Electrónica Básica, 2o GITT 2014-2015 3.

Polarización

E3.1
Se desea polarizar el circuito de la figura con:
IC = 3mA, VCE = 3v.
Vcc

1. Computar la potencia (media) consumida por el montaje completo: PT R1 RC

ası́ como la consumida por el transistor: PBJT
2. Computar los valores de resistencias requeridos para obtener los valores
de polarización anteriores
3. Determinar las variaciones de la polarización (IC , VCE ) ası́ como de la R2 RE
potencia total consumida, para una βf ∈ [40, 300]
(Datos) Vcc = 12v, Is = 2nA, βf = 220, VAF = 120v

Solución 3. Resulta más cómodo reconvertir la porción

izquierda del circuito (R1 y R2 ) en su equivalente
1. Como el transistor se encuentra en activa:
Thevenin:
PBJT  VCE IC = 3v 3mA = 9mW
La potencia total del montaje es igual a la cedida Vth = Rth IB + VBE + RE IC
por la fuente, supongamos que IR1 << IC : R2
Vth = Vcc = 2,56v
R1 + R2
PT = VCC (IC + IR1 )  VCC IC Rth = R1 ||R2 = 13,66kΩ
2. Las ecuaciones que gobiernan el comportamiento
estático del circuito, suponiendo que el transistor Tomemos βf = 300, supongamos que el niv-
se encuentra en la zona de activa directa son: el de corriente será similar y podemos tomar
VBE  0,37v.

VCC = RC IC + VCE + RE IE
VCC = R1 IR1 + VBE + RE IE Vth − VBE 2,57 − 0,37
IC = Rth
= = 3,12mA
R2 (IR1 − IB ) = VBE + RE IE RE + βf
0,66k + 13,66k
300

IE = IC + IB PT  VCC ICC = 37mW

V VCE = VCC − (RC + RE )IC = 12 − 0,66k 3,12m = 2,67v
IC = Is exp BE
Vt
IC = β f IB
Repitiendo para βf = 40:
Al conocer el nivel
 de corriente podemos obtener:
IC
VBE = Vt ln I = 0,37v.
s

Completemos el sistema con suposiciones: IC = 2,19mA

RE IE = 2v PT = 26mW
IR1 = 11 IB VCE = 5,62v

Asumiendo que IB << IC podemos suponer IE 

IC , obteniendo:
VCC − VCE − RE IE 12 − 3 − 2
RC = = = 2,33kΩ
IC 3m
2
RE = = 0,66kΩ
3m
IC
IB = = 13,63μA
βf
IR1 = 150μA
VCC − VBE − RE IE 12 − 0,37 − 2
R1 = = = 64,2kΩ
IR1 150μ
VBE + RE IE 2,37
R2 = = = 17,38kΩ
IR1 − IB 136,3μ

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Vcc

E3.2 R1 RC
Para el circuito de la figura
1. Determinar el valor de las resistencias, para obtener una polarización:
IC = 3mA, VEC = 1v.
2. Realizar las modificaciones necesarias para que las variaciones de IC no R2 RE
superen el 10 %, sabiendo que: βf ∈ [30, 200].
(Datos) Vcc = −5v Is = 2nA, βf = 180, VAF = 90v

E3.3 Vdd
Para el circuito de la figura
m1 m2
1. Dimensionar Rb para obtener I2 = 500μA.
I2
2. Determinar el valor de RL para que todos los transistores I1
funcionen en saturación RL
Vs
(Datos) W1 /L1 = 1, W2 /L2 = 10, W3 /L3 = 5 Vs = 2v Vdd = Rb m3
5v γ = 0,8v 0,5 , Φf = 0,6v
nMOS pMOS unid. Vb
KN 40μ 20μ A/v 2
Vth 0,7 −0,7 v
λ 0,01 0,01 v −1

Solución 2. Suponiendo que todos los transistores se encuen-

tran en saturación:
1. Como m1 y m2 forman un espejo de corriente
verifican: 1
Id3 = Kn (W3 /L3 ) (Vs − Vth0 )2 = 169μA
2
I1 W1 /L1 Vo = (Id2 − Id3 ) RL
=
I2 W2 /L2
VSG2 > Vth0
VSD2 > VSG2 − Vth0
Debiendo de cumplirse que:

Por lo que: I1 = 50μA, y por tanto:


2 I1 Vdd − Vo = VSD2 > VSG2 − |Vth0 |
VSG2 = |Vth0 | + = 2,936v Vo = VDS3 > VGS3 − Vth0
Kp W1 /L1

La resistencia solicitada por tanto:

Lo cual se cumple cuando: 3,93KΩ < RL <
Vdd − VSG2 8,13KΩ
Rb = = 41,28kΩ
IL

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E3.4-Par diferencial
Para el circuito de la figura
1. Determinar las simplificaciones que se pueden obtener al
suponer:
R4 = R5 , W2 /L2 = W3 /L3 , V2 = V3
2. Dimensionar el transistor m1 (W1 /L1 y VGG1 ) para Ibb = Vdd
100μA con Vb >= 0,4v
R4 R5
3. Basándose en los resultados de los apartados anteriores,
determinar: Io1 , Io2 , Vo1 , Vo2 .
IO1 IO2
4. Determinar el rango de valores posibles de la tensiones
V2 (supuesta igual a V3 ) para mantener a todos los tran- Vo1 Vo2
sistores en saturación.
V2 V3
m2 m3
5. Suponiendo que V2 >> V3 , recalcular: Io1 , Io2 , Vo1 , Vo2 .
6. Determinar los modelos de pequeña señal en modo difer-
encial y modo común. Ibb
VGG1
(Datos) m1 Vb
Vdd = 5v, W1 /L1 = W2 /L2 = 10, R4 = R5 = 30kΩ
K = 40μA/v 2 , Vtho = 0,7v, λ = 0,01v −1 γ = 0,8v 0,5 ,
Φf = 0,6v

Solución do:
Ibb
1. Supongamos que todos los transistores se encuen- Io1 = Io2 = = 50μA
2
tran en saturación. El transistor m1 es una fuente
I
de corriente, que proporciona una intensidad con- Vo1 = Vo2 = Vdd − R4 bb = 3,5v
stante Ibb (siempre que Vb > Vgg1 − Vth0 ) 2
Las suposiciones permiten aplicar simetrı́a tanto 4. Rango Modo Común
a nivel estructural (la estructura y el dimension- Para mantener a m1 en saturación: Vb = VDS1 >
amiento son simétricos), como a nivel eléctrico, y VGS1 − Vth0
por tanto: 
Ibb
1 VGS2  Vth0 + = 1,05v
Io1 = Io2 = I Kn W2 /L2
2 bb 
V2 = Vgs2 + Vb > 1,45v
Ibb
VGS2 = VGS3 = Vth2 +
Kn W2 /L2 Por otra parte m2 exige: VDS2 = Vo1 − Vb >
   VGS2 − Vth2 , que se cumple.
Vth2 = Vth0 + γ Φf + Vb − Φf
5. Saturación Modo Diferencial
V2 = V3 = Vb + Vgs2 Hemos perdido la simetrı́a eléctrica, por lo que
Ibb las ecuaciones del primer apartado no se puedan
Vo1 = Vo2 = Vdd − R4
2 aplicar. Ahora tendremos:
Io1 + Io2 = Ibb
2. Para el dimensionamiento de la fuente de corri-
ente, la especificación Vb >= 0,4v nos fija el valor Vo1 = Vdd − R4 Io1
de VGG1 .
Supongamos que m1 sigue funcionando en satu-
VGG1 = 0,4 + Vth0 = 1,1 ración, con Ib = 100μA siempre que Vb > 0,4v.
Como la tensión V2 es más elevada, podemos
suponer que el transistor m2 sigue saturado, pero
Mientras que el valor de Ib nos permite dimen-
m3 estará cortado, y por tanto:
sionar la geometrı́a del mismo.
Io2 = 0
2 Ibb
W1 /L1 = = 31,25 Vo2 = Vdd = 5v
Kn (VGS1 − Vth0 )2
Io1 = Ib = 100μA
3. Equilibrio DC Vo1 = Vdd − R4 Ibb = 2v
Sustituyendo en la expresión del primer aparta-

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Electrónica Básica, 2o GITT 2014-2015 3. Polarización

La evolución de las corrientes IO1 e IO2 se puede Del mismo modo, disminuye V3 , disminuye VGS3
ver en las siguientes gráficas. y por tanto IO2 . Si las variaciones son lo sufi-
cientemente pequeñas, podemos considerar que
el aumento de IO1 coincide en módulo con la
IBB disminución de IO2 y por tanto no habrı́a circu-
IO1 lación de intensidad por el transistor m1. En el
modelo de pequeña señal nos podrı́amos quedar
sólo con la mitad.
i01

ro2 R4

gm2u2
IO2
0
Vd ud u2 u01
Asimismo, a continuación se muestra la evolución
De forma análoga podemos considerar una entra-
de VO1 y VO2
da en modo común, tensión modo diferencial
Vcc nula, y tensión modo común variable (uc (t)).
VO2
i01 uoc i02
VO1
Vmin ro2 R4 R5 ro3

gm2u2

gm3u3
uc u2 u3 uc
im1

u01 ro1 u02

0
0
Vd
Al aumentar V2 , aumenta VGS2 y por tanto
IO1 . En en transistor m3, las variaciones serı́an
6. Modelos de Pequeña Señal iguales, forzando a una circulación de corriente
Como nuestro circuito dispone de dos entradas por m1 para hacerlo posible. Duplicando ro1 ,
(V2 (t) y V3 (t)), se suele emplear un tratamiento podemos obtener un modelo de pequeña señal
especial. mitad.
Definimos las tensiones modo diferencial y i01
modo común como:
1 ro2 R4
Vd (t) = (V (t) − V3 (t))
gm2u2

2 2
1 uc u2
Vc (t) = (V (t) + V3 (t))
2 2
Teniendo como transformada inversa:
u01
V2 (t) = Vc (t) + Vd (t) 2 ro1

V3 (t) = Vc (t) − Vd (t)

Consideremos que nuestro sistema tiene una

entrada en modo diferencial, tensión modo
común constante, y tensión modo diferencial vari-
able (ud (t)).
i01 uod i02

ro2 R4 R5 ro3 ud
gm2u2

gm3u3

ud u2 u3
im1

u01 u02
ro1

Al aumentar V2 , aumenta VGS2 y por tanto IO1 .

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