mayor que el pico a la tensión de pico de suministro. El V requerida RRM calificación aumentará.

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(do) Si el condensador se retira y la carga es resistiva de la tensión V KN durante medio ciclo negativo del suministro será cero
ya que la corriente de carga será cero. Por lo tanto la tensión inversa a través del diodo será igual a la tensión de alimentación de
pico. Así que la V requerida RRM calificación será
V RRM
= 2 × 230 V = 325 Volts

(D) corriente de sobretensión Pico fluirá a través del circuito cuando la carga es accidentalmente en cortocircuito. La capacidad nominal de corriente
de pico aumento será

2 × 230 I
FSM
= A = 162,64 A 2

La corriente de pico repetitivo no pico no debe repetirse. Por lo tanto, el fusible de protección (para ser conectado en
serie con el diodo) debe soplar durante el medio ciclo negativo después de la avería. Por tanto, la i máximo 2 t calificación del
fusible es
π
π 3 2
∫ IDT = ∫ S en w tdw t = = 4 1 0,5 5 × 1 0 A sec 2
2 2 2 2

M ax
yo FSM
yo FSM
o

2.3.3 Comportamiento de conmutación de diodos de potencia

Diodos de potencia toman tiempo finito para hacer la transición de polarización inversa que transmita la condición de polarización (encender) y
viceversa (desconectar).
Comportamiento de la corriente del diodo y la tensión durante estos periodos de conmutación son importantes debido a las siguientes razones.

• Severe sobre voltaje / sobre corriente puede ser causada por un diodo de conmutación en diferentes puntos en el circuito utilizando
el diodo.

• Tensión y corriente existen simultáneamente durante la conmutación funcionamiento de un diodo. Por lo tanto, cada
conmutación del diodo está asociado con una cierta pérdida de energía. En esta alta frecuencia de conmutación puede
contribuir significativamente a la pérdida de potencia total en el diodo.

Encienda observada en el comportamiento de un diodo de potencia: Los diodos se utilizan a menudo en circuitos con di / dt limitar inductores.
La velocidad de aumento de la corriente directa a través del diodo durante el encendido tiene un efecto significativo sobre las características de
caída de tensión directa. A su vez típico en transitoria se muestra en la Fig. 2.12.

Version 2 EE IIT, Kharagpur 17

Fig. 2.12: Delantero formas de onda de corriente y tensión de un diodo de potencia durante el encendido
operación.

Se observa que la tensión de diodo durante el encendido puede alcanzar transitoriamente un valor significativamente más alto V fr en comparación
con la caída de tensión pizarra estable en la corriente I constante F.
En algunos circuitos de convertidores de potencia (por ejemplo inversor fuente de tensión) que se utiliza un diodo de rueda libre a través de un
interruptor de alimentación de bloqueo asimétrico (es decir, GTO) este transitorio sobre voltaje puede ser suficientemente alta como para destruir el
interruptor de alimentación principal. V fr ( llamado tensión de recuperación hacia adelante) se da como una función de la di / dt adelante en la hoja de
datos del fabricante. Los valores típicos se encuentran dentro de la gama de 10-30V. tiempo de recuperación Forward (t fr) es por lo general dentro
de los 10 nosotros.

Observada APAGUE el comportamiento de un diodo de potencia: Figura 2.13 muestra un típico desvío comportamiento de un diodo de potencia
suponiendo una velocidad controlada de disminución de la corriente hacia adelante.

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 Fig. 2.13: Reverse características de recuperación de un diodo de potencia

características más destacadas de estas características son:

• La corriente del diodo no se detiene en cero, sino que crece en la dirección negativa a I rr
llamado “corriente de recuperación inversa de pico” que puede ser comparable a la I F. En muchos circuitos electrónicos de potencia (por
ejemplo, choppers, inversores) esta corriente inversa fluye a través del interruptor de alimentación principal, además de la corriente de
carga. Por lo tanto, esta corriente de recuperación inversa tiene que tenerse en cuenta al seleccionar el interruptor principal.

• caída de tensión en el diodo no cambia sensiblemente de su valor de estado estacionario hasta que la corriente del diodo alcanza el
nivel de recuperación inversa. En muchos circuitos eléctricos de potencia (interruptores, inversores) esto puede crear un cortocircuito
efectivo a través de la alimentación, la corriente está limitado sólo por la inductancia parásita del cableado. También en circuitos de
conmutación de alta frecuencia (por ejemplo, SMPS) si el período de tiempo t 4 es comparable a la de conmutación de ciclo de
modificación cualitativa para el comportamiento del circuito es posible.

• Hacia el final del período de recuperación inversa si la corriente inversa cae demasiado bruscamente, (bajo valor de S), la

inductancia parásita del circuito puede causar peligroso sobre voltaje (V rr) a través del dispositivo. Es posible que se requiera para proteger

el diodo utilizando un amortiguador RC. Durante el período t 5 gran corriente y el voltaje existen simultáneamente en el dispositivo. En alta

frecuencia de conmutación esto puede dar lugar a un considerable aumento de la pérdida de potencia total. Los parámetros importantes

que definen el desvío características son, la corriente de recuperación inversa de pico (I rr),

tiempo de recuperación inversa (t rr), carga de recuperación inversa (Q rr) y el factor de Snappiness S. De estos parámetros, el factor
Snappiness S depende principalmente de la construcción del diodo (por ejemplo la deriva ancho de la región, el dopaje palanca,
portador tiempo de vida etc.). Otros parámetros están interrelacionados y dependen también de S. Los fabricantes suelen especificar
estos parámetros en función de di F/ dt para diferentes valores de I F. tanto yo rr y Q rr aumenta con I F y di F/ dt mientras t rr aumenta con I F y
disminuye con di F/ dt.

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Las características de recuperación inversa muestran en la Fig. 2.13 es típico de un tipo particular de diodos llamado “recuperación normal” o diodo
“recuperación de software” (S> 1). El tiempo de recuperación total (t rr) en este caso es de algunas decenas de microsegundos. Si bien esto es
aceptable para rectificadores de frecuencia de línea (estos diodos son también llamados diodos rectificadores grado) circuitos de alta frecuencia
(por ejemplo, inversores PWM, SMPS) exigir la recuperación de diodo más rápido. Diode tiempo de recuperación inversa puede ser reducir
mediante el aumento de la tasa de disminución de la corriente directa (es decir, mediante la reducción de la inductancia de circuito perdida) y
mediante el uso de recuperación “rápido” (S << 1) de diodo. Los problemas con este enfoque son:

yo) Aumento de di F/ dt también aumenta la magnitud de I rr

ii) corriente de recuperación grande junto con la recuperación “rápido” puede dar lugar a la corriente y
oscilación de tensión en el diodo debido al circuito resonante formado por la inductancia parásita del circuito y la capa de
capacitancia agotamiento diodo. A características de recuperación típicas de un diodo de recuperación “rápido” se muestra en
la figura 2.14 (a).

Fig. 2.14: circuito de protección de sobretensión diodo; (A) “características de recuperación Snappy; (segundo)
circuito amortiguador capacitivo; (c) las características snubber.

Gran corriente de recuperación inversa puede conducir a la inversa pico de tensión (V rr) en exceso de V RSM y destruir el dispositivo. Un circuito
capacitivo de protección (también llamado un “circuito snubber) como se muestra en la Fig. 2.14 (b) puede a los usados ​para restringir V rr. Aquí,
la corriente que fluye a través de L l en el momento de la corriente del diodo “chasquido” se pasa por alto a C s. L l, R s y do s forma un circuito de
resonancia amortiguada y la energía inicial almacenada en L l se disipa parcialmente en R s, de este modo, V restringir rr . valores normalizados de V rr

como una función de la ξ factor de amortiguamiento con I normalizada rr como un parámetro se muestra en la Fig. 2.14 (c). Sin embargo, es
difícil estimar correctamente el valor de L l y por lo tanto el diseño de un circuito de protección adecuado. También circuitos amortiguadores
aumentan la pérdida de potencia total en el circuito desde la energía almacenada en el condensador amortiguador se disipa en la
resistencia snubber durante encendido del diodo. Por lo tanto, en circuitos de alta frecuencia se prefieren otros tipos de diodos de
recuperación rápida (grado inversor). diodos de recuperación rápida ofrecen una reducción significativa tanto en lo rr y T rr ( 10% - 20% de un
diodo rectificador grado de calificación comparable). Esta mejora en el rendimiento se apagan, sin embargo, se produce a expensas del
rendimiento de estado estacionario. Se puede demostrar que la caída de tensión directa en un diodo es directamente proporcional a la
anchura de la región de deriva e inversamente proporcional al tiempo de vida de soporte en la región de deriva. Por otro lado, tanto yo rr y T rr aumenta
con el aumento en el tiempo de vida de soporte y ancho de la región de deriva. Por lo tanto si rr y T rr se reducen mediante la reducción del
tiempo de vida de soporte, hacia delante de la gota aumenta la tensión. Por otro lado, si la deriva

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ancho de la región se reduce la tensión de ruptura inversa del diodo reduce. Por lo tanto, el rendimiento de un diodo de recuperación rápida
es, un compromiso entre el rendimiento de estado estacionario y el rendimiento de conmutación. En la pérdida de circuitos de alta frecuencia
de conmutación de alta tensión es el componente dominante de la pérdida total de energía. Por lo tanto, cierto aumento de la caída de
tensión directa en el diodo (y por lo tanto la conducción lass potencia) puede ser tolerada ya que la pérdida APAGUE asociada con
recuperación inversa se reduce considerablemente. En algunas aplicaciones de muy alta frecuencia (f SO > 100KHZ), la mejora en el
rendimiento de recuperación inversa ofrecido por el diodo de recuperación normal rápido no es suficiente. Si la tensión de bloqueo inverso
requerida es menor (<100 V) diodos Schottky se prefieren sobre los diodos de recuperación rápida. En comparación con los diodos de unión
pn diodos Schottky tienen muy poco APAGUE transitorios y casi ninguna Encienda transitoria. En estado de caída de tensión también
menos se compara con una pn diodo de unión por la igualdad de densidades de corriente hacia adelante. Sin embargo, la tensión de ruptura
inversa de estos diodos son menos (por debajo de 200 V) diodos Schottky de energía con capacidad de corriente hacia adelante por encima
de 100A están disponibles.

ejercitador 2.3

1. Llenar los espacios en blanco con la palabra apropiada (s)

yo. voltaje de recuperación hacia adelante aparece debido a una mayor caída óhmica en la región ______________ de un diodo de
potencia en el inicio del turno en proceso.
ii. La magnitud de la tensión de recuperación en avance es típicamente del orden de unos ______________ de
voltios.
iii. La magnitud de la tensión de recuperación en avance depende también de la _______________ de la corriente directa del
diodo.
iv. La carga de recuperación inversa de un diodo de potencia aumenta con el _______________ de la corriente directa de diodo.

v. Para una corriente directa de la corriente de recuperación inversa dada de un diodo de potencia ______________ con la tasa de
disminución de la corriente directa.
VI. Para una corriente directa del tiempo de recuperación inversa dada de un diodo de potencia ______________ con la tasa de
disminución de la corriente directa.
vii. Un diodo de recuperación “rápido” se somete a _________________ voltaje sobre rodaje en la recuperación.

viii. Un diodo de recuperación rápida tiene _______________________ corriente de recuperación inversa y tiempo en comparación con un diodo de
recuperación __________________.
ix. Un diodo Schottky tiene _______________ caída de tensión directa y ______________ capacidad de bloqueo de tensión
inversa.
X. diodos Schottky No tienen __________________ transitorio y muy pequeño
_________________ transitoria.

Responder: ( i) deriva, (II) decenas, (iii) tasa de subida, (iv) la magnitud, (v) aumenta, (vi) disminuye, (vii) grande, (viii) inferior, (ix)
bajo, derecho, (x ) Prender apagar.

2. En el convertidor reductor se muestra el diodo D tiene una inductancia principal del 0.2μH y una inversa
cambio recuperación de 10μC en i F = 10 A. Encuentra pico de corriente a través P.

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Responder: i suponiendo L = 10A (constante) por encima de las formas de onda se pueden extraer Tan pronto como Q se pone en ON.
una tensión inversa se aplica a través D y su inductancia de plomo.

di 20 7
∴ F
= -6
AS ec = 1 0 AS ec
dt .2×10

Suponiendo un diodo de recuperación rápido ( s ≈ o )

1• di •
Q =rr 1 yorr t = F
t rr
2

2 rr • •
2 dt
• = 10 ×
• 10 C
-6

∴ t rr
= 1. 4 1 4 μ s

me F
∴ di rr = t rr
= 1 4. 1 4 A dt

∴ yo = I + I = 24,14 AQ pico L
rr

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referencias

1. Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins, “Electrónica de potencia, convertidores,

Aplicación y Diseño”John Wiley & Sons (Asia), Editores. Tercera edición 2003.

2. PC Sen, “Electrónica de Potencia” Tata McGraw Hill Publishing Company Limited, Nueva Delhi, 1987.

3. Jacob Millman, Christos C. Halkias, “Circuitos Integrados Electrónica, analógicas y digitales

y Sistemas”, Tata McGraw-Hill Publishing Company Limited, Nueva Delhi, 1991.

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Resumen del módulo

• Un diodo de unión pn es un portador minoritario,, dispositivo de conmutación no controlada unidireccional.

• Un diodo de potencia incorpora una región de deriva ligeramente dopado entre dos fuertemente dopado pag
tipo y norte regiones de tipo.

• capacidad de soportar tensión inversa máxima de un diodo de potencia depende de la anchura y el nivel de dopaje de la
región de deriva.

• Un diodo de potencia nunca debe ser sometido a una tensión inversa mayor que la tensión de ruptura inversa.

• Las características IV de un diodo de potencia de polarización directa es comparativamente más lineal debido a la caída de tensión en
la región de deriva.

• La caída de tensión directa a través de un diodo de potencia realización depende de la anchura de la región de deriva, pero no se ve
afectado significativamente por su densidad de dopaje.

• Para el funcionamiento sesgado hacia adelante continua el valor eficaz de la corriente directa del diodo debe ser siempre
inferior a su actual estimada RMS a una temperatura caso dado.

• Sobretensiones corriente directa a través de un diodo debe ser inferior a la corriente nominal aplicable contra sobretensiones.

• Durante “Activar” la caída de tensión instantánea a través de un diodo puede llegar a un nivel considerablemente más alto que su
caída de voltaje en estado estable para la corriente dada hacia adelante. Esto se conoce como tensión de recuperación en avance.

• Durante “apagar” la corriente del diodo va primero negativo antes de la reducción a cero. Esto se conoce como recuperación
inversa de un diodo.

• El pico de corriente que fluye a través de un diodo durante la desconexión negativo se llama la “corriente de recuperación inversa”
del diodo.

• El tiempo total en que la corriente del diodo sigue siendo negativa durante la desconexión es llamado “el tiempo de recuperación
inversa” del diodo.

• Un diodo no puede bloquear tensión inversa hasta que la corriente inversa a través del diodo alcanza su valor de pico.

• Tanto la “corriente de recuperación inversa” y el “tiempo de recuperación inversa” de un diodo depende de la corriente
directa durante la desconexión, la tasa de disminución de la corriente directa y el tipo de diodo.

• diodos de recuperación normales o lentos tienen corriente de recuperación inversa más pequeño pero más largo tiempo de recuperación
inversa. Son adecuados para el funcionamiento del rectificador frecuencia de la línea.

• diodos de recuperación rápida han veces más rápido de conmutación pero comparativamente inferior descomponer voltajes. Son
adecuados para rectificador de alta frecuencia o la operación Wheeling inversor de libre.

• diodos de recuperación rápida necesitan ser protegidos contra transitorios de tensión durante la desconexión”con circuito de protección
RC.

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• diodos Schottky tienen caída de tensión inferior y tiempos de conmutación más rápidos pero comparativamente más abajo
romper la tensión. Son adecuados para aplicaciones de suministro de energía de conmutación de frecuencia muy alta de baja
tensión.

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Los problemas de la práctica y respuestas

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Problemas práctica (módulo-2)

1. Si un número de diodos de unión pn con características IV idénticos están conectados en

paralelamente van a compartir por igual actual? Justifica tu respuesta.

2. Un diodo de potencia tiene una corriente de saturación inversa de 15μA a 32 ° C que se duplica para
cada 10 ° aumento de la temperatura. La resistencia de CC del diodo es de 2,5 mO. Encuentra la caída de tensión y
pérdida de potencia de una corriente directa de 200 amperios. Suponga que la temperatura máxima de la unión se
limita a 102 ° C.

= kT TV = 2 6 TVMA 3 2 C q
o

3. En el chopper de tensión conmutado T & TA están activados alternativamente en 400 HZ. C es

cargado inicialmente a 200 V con la polaridad tal como se muestra. Encuentra el I FRMS y V RRM calificaciones de D yo
+ D F.

4. En el chopper de conmutación de tensión de Problema 5 el voltaje en C reduce en un 1% debido a la recuperación de D revertir YO. Entero
de que rr y t rr para D YO. ( Supongamos que S = 1 para D YO).

5. ¿Qué precauciones se deben tomar con respecto a la tensión de recuperación en avance de los libres
diodos que ruedan en un inversor de fuente de tensión PWM emplean Transistores de unión bipolar de la NPN ¿tipo?

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Las respuestas a la práctica Problemas

1. La corriente de saturación inversa de una pn diodo de unión aumenta rápidamente con la temperatura. Si
sigue a continuación (de la ecuación. 2.1) la caída de tensión a través de un diodo para una determinada corriente disminuye hacia
adelante con aumento de la temperatura. En otras palabras si las características de la voltios amperios de un diodo se modela como un no
lineal (corriente dependiente) resistente que tendrá un coeficiente de temperatura negativo.

Consideremos ahora la situación en la que una serie de diodos están conectados en paralelo. Si debido a alguna perturbación
transitoria de la corriente en un diodo aumenta momentáneamente la temperatura de la unión de ese diodo aumentará debido
aumento de disipación de potencia. La caída de tensión en el diodo que en particular disminuirá como resultado y más actual se
desvía hacia ese diodo. Este “mecanismo de retroalimentación positiva” seguirá aumentando su cuota actual hasta parasitaria
caída de la resistencia del conductor se vuelve lo suficientemente grande como para evitar la caída de tensión más lejos a
través de ese diodo. Por lo tanto, se puede concluir que una serie de pn diodos de unión conned en paralelo no serán, en
general, compartir actual igualmente incluso si se supone que tienen características IV idénticas.

Sin embargo, la igualdad de distribución de corriente puede ser forzado mediante la conexión de resistencias adecuadas en serie con los
diodos de manera que la resistencia total de cada rama tiene coeficiente de temperatura positivo.

2. Dado que la saturación de doble corriente inversa con cada 10 ° C de aumento en la temperatura de unión.

102 -32

yos o
=2 10
×I s o = 1 0,92 mA
102 C 32 C

KT o
V t= = 26mv a 32 C ∴ V ta 102 = 31.97mv
o

∴ V fori
j
= 2 0 0F A es

yoF
V =j V t102C o En × = 0 0.3 7V I
s102C o

La caída de tensión a través de región de deriva V R = yo F × R = D 0,5 V Por lo tanto,

la caída total de voltaje a través del diodo es

V=
re
V + VR = 0.87V
j

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3. formas de onda importantes del sistema se muestran en la figura.
Tan pronto como T se conecta la tensión del condensador comienza invirtiendo debido al circuito LC resenant formado por CTL +
D YO. Despreciando todo el voltaje del condensador alcanza un -200V.

La corriente i di es dado por

yoDI =I D IP
Pecado ω norte
0 ≤ ω ≤ norte 7

donde = 200 do = 89,44 AL

INMERSIÓN

1 3
& =ω norte = 22,36 × 10 LC

La versión 2 de EE IIT, Kharagpur 29

 ∴ Condensador tiempo de inversión de tensión

T 1 π
= norte
= = = 140μs.
2 2f norte
ω norte

tensión del condensador se mantiene a -200 V hasta TA se activa cuando se carga linealmente hacia
+ 200 V. Tiempo necesario para la carga es

2 × 200 × CT
= do = 400μs I
L

Al final de la carga DF se pone en ON y permanece en hasta T se enciende de nuevo.

yoINMERSIÓN 140
∴ yoFRMS Para D es
yo
= 10,58 Amps
5000 2 2100

yoFRMS Para D es
F
20 = 12,96 amperios
5000

De la figura V para D es 200 yoV

RRM

V RRM
para D es deF 400 V

4. Desde la tensión del condensador se reduce en 1%

Q rr= 0,01 × C × 200 = 40μc

di 2
con S = 1 Q = I t = rr rr rr
dI
t rr
dt

Ahora id = yoI SinINMERSIÓN

ωt norte

di =dI Ω I
∴ n DIP
Cosω t norte
dt

di 1 California
en ω norte
t = π, dI
= Ω In DIP = , 200 = 2 mu s
dt LC L
2
∴ t rr= 20 × 10 seg o T = 4.472 murr s
2 - 12

∴ I=
rr
8,94 amperios

5. La Figura muestra una pierna de un PWM VSI utilizando NPN transistor y diodo de rueda libre.

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Considere apagar funcionamiento de Q 1. A medida que la corriente que pasa por Q 1 reduce D 1se enciende. los

voltaje de la recuperación en avance de re 1aparece como una tensión inversa a través de la NPN transistor cuya

base de unión emisor debe con soporte esta tensión inversa. Por lo tanto, la tensión de recuperación hacia adelante de los diodos
de rueda libre debe ser inferior a la inversa tensión de ruptura de la unión base-emisor de la NPN transistores para un
funcionamiento seguro del inversor.

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