BG Do Luong Cam Bien

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT HƯNG YÊN

KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ
BÀI GIẢNG KỸ THUẬT ĐO LƯỜNG

CẢM BIẾN
1
BÀI GIẢNG KỸ THUẬT ĐO LƯỜNG CẢM BIẾN
2
CHƯƠNG 1: KỸ THUẬT ĐO LƯỜNG
BÀI 1: KHÁI NIỆM VỀ ĐO LƯỜNG – CÁC CƠ CẤU

CHỈ THỊ ĐO LƯỜNG
1.1. Lý luận chung về đo lường
1.1.1 Định nghĩa và phân loại phép đo
a. Định nghĩa
Định nghĩa đo lường rất quan trọng vì nó thể hiện quan điểm đối với kỹ thuật đo
lường. Nó là tiền đề cơ bản cho mọi lý luận về thiết bị đo và hệ thống thông tin đo lường.
Do đó ta có thể thống nhất về định nghĩa đo lường như sau:
Đo lường là một quá trình đánh giá định lượng đại lượng cần đo để có kết quả
bằng số so với đơn vị đo.
Khái niệm về đánh giá định lượng ở đây có thể hiểu rất hẹp như phép đo biến đổi
thẳng nhưng cũng có thể hiểu là quá trình thu thập và biến đổi tin tức hoặc quá trình ước
lượng và đánh giá ước lượng của các quá trình ngẫu nhiên, kết quả đánh giá là một con số
so với đơn vị thể hiện quá trình lượng tử hoá và mã hoá ra kết quả bằng số và một phép
so với đơn vị.
Với định nghĩa trên thì đo lường là một quá trình thể hiện ba thao tác chính là:
- Biến đổi tín hiệu và tin tức
- So sánh với đơn vị đo hay so sánh với mẫu trong quá trình đo lường
- Chuyển đơn vị, mã hoá để có kết quả bằng số so với đơn vị
Vậy quá trình đo có thể viết dưới dạng:
Ax = X/Xo
Trong đó: Ax : Là kết quả của đại lượng cần đo
X : Đại lượng cần đo
Xo : Đơn vị đo
Ngành khoa học chuyên nghiên cứu về các phương pháp để đo các đại lượng khác
nhau, nghiên cứu về mẫu và đơn vị đo gọi là đo lường học
Ngành kỹ thuật chuyên nghiên cứu và áo dụng các thành quả của đo lường học
vào phục vụ sản xuất và đời sống gọi là kỹ thuật đo lường
Để thực hiện quá trình đo lường ta phải biết chọn cách đo khác nhau phụ thuộc
vào đối tượng đo, điều kiện đo và độ chính xác yêu cầu của phép đo
b. Phân loại phép đo
Để thực hiện một phép đo người ta có thể thực hiện nhiều cách khác nhau. Ta có
thể phân ra như sau:
a. Đo trực tiếp: là cách đo mà kết quả nhận được từ một phép đo duy nhất.
Cách đo này nhận được kết quả ngay, dụng cụ đo sử dụng thường ứng với kết quả
đo. Ví dụ: đo điện áp dùng Vôn mét. Chúng ta thấy thực tế các phép đo đều sử dụng
phép đo đều sử dụng cách đo trực tiếp này.
b. Đo gián tiếp:
Là cách đo mà kết quả đo suy ra từ sự phố hợp kết quả của nhiều phép đo trự tiếp.
3
Ví dụ: Đo điện trở dùng Vôn mét và ampe mét, sau đó ta tính ra điện trở. Cách đo
này gặp phải sai số là tổng sai số của các phép đo.
c. Đo hợp bộ:
Cách đo mà kết quả đo sẽ được đưa ra cùng một lúc với nhau khi giải hệ phương
trình.
d. Đo thống kê
Là cách đo mà ta đo nhiều lần sau đó lấy trung bình. Thực hiện khi tín hiệu đo là
ngẫu nhiên hoặc khi kiểm tra độ chính xác của một dụng cụ đo
1.1.2. Sai số, phương pháp giảm sai số
a. Sai số của phép đo
Ngoài sai số của dụng cụ đo, việc thực hiện quá trình đo cũng gây ra nhiều sai số.
Những sai số này gây ra bởi những yếu tố như: Phương pháp đo được chọn, mức độ cẩn
thận khi đo…Do vậy kết quả đo lường không đúng với giá trị chính xác của đại lượng đo
mà có sai số. Đó là sai số của phép đo. Có thể phân loại sai số của phép đo như sau:
▪ Theo cách thể hiện bằng số
• Sai số tuyệt đối là hiệu giữa đại lượng đo X và giá trị thực Xth
ΔX = X – Xth
• Sai số tương đối γX được tính bằng phần trăm của tỉ số sai số tuyệt đối và giá trị
thực:
𝛥𝑋 𝛥𝑋
𝛾𝑋 = ( ) 100 ≈ ( ) 100
𝑋𝑡ℎ 𝑋
Vì X và Xth gần bằng nhau.
▪ Theo nguồn gây ra sai số
Người ta phân thành:
• Sai số phương pháp là sai số sinh ra do sự không hoàn thiện của phương pháp đo
và sự không chính xác biểu thức lý thuyết cho ta kết quả của đại lượng đo.
• Sai số thiết bị là sai số của thiết bị đo sử dụng trong phép đo, nó liên quan đến
cấu trúc và mạch đo của dụng cụ không được hoàn chỉnh, tình trạng của dụng cụ đo…
• Sai số chủ quan là sai số gây ra do người sử dụng. Ví dụ như do mắt kém, do cẩu
thả…
• Sai số khách quan là sai số gây ra do ảnh hưởng của điều kiện bên ngoài lên đối
tượng đo cũng như dụng cụ đo. Ví dụ như nhiệt độ, độ ẩm…
▪ Theo quy luật xuất hiện của sai số
• Sai số hệ thống là thành phần sai số của phép đo luôn không đổi hay là thay đổi
có quy luật khi đo nhiều lần một đại lượng đo.
Sai số hệ thống không đổi bao gồm sai số do khắc độ thang đo, sai số do hiệu
chỉnh dụng cụ đo không chính xác (chỉnh “0” không đúng), sai số nhiệt độ tại thời điểm
đo. v.v.
Sai số hệ thống thay đổi có thể là sai số do sự biến động của nguồn cung cấp (pin
bị yếu đi) do ảnh hưởng của các trường điện từ hay những yếu tố khác.
4
Việc phát hiện sai số hệ thống là rất phức tạp nhưng nếu đã phát hiện được thì việc
đánh giá và loại trừ nó sẽ không còn khó khăn
Việc loại trừ sai số hệ thống có thể tiến hành bằng cách: phân tích lý thuyết; kiểm
tra dụng cụ đo trước khi sử dụng nó; chuẩn trước khi đo; chỉnh “0” trước khi đo; tiến
hành nhiều phép đo bằng các phương pháp khác nhau; sử dụng phương pháp thế; sử dụng
các bù sai số ngược dấu (cho một lượng hiệu chỉnh với dấu ngược lại); trong trường hợp
sai số hệ thống không đổi thì có thể loại được bằng cách đưa vào một lượng hiệu chỉnh
hay một hệ số hiệu chỉnh.
Lượng hiệu chỉnh là giá trị cùng loại với đại lượng đo được đưa thêm vào kết quả
đo nhằm loại sai số hệ thống.
Hệ số hiệu chỉnh là số được nhân với kết quả đo nhằm loại sai số hệ thống.
• Sai số ngẫu nhiên là thành phần sai số của phép đo thay đổi không theo một quy
luật nào cả mà ngẫu nhiên khi nhắc lại phép đo nhiều lần một đại lượng duy nhất. Giá trị
và dấu của sai số ngẫu nhiên không thể xác định được, vì sai số ngẫu nhiên gây ra do
những nguyên nhân mà tác động của chúng không giống nhau trong mỗi lần đo cũng như
không thể xác định được. Để phát hiện sai số ngẫu nhiên người ta nhắc lại nhiều lần đo
cùng một đại lượng và vì thế để xét ảnh hưởng của nó đến kết quả đo người ta sử dụng
toán học thống kê và lý thuyết xác suất.
b. Sai số của dụng cụ đo
Nguyên nhân gây ra sai số của dụng cụ đo thì có nhiều loại. Có thể đó là những
nguyên nhân do chính phương pháp đo gây ra hoặc 1 nguyên nhân nào đấy có tính quy
luật hoặc cũng có thể là do các yếu tố biến động ngẫu nhiên gây ra. Trên cơ sở đó người
ta phân biệt hai loại sai số là sai số hệ thống và sai số ngẫu nhiên
• Sai số hệ thống: còn gọi là sai số cơ bản, là sai số mà giá trị của nó luôn luôn
không đổi hay thay đổi có quy luật. Sai số này về nguyên tắc có thể loại trừ được.
• Sai số ngẫu nhiên: là sai số mà giá trị của nó thay đổi rất ngẫu nhiên do các biến
động của môi trường bên ngoài (nhiệt độ, áp suất, độ ẩm…). Sai số này còn gọi là sai số
phụ
Tiêu chuẩn đánh giá độ chính xác của dụng cụ đo là cấp chính xác.
Người ta quy định cấp chính xác của dụng cụ đo đúng bằng sai số tương đối quy
đổi của dụng cụ đo đó:
𝛥𝑚
𝛾𝑛 % = 100%
𝑋𝑁
XN: là giá trị cực đại của thang đo
Δm: là sai số tuyệt đố cực đại
c. Sai số của kết quả các phép đo gián tiếp
Khi tính toán các sai số ngẫu nhiên của phép đo gián tiếp cần nhớ rằng đại lượng
cần đo có quan hệ hàm với một hay nhiều đại lượng đo trực tiếp.
Giả sử X là đại lượng cần đo bằng phép đo gián tiếp; Y,V,Z là các đại lượng đo
được bằng phép đo trực tiếp
X = F(Y,V,Z)
5
ΔY, ΔV, ΔZ là các sai số hệ thống tương ứng khi đo Y, V, Z ; ΔX là sai số hệ

thống khi xác định X
TH1: X = aY + bV + cZ
ΔX = a ΔY + bΔV+ cΔZ
TH2:
∆𝐼 𝛥𝑅
Ví dụ: Phương pháp đo điện áp dùng Ôm kế và Ampe kế. Biết = ±3% và =
𝐼 𝑅
𝛥𝑈
±1%. Tính =? %
𝑈
LG
Ta có U = I.R
𝜕𝑈 𝜕𝑈
ΔU = 𝛥𝐼 + 𝛥𝑅 = 𝑅. 𝛥𝐼 + 𝐼. 𝛥𝑅
𝜕𝐼 𝜕𝑅
→
𝛥𝑈 𝑅. 𝛥𝐼 + 𝐼. 𝛥𝑅 𝑅. 𝛥𝐼 + 𝐼. 𝛥𝑅 𝛥𝐼 𝛥𝑅
= = = + = ±(3% + 1%) = ±4%
𝑈 𝑈 𝐼. 𝑅 𝐼 𝑅
1.2. Đặc tính của thiết bị đo

1.2.1. Độ nhạy
Độ nhạy của một dụng cụ đo được tính bằng:
Y
S=
X Y
Nêu nên sự biến thiên của đại lượng đầu ra Y Y=f(X)
so với sự biến thiên nhỏ ở đầu vào X. Y

- Trong trường hợp quan hệ giữa đại lượng ở
đầu ra và đại lượng đầu vào là tuyến tính thì độ nhạy S
= const và được gọi là độ nhạy của thiết bị đo. X
- Trong trường hợp S là hàm của X thì quan hệ
X
là phi tuyến (độ nhạy thay đổi theo giá trị đo).
Như vậy khi nói đến độ nhạy nghĩa là xác định S trong phạm vi nhỏ xung quanh X
thì ta có quan hệ tuyến tính.
- Trong trường hợp thiết bị gồm nhiều khâu thì ta có:
S = S1. S2 ....Sn.
Theo lý thuyết thì xét quan hệ Y, X thì X nhỏ bao nhiêu cũng được nhưng thực tế
cho thấy với X nhỏ đến một giá trị nào đấy (X  ) thì Y không thể xác định được.
Nguyên nhân do ma sát, hiện tượng trễ,.....
6
 : được gọi là ngưỡng nhạy (có thể nói đó là giá trị nhỏ nhất mà thiết bị đo có thể
phân biệt - người quan sát hay góc quay  đủ lớn)
Khả năng phân ly: Y1 Y2
X max − X min D 0
Dm
R= = 
 
H×nh 1.5
1.2.2. Tốc độ đo.

Là thời gian để xác lập kết quả đo. Cho phép đánh giá đại lượng đầu ra Y có theo
kịp về thời gian với sự biến thiên của đại lượng đo không (đại lượng đầu vào X)
Thời gian hồi đáp (tr) là đại lượng được sử dụng để xác định giá trị của độ
nhanh.
1
Tốc độ đo: v= ;
T
T là khoảng thời gian ngắn nhất giữa hai lần đo ổn định.
1.2.3. Độ chính xác.
X
Tiêu chuẩn quan trọng X
0
nhất của thiết bị đo là tính chính xác
của nó:
1X D
t1 t2 wt
A= = N = Y
 X m X
Với thiết bị sai số chủ yếu do Y0
0,9
ngưỡngnhạy thì độ chính xác chính là
khả năng phân ly:
D
A=R= 0,1
 wt
tdmtm tdc tc
1.2.4. Điện trở - công suất tiêu thụ.

a) Điện trở vào: Mỗi dụng dụ đo có điện trở của nó. Điện trở lớn hay nhỏ phụ
thuộc vào tính chất của đối tượng đo. Điện trở vào phải lớn khi mà tín hiệu ra của khâu
trước đó dưới dạng điện áp (nghĩa là dòng nhỏ và công suất tiêu thụ ít nhất). Ví dụ
vônmét phải có RV >> thì càng tốt.
b) Điện trở ra: Xác định công suất có thể truyền tải cho chuyển đổi tiếp theo. Điện
trở ra càng nhỏ thì công suất càng lớn.
7
1.3 Cơ cấu chỉ thị của dụng cụ đo tương tự

1.3.1 Cơ sở chung
Dụng cụ đo cơ điện là loại thiết bị đo sử dụng năng lượng điện từ trường của mạch
đo thành năng lượng cơ học làm quay phần động đi một góc  so với phần tĩnh. Loại
dụng cụ này là dụng cụ đo chuyển đổi thẳng.
X Mạch Y Cơ cấu 
đo đo
Sơ đồ khối dụng cụ cơ điện: hình 1.7

Y = fY(X)
 = f(X)
 = F(X); quan hệ , X là tuyến tính hay phi tuyến tương ứng ta có
thang đo đều hay không đều
Phương trình đặc tính thang đo:
- Mô men quay: Khi có dòng điện qua cơ cấu, trong cơ cấu tích luỹ một năng
lượng điện từ trường We. Năng lượng này biến đổi thành cơ năng làm quay phần động
một góc d. Thực hiện một công cơ học:
dA = Mq.d
Theo định luật bảo toàn năng lượng: dA = dWe
dWe
Suy ra: M q =
d
1
+. Trong tụ: We = C.U 2 - cơ cấu tĩnh điện.
2
1
+. Trong cuộn dây: We = L.I 2 - cơ cấu điện từ.
2
+. Năng lượng hỗ cảm giữa hai cuộn dây: We = M1,2 .I1.I2 - cơ cấu,
điện động
- Mô men cản hình 1.8:
Dưới tác động của Mq, nếu không có gì cản thì phần động sẽ quay đi một góc lớn
nhất có thể, không phụ thuộc mô men quay lớn hay bé. Để xác định quan hệ chặt chẽ
giữa góc quay  và mô men quay Mq ( do đó với đại lượng cần đo X) cần có một mô men
tác động ngược chiều với mô men quay gọi là mô men cản (Mc).
Ta dễ dàng tạo một mô men tỷ lệ với 
M
nhờ lò xo xoắn, dây căng, dây treo: Mq Mc
Mc = D. 
Trong đó:
D - mô men cản riêng của lò xo
(phụ thuộc vào vật liệu, kích thước)
c 
H×nh 1.8
8
- Phương trình đặc tính thang đo:

Dưới tác động đồng thời của mô men quay và mô men cản, phần động của cơ cấu
đo sẽ dừng tại vị trí c khi Mq = Mc. (c là vị trí cân bằng của phần động). Ta có:
dWe
= D.
d
Ta có phương trình đặc tính thang đo:
1 dWe
= .
D d
Phương trình đặc tính thang đo cho biết có thang đo đều hay không đều. Nhưng
không phải trường hợp nào các đường cong Mq cũng có thể biểu diễn dưới dạng giải tích
được. Vì vậy thực tế để xây dựng thang đo một cơ cấu người ta dùng phương pháp đồ thị.
Nội dung phương pháp: Bằng thực Mq X=Xm Mc
nghiệm xây dựng các đường cong mô men quay
X=0,8Xm
Mq = f() với các giá trị X khác nhau. Ví dụ với
cơ cấu điện từ ta xây dựng các đừng cong X=0,6Xm
1;2;3;4 (hình 1.9) với các giá trị X tương ứng
40;60;80 và 100% Xm (Xm - giá trị định mức làm X=0,4Xm
kim lệch toàn thang). Giả sử Xm = I0 = 50mA;

các đường cong Mq cắt đường cong mô men cản 0 c4 c3 c2 c1 
tại các điểm A, B, C, D ta được các vị trí 1, 2, 10 0
30 0
50 0 0
70 90 0
3, 4. ứng với các trị số này các trị số tương Thang đo
0 20 30 40 50 theo đ/vị X
ứng của X là 20, 30, 40, 50mA. Như vậy ta có
thang đo theo đơn vị của đại lượng đầu vào. H×nh 1.9
➢ Nếu Y = fy(X) là tuyến tính thì dạng thang đo X cũng là của Y.

Nghĩa là không cần khắc độ lại mà chỉ thay giá trị X bằng Y theo một hệ số.
➢ Nếu Y = fy(X) là phi tuyến ta phải thực hiện thêm một bước trung
gian; từ quan hệ cho giá trị X tính ra Y. Trên thang đo theo đơn vị X thay bằng trị
số Y ta được thang đo theo đơn vị Y.
- Mô men ổn định hình 1.10:
Dưới tác động của mô men quay phần
động lêch khỏi vị trí 0 tới vị trí cân bằng c ứng M
Mc
với lúc Mq = Mc . Nhưng vì quán tính nên phần
Môđ Môđ
động không dừng ở c mà di chuyển đến vị trí 1
= c + , ở vị trí này mô men tác động lên phần

động:  Mq
Mc - Mq = Môđ
Quá trình ngược lại: 2 = c - ; mô men c2 c c1 
tác động:
Mq - Mc = Môđ H×nh 1.10
9
Mô men ổn định tác động lên phần động để kéo phần động trở về vị trí cân bằng
c. Chiều của mô men ổn định là chiều của mô men có trị số nhỏ hơn.
- Mô men ma sát: (với phần động dùng dây căng, dây treo không xét đến mô men
ma sát). Ta xét cơ cấu trục, trụ. hình 1.11:
+. Khi phần động từ  = 0 đến c do
có ma sát nên không đến được c mà dừng lại Mc + Mms
ở 1 : M
Mc
- Mc + Mq = Mms
Hay: Mq - Mc - Mms = 0 Mms Mms Mc - Mms
+. Quá trình đại lượng đo giảm,

phần động từ max về 0, do ma sát nó dừng ở ms ms
Mq
2 trước khi về c. Phương trình cân bằng:

Mc - Mq = Mms 1 c 2 
Hay: Mc - Mq - Mms = 0
H×nh 1.11
Từ đồ thị hình 1.11 ta có:
ms = c - 1
ms = 2 - c
Theo sự phân tích trên thì Môđ ngược với Mms; Môđ có khuynh hướng kéo
phần động về vị trí cân bằng, còn mô men ma sát có khuynh hướng ngựơc lại. Khi Môđ =
Mms thì kim dừng ở vị trí  nào đó khác c
1.3.2. Những bộ phận, chi tiết chung của cơ cấu chỉ thị cơ điện.
a) Trục và trụ. (Hình 1.12).
Trục quay Trụ quay

Hình 1.12
Trục và trụ là hai bộ phận rất quan trọng của các cơ cấu: nó đảm bảo cho phần
động quay (kim chỉ, lò xo phản, khung quay,...). Chất lượng của chúng quyết định sai số
do ma sát.
- Trục: được làm bằng thép tròn đường kính 0,8 1,5 mm,  = 45  60 0, tận
cùng bán kính 0,05  0,3mm; có độ cứng cao.
- Trụ: Làm bằng đá cứng, mặt trụ được khoét nón lõm có góc đỉnh bằng 80 o
trụ có thể được điều chỉnh lên xuống.
10
b) Lò xo phản kháng.
- Công dụng:
+ Đưa dòng vào khung dây (từ điện, điện động, sắt điện động)
+ Tạo ra mômen cản cân bằng với mômen quay.
Yêu cầu: Để đảm bảo chỉ thị được chính xác mômen cản riêng D của
lò xo phải ổn định ( trị số của nó không thay đổi theo thời gian và
Hình 1.13
nhiệt độ). Để đạt được yêu cầu
trên lò xo thường được chế tạo từ những vật liệu có khả năng đàn hồi lớn.
- Đặc điểm:
+ Có dạng hình xoắn ốc (Hình 1.13)
+ Đầu trong của lò xo gắn với trục quay, đầu ngoài gắn với bộ điều chỉnh O của
kim cố định trên trục quay.
+ Trong một cơ cấu chỉ thị có hai lò xo phản kháng ngược chiều nhau.
c) Kim chỉ thị (Hình 1.14).
Công dụng: chỉ thị góc quay  .
Yêu cầu: Kim phải nhẹ, bền vững, không bị han rỉ
nên được chế tạo bằng nhôm, hợp kim nhôm hoặc có thể làm
bằng thuỷ tinh.
Đặc điểm: Hình dạng của kim phụ thuộc vào cấp
chính xác của dụng cụ đo và khoảng cách để đọc kết quả đo.
Hình 1.14
d) Thang đo.
- Là mặt khắc độ: Trên mặt màu trắng người ta khắc độ màu đen và ngược
lại. Nếu dụng cụ dùng làm việc cả ngày lẫn đêm thì khắc vạch bằng chất phát quang.
- Góc lệch của kim phụ thuộc vị trí đặt, độ chính xác.
- Phía dưới của thang đo luôn luôn đặt một gương để tránh sai số (khi đọc
quan sát kim trùng với bóng của nó).
e) Bộ phận cản dịu.
- Công dụng: Dùng để nhanh chóng chóng
xác lập kết quả đo bằng cách hạn chế sự dao động
của kim xung quay vị trí cân bằng.
- Cấu tạo: Có hai loại cản dịu (Hình
1.15).
+. Cản dịu không khí: gồm một hộp kín
Hình 1.15
có cánh chuyển động liền với trục, khi phần động chuyển động thì cánh chuyển
tạo ra sự chênh lệch ở bên trong về áp suất và nhanh chóng dừng lại.
+. Cản dịu cảm ứng từ: gồm lá nhôm gắn liền phần động có hình quạt di chuyển
trong khe hở của một nam châm vĩnh cửu tạo nên một dòng cảm ứng. Do sự tác động
tương hỗ giữa dòng điện từ trường của nam châm tạo một lực chống lại sự chuyển động
của phần động.
11
1.3.3. Cơ cấu từ điện.

KÝ hiÖu:
a) Cấu tạo.(Hình 1.12)
a b
Hình 1.12
Phần tĩnh: Nam châm vĩnh cửu 1, lõi sắt non 6. Đường sức từ qua khe hở làm việc
hướng tâm tại mọi điểm. Trong khe hở này từ cảm B đều tại mọi điểm
Phần động: Khung quay 5 có lõi nhôm nhẹ và khối lượng rất nhỏ, trên quấn dây
đồng 0,03 0.2mm, toàn bộ khung quay được đặt trên trục quay 3, trục này tì vào trụ 9;
Trên trục quay còn có hai lò xo cản 7 mắc ngược nhau, lò xo cản 7 đồng thời có nhiệm vụ
đưa điện vào khung dây, kim chỉ thị 2 và thang đo 8. Phía sau kim chỉ thị có mang đối
trọng 4 để sao cho trọng tâm của kim chỉ thị nằm trên trục quay hoặc dây treo;
b) Nguyên lý hoạt động.
Khi cho dòng điện chạy qua, khung dây quay dưới tác động của từ trường nam
châm vĩnh cửu, khung quay lệch khỏi vị trí cân bằng một góc d. Mô men quay tạo ra
được tính:
dWe
Mq=
d
Năng lượng điện từ We tỷ lệ với độ lớn của từ thông trong khe hở làm việc  và
dòng điện chạy trong khung dây I:
We = .I
Mà ta có:  = Bsw
Trong đó:
B: độ từ cảm của nam châm vĩnh cửu.
s: diện tích khung dây.
w: số vòng của khung dây.
: góc lệch của khung dây so với vị trí ban đầu.
12
Các giá trị B, s, w là những hằng số (không đổi khi khung dây quay)
d (Ø I) d ( BswI )
Do đó: Mq = = = BswI.
d d
Khi cân bằng:
Mq = Mc.
BswI = D
Bsw
Suy ra: = I : Phương trình đặc tính thang đo cơ cấu từ điện.
D
Ta thấy B, s, w, D là hằng số nên góc lệch  tỷ lệ bậc nhất với dòng điện I.
c) Đặc điểm của cơ cấu chỉ thị từ điện.
- Góc quay  tỷ lệ thuận với dòng điện I nên chỉ sử dụng trong mạch đo một
chiều.
- Góc lệch  tỷ lệ bậc nhất với dòng điện I nên thang đo đều.
1
- Độ nhạy S = Bsw của cơ cấu cao vì có từ trường lớn; Thông thường người ta
D
1
dùng hằng số của dụng cụ C theo dòng hoặc áp. Ví dụ hằng số theo dòng C I = A/mm,
SI
nó cho biết trị số dòng cần thiết qua cơ cấu để kim lệch được một vạch (hoặc 1mm) trên
thang đo.
- Độ chính xác cao vì các phần tử của cơ cấu có độ ổn định cao, ảnh hưởng của từ
trường ngoài không đáng kể, công suất tiêu thụ nhỏ, độ cản dịu tốt.
- Nhược điểm của cơ cấu chỉ thị từ điện ở chỗ chế tạo phức tạp, chịu quá tải kém,
ảnh hưởng của nhiệt độ đến độ chính xác của phép đo.
d) ứng dụng của cơ cấu chỉ thị từ điện.
- Dùng chế tạo Ampermet, vônmet, ômmet nhiều thang đo, dải đo rộng.
- Dùng chế tạo các loại điện kế có độ nhậy cao ( đo dòng 10 -12 A; áp 10 -4V)
- Dùng làm chỉ thị trong các mạch đo các đại lượng đo không điện.
- Dùng để chế tạo ra các dụng cụ đo điện tử tương tự như vônmet điện tử, tần số
kế điện tử…
- Dùng với bộ chỉnh lưu, cặp nhiệt có thể đo giá trị xoay chiều.
1.3.4. Cơ cấu điện từ
KÝ hiÖu:
a) Cấu tạo.
- Loại cuộn dây dẹt:
Phần tĩnh: là một cuộn dây phẳng, bên trong có khe hở không khí là khe hở làm
việc.
Phần động: là một lõi thép (2) được gắn trên trục quay (5). Lõi thép có thể quay tự
do trong khe làm việc của cuộn dây. Bộ phận cản dịu không khí (4) được gắn vào trục
13
quay. Kim 6 và đối trọng 7 cũng được gắn lên trục quay. Kim quay trên bảng khắc độ 8.
Mômen cản được tạo bởi hai lò xo 3 ngược chiều nhau.
- Ngoài ra còn loại cuộn dây tròn (hình 1.13 b)
a)
Hình 1-13 b)
b) Nguyên lý hoạt động.
Khi cho dòng điện I chạy vào cuộn dây, xuất hiện mômen quay được xác định:
dWe
Mq=
d
LI 2
Năng lượng trong cuộn dây: We = .
2
L.I 2
d( )
Do đó: Mq = 2 = 1 dL .I 2
d 2 d
Khi Mq = MC ở vị trí cân bằng:
1 dL 2
.I = D.
2 d
1 dL 2
= .I ; Phương trình đặc tính thang đo cơ cấu điện từ.
2 D d
c) Đặc điểm.
- Góc quay  tỷ lệ với bình phương của dòng điện, tức
là không phụ thuộc vào chiều của dòng điện do vậy cơ
cấu chỉ thị điện từ có thể đo trong mạch xoay chiều và
một chiều. L,I I2 §Æc tÝnh
thang ®o
- Thang đo không đều do đặc tính bậc hai. Đặc tính của
dL/d
dL
thang đo còn phụ thuộc vào tỷ số là một đại lượng
d
phi tuyến. Để làm cho đặc tính thang đo đều thì tỷ số
dL
phải thay đổi theo quy luật ngược với bình phương 
d
của dòng điện, tổng hợp sẽ có đường tuyến tính (hình
1.14). Để đạt được điều này cần phải tính toán mạch từ,
14
kích thước, hình dáng, lõi động và vị trí đặt dây sao cho phù hợp.
- Cản dịu thường bằng không khí, cảm ứng
- Ưu điểm: cấu tạo đơn giản, tin cậy, chịu được quá tải lớn
- Nhược điểm: Công suất tiêu thụ lớn, độ chính xác không cao nhất là khi đo dòng
một chiều sẽ bị sai số do hiện tượng từ trế, từ dư. Độ nhấp nháy thấp bị ảnh hưởng của từ
trường bên ngoài.
d) ứng dụng
- Dùng chế tạo Ampe mét, Vôn mét trong mạch điện xoay chiều tần số công
nghiệp có cấp chính xác 1,0 và 1,5 và các dụng cụ nhiều thang đo ở phòng thí nghiệm
cấp chính xác 0,5 và 1,0. ở tần số cao cần tính toán mạch bù.
1.3.5. Cơ cấu điện động
KÝ hiÖu:
a) Cấu tạo (hình 1-15)

- Phần tĩnh: gồm cuộn dây 1để tạo ra từ trường khi có dòng điện chạy qua (được chia
làm hai cuộn ghép lại có khe hở ở giữa để cho trục quay chui qua đồng thời để tiện lắp
ghép).
- Phần động: gồm khung dây 2 đặt trong

lòng cuộn dây tĩnh. Khung dây 2 được gắn với
trục quay, trên trục còn có lò xo cản, bộ phận
cản dịu và kim chỉ thị. I1
Cả phần động và phần tĩnh được bao kín
bằng màn chắn từ để ngăn chặn ảnh hưởng của
từ trường ngoài. Cản dịu trong cơ cấu chỉ thị
điện động thường dùng loại cảm ứng khi có màn
chắn từ và dùng kiểu không khí khi không có
màn chắn từ bảo vệ I2
b) Nguyên lý làm việc

Khi cho dòng điện chạy vào cuộn tĩnh, trong lòng cuộn dây xuất hiện từ trường.
Từ trường này tác động lên dòng điện chạy trong khung dây động và tạo lên mômen
quay làm phần động quay một góc  .
dw e
Mq = ; We là năng lượng tích luỹ trong các cuộn dây
d
Xét hai trường hợp:
❖ Khi cho dòng điện một chiều I1 vào cuộn dây 1, I2 vào khung dây 2;
Lúc này We có dạng:
1 1
We = L1 I12 + L2I2 2 + M12 I1I2
2 2
Với: L1 , L2 : là điện cảm của các cuộn dây tĩnh và động
15
M1,2 : là hỗ cảm giữa cuộn dây tĩnh và động

I1, I2 : dòng DC trong cuộn tĩnh, động.
Điện cảm L1, L2 = const khi khung dây quay trong cuộn tĩnh nên ta có:
dw e dM12
Mq = = . I1I2
d d
ở vị trí cân bằng Mq = Mc nên:
dM12
I1I2 = D. 
d
1 dM12
Suy ra: = I1 I2
D d
❖ Khi cho dòng điện xoay chiều vào cuộn dây ta có Mômen quay tức
thời là:
dM12
mqt = i1 i2
d
Phần động vì có quán tính mà không kịp thay đổi theo giá trị tức thời nên thực tế
lấy theo trị số trung bình trong một chu kỳ:
1t
Mq =  m qt dt
T0
Nếu i1 = I1msinwt và i2 = I2msin(wt-):
T
1 dM 12
Mq 
T 0
I 1m I 2 m sin wt sin(wt −  )
d
dt
dM12
Do đó: Mq = I1I 2 cos 
d
Khi cân bằng thì: Mq = Mc:
dM12
I1I 2 cos  = D 
d
1 dM12
Suy ra: = .I1 I 2 cos
D d
c) Đặc điểm .
- Cơ cấu chỉ thị điện động có thể dùng trong mạch điện một chiều và xoay chiều
- Góc lệch  phụ thuộc vào tích I1 . I2 nên thang đo không đều. Có thể thay đổi vị
trí cuộn dây để thay đổi dM12/d  theo hàm ngược với I1I2 để đạt được thang đo đều.
- Mô men quay tỷ lệ với dòng hiệu dụng và cos nên có thể sử dụng cơ cấu để chế
tạo Wattmet đo công suất.
- Ưu điểm : cơ bản của cơ cấu này là có độ chính xác cao khi đo trong mạch xoay
chiều (không có vật liệu sắt từ nên không có dòng xoáy).
- Nhược điểm: Công suất tiêu thụ lớn nên dùng trong mạch điện có công suất nhỏ
không thích hợp.
16
- Mq của cơ cấu không lớn vì từ trường của bản thân các cuộn dây sinh ra nhỏ , từ
thông khép kín mạch qua không khí có từ trở lớn nên tổn hao từ nhiều . Do đó cơ cấu
điện động chịu ảnh hưởng của từ trường ngoài. Để đảm bảo cho cơ cấu làm việc tốt phải
có chắn từ.
- Độ nhạy thấp vì mạch từ yếu .
d) ứng dụng
Dùng để chế tạo Ampemet, Vônmet, Oatmet một chiều và xoay chiều có tần số
công nghiệp, các pha kế để đo góc lệch pha hay hệ số công suất cos  .
1.3.6. Cơ cấu chỉ thị cảm ứng
Hình 1.22
KÝ hiÖu:
a) Cấu tạo: Hình 1.22

Gồm 2 phần: phần động và phần tĩnh .
- Phần tĩnh là cuộn dây điện 2 và 3, cấu tạo của chúng làm sao để khi có dòng điện
chạy qua sẽ sinh ra từ trường móc vòng qua mạch từ và qua phần động. Số lượng nam
châm điện ít nhất là 2.
- Phần động là một đĩa kim loại 1(thường có cấu tạo bằng nhôm) gắn vào trục 4 quay
quay trên trụ 5.
Về nguyên tắc cơ cấu này hoạt động dựa trên sự tác động tương hỗ giữa từ trường
xoay chiều và dòng điện xoáy tạo ra trong đĩa phần động do đó cơ cấu này chỉ làm việc ở
mạch xoay chiều. Để chỉ thị số vòng quay của đĩa người ta gắn vào trục của cơ cấu chỉ
thị số cơ khí.
b) Nguyên lý làm việc .
Khi cho các dòng điện I 1 , I 2 vào cuộn dây phần tĩnh sẽ sinh ra các từ thông  1 ,  2 các từ
thông này cũng như dòng điện lệch nhau một góc  (hình 1.22c). Các từ thông  1 ,  2
cắt đĩa nhôm làm xuất hiện trong đĩa nhôm các suất điện động tương ứng E 1 , E 2 lệch pha

với các từ thông một góc
2
17
Các dòng điện xoáy IX1, IX2 được sinh ra trong đĩa nhôm lệch pha với E 1 , E 2 bởi
góc  1 ,  2 vì ngoài điện trở thuần còn có thành phần cảm ứng.
Do sự tác động tương hỗ giữa từ thông  1 ,  2 các dòng điện xoáy Ix1 , Ix2 mà sinh
ra các lực F1, F2 và các mômen quay tương ứng làm quay đĩa nhôm.
Giá trị tức thời của mômen quay Mt do sự tác động tương hỗ giữa  1 t và dòng điện
tức thời ix1 là :
Mt = C.  1 t .ix1
C là hệ số tỷ lệ
Nếu  1 t =  1m sinwt và : ix1 = Ix1m.sin(wt-  );  góc lệch pha giữa  1 t và ix1 thì:
Mt = C.  1m .Ix1msinwt.sin(wt-  )
Vì phần động có quán tính lớn nên ta có mômen là đại lượng trung bình trong một
chu kỳ T:
1T 1 T
M=  t T 1m x1m 0 sin wt.sin(wt − )dt = C.1.I x1.cos 
T0
M dt = C. .I
Để đơn giản ta có thể coi đĩa nhôm chỉ có điện trở thuần do đó các góc:  1 =  2 
 
0 và   . Vậy thì cos  = cos = 0. Do đó: M = 0 tức là mômen sinh ra giữa từ thông
2 2
1 và Ix1 sẽ bằng không.
Ta cũng xét các mômen thành phần như sau:
M11 : mômen sinh ra do 1 tác động lên Ix1
Tương tự cách tính ở trên ta có:

M11 = C11. 1.Ix1 .cos = 0
2

M12 = C12. 1.Ix2 .cos( +) = - C12 . 1.Ix2 .sin
2

M21 = C21. 2.Ix1 .cos( - ) = C21 . 2 .Ix1.sin
2

M22 = C22. 2.Ix2 .cos( )=0
2
Như vậy mômen quay sẽ là tổng các mômen thành phần tức là tổng của M12 và
M21 có dấu ngược nhau. Cũng chính nhờ có sự ngược dấu này mà mômen tổng sẽ kéo đĩa
quay về một phía duy nhất. Nghĩa là mômen quay sẽ là:
Mq = C12. 1.Ix2 sin + C21 . 2.Ix1sin
Nếu dòng điện tạo ra 1 , 2 là hình sin và đĩa đồng nhất( chỉ có điện trở thuần) thì
các dòng điện xoáy sinh ra sẽ tỷ lệ với tần số f và từ thông sinh ra nó.
Tức là: Ix1 = C3 .f. 1 và Ix2 = C4.f. 2
18
Thay vào trên và gộp các hệ số lại với nhau ta có:

Mq = C.f. 1. 2.sin
Trong đó: C = C12 C4 + C21C3 : là hệ số của cơ cấu chỉ thị cảm ứng.
c) Đặc điểm.
- Điều kiện để có mômen quay ít nhất phải có hai từ trường.
- Mômen quay đạt được giá trị cực đại nếu như góc lệch pha giữa hai từ trường đó

là:  = .
2
- Mq phụ thuộc vào tần số của dòng điện tạo ra hai từ trường.
- Cơ cấu chỉ thị cảm ứng chỉ làm việc trong mạch xoay chiều.
Nhược điểm: Mq phụ thuộc vào tần số nên cần phải ổn định tần số.
d) ứng dụng:
Cơ cấu chỉ thị cảm ứng chủ yếu sử dụng để chế tạo công tơ đo năng lượng. Đôi
khi người ta còn sử dụng để đo tần số.
1.3.7. Cơ cấu chỉ thị tĩnh điện

a) Cấu tạo chung: như hình 5.10: có hai hoặc nhiều bản cực, bao gồm các bản cực tĩnh
(bản cực 1 ở hình (a), bản cực 2 ở hình (b)) và ít nhất một bản cực là phần động (bản cực
2 ở hình (a), bản cực 1 ở hình (b)) được gắn với trục quay, kim chỉ thị, lò xo phản
kháng…
Cơ cấu chỉ thị tĩnh điện.

b) Nguyên lý làm việc chung: dựa trên sự tác động lẫn nhau giữa hai hay nhiều vật thể
tích điện. Phần động của cơ cấu là một trong các vật thể đó, sự chuyển dịch của nó gây ra
sự thay đổi năng lượng điện trường tạo bởi các vật thể tích điện.
Khi đặt vào hai bản cực tĩnh và động một điện áp U, giữa chúng sinh ra một điện trường
có năng lượng We được tính:
với C là điện dung giữa các điện cực.

Lực tĩnh điện tác động tương hỗ lên các điện cực tích điện tạo ra mômen quay làm
19
quay điện cực động (phần động).

Mômen quay được tính:
Mômen cản:
Mc = D.α
Ở trạng thái cân bằng Mq = Mc tính được góc quay α của phần động:
c) Các đặc tính chung: từ phương trình (5.2) suy ra các đặc tính cơ bản của cơ cấu chỉ
thị tĩnh điện:
- Góc lệch α tỉ lệ với U2.
- Đặc tính của thang đo không đều và phụ thuộc vào tỉ số dC / d là một đại lượng
phi tuyến .
- Ưu điểm: điện trở vào lớn; điện dung vào thay đổi nhỏ; công suất tiêu thụ nhỏ;
không phụ thuộc hình dáng đường cong tín hiệu đo.
- Nhược điểm: đặc tính thang đo không đều; độ nhạy thấp do điện trường yếu; độ
chính xác không cao; có thể bị đánh thủng giữa các điện cực gây ngắn mạch vì thế cần có
màn bảo vệ.
1.4. Thiết bị chỉ thị số

Có nhiều loại thiết bị hiện số khác nhau như: đèn sợi đốt, đèn điện tích, LED 7
thanh, màn hình tinh thể lỏng LCD, màn hình cảm ứng…
1.4.1. Cơ cấu chỉ thị số bằng đèn khí:
Thường thấy trong những thiết bị
những năm 80. Đèn khí có cấu tạo gồm
anốt là một cái lưới còn catốt là các con số
từ 0-9 và các dấu +,-,V,A… Khi có điện
áp catốt nào thì kí hiệu tương ứng sáng
lên.
Nhược điểm của thiết bị hiện số
bằng đèn khí là điện áp anốt cao (cỡ
200V) do vậy mà độ tin cậy thấp
1.4.2. Cơ cấu chỉ thị bằng LED 7 thanh:

Là loại thiết bị hiện số được sử dụng rất phổ biến vì chúng phù hợp với các vi
mạch TTL và hoạt động tin cậy, giá thành hạ.
Về cấu tạo: gồm có bảy thanh hiển thị kí hiệu từ a-g được sắp xếp như hình 5.21a,
mỗi thanh là một điốt phát quang (LED), tương ứng có các đầu ra để cấp tín hiệu cho
từng điốt, các điốt có thể nối anốt chung hay catốt chung. Khi có tín hiệu cho phép điốt
20
nào hoạt động thì điốt đó sẽ sáng, phối hợp sự sáng tối của các điốt sẽ cho ra các con số:
0-9, các ký hiệu, các ký tự…
Tùy mục đích sử dụng còn có các loại LED 7 thanh có thêm các thanh hiển thị
dấu chấm (.) thập phân, loại có nhiều hơn 7 thanh sắp xếp theo những hình dạng khác
nhau…
Hình 5.21b là một ví dụ về việc nối bộ hiển thị LED 7 thanh với bộ giải mã 7 vạch
- thường là gải mã từ mã BCD sang mã 7 vạch, các bộ giải mã được chế thành các vi
mạch: họ TTL là các vi mạch 7446, 7447; họ CMOS là các vi mạch 4511; các vi mạch
4543SN74247, TIL308…
Điện áp thuận rơi trên mỗi điốt của mỗi thanh khoảng 1,2V và dòng thuận qua
LED tương ứng với độ sáng thích hợp vào khoảng 20mA tùy độ lớn của LED. Nhược
điểm chính của LED 7 thanh là yêu cầu dòng lớn.
1.4.3. Cơ cấu chỉ thị bằng màn hình tinh thể lỏng LCD:
21
Có cấu tạo như hình 5.22. Tinh thể lỏng là một trong các hợp chất hữu cơ có tính
chất quang học. Chúng được đặt thành lớp giữa các tấm kính với các điện cực trong suốt
kết hợp tủa ở mặt trong.
Ở trạng thái bình thường không bị kích hoạt ô tinh thể lỏng trong suốt cho ánh
sáng đi qua nên thanh hiển thị tương ứng trùng với mặt phông. Khi được kích hoạt (bởi
điện áp xoay chiều hình sin hoặc xung vuông tần số khoảng 50-60Hz) ô tinh thể lỏng
phản xạ lại ánh sáng và thanh hiển thị tương ứng sẽ nổi trên mặt phông.
Ưu điểm của thiết bị hiển thị tinh thể lỏng là tiêu thụ dòng rất nhỏ, cả 7 thanh của
hiển thị tinh thể lỏng loại nhỏ chỉ yêu cầu dòng khoảng 80µA.
22
Bài 2
ĐO DÒNG ĐIỆN
2.1 Đo dòng điện một chiều
Nguyên lý đo: cả ba cơ cấu từ điện, điện từ, điện động nói trên đều hoạt động với
dòng DC nên được sử dụng làm chỉ thị của Ampemet DC. Nhưng cần mở rộng thang đo
cho thích hợp.
2.1.1 Mở rộng thang đo: Mạch đo phải có sự mở rộng cho từng loại cơ cấu.
1) Mở rộng cho cơ cấu từ điện.
Dòng điện cho phép qua cơ cấu này thường R0
từ 10  10 A với điện trở của cơ cấu từ 20 
-1 -2
I0
2000. Vì vậy khi sử dụng cơ cấu này để đo các
I = I0 +IS IS Rs
dòng điện có trị số lớn hơn giới hạn này người ta
phải mắc thêm các điện trở Sun Rs song song với
H×nh 2.1
điện trở cơ cấu.
(Hình 2.1)
Dòng điện đo: I = Im + IS
Im : dòng điện qua cơ cấu chỉ thị
IS : dòng điện qua điện trở Sun
Điện trở Sun RS được xác định:
I 0 .R0 R It
Rs = = 0 ; với n =
It − I 0 n − 1 I0
n : hệ số mở rộng thang đo.
It : dòng điện thang đo
I0: dòng điện max của cơ cấu chỉ thị
R0 : nội trở của cơ cấu.
Trên cơ sở các điện trở shun mắc song song với cơ cấu người ta chế tạo các
ampemet nhiều thang đo (hình 2.2):
R0 R0
Rs1 1
R1 R2 R3 B
Rs2 2 SW
C A
Rs3 3
D
Hình 2.2
Để Ampemet có độ chính xác không thay đổi ở các thang cần chế tạo Sun có độ
ổn định và độ chính xác cao hơn độ chính xác của cơ cấu chỉ thị ít nhất một cấp. Các điện
trở shun được chế tạo bằng manganni và chỉnh định rất chính xác. Do đó điện trở Sun
không thay đổi theo nhệt độ, trong khi đó điện trở cơ cấu thay đổi theo nhiệt độ:
R0 = R0o (1 + t)
23
R0 nội trở ở t0C

R0o nội trở ở 00C
 hệ số nhiệt độ của dây quấn trên khung (với đồng  = 0,4 %/ 0C)
Ta có thể tính sai số do nhiệt độ của ampemet từ điện:
I .RA I .RAt I .RS I .RS
I0 = I0o – I0t = − = −
R0 o R0 R0 o + RS R0 + RS
Thay R0 = R0o (1 + t) ta có:
I .RS R0o . .t
I0 = .
( R0o + RS )  R0o (1 +  t ) + RS 
Sai số do nhiệt độ của ampemet:
I 0 I .RS R0o . .t R (1 +  t ) + RS R . .t
t %= 100 = . . 0o 100  0o 100   t.100
I0 ( R0o + RS )  R0o (1 +  t ) + RS  I .RS R0o
I : dòng qua ampemet
RA : điện trở ampemet ở 00C
RAt : điện trở ampemet ở t0C
RS : điện trở Sun của ampemet ứng với dòng I
ở những dụng cụ chính xác cao sai số t Rt R0
thường lớn hơn sai số cơ cấu. Để khắc phục
I0
người ta loại trừ hoặc giảm do nhiệt độ. Người
ta mắc thêm nhiệt điện trở RT nối tiếp với điện I = I0 +IS IS Rs
trở cơ cấu (Hình 2.3).
H×nh 2.3
2) Mở rộng cho cơ cấu điện từ (Hình 2.4)
Thay đổi số vòng dây quấn cho cuộn dây tĩnh với số sức từ động không đổi:
F =I1.w1= I2.w2 =... =In .wn.
a) b)
Hình 2.4
Mỗi cơ cấu điện từ được chế tạo với số ampe vòng nhất định (ví dụ: cuộn dây tròn có
số ampe vòng I.w = 200A.vòng, cuộn dây dẹt có I.w = 100  150A.vòng).
Hình 2.4a đo dòng điện nhỏ I, hình 2.4b đo dòng điện bằng hai lần dòng điện đo ở
hình 2.4a là 2I.
3) Mở rộng cho cơ cấu điện động.
Ampemet điện động thường đo ở dòng điện tần số cao hơn tần số công nghiệp
(400  2000Hz). Độ chính xác cao (0,2; 0,5). Có hai loại mạch Ampemet:
- Khi dòng I  0,5A cuộn động và cuộn tĩnh mắc nối tiếp. Khi dòng I  0,5A cuộn
động và cuộn tĩnh mắc mắc song song với nhau (Hình 2.5):
A: Cuộn tĩnh; B: Cuộn động.
24
A A
B B
a) M¾c nèi tiÕp b) M¾c song song

H×nh 2.5
- Hoặc mắc điện trở Sun song Cuén ®éng
song với cuộn động (tương tự cơ cấu
R :®iÖn trë bï nhÞªt
từ điện), còn cuộn tĩnh mắc nối tiếp
với cuộn động. Cách tính điện trở Sun Cuén tÜnh
tương tự như Ampemet từ điện (Hình Rs
bên).
2.2 Đo dòng xoay chiều.
Nguyên lý đo: Cơ cấu điện từ, điện động đều hoạt động được với dòng xoay
chiều. Do đó có thể dùng trực tiếp cơ cấu này hoặc mở rộng thang đo như đã nói ở trên.
Riêng đối với cơ cấu từ điện cần biến đổi dòng AC thành đòng DC. Cơ cấu từ điện chính
xác và được sử dụng nhiều trong phần lớn các Ampemet (đồng hồ vạn năng Multimeter –
V.O.M)
2.2.1 Ampemet từ điện đo dòng AC
1) Ampemet chỉnh lưu.
a/ Chỉnh lưu nửa chu kỳ (Hình 2.6).
Trị trung bình của dòng điện chỉnh lưu: iAC D1 R0 + -
T
1
I*cltb =  icl dt  I 0 Icl
T0
Giả sử ta có dòng điện AC: iAC = Imax Sinwt; + +
Khi đó: icl = Imax Sinwt với: 0  t  T/2 H×nh 2.6
icl = 0 với: T/2  t  T

Vậy: Icltb = 0,318. Imax = 0,318. 2 .Ihd (tín hiệu Sin)
(Trường hợp dòng AC có dạng bất kỳ thì Icltb có trị số phụ thuộc vào dạng và tần số của
tín hiệu).
b/ Chỉnh lưu hai nửa chu kỳ (Hình 2.7).
Trị chỉnh lưu trung bình của dòng điện: Icl
T
2 D1 D3 + +
I*cltb =  icl dt  I 0
T0 R 0
Giả sử ta có dòng điện AC: iAC = Imax Sinwt;
Khi đó:
D2 D4
Icltb = 2.0,318. Imax = 0,636.Imax = 0
,636. 2 .Ihd
H×nh 2.7
25
c/ Mở rộng thang đo: Dùng điện trở sun cho diode và cơ cấu từ điện. Diode mắc
nối tiếp cơ cấu từ điện, do đó có dòng Icltb qua cơ cấu, còn dòng AC qua điện trở sun
(Hình 2.8)
iAC D1 R0 + - Icl
D1 D3
is Icl
R0
Is
RS
D2 D4
Hình 2.8
Như vậy với cách bố trí sơ đồ chỉnh lưu như vậy, các ampemet sẽ chỉ giá trrị trung
bình của dòng xoay chiều, nhưng thông thường các dụng cụ điện từ, điện động, ... đo
dòng xoay chiều được khắc độ theo giá trị hiệu dụng. Vì vậy để thống nhất về khắc độ
các dụng cụ đo dòng xoay chiều, các ampe điện từ dùng chỉnh lưu phải khắc độ theo trị
hiệu dụng.
Cách biến đổi để khắc độ ampe chỉnh lưu theo trị hiệu dụng:
Mômen quay tức thời:
Mt = B.S.W.i ; i = ImaxSin wt
Mô men quay trung bình trong một chu kỳ:
T T
1 1
Mtb =  M t dt = B.S .W .  I max Sinwtdt = B.S .W .I cltb
T0 T0
B.S .W
= I cltb
D
B.S .W I B.S .W I I
Biến đổi: = I cltb . = . ; = kd : hệ số hình dáng của dòng điện
D I D I I cltb
I cltb
B.S .W
Do đó: = I (nếu dòng điện có dạng sin thì k d = 1,11)
D.kd
Nhận xét:
- Ampemet chỉnh lưu có độ nhạy cao, tiêu thụ công suất nhỏ, làm việc ở tần số cao
(dùng ở tần số 500 2000Hz); nếu tần số tăng cao hơn ( có thể đến 50kHz) thì hệ số
chỉnh lưu giảm do ảnh hưởng của điện dung giữa hai tiếp giáp của diod nên để có
ampemet chính xác cần có mạch bù tần số.
- Các Ampemet chỉnh lưu có độ chính xác không cao do hệ số chỉnh lưu thay đổi
theo nhiệt độ (do điện trở thuận ngược của diod thay đổi không giống nhau: nhiệt độ tăng
thì điện trở ngược giảm nhiều hơn so với điện trở thuận dẫn đến hệ số chỉnh lưu sẽ giảm).
Mạch bù như hình 2.9:
26
R cu C
Rcu
L
IAC RS
IAC Rcu RS
a) b)
Hình 2.9
Nếu cần đo dòng nhỏ (bằng hoặc nhỏ hơn dòng qua cơ cấu chỉ thị) thì mắc mạch
chỉnh lưu nối tiếp với cơ cấu chỉ thị và mắc trực tiếp vào mạch đo, không cần sun.
Trường hợp cần đo dòng lớn hơn dòng qua cơ cấu chỉ thị mắc cơ cấu song song với sun.
ở đây sun vừa để mở rộng giới hạn đo vừa để bù sai số do tần số và nhiệt độ.
Trong hình a: RCu dùng để bù nhiệt độ còn L dùng để bù tần số
Trong hình b: C để bù sai số do tần số
2) Dùng biến đổi nhiệt điện.

Ampemét nhiệt điện cũng là ampemét chỉnh lưu vì nhờ 3
cặp nhiệt ngẫu đã biến dòng điện xoay chiều thành dòng điện
một chiều, cấu tạo như hình 2.10:
I® 2
1. Sợi dây được dốt nóng nhờ dòng điện Ix
2. Cặp nhiệt ngẫu 1
3. Chỉ thị từ điện để đo sức điện động nhiệt điện H×nh 2.10
Nguyên lý làm việc của Ampemét nhiệt điện như sau:

Khi có dòng xoay chiều Id chạy qua sợi dây dẫn, dây dẫn bị đốt nóng. Nhiệt độ của
dây  o = k0 I d 2 ( k 0 là hằng số phụ thuộc nhiệt dung dây dẫn) nhiệt độ này làm nóng đầu
công tác của cặp nhiệt ngẫu, ở đầu tự do của nó sẽ xuất hiện suất điện động:
Et = k1 0 = k1k0 I d2 = k2 I d2
( k1 là hằng số phụ thuộc vật liệu và một số tính năng của loại cặp nhiệt ngẫu)
Hai đầu tự do của cặp nhiệt ngẫu được nối với nhau thông qua cơ cấu chỉ thị từ
điện, trong cơ cấu này có dòng điện đi qua và kim sẽ lệch đi một góc 
BSW BSW Et
= Im = 
D D R0 + Rn
Im: dòng điện đi qua cơ cấu
Rn: điện trở cặp nhiệt ngẫu
Ro: điện trở cơ cấu chỉ thị
BSW k2 I d2
Từ đó ta suy ra:  =  = KI d2
D R0 + Rn
27
Để tăng sức điện động nhiệt Et dễ dàng nhận biết kết quả đo bằng chỉ thị từ điện
người ta thường mắc nối tiếp các cặp nhiệt ngẫu với nhau hoặc thông qua một bộ khuếch
đại một chiều.
Ampemét nhiệt điện có sai số lớn, khả năng quá tải kém, công suất tổn hao lớn
Ưu điểm cơ bản của nó là cho phéo đo dòng điện ở tần số cao, giải tần làm việc
rộng (từ một chiều đến hàng trăm MHz)
2.3 Đo dòng điện nhỏ

Tức là đo dòng điện Id  I0 , để đo được dòng này cần phải có các thiết bị có độ
nhạy cao. Ta thường gặp các dụng cụ đo dòng nhỏ như: điện kế cơ điện, điện lượng kế,
các dụng cụ điện tử mà thành phần cơ bản là các là các bộ khuếch đại một chiều, xoau
chiều, chỉnh lưu… kết hợp với chỉ thị từ điện
2.4 Đo dòng điện lớn

2.4.1 Đo dòng một chiều lớn.
1) Ghép song song các sun (Hình 2.11).
R1
I1
...
I® Ii Ri
In
...
Rn
r1 ri rn r’n r’i r’1
U0
0 H×nh 2.11 0'
Id = I1+ I2 +... + Ii + ...+ In

Với:
I1; I2; ... dòng định mức ghi trên các sun
R1 ; R2 ; ... điện trở sun tương ứng
r1; r2;... được mắc tương ứng với R1; R2; ...trong mạch áp theo quan hệ:
r1 r r
= 2 = ... i sao cho dòng qua các r i; ri, rất nhỏ so với dòng qua
R1 R2 Ri
sun
28
U0 : điện áp rơi trên các sun

Bằng phương pháp gián tiếp ta đo được dòng cần đo:
n
1
Id = U0 
i =1 Ri
2) Đo từ trường sinh ra quanh dây dẫn (Hình 2.12)
1. Mạch từ hình xuyến 1
2
2. Dây dẫn có dòng Iđ chạy qua.
3. Khe hở không khí d S Id
Ta có:
3
 F I .W
B= ;= = d
S Rt Rt H×nh 2.12
B : từ cảm
 : từ thông
S : tiết diện mà từ thông xuyên qua
F : lực từ
Rt : từ trở mạch từ
Id : dòng điện trong cuộn dây tạo lực từ
W : số vòng dây quấn trên mạch từ
d
Rt =
 0 .S
d : khoảng cách giữa hai cực của mạch từ hở (khe hở không khí)
0 : hệ số từ thẩm của không khí.
S : tiết diện của cực từ
Nếu W =1 thì ta có:

B = 0 Id
d.
Khe hở không khí nhất định nên: 0 = const; d = const
Ta đo B (bằng thiết bị đo hoặc chuyển đổi Hall) rồi suy ra Iđ.
3) Dùng biến dòng một chiều (Hình 2.13)
Biến dòng một chiều id W1 W1
dựa trên cơ sở bộ điều chế từ idW1 idW1
tức là dựa trên sự ảnh hưởng I II
của từ trường DC trên lõi sắt từ W2 W2
i2W2 i2W2
mà lõi đó được kích thích bởi
dòng AC.
Biến dòng một chiều i2
gồm hai lõi hình xuyến I và II A U2
làm bằng vật liệu sắt từ có hệ
số thẩm từ lớn. Trên đó quấn
hai cuộn dây W1 và W2 , cuộn H×nh 2.13
29
W2 quấn trên lõi xuyến II ngược chiều với W2 quấn trên lõi xuyến I.
W1 mắc vào mạch một chiều có dòng Id cần đo chạy qua; W2 mức vào mạch xoay
chiều U2.Nguyên lý làm việc như sau:
Dòng Id chạy trong W1 tạo ra sức từ động IdW1 trong cả hai lõi I và II theo chiều
như hình vẽ. Dòng i2 chạy trong W2 tạo ra trong hai xuyến I và II sức từ động i2W2 (có
chiều như hình vẽ nửa chu kỳ đầu). Cường độ từ trường trong hai lõi được xác định theo
định luật dòng toàn phần:
H1 = F1 /l
H2 = F2 /l
F1 ; F2 : sức từ động tổng trong từng lõi xuyến
l : chiều dài trung bình của lõi xuyến
Trong lõi I; sức từ động do hai cuộn sinh ra ngược nhau:
I d .W1 − i2 .W2
H1 =
l
Trong lõi II; sức từ động do hai cuộn sinh ra cùng chiều:
I d .W1 + i2 .W2
H2 =
l
I d .W1
Giả sử i2 biến thiên dạng sin nên khi i2 = 0 thì: H = H1 = H2 =
l
Dựa vào mối quan hệ giữa H và B; giữa H và  để xét sự tác dụng của i2 trong lõi
xuyến và ảnh hưởng của Id; tìm mối quan hệ giữa Id và i2.
Xét nửa chu kỳ dương:
Dòng i2 tăng, H2 tăng, H1 giảm . Do mối quan hệ H và  (hình vẽ) nên khi H2 tăng
trong một phạm vi nào đó thì  sẽ là hằng (trong lõi II). Trong khi đó H1 sẽ giảm đến H0
(H0  0 tức Id W1  i2 W2)
ở phạm vi này  tăng rất nhanh làm cho điện cảm L2 của cuộn W2 (trong lõi I)
cũng tăng:
W 2 2 0 SW 2 2
L2= =
Rt l
L2 thay đổi làm xuất hiện sức điện động Ec trong cuộn dây:
dL2
Ec = −i2 ; có hướng ngược với U2 nên i2 không
dt
tăng được, chỉ thoả mãn điều kiện:
W1
IdW1  i2 W2  i2 = Id
W2
Từ đây ta thấy rằng dùng Ampemet đo dòng i 2 sẽ suy ra được Id
W1
Giống như biến dòng xoay chiều: tỷ số là hệ số biến dòng một chiều
W2
Ưu điểm của phương pháp dùng biến dòng một chiều là đảm bảo an toàn cho
người sử dụng và thay đổi thang đo dễ dàng bằng cách thay đổi số lượng vòng dây. Ngày
30
nay người ta chế tạo được biến dòng một chiều với dòng định mức từ 15  70kA, cấp
chính xác 0,5
2.4.2 Đo dòng điện xoay chiều lớn.
Đo bằng phương pháp kết hợp biến dòng AC
với các Ampemét. Trong các Ampemét điện từ, sức từ Zt
i1 W1
động tối đa F = I.W là 200 Ampe-vòng. Nếu số dây là
một thì có thể đo được dòng tối đa là 200A. Muốn đo
dòng lớn hơn 200A ta phải dùng các Ampemét điện từ,
điện động kết hợp với biến dòng. W2
Biến dòng thường có lõi hình xuyến bằng thép
kỹ thuật điện, trên đó có quấn hai cuộn dây, sơ cấp W1
i2
và thứ cấp W2 như hình… A
Thông thường dòng sơ cấp I1 lớn nên số
H×nh 2.14
lượng
vòng dây W1 ít hơn số vòng dây W2. Biến dòng làm việc ở chế độ ngắn mạch vì RA nhỏ,
ta có:
I1W1 = I2W2
I1 W2
= = k I ; hệ số biến dòng
I 2 W1
Người ta chế tạo sẵn các biến dòng có dòng thứ cấp I2 định mức và hệ số biến
dòng thay đổi phụ thuộc vào dòng sơ cấp I1 với các thang biến dòng nhất định.
V dụ: I2 = 5A còn I1 có thể là: 15A; 30A; 100A; 150A; 200A; 400A; 500A; 600A.
ứng với mỗi dòng I1 sẽ có kI nhất định. Việc kết hợp biến dòng và Ampemet xoay
chiều phải chọn phù hợp thang đo với dòng thứ cấp I2 của biến dòng.
Ví dụ:
I2đm = 5A thì chọn Ampemet có Iđm = 5A. Mắc biến dòng và Ampemet như hình b
sau đó đọc kết quả trên Ampemét được I2 ,ta có dòng cần đo:
I1 = kII2
2.5 Ampemet điện tử đo dòng AC - DC.

2.5.1 Đo dòng DC
Nguyên lý đo là chuyển dòng đo Iđ thành điện
áp đo bằng cách cho dòng đo đi qua điện trở RS +
I®o I0
như hình 2.15. -
R0
U®
2.5.2 Đo dòng AC
Nguyên lý đo: ta chuyển dòng AC thành RS
điện áp AC qua RS như đo dòng DC; Sau đó huyển R1
điện áp AC thành điện áp DC bằng những phương I®o
pháp đã biết.
H×nh 2.15
31
2.6 ảnh hưởng của Ampemet đến mạch đo.

Ta thấy mỗi Ampemet đều có nội trở riêng của nó và có thể thay đổi theo mỗi
thang đo. Do đó thang đo càng lớn nội trở ampe RA càng nhỏ. Khi mắc nối tiếp với điện
trở tải cần đo dòng thì sẽ ảnh hưởng đến mạch đo.
Khi không có đồng hồ Ampe:
I = U/Rt
Khi mắc ampemet có nội trở RA vào mạch:
Iđ = U/(Rt +RA)
Id − I R
Sai số của ampemet:  % = .100% = − A .100%
Id R1
32
Bài 3.
ĐO ĐIỆN ÁP
3.1 Đo điện áp dùng dụng cụ đo tương tự
3.1.1 Đo điện áp một chiều
Nguyên lý đo: Điện áp được chuyển thành dòng điện đo đi qua cơ cấu chỉ thị hình
3.1. Nếu cơ cấu chỉ thị có I0 và điện trở nối tiếp thì:
Ud
Id =  I0 I0 RP
RP + R0
R0
R0: nội trở của cơ cấu
Ud
ZV = RP + R0 :Tổng trở của vôn kế
Với vôn mét từ điện:
Cơ cấu từ điện được chế tạo có điện áp định mức
khoảng 50  75mV. Muốn chế tạo các Vônmét đo điện áp có H×nh 3.1
trị số lớn hơn phạm vi này, phải nối nối tiếp với cơ cấu các điện trở phụ bằng manganin
(không thay đổi theo nhiệt độ).
Tính điện trở phụ RP phù hợp với điện áp cần đo Ud :
U0 Ud U 
I0 = = ; nên R p = R0  d − 1
R0 R0 + Rp U0 
Hay: RP = R0( m - 1)
Ud
Với m là hệ số mở rộng thang đo: m =
U0
Phương pháp mở rộng thang đo: Bằng cách trên để tạo thành Vônmét có nhiều
thang đo ta nối nối tiếp nhiều điện trở phụ với cơ cấu (hình 3.2; hình 3.3):
R1 R0 R1 R2 R3
1
R0 R2 2 SW 2
R3 1 3
3
SW
U
U
H×nh 3.3
H×nh 3.2
Với vôn mét điện từ, điện động: cũng bằng cách nối thêm điện trở phụ RP để hạn
chế dòng qua cơ cấu theo biểu thức trên. Riêng đối với cơ cấu điện động thì cuộn tĩnh
được nối tiếp với cuộn động (hình 3.4).
RP
Cuén tÜnh Cuén ®éng
H×nh 3.4
33
3.1.2 Đo điện áp xoay chiều

Nguyên lý đo: Đối với cơ cấu điện từ, điện động dùng làm vôn mét AC phải nối
điện trở nối tiếp như trong vôn mét DC vì hai cơ cấu này hoạt động với trị hiệu dụng của
dòng xoay chiều. Đối với cơ cấu từ điện thì phải chỉnh lưu hoặc biến đổi nhiệt.
1. Vônmét điện từ.
Được dùng để đo điện áp xoay chiều tần số công nghiệp. Vì yêu cầu điện trở trong
của Vônmét lớn nên dòng điện chạy trong cuộn dây nhỏ. Số lượng vòng dây trên cuộn
tĩnh là rất lớn khoảng 1000 đến 6000 vòng. Để mở rộng và tạo ra Vônmét nhiều thang đo
người ta mắc nối tiếp với cuộn dây các điện trở phụ (giống Vônmét từ điện).
Khi đo điện áp xoay chiều ở miền tần số cao hơn tần số công nghiệp sẽ xuất hiện
sai số do tần số. Để khắc phục sai số này người ta mắc các tụ điện song song với các điện
trở phụ (hình 3.5):
C
R0 R1 R2 R3
2
1 3
SW
U
H×nh 3.5
2. Vônmét điện động.

Cấu tạo của Vônmét điện động số vòng dây cuộn tĩnh lớn, tiết diện dây nhỏ. Cuộn
tĩnh A và cuộn động B luôn luôn nối nối tiếp với nhau, tức:
U
I1 = I 2 = I =
ZV
Phương trình đặc tính thang đo của cơ cấu điện động:
dM1,2
 = I1.I 2 .cos
D.d
Nên có thể viết phương trình đặc tính thang đo của cơ cấu cho vôn mét:
U 2 dM 1,2
= cos
D.ZV .d
2
Có thể tạo ra vônmét điện động nhiều thang đo bằng cách thay đổi cách mắc nối
tiếp hoặc song song hai phân đoạn của cuộn tĩnh A1 và A2 với nhau. Ví dụ loại 2 thang đo
(Hình 3.6).
34
A1
150V 1 1 1 C C
2 2 2
SW 300V SW SW
A2 RP RP
B
H×nh 3.6
Khi khoá SW ở vị trí 1 tức là hai phân đoạn A1, A2 nối song song với nhau ta có
giới hạn đo 150V; Khi khoá SW ở vị trí 2 tức là hai phân đoạn A1 , A2 nối nối tiếp với
nhau có giới hạn đo 300V. Tụ C tạo mạch bù tần số cho Vôn mét.
3. Vônmét từ điện
a) Chỉnh lưu nửa chu kỳ.
Cách xác định điện trở nối tiếp cho cơ cấu từ điện:
Mạch đo hình 3.7: Diod D1 chỉnh lưu dòng điện D1
xoay chiều i = ImaxSin wt ở bán kỳ dương R1 Im
Diod D2 bảo vệ cho diod D1 và cơ cấu khi điện áp
R0
ngược lớn. D2
+
R1 điện trở nối tiếp ở thang đo điện áp UAC được
xác định: -
UAC (RMS) = (R1 + R0)Ihd + UD (RMS)
UP
Mà: Icltb = I0 = 0,318Imax = 0,318 2 Ihd URMS
+ + Ucltb
Nên ta có:
U AC ( RMS ) − U D ( RMS )
R1 + R0 =
I 0 / 0,318. 2 H×nh 3.7
b) Chỉnh lưu hai nửa chu kỳ (Hình 3.8)

R1 điện trở nối tiếp ở thang đo điện áp UAC D1 D3
được xác định: R1 R0
UAC (RMS) = (R1 + R0)Ihd + 2UD (RMS) Im
Mà: Icltb = I0 = 0,636Imax = 0,636 2 Ihd +
Nên ta có: D2 D4 -
U ( RMS ) − 2U D ( RMS )
R1 + R0 = AC UP
I 0 / 0, 636. 2 + URMS
+ + Ucltb
H×nh 3.8
Nhận xét:
35
- Cùng một cơ cấu (từ điện) tổng trở vào của vôn mét AC sẽ nhỏ hơn tổng trở vào
của vôn mét DC.
- Khuyết điểm của vônmét AC chỉnh lưu là phụ thuộc vào dạng tín hiệu và tần số
cao có ảnh hưởng tới tổng trở và điện dung ký sinh của diod.
- Để khắc phục sự ảnh hưởng của dạng và tần số của tín hiệu đo AC ta dùng vôn
mét có bộ biến đổi nhiệt điện (hình 3.9).
R3 R2 R1
U3
+ R0
SW U2
- +
uAC U1
-
H×nh 3.9
3.1.3 Đo điện áp bằng phương pháp so sánh
a) Cơ sở của phương pháp so sánh.
Các dụng cụ đo ở trên sử dụng cơ cấu cơ điện CT
để hiển thị kết quả đo (dụng cụ đọc thẳng), vì vậy I
cấp chính xác không thể vượt quá cấp chính xác của
U D
cơ cấu. Rk Ud
Uk
Muốn đo điện áp chính xác hơn phải dùng
phương pháp so sánh với mẫu (tức là so sánh với
điện áp cần đo với điện áp rơi trên điện trở mẫu).
H×nh 3.10
Phương pháp này còn gọi là phương pháp bù.
Nguyên lý cơ bản của phương pháp này được mô tả trên hình 3.10: Uk = I.Rk
Uk là điện áp mẫu chính xác cao được tạo bởi dòng điện I ổn định chạy qua điện
trở mẫu Rk khá chính xác.
CT là thiết bị tự động phát hiện sự chêng lệch điện áp U = Ud – Uk gọi là cơ cấu
chỉ không. Khi đo ngưới ta so sánh Ud và Uk, nếu kim chỉ khác không thì điều chỉnh con
trượt D của biến trở Rk sao cho kim chỉ không thì đọc kết quả trên biến trở Rk đã khắc độ
theo thứ nguyên của điện áp.
Có nhiều loại dụng cụ bù điện áp khác nhau nhưng nguyên lý chung giống nhau,
chỉ khác nhau ở cách tạo điện áp mẫu Uk.
b) Điện thế kế một chiều điện trở lớn
Được chế tạo trên cơ sở giữ nguyên dòng điện ổn định, thay đổi điện trở Rk để
thay đổi điện áp Uk bù với điện áp Ud cần đo. Để phép đo này đảm bảo độ chính xác cao
thì cần phải đảm bảo các điều kiện sau.
- Điện trở mẫu chính xác cao (do vật liệu, quy trình công nghệ, thiết bị mẫu
quyết định).
- Dòng điện qua điện trở mẫu chính xác cao (mạch hợp lý và nguồn ổn định)
- Chỉ thị cân bằng đủ nhạy để phát hiện sự chênh lệch giữa tín hiệu đo và mẫu
36
Mạch điện thế kế DC cổ điển (Hình 3.11).

Gồm hai bộ phận: Ud
Bộ phận tạo dòng công tác IP gồm: nguồn
cung cấp U0 , điện trở điều chỉnh, Ampemet và điện
trở mẫu Rk. Uk
Bộ phận mạch đo gồm: Điện áp cần đo Ud, Rk
điện kế chỉ sự cần bằng và một phần điện trở mẫu A R®/c
Đầu tiên phải xác định dòng công tác IP nhờ nguồn U 0
U0 , điện trở điều chỉnh và Ampemét. Giữ giá trị IP

cố định trong suốt thời gian đo, điều chỉnh con H×nh 3.11
trượt
của điện trở Rk đến khi điện kế chỉ không, đọc kết quả đo trên điện trở mẫu.Khi đó:
Ud = Uk = IP .Rk
Trong điện thế kế này còn tồn tại Ampemet, vậy độ chính xác không thể vượt quá
độ chính xác của Ampemet.
Để loại Ampemet ra khỏi mạch của điện thế kế người ta dùng pin mẫu để xác định
dòng công tác với sơ đồ như hình 3.12. Sơ đồ gồm hai mạch: tạo dòng công tác IP và
mạch đo.
- Nối điện kế G vào hai đầu 1–1, để xác định G
dòng công tác, điều chỉnh Rđ/c để điện kế G chỉ
Ed 2 1 EN
không, tức là: 2
1
E
EN = URn = IP .Rn  I P = N
Rn Uk
- Sau đó không thay đổi Rđ/c, đưa điện kế G sang Ip Rk Rn
2–2 để đo sức điện động Ed điều chỉnh con trượt Rk cho
U0 R®/c
đến điện kế chỉ không. Lúc đó:
EN
Ed = URk = Uk = IP .Rk = .R k
Rn H×nh 3.12
Giá trị pin mẫu phụ thuộc vào nhiệt độ được tính theo công thức sau:
ENt = EN 20 oC – 40.10 -6(t - 20) – 10-6(t - 20)2
Trong đó:
En20o C: là giá trị của pin mẫu ở nhiệt độ chuẩn 20 oC, thường En 20oC = 1,0186V;
có độ chính xác khá cao 0,001%  0,01%.
t: là nhiệt độ nơi sử dụng điện kế.
Vì vậy khi sử dụng điện thế kế, trước tiên phải tính giá trị EN theo nhiệt độ nơi đặt
điện thế kế và đặt pin mẫu đúng giá trị đã định.
Pin mẫu có giá trị không tròn, nên khi tính có sai số đáng kể. Để khắc phục người
ta cần làm tròn dòng công tác, do đó người ta mắc thêm vào một điện trở Rđ/ch
Các bước thực hiện đo điện áp và sử dụng điện thế kế để đo các đại lượng điện
khác:
Bước 1: Điều chỉnh dòng công tác
37
- Mắc dụng cụ mạch điện thế kế theo đúng sơ đồ, nguồn cung cấp, pin mẫu và
điện kế.
- Tính toán giá trị pin mẫu và đặt đúng giá trị pin mẫu đã tính vào điện thế kế.
- Đặt hai đầu đo của điện kế ở vị trí 1-1, điều chỉnh điện trở Rđ/c cho đến khi
điện kế chỉ zero.
Bước 2: Tiến hành đo
- Đặt hai đầu đo của điện kế sang vị trí 2-2, giữ nguyên Rđ/c, điều chỉnh con
trượt của Rk cho đến khi điện kế chỉ không, ta sẽ có:
Ex = IP.Rk
Chú ý:
- Trường hợp đo điện áp nhỏ, rất nhỏ sẽ có sai số do tiếp xúc. Nên cần sử dụng
điện thế kế một chiều điện trở nhỏ.
- Muốn đo điện áp lớn cần dùng mạch phân áp và điện thế kế một chiều điện
trở lớn.
- Điện thế kế được chế tạo với độ chính xác cao hơn các dụng cụ đo cơ điện. Vì
các đại lượng mẫu được chế tạo chính xác, điện kế tin cậy.
c) Điện thế kế một chiều điện trở nhỏ.
Nguyên tắc chế tạo: giữ
nguyên điện trở mẫu RK; thay đổi In Ii I1 Uk
dòng công tác IP qua RK để thay đổi Rk U®
UK = IP .RK bù lại với địên áp cần đo
Ud: hình 3.13
H×nh 3.13
3.1.4 Đo điện áp DC bằng phương pháp biến trở
Mạch đo hình 3.14; trong đó:
E1: nguồn cung cấp cho mạch đo. E1 R1
E2: nguồn chuẩn. I
R1: biến trở điều chỉnh dòng I. V¹ch ®o
R2: nội trở của nguồn chuẩn
B
G : điện kế từ điện. A
Biến trở AB là biến trở đo lường C
Khoá SW có hai vị trí dùng để chuẩn E2
R2 1 G
cho máy đo và đo đại lượng Uđ. Dòng
trong mạch cần đo: SW
E1 2
I= U®
K1 R1 + R AB
H×nh 3.14
0 ≤ K1 ≤ 1: phụ thuộc vào vị trí con chạy.
38
Điện kế G dùng để xác định sự cân bằng của mạch đo. Dòng I được giữ không đổi
(đã được định sẵn). Do đó trước khi đóng, khoá SW ở vị trí 1. Nguồn chuẩn E2 được đưa
vào so sánh với UBC
Tại vị trí con chạy C, điện kế G chỉ "0" hay: E2 = UBC = RBC. I → dòng I được xác
định.
Nếu G chỉ khác "0" thì dòng I định trước đã thay đổi. Khi đó điều chỉnh R1 để G
chỉ "0"; nghĩa là K1 thay đổi, dòng I có trị số như cũ (vì E1 thay đổi do nguồn pin yếu
hoặc mạnh quá quy định.
Sau đó khoá SW được chuyển sang vị trí 2 là điện áp cần đo Uđ được so sánh với
UBC; tiếp tục điều chỉnh con chạy C cho đến khi G chỉ không:
U'BC = R'BC. I
Như vậy tại vị trí RBC ta có:
U'BC = R'BC. I = Uđ
I đã được xác định; do đó UBC được xác định bởi điện trở R'BC (thường người ta
mã theo điện áp trên điện trở AB)
ưu điểm của phương pháp này là không chịu ảnh hưởng của nội trở Uđ (vì dòng
qua điện kế G bằng không, nên không có điện áp rơi trên nội trở của nguồn cần đo)
3.1.5 ảnh hưởng của Vonmét trên mạch đo điện áp

Voltmét đã lấy một phần năng lượng của đối tượng đo nên gây ra sai số như sau:
hình 3.15.
Khi chưa mắc volt mét vào mạch đo. Điện áp
rơi trên tải: Rng
E
Ut = .Rt E
Rt V
Rt + Rng
Rv
Khi mắc voltmét vào mạch. Voltmét sẽ đo
điện áp rơi trên tải:
H×nh 3.15
E Rt .Rng
Ut = .Rv ; Re =
Re + Rv Rt + Rng
Ta có sai số của phép đo điện áp bằng voltmét:
Ut −Uv Re R
U = =  e
Ut Re + Rv Rv
Như vậy muốn sai số nhỏ thì điện trở của voltmét phải lớn (trong mạch xoay chiều,
phải chú ý đến miền tần số làm việc của voltmét phù hợp với tần số của tín hiệu cần đo,
nếu không sẽ dẫn đến sai số do tần số).
39
3.2 Volt mét điện tử đo điện áp DC + Ecc

3.2.1 Dùng transisto C
B
1. Volt mét điện tử tải Emitơ (Lặp Emitơ; +
E
Colectơ chung) - Hình 3.16.
UBE
Ta có: Rp
IE UE
Ex = UBE+ UE EX
UE = Ex - UBE R0
Giả sử chọn transisto loại Si có : - Ecc

-
Điện áp UBE = 0,7V; hệ số khuếch đại H×nh 3.16
 = 100. Nguồn cung cấp Ecc = 20V; dòng lệch toàn thang I0 = 1mA
Đưa RP vào sao cho RP + R0 = 9,3k (Cho kết quả chẵn)
• Đưa EX =10V vào mạch
Ta có: UE = 10 – 0,7 = 9,3V
UE 9,3V
IE = = = 1mA
RP + R0 9,3k 
IC IE 1mA
Ta cũng có: IB =  = = 10 A
  100
Suy ra điịen trở Voltmet:
EX 10V
RV = = = 1M 
I B 10  A
Ta nhận thấy điện trở vào rất cao với mạch phi điện tử (Hình 3.17) chỉ có:
E X 10V I0
RV = = = 10k 
I 0 1mA
Nhưng voltmét điện tử gây sai số: Rp
Giả sử đo: EX = 5V EX
UE = 5V – 0,7V = 4,3V
4,3V R0
IE = Icc = = 0, 46mA
9,3k 
Theo trên thì khi: EX = 10V phải có IE = Icc = 1mA H×nh 3.17
EX = 5V phải có IE = Icc = 0,5mA
Do lượng điện áo rơi trên tiếp giáp P – N mất 0,7V; dẫn đến sai số
Icc = 0,04mA
2. Voltmet điện tử tải Emitơ khắc phục sai số do UBE.

Sơ đồ hình 3.18
Bộ phân áp gồm R4; R5 ; R6 ; trong đó R5 là biến trở ( triết áp)
- Mạch cơ cấu đo nằm trên đường chéo của cầu đo là transisto và R
- Điện rở R1 tạo nên thế bazơ bằng 0 khi mà EX = 0
40
+ Ecc
C I4
R4
B
+
E Rp Im R0 - Ecc1
UE R5
UE Up + Ecc2
EX R1 UB
R2 U R6
I4 + Im
0V - Ecc2
H×nh 3.18
a. Xét trường hợp EX = 0 (ngắn mạch que đo – chưa đo)

Ta thấy:UB = 0
UE = UB – UBE = 0 – 0,7 = - 0,7V
UR2 = - 0,7 – (- Ecc2) = - 0,7 + Ecc2
Dẫn đến ta phải điều chỉnh R5 sao cho UP chỉ – 0,7V thì:
U= UE – UP = - 0,7 – (- 0,7) = 0
Do đó giả sử đo:
EX = 5V
UE = 5 – 0,7 = 4,3V
điện áp đặt nên cơ cấu đo: U = UE – UP = 4,3 – (- 0,7) = 5V
Nếu điện áp EX = 10V thì:
UE = 10 – 0,7 = 9,3
U = 9,3 – (- 0,7) = 10V
Chú ý: - Khi EX  0 xuất hiện dòng Im ( dòng qua cơ cấu), để UP = const thì I4  Im
dẫn đến mạch phân áp tiêu thụ công suất dáng kể của nguồn, do đó cần nâng cao
công suất nguồn (việc này đôi khi gặp khó khăn).
Im
- Kho UP var do có dòng Im . Sai số được tính bởi tỉ số :
I4
2 ECC
Ta có: I4 =
R4 + R5 + R0
Và nhận thấy rằng sai số gặp phải khi tính UP (do bỏ qua Im) là:
Im
= 100%
I4
41
3. Mạch đo dùng hai mối nối BJT – tải Emitơ.

Sơ đồ mạch đo (Hình 3.19):
+ Ecc
C1 C2
B1 T1 B2
+ T2
E1 Rp Im R0 - Ecc1
UE E2
UE1 UE2 + Ecc2
EX R1 UB R1
U RE2
RE1
0V - Ecc2
H×nh 3.17
Mạch đo là mạch cầu đo gồm tránasto T1 , T2, R2, R3 điện áp được lấy ra ở cực
E1, E2 của T1, T2 ( hoặc cực C1, C2 ). Điện áp vào của mạch đo được đưa vào ở cực B1
( hoặc 1 cực B2 của T2 ) của T1. Nếu theo cách lấy ngõ vào đơn cực và so với điểm mass
( điện thế bằng 0V ) , hoặc có thể đưa vào theo cách vi sai ở hai cực B1, B2.
Nguyên lý hoạt động :
• Khi đưa điện áp vào bằng 0V cực B1 nối với mass ( hoặc B1, B2 nối với
mass nếu ngõ vào theo cách vi sai) . Theo điều kiện lý tưởng của mạch đo :
IB1 = IB2 ; T1, T2 có đặc tính giống nhau (  1 =  2 ) . Cho nên:
IC1 =  1 IB1 =I C2 =  2 IB2 IE1 = IE2 , Ic = (1- ) IB , IC= (1-  ) IB/ 
Và RE1 = RE2 , cho nên UE1 = UE2 . Khi đó dòng IM qua cơ cấu chỉ thị bằng
không.
• Khi điện áp vào: EX > 0 ; IB1 > IB2 , suy ra IE1 > IE2
Cho nên UB1 > UB2 dòng IM qua cơ cấu chỉ thị phụ thuộc vào UE1 - UE2 nghĩa
là phụ thuộc điện áp EX. Đối với mỗi mạch đo sẽ có EX cực đại khiến cho
transisto đạt đến trạng thái bão hoà UE1 - UE2 cực đại.
VD : EX = 1V, khiến cho UE1 - UE2= 1V ( mức điện áp bão hoà cầu đo).
• Khi điện áp vào : EX < 0, IB1 > IB2 ; suy ra UE1 < UE2 dẫn đến UE1 - UE2< 0
lúc đó dòng điện I M đo qua E2 đến E1 ( khi đó cực tính của đồng hồ phải đảo
lại).
Chú ý: Khi đo điện áp EX ( dương hay âm ) điểm mass của mạch đo bao giờ cũng
được nối với điểm mass của mạch cần đo ( Nếu ngõ vào lấy theo kiểu đơn cực
ngoại trừ ngõ vào lấy theo kiểu vi sai)
• Khi cần đo điện áp VA- VB của một mạch cần khảo sát, chúng ta cần phải
lần lượt đo VA so với điểm mass, VB so với điểm mass ( nếu ngõ vào theo
kiểu đơn cực ). Còn nếu ngõ vào theo vi sai thì chúng ta đưa hai đầu đo vào
2 điểm A,B ( trong đó điểm mass của mạch đo được nối với mass mạch cần
đo).
42
• Trong thực tế nếu mạch không thoả mãn điều kiện lý tưởng nghĩa làkhi: EX
= 0V mà UE1  UE2 khi đó chúng ta dùng mạch đo (Hình 3.20) sau đây có
biến trở R5 ( biến trở chỉnh 0 của mạch đo) điều chỉnh con chạy R5 để cho
mạch đo phân cực lại sao cho IB1 = IB2 và UE1 = UE2 .
R3 + Ecc
C1 C2
B1 T1 B2
+ T2 R5
E1 Rp Im R0 - Ecc1
UE E2
UE1 UE2 + Ecc2
EX R1 UB
R4
U RE2
RE1
- Ecc2
0V
H×nh 3.20
• Mạch đo điện áp có ngõ ra được lấy ở hai cực phát còn được gọi là mạch
theo điện áp vì điện áp ra có hệ số khuếch đại bằng 1 so với điện áp vào.
Nếu muốn điện áp ra lớn hơn điện áp vào ( mạch đo có hệ số khuếch đại lớn hơn
1) thì ngõ ra được lấy ở cực thu C1, C2 của T1, T2 như mạch (Hình 3.21):
Rt1 Rt2 + Ecc

R3
R2 R5
Rs
Im R0
IC1 IC2
Uc1 - Ecc1
B1 Uc2 B2
+ T1 T2
Ur + Ecc2
E1 IE1 IE2 E2 R6
EX R1
R4
0V - Ecc2
H×nh 3.21
Transisto T1;T2; các điện trở R2 ; R5 ;R4 tạo thành mạch khuếch đại vi sai, R3 là điện
trở điều chỉnh cân bằng nhờ đạt được trạng thái cân bằng tải do có UC1 = UC2 hay Ur = 0.
Các điện trở R1 ; R6 ; R4 tạo nên dòng phân cực một chiều cho T1 ; T2 ở chế độ khuếch đại
A; R4 còn gây hồi tiếp âm với hai transisto T1; T2 về dòng một chiều, cũng như dòng tín
hiệu nhở đó mà nâng cao tính ổn định và điện trở vào của sơ đồ.
43
Sơ đồ ta thấy với giả thiết UB2 = 0, điện áp vào EX tác dụng lên T1 thì hiệu số hai
điện áp bazơ được khuếch đại và tác dụng tới đồng hồ.
a. Trường hợp EX = 0; UB2 = 0
Thì sụt áp trên R4 là:
UR4 = 0 – UBE – (- ECC) = ECC - UBE
U R4
Dòng đi qua R4 là: IE1 + IE2 = (IE1 = IE2)
R4
I E1 + I E 2
IC1 = IC2 
2
Sụt áp trên tai Rt1 ; Rt2 :
URt1 = IC1. Rt1( Rt1 = R2 + 1/2R3)
URt2 = IC2. Rt2( Rt2 = R5 + 1/2R3)
Điện áp trên mỗi Colectơ:
UC1 = ECC – URt1 = ECC – IC1 . Rt1
UC2 = ECC – URt2 = ECC – IC2 . Rt2
Ta thấy: Ur = UC1 - UC2
Điện áp vào UV = EX = 0 suy ra IC1 = IC2 ; UC1 = UC2 hay Ur = 0
b. Khi EX  0; EX  0.
IB1 tăng lên, IB2 giảm nên IC1 . Rt1 tăng, dẫn đến UC1 giảm
IC2. Rt2 giảm, dẫn đến UC2 tăng
Rt
Hệ số khuếch đại: A = .
RV
Ta được: Ur = A. UV .
UV = EX : Đơn cực
UV = UB1 – UB2 : Vi sai
3.2.2 Mạch đo điện áp DC dùng transisto trường JFET.
Mạch đo dùng transisto có khuyết điểm là tổng trở vào của bản thân transisto nhỏ
(vài K ) . Do đó người ta thường dùng mạch đo có ngõ vào dùng JFET để có tổng trở
vào lớn như (Hình 3.22) sau đây kết hợp với mạch phân thang đo điện áp:
1V
Ra
5V D
G R4 + Ecc
Rb 10V
UG S
EX 25V T1 T2 R5
IS
Rc Rp Im R0 - Ecc1
US UE
UE1 UE2 + Ecc2
Rd
R1 R6
U R3
R2
- Ecc2
H×nh 3.22
44
Tổng trở vào của mạch đo: tổng trở vào của vôn kế là tổng trở vào của mạch phân
tầm đo:
Zi = Ra+ Rb+Rc+ Rd = 800k + 100k + 60k + 40k = 1M
Do đó mỗi thang đo (1V; 5V; 10V; 25V) tổng trở vào Zi không đổi là 1M
Đặc điểm của mạch phân thang đo là mạch phân áp vào mạch đo.
Thí dụ: ở thang đo 1V (đo điện áp  1V) được đưa vào mạch đo. Vì mạch
đo có điện áp bão hoà ở 1V.
Khi đo điện áp lớn hơn 1V thì khoá SW chuyển sang thang đo lớn hơn (ví dụ 10V)
thì khi đó mạch phân áp sẽ tạo ra điện áp Ui vào mạch đo:
Ud
UG = .( Rc + Rd )
Ra + Rb + Rc + Rd
Như vậy ở thang đo 10V ta có (Ud)max = 10V
Ud 10V
UG = .( Rc + Rd ) = .100k  = 1V
Ra + Rb + Rc + Rd 1M 
Như vậy  R = 1M; UGmax = 1V.
Nếu :
20
+. EX = 20V thì UG = .40 = 0,8 V
1000
Tra sổ tay: UGS = 0  - 5V
Ta có: UGS = UG – US
Khi :
UG = 0 có US = 0 – (-5V) = 5V
UG = 1 có US = 1 – (- 5V) = 6V
Do đó: (US)max = 5  6V
Mà:
US = UB1
nên khi UG = 0 thì UB1 = 5V; UE1 = UB1 – UBE = 4,3V
Để UE2 = 4,3V thì UP = 5V do đó phải điều chỉnh R5
Tương tự khi UG = 1V thì US = 6V; UE1 = 6 - 0,7 = 5,3V
Suy ra:
Ur = UE1 – UE2 = 5,3 – 4,3 = 1V
Ta được kết quả đo bằng số chỉ Voltmet nhân với hệ số suy giảm
3.2.3 Mạch đo điện áp DC dùng khuếch đại thuật toán (operational amplifier - OA)
Đặc tính cơ bản: những tín hiệu đo lường thường có giá trị nhỏ hoặc rất nhỏ, nhất
là những tín hiệu ngõ ra của cảm biến đo lường, cho nên cần phải khuếch đại nhưng tín
hiệu này trước khi chế biến.
Những nét đặc trưng quan trọng của mạch khuếch đại đo lường gồm những điểm
sau:
- Hệ số khuếch đại được lựa chọ phù hợp với độ chính xác và độ tuyến tính cao
45
- Ngõ vào vi sai có khả năng tốt nhất để có hệ số truất thải tín hiệu chung lớn
nhất
- Độ ổn định cho hệ số khuếch đại với sự thay đổi nhiệt độ hoạt động
- Sai số do sự trôi và điện áp bù DC càng nhỏ càng tốt
Hiện nay mạch khuếch đại đo lường dùng vi mạch khuếch đại thuật toán được chế
tạo mang đặc tính cơ bản nói trên nên chúng ta không cần quan tâm đến việc thiết kế
mạch khuếch đại đo lường như dùng từng con tranzito rời. Ngoài ra hệ số khuếch đại
hoàn toàn phụ thuộc vào phần tử bên ngoài do chúng ta quyết định khi thiết kế.
Chính vì lý do vậy nên chúng ta phân tích mạch đo lường dùng trong máy hiện số
sử dụng OA.
1. Mạch đo không có khuếch đại điện áp (Hình 3.23):

Ta thấy mạch khuếch đại ngăn cách U1
tổng trở của mạch phân thang đo và đồng Uv
R +
hồ chỉ thị. Trong trường hợp này là mạch 1
U2
KĐ không đảo dấu (vì tín hiệu vào ngõ + -
RP
U® R2 +
của OA): U3 R4 Ur
- R0
Ur = Uv R3 I0
H×nh 3.23
2. Mạch đo có khuếch đại điện áp (Hình 3.24):

Trường hợp tín hiệu đo có giá trị nhỏ chúng
ta dùng mạch khuếch đại không đảo dấu có hệ số +
lớn hơn 1: -
RP
R1
Uv Ur
R R0
Ur = Uv . (1+ 1 )
R2 I0
R2
H×nh 3.24
Ví dụ: Cho Uv = 0,1V; R1 = 90k; R2= 10k; R0 = 1k; Dòng max qua cơ cấu I0 =
50A. Xác định RP để cho dòng qua đồng hồ chỉ thị cực đại.
Giải:
R1
Điện áp ra: Ur = Uv . (1+ ) = 0,1V.10k =1V
R2
Mà Ur = (R0 + RP ).I0 = 1V
1V
Nên: RP = − 1k  = 19k
50 A
46
3. Mạch khếch đại chuyển đổi điện áp sang dòng điện (Hình 3.25):
R0 + RP
Ur = Uv . (1+ ) +
R1
Im= -
RP
Ur R + RP + R1 1 U
= Uv 0 . = v Uv R0 Ur
R0 + RP + R1 R1 R0 + RP + R R1 I0
Như vậy: (Uv)max = R1.I0 R1
H×nh 3.25
Ví dụ: Uv = 0,1V; xác định R1 để cho dòng Im bằng dòng max I0. Khi cơ cấu đo có
I0 = 50A; R0 = 1k.
Giải: Theo trên ta có:
Uv = R1 . I0
Nên tại Uv = 0,1V
U 0,1V 10−1V
R1 = v = = = 2k .
I 0 50A 50.10−6 A
4. Mạch khuếch đại dạng vi sai:

Giới thiệu mạch trừ: Khi cần trừ hai điện Ra
áp ta thực hiện theo sơ đồ hình 3.26. Ra /a
Ua
Điện áp ra được tính theo: -
U1 Ub +
Ur = K1. U1 + K2. U2
Xác định K1; K2 theo phương pháp sau: Rb /b
Ur
a. Cho U2 = 0; mạch làm việc như khuếch U2 Rb
đại đảo.
Ta có:
H×nh 3.26
U 1 − U 0 U 0 − U ra
= ; (U0 = Ua – Ub )
Ra /  a Ra
Suy ra: Ura = - a. U1 = K1. U1 (do U0 → 0)
b. Khi U1 = 0; mạch làm việc dạng khuếch đại không đảo
Rb b
Urb = U1. = .U (1 +  a )
Rb 1 +  b 2
Rb +
b
b
Do đó ta có: Ur = Ura + Urb = .U 2 (1 +  a ) - a. U1
1 + b
47
Mạch ứng dụng hình 3.27:

+ U01 R3 R3
Ta có: U1 A1
-
 R  R  R2
Uo1 = 1 + 2  .U1 −  2  .U 2
 R1   R1  +
R1 A3
 R  R  -
Uo2 = 1 + 2  .U 2 −  2  .U1 U0
 R1   R1  R2
-
Theo trên: Ur1 = - 1. U01 A2
U02
+ R3 R3
U2
R3
do 1 = = 1 nên: Ur1 = - U01 H×nh 3.27
R3
2
Và: Ur2 = .(1 + 1 ).U 02
1+ 2
Do 1 = 2 =  = 1 nên: Ur2 = U02
Ta được:
 2 R2 
Ur = Ur1 + Ur2 = U02 – U01 = 1 +  .(U 2 − U1 )
 R1 
3.2.4 Mạch đo điện áp DC giá trị nhỏ dùng phương pháp “Chopper” (Mạch đóng
ngắt)
Để đo điện áp DC có giá trị nhỏ (vài mV) phải dùng khuếch đại ghép nhiều tầng
để tăng hệ số khuếch đại. Nếu ghép theo kiểu trực tiếp (ghép DC) thì sự trôi điểm phân
cực tầng đầu sẽ được tầng sau khếch đại do đó sẽ lẫn tín hiệu. Vậy ta phải dùng cách
ghép AC để sự trôi mỗi tầng khuếch đại độc lập với nhau. Như thế tín hiệu đo được
chuyển từ DC sang AC, sau đó khuếch đại lên bằng mạch khuếch đại AC.
Sơ đồ khối mạch đo hình 3.28:
M¹ch ®iÒu M¹ch Khèi khuÕch M¹ch gi¶i
hîp tæng trë chopper ®¹i AC ®iÒu chÕ
+ +
+
- -
Ui -
Dao
®éng
0V
H×nh 3.28
• Tín hiệu đo DC được đưa vào mạch khuếch đại theo điện áp có nhiệm vụ điều hợp
tổng trở cho mạch phân thang đỏtước đó và mạch Chopper
• Mạch Chopper: gồm mạch dao động điều khiển mạch khoá điện tử (thường dùng
đóng ngắt bằng JFET) hoặc phương pháp quang. Đầu ra của Chopper là tín hiệu
AC thay đổi (xung vuông) có biên độ bằng với tín hiệu đo và tần số là tần số của
48
tín hiệu dao động. Tín hiệu này đuqa vào tầng khuếch đại AC để khuếch đại lớn
lên.
• Tiếp theo tín hiệu được đưa vào giải điều chế để loại tín hiệu da động lấy tín hiệu
DC.
• Tín hiệu DC được đưa vào mạch đo điện áp .
Xét mạch Chopper dùng phương pháp quang:
Mạch dao động tạo ra tín hiệu điều khiển 2 diode phát quang D5; D6 tuần tự chớp
sáng. Hai diode quang D1, D3 cùng nhận nguồn sáng từ D5; hai diode D2, D4 cùng nhận
nguồn sáng từ D6. Khi D1, D2, D3 và D4 cùng nhận được ánh sáng thì xem như tiếp
điểm mở, khi không có ánh sáng chiếu vào thì tiếp điểm hở. Sự dẫn của D1, D3 và không
dẫn của D2, D4 hoặc Sự dẫn D2, D4, không dẫn D1, D3 tạo cho xung vuông xuất hiện ở
ngõ ra D4. Tụ CS được nạp tới đỉnh của tín hiệu xung vuông. Sau đó mạch lọc sẽ loại bỏ
tín hiệu dao động để cho ra tín hiệu U0 (DC).
D1 C C D4
M¹ch
K§
läc
D2 D3
U® U0
Cs
D5 Dao ®éng D6
H×nh 3.29
Xét mạch Chopper dùng phương pháp khoá điện tử bằng JFET:
Khi: R2
UGS = 0 thì JFET kênh P dẫn R1
S D
UGS  UP : JFET kênh P không (-)
-
Is
dẫn (Với UP :điện áp nghẽn của D1
+
Ui (+) G U0
kênh P)
Ta thấy JFET hoạt động như một
khoá điện tử (Hình 3.30).
H×nh 3.30
3.3 Volt met điện tử đo điện áp xoay chiều (AC).

3.3.1 Khái quát.
Điện áp biến đổi cần đo có các trị số biểu thị đặc tính là: trị số đỉnh (biên độ), trị
số hiệu dụng, trị số trung bình:
Trị số đỉnh Um là trị số tức thời cực đại của điện áp trong khoảng thời gian quan
sát (hay trong một chu kỳ), như hình 3.31 . Đối với điện áp có cực tính không đối xứng
thì có hai trị đỉnh: đỉnh dương và đỉnh âm (Hình 3.32 ). Với điện áp điều hoà thì trị số
đỉnh chính là trị số biên độ.
49
u u
Um Um(+)
t
T t
Um(-)
H×nh 3.31
H×nh 3.32
Trị số hiệu dụng URMS là giá trị trung bình bình phương của điện áp tức thời
trong khoảng thời gian đo (hay trong một chu kỳ).
T
1 2
T 0
U RMS = ut dt
Đối với điện áp có chu kỳ dạng không sin, thì bình phương trị số hiệu dụng của
điện áp này bằng tổng bình phương điện áp thành phần một chiều và bình phương các
thành phần điều hoà:
U2 RMS = U02 + U1 2 + U22 +....
n
U RMS = U
2
Hay là: k
k =0
Trị số trung bình UAV (Ucltb )(thành phần một chiều) là trị số trung bình cộng các
giá trị tức thời trong khoảng thời gian đo (hay trong một chu kỳ)
T
1
U cltb =  u (t )dt
T0
Trong trường hợp chỉnh lưu hai nửa chu kỳ, thì nó bằng trung bình cộng của trị
số tuyệt đối các giá trị tức thời:
T
1
U cltb =  u (t ) dt
T0
Quan hệ giữa các trị số đỉnh, trị số hiệu dụng và trị số trung bình được biểu thị
bằng các tỷ số:
Um
Hệ số biên độ của tín hiều điện áp: kb =
U RMS
U RMS
Hệ số dạng của tín hiều điện áp: kd =
U cltb
Ví dụ: xác định hệ số kb; kd của các điện áp có dạng khác nhau:
Dạng điện áp sin: u = Um Sin wt (Hình 3.33) u
Um = 2 .URMS
2 U0
Ucltb = Um = 0,637.Um = 0,637. 2

t
URMS = 0,9.URMS T
Vậy: kb = 1,41; kd = 1,11
H×nh 3.33
50
Dạng điện áp răng cưa: (Hình 3.34) u

Um
Trị số điện áp tức thời: u (t ) = t Um
T
T U0
1 U 2m 2 U

U RMS =
T0 T
.t dt = m
3 T t
U
Ucltb = m H×nh 3.34
2
Vậy: kb = 1,73; kd = 1,15
Dạng điện áp xung vuông góc đối xứng hai u
nửa chu kỳ (Hình 3.35):
Giá trị điện áp tức thời: T/2
Um
 T
U :0  t 
 m 2
u (t ) =  T/2
t
T
−U :  t  T


m
2
`Trị số điện áp:
H×nh 3.35
1/ 2
2
T /2
1 T

Ucltb =
 u
0
cl .dt = Um ; URMS =   u 2 dt 
T 0 
= Um ;
Vậy: kb = 1; kd = 1
Chú ý:
- Phần lớn các Volt met điện tử đo tín hiệu xoay chiều được định chuẩn theo trị
hiệu dụng của tín hiệu đo.
- Trong trường hợp tín hiệu không Sin, trị số kd nhỏ hơn hoặc lớn hơn 1,11 phụ
thuộc vào dạng và tần số tín hiệu. Nếu Voltmet AC đo các giá trị tín hiệu không Sin sẽ có
sai số do thang đo được chuẩn theo giá trị hiệu dụng của dạng sin.
Dễ nhận thấy tín hiệu xung vuông có:
URMS = Umax
Ucltb = Umax
U RMS
Hệ số dạng: k d = =1
U cltb
Trong đó nếu tín hiệu Sin hệ số dạng 1,11; Như vậy khi đo tín hiệu xung vuông
dùng Voltmet định chuẩn theo trị hiệu dụng của tín hiệu sin:
1,11 − 1
% = .100% = 11%
1
(Giả sử trị hiệu dụng của xung vuông là 1V; Vôn định chuẩn sin đo sẽ sai đi :
11%.1V = 0,11V. Nghĩa là chỉ thị số 1,11V(RMS)
Như vậy trong Vônmét điện tử để đo điện áp AC ngoài khối biến đổi điện áp đầu
vào (phân áp, suy giảm, khuếch đại để tăng trở kháng của vôn mét ) thì khối chủ yếu nhất
của vônmét là khối tách sóng (là chuyển đổi điện áp AC thành dòng DC hay điện áp DC)
bằng ba phương pháp:
51
- Phương pháp trị đỉnh (tách sóng đỉnh)

- Phương pháp trị hiệu dụng thực (tách sóng hiệu dụng)
- Phương pháp trị trung bình (tách sóng trung bình).
3.3.2 Phương pháp trị đỉnh.
Là biến đổi trị số tín hiệu đo có thành phần xoay chiều thành tín hiệu DC, điện áp
ở đầu ra trực tiếp tương ứng với trị số biên độ. Phần tử ghim giữ lại trị số biên độ của
điện áp đo là tụ điện.Tụ điện được nạp tới trị số đỉnh của điện áp đo qua phần tử tách
sóng.
Ví dụ mạch tách sóng đỉnh thường gặp (Mạch nhân đôi điện áp hoặc mạch kẹp)
(Hình 3.36):
+ -
§
C
R Bé
+ § V
R Bé läc
C V
- läc
a) b)
H×nh 3.36
1) Sơ đồ 3.36a: Nguyên lý làm việc như sau:
Khi đưa vào bộ tách sóng điện áp hình sin: ux = Umsinwt; ban đầu điện áp đó hầu
như hoàn toàn đặt lên diod, vì điện dung của tụ C lớn hơn nhiều so với điện dung CAK
của diod (điện dung của tụ C khoảng hàng chục nghìn pF).
Trong nửa chu kỳ dương đầu tiên, có xung dòng điện lớn qua diod làm cho tụ C
nạp, tụ C được nạp điện nhưng chưa hoàn toàn. Sang nửa chu kỳ âm, tụ C phóng điện qua
R, nhưng lượng phóng không được bao nhiêu vì R chọn rất lớn (khoảng 50  100M);
2
hằng số thời gian phóng  = RC lớn hơn so với chu kỳ T = của điện áp đo ux. Tiếp
w
đến nửa chu kỳ dương khác, tụ C lại tiếp tục được nạp. Vì hằng số thời gian nạp  = Ri C
( Ri điện trở trong của diod) rất bé so với  = RC. Như vậy có nghĩa là tụ điện nạp thì rất
nhanh mà phóng thì rất chậm, nên sau một vài chu kỳ điện áp của tụ UC có giá trị không
đổi và gần bằng trị số biên độ Um của điện áp đầu vào ux.
Giản đồ điện áp nạp cho tụ như hình 3.37:
Khi uc tăng thì điện áp rơi trên diod giảm: ua = ux - uc : đèn tách sóng có thiên áp tự cấp
UC , nhưng vì UC nhỏ hơn Um (do sự phóng điện qua R) nên trong nửa chu kỳ dương trị
số tức thời của ux lớn hơn UC thì có dòng nạp cho tụ C. Dòng điện chỉ qua diod trong một
phần nhỏ chu kỳ với góc cắt  càng nhỏ
Điện áp UC của tụ điện được đo bằng một vônmét chỉ thị kim. Trị số này càng gần
bằng trị số Um của điện áp ux khi góc cắt  càng nhỏ. Từ giản đồ i(t):
UC  Umsin( 90 0 - ) = Umcos (*)
52
u i i
Uc
Uc
Uc U0
t t 2 t
T
2
a) b)
Um
H×nh 3.37
Theo lý thuyết tách sóng diod, ta có mối quan hệ giữa góc cắt  và các
thông số của mạch:
Ri
= 3 ; Ri điện trở diod; R điện trở tải.
R
Ta thấy là: muốn UC = Um thì  = 0, điều này thực tế là không đạt được vì Ri  0
và R . Song nếu có Ri/R càng bé thì càng tốt, nên trong mạch tách sóng đỉnh thường
chọn diod có Ri bé.
Cũng cần chú ý khi mắc nối tiếp với diod một điện trở phụ nào đó thì tác dụng
cũng như tăng Ri. Do đó khi tính toán sai số đo dùng công thức (*) trên phải cộng thêm
Ri với điện trở của nguồn điện áp cần đo. Muốn giảm Ri/R bằng cách tăng R lớn lên
cũng không được vì như vậy làm tăng hằng số thời gian phóng p , bộ tách sóng trở thành
có quán tính, khi giảm điện áp ở đầu ra thì điện áp trên tụ vẫn không biến đổi kịp. Khuyết
điểm này cũng tương tụ như khi mạch tách sóng dùng tụ C có trị số quá lớn, vì như vậy
đã làm tăng hằng số p và n.
Nếu điện áp đo có dạng không điều hoà: ux = U0 + Umsinwt, có cả thành phần DC
và AC thì điện áp mà đồng hồ đo được không phải chỉ là Um mà còn có cả U0 của ux, vì
mạch tách sóng này là mạch vào mở (xem kỹ thuật mạch)
2) Sơ đồ 3.36b ( Mạch kẹp đỉnh dương):

Giả sử điện áp có dạng điều hoà ux = Umsinwt : ở nửa chu kỳ dương tụ C nạp qua
diod, sau một vài chu kỳ trị số điện áp nạp gần bằng Um. Điện trở R lớn nên hằng số thời
gian phóng lớn, do vậy UC biến đổi ít và gần như không đổi. Ta có thể coi tụ C được nạp
điện như một nguồn điện áp một chiều UC  Um . Mạch tương đuơng của bộ mạch tách
sóng mạch vào đóng như hình 3.38a.
53
UC ,UR
t
U - Um
,UR - Uc  Um
R
+
Ux - Um
a) b)
H×nh 3.38
Điện áp trên tải của bộ tách sóng:
uR = ux – UC = Umsinwt - UC
Khi điện áp ux đạt cực đại dương thì uR  0.
Khi điện áp ux đạt cực đại âm thì uR  -2Um , vì UC  Um (Hình 3.38b)
Như vậy điện áp xung hạ trên R có thể đọc trực tiếp bằng đồng hồ từ điện. Giữa
tải R và vônmét có đặt bộ lọc để chỉ cho qua thành phần DC UC của điện áp xung, đồng
hồ chỉ thị được giá trị UC  Um. Mạch cụ thể hình 3.39.
Bé läc
h¹ th«ng
+ -
R1 §Õn v«n mÐt
C1 ®o DC
-
U® UD U1 C2 Uc R
+
0V 0V
+Um UD Uc  -Um
0V
- Um -2Um+UD
H×nh 3.39
Nếu điện áp đo có cả thành phần một chiều U0 : ux = U0 + Umsinwt, thì UC được
nạp điện áp lớn hơn U0, tức là UC = U0 + Um . Tất nhiên , cực tính của điện áp trên tị C
được nạp với điện áp một chiều (- U0) thì ngược với thành phần một chiều (U0). Nếu trên
tải R tổng đại số của hai điện áp này bằng không thì hầu như vônmét không có tác động
đối với thành phần U0 của điện áp đầu vào.
Hai sơ đồ trên chỉ đo được trị số đỉnh của điện áp có cực tính dương muốn đo
điện áp có cực tính âm thì ta đảo ngược cách mắc diod.
54
3.3.3 Phương pháp trị hiệu dụng thực.

Là biến đổi điện áp xoay chiều thành dòng một chiều tỷ lệ với bình phương trị
số hiệu dụng của điện áp đo.
Ta có biểu thức xác định trị số điện áp hiệu dụng:
T
1 2
T 0
U RMS = ut dt
Như vậy bộ tách sóng này bao gồm ba phần tử để thực hiện ba thao tác: bình
phương, lấy trị trung bình và khai căn.
- Phần tử tách sóng có dạng đặc tuyến bậc hai để thực hiện quan hệ giữa điện áp ra
và điện áp vào là bình phương.
- Phần tử làm nhiệm vụ lọc ở đầu ra của mạch tách sóng để lấy trị trung bình, tức
thành phần một chiều của điện áp từ phần tử tách sóng đưa ra.
- Phần tử chỉ thị là đồng hồ đo điện áp DC; khi khắc độ vôn mét này thực hiện cả
khai căn bậc hai.
Như vậy, đặc điểm của tách sóng loại này là cần một phần tử tách sóng có dạng
đặc tuyến bậc hai (còn gọi là tách sóng bình phương). Nói chung phương trình biểu thị
dạng đặc tuyến này là:
i = u + u2
Muốn đo thành phần DC thì dùng micrôampemet mắc song song với tụ điện.
Dòng điện này bằng:
i0 = U2
Ta thấy dòng điện tách sóng tỷ lệ với bình phương với điện áp hiệu dụng, nó
không phụ thuộc vào dạng của điện áp đo. Nên các vônmet có tách sóng loại này được
khắc độ theo trị hiệu dụng của điện áp hình sin thì đều có thể dùng được để đo các trị số
hiệu dụng của các điện áp có dạng khác.
Về cấu tạo chúng ta dùng mạch cho trị bình phương tín hiệu vào ở ngõ ra như sau:
nối tiếp các mắt diode với nhau; một trong các kiểu mắc mạch tách sóng loại này như
hình 3.40a. Các mắt diode gồm một diode và bộ phân áp bằng hai điện trở (hình 3.40b)
+ +
R’2 R’3 R’4 R’2
D1 D2 D3 D1
U U1 U2 U3 U
R1 R2 R3 R4 R2 U 1
-
A
a) b)
Hình 3.40
Ta xét, giả sử diod có điện trở thuận Rth = 0 ; điện trở ngược Rng = . Như vậy sẽ
không có dòng qua diod khi điện áp đặt vào diod bé hơn điện áp khoá của diod (hình
55
3.41). Các mắt được mắc nối tiếp nhau bằng các phân áp thì điện trở của chúng được cấu
tạo sao cho trị số điện áp khoá của một diod sẽ lớn hơn cũng trị số điện áp này của diod
trước đó. Với mạch trên thì U1 < U2< U3. Do đó đặc tuyến vôn - ampe của tất cả các mắt
có dạng gần như đường Parabol (hình 3.42).
i1
i1
U1 u
i2
U1 u
U2 u
H×nh 3.41
- Khi u(t) < U1 thì D1, D2, D3 tắt, dòng tách i3
sóng bởi bộ tách sóng kiểu chỉnh lưu hai pha qua
điện trở R1.
- Khi U1 < u(t) < U2 thì có dòng i 1 trong mạch U3 u
từ: nguồn - D1 - điện trở R2 - đồng hồ chỉ thị -
nguồn. i4
- Khi U2 < u(t) < U3 thì có dòng i1 và i2 chạy

qua D1, D2 và dòng i1 + i2 qua đồng hồ chỉ thị. i1+i2+i3
- Khi U3 < u(t) thì dòng qua đồng hồ chỉ thị i
i1 i1+i2
= i1 + i2 + i3 . u
Nếu các mắt càng tăng thì đặc tuyến càng gần
H×nh 3.42
đúng dạng bậc hai
3.3.4 Phương pháp trị trung bình.
Là biến đổi điện áp xoay chiều thành dòng một chiều tỷ lệ với trị trung bình của
điện áp cần đo. Bộ tách sóng thường dùng là bộ chỉnh lưu điện áp một nửa chu kỳ hay hai
nửa chu kỳ mắc theo kiểu cầu. Đồng hồ chỉ thị thường là đồng hồ từ điện. Gọi là chỉnh
lưu điện áp vì phần đặc tuyến của phần tử tách sóng làm việc là phần đường thẳng. Khi
đó trị số điện áp chỉnh lưu được tỷ lệ với trị số trung bình của điện áp đo.
1) Dạng chỉnh lưu trước rồi khuếch đại sau (Đối với tín hiệu AC có trị số lớn) -
Hình 3.43.
Điện áp chỉnh lưu trung bình được đưa vào Icltb
mạch đo điện áp DC +
Ui : trị chỉnh lưu trung bình -
R0
U®o Ui
Ui = icltb . R1 R1 I0
Dòng qua cơ cấu:
Im = (icltb . R1)/R2 R2
H×nh 3.43
56
2) Dạng khuếch đại trước rồi chỉnh lưu sau (Hình 3.44).
Trong mạch đo này điện áp rơi trên D1 D3
diode không ảnh hưởng đến mạch đo +
Dòng chỉnh lưu trung bình: -
U®o D2 D4
U
Icltb = do . R1
R2
R2
U do trị chỉnh lưu trung bình của Uđo bằng
cầu. H×nh 3.44
Ví dụ: Udo = 1V(RMS); R2 = 10k

U do = 0,637. 2 .1V(RMS) = 0,9V
0,9V
Icltb = = 90  A .
10k 
57
Bài 4.
ĐO CÁC THÔNG SỐ MẠCH ĐIỆN
4.1 Phương pháp gián tiếp.
4.1.1 Đo điện trở bằng vônmét và ampemét (Hình 4.1).
Đây là phương pháp xác định phần tử điện trở đang hoạt động theo yêu cầu.
RA
A A
I Iv Ix Iv Ix
UA
+ + V
V
U Rv Rx U Rv Rx
- -
a) b)
H×nh 4.1
Dựa vào số chỉ của ampe mét và vôn mét ta xác định được các giá trị điện trở R,x:
U
R'x = (4-1)
I
Giá trị thực Rx của điện trở cần đo được xác định theo cách mắc ampe mét và vôn
mét trong mạch như sau :
U U U
Hình (4.1a) : Rx = = = (4-2)
I x I − Iv I − U
Rv
U − U A U − IRA
Hình ( 4.1b) : Rx = = (4-3)
Ix I
Như vậy tính R,x theo độ chỉ của ampe mét và vôn mét sẽ có sai số. Sai số trong sơ
đồ hình 4.1a do chỉ của ampe mét là tổng dòng qua vôn mét và dòng qua Rx tức là sai số
phụ thuộc điện trở trong của vôn mét (Rv). Sai số trong sơ đồ 4.1b) do độ chỉ của vôn mét
là tổng điện áp rơi trên ampe mét và điện trở rơi trên Rx; tức là sai số phụ thuộc điện trở
của ampe mét (RA).
Sai số của phép đo điện trở theo sơ đồ a):
R,x − R x
% = .100 (4-4)
Rx
Thay các giá trị từ (4-2) và (4-3) vào biểu thức ta có :
Rx R
% = - .100  − x .100 (4-5)
Rx − Rv Rv
Sai số của phép đo điện trở theo b):

R,x − R x
% = .100 (4-6)
Rx
Thay (4- 1) và (4-3) vào biểu thức (4-6):
58
RA
% = .100 (4-7)
Rx
Như vậy để đo điện trở tương đối nhỏ người ta thường dùng sơ đồ hình a). Còn đo
R tương đối lớn thì dùng sơ đồ hình b) sẽ bảo đảm sai số yêu cầu.
4.1.2 Đo điện trở bằng vôn mét và điện trở mẫu Ro (Hình 4.2)
Điện trở Rx cần đo mắc nối tiếp với điện trở mẫu
Ro chính xác cao và nối vào nguồn U. Dùng vôn mét đo
U R0 Rx
điện áp rơi trên Rx là Ux và điện áp rơi trên điện trở mẫu
là Uo qua tính toán ta sẽ được : Uo Ux
Ux
Rx = .Ro (4-8)
Uo H×nh 4.2
Sai số của phép đo điện trở ở đây bằng sai số của điện trở mẫu (Ro) và sai số của
vôn mét ( hoặc dụng cụ đo điện áp ).
4.1.3 Đo điện trở RX bằng một Ampemet và địên trở mẫu R0 (Hình 4.3)
Đo điện trở Rx cần đo nối song song với điện trở mẫu I0 Ix
Ro và mắc vào nguồn cung cấp U. Dùng Ampe mét lần lượt
đo dòng điện qua Rx là Ix và dòng qua Ro là Io; coi điện trở R0 Rx
trong của Ampe mét rất nhỏ và Ampe met chính xác cao. U 1 2
Qua tính toán ta xác định được Rx:
I0
Rx = .R0 (4-9) A
Ix
Sai số của phép đo Rx bằng tổng sai số của điện trở
H×nh 4.3
mẫu Ro và sai số của Ampe mét
4.2 Đo trực tiếp.
4. 2.1 Đo điện trở trực tiếp bằng các Ômmét
U
Xuất phát từ định luật ôm: R= (4-10)
I
Nếu giữ điện áp U không thay đổi ; dựa vào sự thay đổi dòng điện qua mạch khi
điện trở thay đổi, người ta đo dòng điện sẽ khắc độ theo điện trở R có thể trực tiếp đo
điện trở R. Trên cơ sở đó người ta chế tạo các ôm mét đo điện trở. Phụ thuộc vào cách
xắp xếp sơ đồ mạch đo của Ôm mét người ta chia Ôm mét thành hai loại : Ôm mét nối
tiếp và Ôm mét song song.
a) Ôm mét sơ đồ nối tiếp là Ôm mét có điện trở cần R0
đo (Rx) được nối tiếp với cơ cấu chỉ thị từ điện (Hình
U0 CT
4.4).
Các Ôm mét sơ đồ nối tiếp thường dùng để đo các Rx = 0
điện trở có gía trị cỡ ôm trở nên.
Trong sơ đồ cấu tạo có RP dùng để bảo vệ cơ cấu chỉ Rx
thị tránh quá dòng khi Rx = 0 thì dòng qua cơ cấu chỉ thị là
H×nh 4.4
lớn nhất (lệch hết thang chia độ).
59
Uo
Rp= − rct (4-11)
I ctmax
Với một cơ cấu từ điện nhất định sẽ có Ictmax = Ictđ.m nhất định và rct = rctđ.m nhất
định. Mỗi ôm mét cũng có điện trở trong nhất định, được tính như sau :
U0
R = rct + Rp = (4-12)
I ct max
Khi Rx = 0
U0 U0
Ictmax = = (4-13)
R  rct − R p
Khi RX  0
U0
I ct = (4-14)
rct + R p + R X
Khi Rx →  thì Ict → 0
Từ nhận xét trên ta nhận thấy rằng thang chia độ của Ôm mét ngược với thang
chia độ của Vôn mét.
Từ biểu thức (4-14) ta thấy rằng độ chỉ của Ôm mét rất phụ thuộc nguồn cung cấp
nguồn cung cấp thường bằng pin và ắc quy. Nếu pin và ắc quy thay đổi giá trị sẽ gây sai
số rất lớn. Ví dụ : nếu Rx = 0 (chập hai đầu que đo) vì U0 < U0 ban đầu thì kim Ôm mét
không chỉ zê rô.
Để khắc phục điều này người ta có thể thay đổi từ cảm B trong nam châm vĩnh
cửu (dạng sun từ) sao cho B.U = const.
Song trong các dụng cụ đo vạn năng không thể dùng biện pháp này được. Người
ta đưa vào sơ đồ cấu trúc của đồng hồ đo một chiết áp hoặc biến trở RM để chỉnh zê zô
(Rx=0) (Hình 2.5) .
RM
Rp R Rp
R
U0 U0
CT CT
Rx =0 Rx = 0 RM
Rx Rx
a) b)
H×nh 4.5
Hình 4-5a là sơ đồ Ôm mét nối tiếp với biến trở RM mắc nối tiếp với cơ cấu chỉ
thị. Với sơ đồ này người ta tính các phần tử của mạch như sau :
Xác định điện trở Rp sao cho khi Rx = 0 với U0= U0min thì kim chỉ thị lệch toàn
thang đo. Lúc đó R = 0 (tức là không cần chiết áp ).
U 0 min
RP = − rct ( 4- 15)
I ct max
60
Khi làm việc, có thể U0 > U0min ; dòng Ictmax có thể tăng nếu giữ nguyên các giá trị
thông số của mạch như đã tính toán. Muốn cho Ictmax không thay đổi thì phải điều chỉnh
RM sao cho R có giá trị phù hợp với các thông số đã tính. Vậy để thoả mãn yêu cầu thang
đo của Ômmét, điện trở toàn phần của biến trở (RM) được tính :
U 0 max − U 0 min
RM  (4 - 16)
U ct max
tức là phải bảo đảm điều kiện chỉnh zêrô khi U0 = U0max . Điện trở vào của Ômmét sẽ là:
U0
R = RP + R + rct = (4 - 17)
I ct max
Vậy điện trở vào của Ômmét thay đổi theo sự thay đổi của áp nguồn cung cấp.
Mỗi thang đo của Ômmét phù hợp với một điện trở vào nhất định. Do đó khi điện áp
nguồn cung cấp thay đổi sẽ gây sai số phụ cho phép đo. Sai số này được xác định bởi bởi
sự thay đổi của điện áp nguồn.
H.4.5b là sơ đồ Ômmét nối tiếp có biến trở nối song song với cơ cấu chỉ thị. Tính
toán các thành phần của mạch sao cho khi Rx = 0; Uo = U0min ; dòng qua chỉ thị lệch hết
thang đo (Ictmax ); phải điều chỉnh biến trở sao cho nó có trí trị lớn nhất (R = RM). Nếu U0
> U0min với điều kiện như trên thì Ictmax sẽ tăng (quá thang đo) phải chỉnh biến trở sao cho
Ictmax không thay đổi tức là Ômmét chỉ zêrô.
Điện trở vào của Ômmét theo sơ đồ này sẽ là:
R.rct
R = RP + (4-18)
R + rct
Từ biểu thức này ta thấy rằng trong quá trình điều chỉnh zêrô bằng biến trở RM ;
điện trở vào của Ômmét có sự thay đổi. Song sự thay đổi này không thể vượt quá giá trị
rct và RP << rct nên điện trở vào của Ômmét này ít phụ thuộc điện áp cung cấp và khi áp
cung cấp thay đổi cỡ 20  30% thì sai số phụ chỉ vài %
b) Ômmét sơ đồ nối tiếp nhiều thang đo (Hình 4.6).
Cơ chế tạo Ômmét nhiều thang đo theo 1 U1 RP1
nguyên tắc: chuyển từ giới hạn đo này sang B 2
giới hạn đo khácbằng cách thay đổi điện trở
U2 RP2 R
vào của Ômmét một số lần xác định sao cho CT
khi Rx = 0 kim chỉ thị vẫn đảm bảo lệch hết Rx = 0
RM
thang đo (nghĩa là dòng qua cơ cấu chỉ thị
bằng giá trị định mức của cơ cấu từ điện đã Rx
chọn).
H×nh 4.6a
Người ta mở rộng giới hạn đo của Ômmét bằng cách dùng nhiều nguồn cung cấp
hoặc dùng một nguồn cung cấp và điện trở phân nhánh dòng (điện trở sun) cho các thang
đo khác nhau.
Hình 4.6a là sơ đồ Ômmét nhiều thang đo dùng nhiều nguồn cung cấp (ví dụ ở đây
có hai thang đo ứng với vị trí 1 và 2).
61
Với giới hạn đo 1 (khoá chuyển mạch B đặt ở vi trí 1):

RP1 = R 1 – Rab
nguồn cung cấp của thang đo này là U1. Điện trở Rab là điện trở tương đương của rct mắc
song song với R (một phần của RM ). Thường chọn R  0,75 RM
Khi chuyển từ giới hạn đo 1 sang giới hạn đo 2 (đo Rx lớn hơn ở giới hạn đo 1);
đặt B ở vị trí 2. Lúc này R 2 = 10R 1. Từ đó điện trở phụ của mạch cũng thay đổi:
Rp2 = R 2 - Rab
Với giá trị các thônng số như trên, để đảm bảo kim chỉ lệch hết thang đo, yêu cầu
nguồn cung cấp U2cũng phải tăng tương ứng, tức là U2 = 10U1. Khi sử dụng nguồn điện
áp cao và chỉ thị đủ nhạy thì R có thể đạt hàng trục Mêgôm hoặc lớn hơn. Có thể dùng
sơ đồ này để mở rộng giới hạn đo về phía điện trở nhỏ với điều kiện có thể giảm nguồn
cung cấp xuống N lần.
Khi điện trở vào của Ômmét không lớn lắm (cỡ nghìn ôm hoặc nhỏ hơn) người ta
tạo Ômmét nhiều thang đo chỉ dùng một nguồn cung cấp và điện trở phân nhánh dòng
(H.4.6b).
ở sơ đồ này vị trí 1 dùng để đo I1
điện trở lớn và ở vị trí 2 dùng để đo điện 1
B RP1
trở nhỏ hơn; chuyển từ vị trí 1 sang vị trí R1
R R
2, điện trở vào của Ômmét phải giảm đi N 2 P2 I 2
CT
lần (ví dụ 10 lần) tức là R 2 = 0,1R 1. Lúc U0 Rx = 0 R2 RM
đó nếu Rx = 0 thì dòng trong mạch sẽ tăng
lên 10 lần tức là I2 = 10I1. Để bảo đảm Rx
dòng qua chỉ thị không thay đổi người ta
phải mắc các điện trở phân nhánh dòng H×nh 4.6b
(R1, R2) song song với cơ cấu chỉ thị.
c) Ômmét mắc song song (Hình 4.7).

Về cấu trúc: bộ phận chỉ thị của Ômmét nối song song với điện trở cần đo. Ômmét
loại này dùng để đo điện trở tương đối nhỏ (cỡ k trở lại). Ưu điểm cơ bản là có thể thu
được điện trở vào của Ômmét (R ) nhỏ khi dòng từ nguồn cung cấp không lớn lắm.
Vì điện trở cần đo Rx mắc song song với cơ cấu chỉ thị nên khi Rx =  (chưa mắc
Rx vào mạch đo) thì dòng qua chỉ thị sẽ lớn nhất (Ict = Ictmax = Ictđ.m). Nếu Rx 0 thì hầu
như không có dòng qua cơ cấu chỉ thị, tức là Ict = 0.
Như vậy thang đo của Ômmét loại này chung chiều với thang đo của Vônmét.
Để điều chỉnh thang đo của Ômmét khi nguồn cung cấp thay đổi(thường điều
chỉnh ứng với Rx =  ( tức là hở mạch đo) người ta cũng dùng chiết áp RM. Xác định Rp
và RM của Ômmét giống như trường hợp Ômmét sơ đồ nối tiếp.
62
Điện trở vào của Ômmét song song được R

xác định như sau: Rp RM
(R p + R ).rct rct
R = = ; (4-19) U0 CT Rx
R p + R + rct rct
1+
Rp + R
Đặc tính khắc độ của Ômmét song song H×nh 4.7
được xác định bởi tỷ số:
Rx
Ix Rx R
= = (4 - 20)
I ct R  + R x R
1+ x
R
Ix 1
Khi Rx = R thì = tức là điểm giữa của thang chia độ tương ứng với giá trị
I ct 2
điện trở cần đo bằng điện trở vào của Ômmét (giống như Ômmét nối tiếp). Khi Rx > R
thì các giá trị sẽ chạy về phía thang đo đến “”; còn Rx < R thì giá trị sẽ chạy về phía
tría đến giá trị “0”. Điều này ngược với Ômmét nối tiếp.
4.2.2 Ômmét kiểu lôgômét (Hình 4.8)
Cơ cấu đo kiểu lôgômét là cơ cấu có I1 I2
hai khung dây. Một khung dây tạo mômen
R2
quay và một khung dây tạo mômem phản N S
kháng. Góc quay  của cơ cấu đo tỷ lệ với tỷ 1
số hai dòng điện chạy trong hai khung dây 3 RX
đó. Trên cơ sở này người ta dùng chỉ thị kiểu R 1 2
lôgômét cho Ômmét nên gọi là Ômmét kiểu U0
R3
lôgômét.
I1: dòng chạy qua khung dây 1.
H×nh 4.8
I2: dong chạy qua khung dây 2.
U0
I1 = (4-21)
R 1 + r1
U0
I2 = (4-22)
R 2 + R 3 + r2 + R x
Từ cảm B của nam châm vĩnh cửu tác dụng với dòng I1 tạo ra mômem quay
M1;Từ cảm B tác dụng với dòng I2 tạo ra mômem quay M2.
ở thời điểm cân bằng M1 = M2 từ đó rút ra:
I   R + R 3 + r2 + R x 
 = F 1  = F 2  (4-23)
I2   R 1 + r1 
Trong một cơ cấu nhất định, các giá trị R1 , R2 , R3 và r1, r2 là hằng số; góc quay 
không phụ thuộc điện áp cung cấp U0. Giới hạn đo của Ômmét được xác định bởi giá trị
các trở R1, R2, và R3 .
63
Nếu đo điện trở Rx tương đối lớn thì dùng sơ đồ mắc nối tiếp (nối Rx vào hai đầu 1
và 2), đọc kết quả trên thang đo 1
Nếu đo điện trở Rx nhỏ thì dùng sơ đồ song song (nối Rx vào hai đầu 2 và 3); ngắn
mạch 1 và 2 đọc kết quả trên thang đo 2.
4.3 Cầu đo điện trở.
Để đo điện trở được chính xác hơn, chúng ta dùng cầu Wheatstone. Cầu đo điện trở
thường gặp hai loại: Cầu đơn và cầu đôi.
4.3.1 Cầu đơn.
Đo điện trở bằng hai phương pháp:
• Phương pháp cân bằng.
• Phương pháp không cân bằng.
1. Cầu cân bằng.
Cầu gồm 4 nhánh thuần trở R1, R2, R3, R4. Một c
đường chéo cầu (cd) nối với nguồn cung cấp một chiều U0. R 2 R3
Một đường chéo khác (ab) nối với chỉ thị cân bằng CT +
a CT b
(Hình 4.9). Khi điện áp trên a và b bằng nhau tức là không U0
- I1 I2
có dòng qua cơ cấu chỉ thị (rct = ) thì cầu cân bằng; ta có: R1 R4
I1R2 = I2 R3 d
I1R1 = I2R4 (4-24)
H×nh 4.9
Chia điều kiện thứ hai cho điều kiện đầu của (4-24):
R1 R4
= ; R1.R3 = R2.R4 (4-25)
R2 R3
Như vậy khi cầu cân bằng thì tích điện trở chia nhánh cầu đối nhau thì bằng nhau;
nếu một trong bốn nhánh cầu chưa biết; ta có thể xác định theo tương quan (VD: R4= Rx ).
R R
R x = 1 .R 3 = R 1 . 3 (4-26)
R2 R2
Kết quả đo không phụ thuộc vào nguồn cung cấp U0 ; đây cũng là ưu điểm của
phép đo. Độ chính xác của sự xác định điện trở phụ thuộc vào độ nhạy của điện kế.
Phụ thuộc vào cách cân bằng cầu, người ta chia cầu đơn thành hai loại: cầu hộp và
cầu biến trở.
a) Cầu hộp (hình 4.10)
ở cầu hộp, ta cân bằng cầu khi đo bằng cách R3
x100
R3
chọn một tỷ số và giữ cố định; thay đổi giá trị R2 x10
R2 x1
k
R1 cho đến khi cầu cân bằng (bộ phận chỉ thị zêrô); + B
U0 CT
R3 R5
đọc kết quả trên nhánh R1 đem nhân với tỷ số -
R2
R1 Rx
đã chọn sẽ được kết quả của phép đo.
Từ (4-26 ) ta thấy rằng khi R3 = R2 thì Rx =
R1(ở một mức điều chỉnh nào đó). Thông thường H×nh 4.10
64
điện trở R1 được chế tạo có dạng hộp điện trở hoặc biến trở chính xác cao, có nhiều mức
điều chỉnh, khắc độ trực tiếp giá trị điện trở trên hộp này.
Vì vậy nếu R3 = R2 thì giá trị điện trở Rx lớn nhất sẽ được xác địng bằng điện trở
toàn phần của R1.
Có thể mở rộng giới hạn đo của cầu hộp bằng cách tạo ra R3 có nhiều giá trị lớn
R3
nhỏ hơn nhau 10 lần (h.4.10); dùng chuyển mạch B thay đổi tỷ số
R2
Các sai số của phép đo điện trở bằng cầu hộp phụ thuộc vào độ ổn định, độ chính
xác của các điện trở nhánh cầu; phụ thuộc vào độ trễ của điện trở biến thiên (R1); độ
chính xác và độ nhạy của chỉ thị cân bằng.
Thông thường, cầu chế tạo bằng những điện trở mẫu chính xác cao, chỉ thị bằng
điện kế gương, có độ nhạy cao nên sai số đo không vượt quá 0,1%.
b) Cầu biến trở (hình 4.11)
Trong cầu biến trở , khi đo, để cân bằng
K
cầu người ta giữ cố định điện trở R1; điều chỉnh tỷ 0
R R5 RX
3
R0 0,5
R3 D CT
số một cách đều đặn cho đến khi kim chỉ thị 1
R2 R2
R1
chỉ đến zêrô (tức là cầu đã cân bằng và lấy kết quả U0 
x1 x10 x100
đo). Muốn vậy hai nhánh cầu R2 và R3 được tạo
bởi một biến có con trượt, quấn trên ống thẳng
hoặc đường tròn. Dây điện trở thường bằng H×nh 4.11
Manganin.
Tỷ số điện trở hai phần dây quấn hai bên con trượt D bằng tỷ số chiều dài hai phần
ống này.
I3 R 3
= (4-27)
I2 R 2
Thang chia độ giá trị tỷ số hai điện trở được mắc song song với ống dây điện trở
này từ 0   (h.4.11)
I3 R 3
Điểm giữa của thang chia độ tương ứng với tỷ số: = =1 (4-28)
I2 R 2
Điều chỉnh vị trí con trượt D trên biến trở để đạt được điều kiện cân bằng cầu. Giá
trị điện trở cần đo Rx được xác định theo công thức:
R3
R x = R 1. (4-29)
R2
Mở rộng dài đo của cầu bằng cách chế tạo điện trở R1 thành nhiều điện trở có giá
trị khác nhau và thông qua chuyển mạch B để thay đổi các giá trị này.
Cầu biến trở có thể chế tạo gọn, nhẹ nhưng không chính xác bằng cầu hộp.
Trong hai sơ đồ cầu đơn (hình 4.10) và (hình 4.11) có điện trở R5 dùng để điều
chỉnh độ nhạy của chỉ thị. Nghĩa là có những lúc không thể cân băng được cầu vì có một
65
dòng điện tương đối lớn nào đó qua chỉ thị. Vì vậy sau khi điều chỉnh thô, để cân bằng
cầu ta ấn khoá K để loại trừ R5 ra khỏi mạch đo và tiếp tục điều chỉnh tinh cân bằng cầu.
Độ chính xác của cân bằng cầu phụ thuộc vào độ nhạy của chỉ thị và điện áp cung
cấp. Vì vậy phải chọn điện áp cung cấp sao cho ở vị trí điều khiển nào và với bất kì điện
trở Rx thì dòng qua chỉ thị không vượt quá dòng cho phép của chỉ thị.
Giá trị điện trở cần đo càng lớn thì điện áp nguồn cung cấp (U0) càng lớn. Nhưng
với U0 đã chọn để đo Rx lớn, khi đo Rx nhỏ cần phải giảm bớt U0 đưa vào mạch cầu.
Người ta dùng R0 để thực hiện mục đích này (hình 4.11)
2. Cầu không cân bằng.
Trong công nghiệp, người ta thường dùng nguyên lý cầu Wheatstone không cân
bằng nghĩa là nhờ điện áp ra (hoặc dòng điện ra) ở ngõ ra của cầu để đo điện trở R hoặc
sự thay đổi R của phần tử đo. Phương pháp này cần nguồn cung cấp cho cầu ổn định, vì
điện áp ra có phụ thuộc vào nguồn U0; ngoài ra còn phụ thuộc vào độ chính xác của các
phần tử của cầu. Còn độ nhạy của cầu phụ thuộc vào nguồn cung cấp và nội trở của bộ
chỉ thị (hoặc tổng trở vào của mạch khuếch đại nếu điện áp ở ngõ ra của cầu được đưa
vào mạch khuếch đại).
R2 R3
R2 R3 r
U0 +
G
- + +
R1 U1 U4 R4 R1 R4
- -
H×nh 4.12
Từ mạch cầu hình 4.12 điện kế G được tháo ra khỏi cầu đo. Điện áp ở ngõ ra của
cầu:
 R1 R4 
U1 − U 4 = U 0  − 
 R1 + R2 R4 + R3 
Tổng trở ngõ ra của cầu được xác định:
Ig
𝑟 = (𝑅2 //𝑅1 ) + (𝑅3 //𝑅4 )
r Rg
+
Như vậy mạch tương đương Thevenin của cầu U1 – U4 G
-
dược xác định như hình 4.13. Do đó dòng điện IG qua điện
kế G khi cầu không cân bằng:
H×nh 4.13
U1 − U 4
IG = ; r G: nội trở của điện kế G
r + rG
4.3.2 Cầu đôi Kelvin
Dùng cầu đơn để đo điện trở nhỏ (thường dưới 1)không thuận tiện và sai số lớn
vì bị ảnh hưởngcủa điện trở nối dây và điện trở tiếp xúc…Người ta đã chế tạo ra cầu kép
để đo điện trở nhỏ và rất nhỏ. Cấu tạo của cầu kép (h.4.14) gồm : các điện trở R1, R2, R3,
R4 và R là điện trở các nhánh cầu; Rx là điện trở cần đo và R0 là điện trở mẫu chính xác
66
cao. Để tránh điện trở tiếp xúc khi nối các điện trở vào mạch, người ta chế tạo ra R0 và Rx
dưới dạng các điện trở 4 đầu (hình 4.15)
I1 R1 R2 I2
1 CT 2
I3 R3 R4 §Çu dßng
I4
RX 3
IX R0 I0
IX – I3 R
A §Çu thÕ
U0 R®/c
H×nh 4.14 H×nh 4.15
Khi cầu cân bằng ta có:
 I1 = I 2

I 3 = I 4 (4-30)
I = I
 x 0
và xét 3 dòng vòng 1, 2, 3 (h.4.14), theo định luật Kirchoff II ta có:

 I x .R x + I 3 .R3 − I 1 .R1 = 0

 I 0 .R 0 + I 4 .R 4 − I 2 R 2 = 0 (4-31)
 I .R − I .R − ( I − I ).R = 0
 3 3 4 4 x 3
Giải hệ phương trình trên ta được:

R1 R 4 .R  R1 R 3 
Rx = R 0 . + R − R  (4-32)
R2 R + R3 + R4  2 4 
Để đơn giản cho việc điều chỉnh cân bằng cầu khi đo, người ta loại trừ bớt số hạng
thứ hai vế bên phải của (4-32). Muốn vậy khi chế tạo phải bảo đảm sao cho:
R1 R 3
= hoặc R  0.
R2 R4
Lúc đó phương trình cân bằng cầu sẽ là :
R1
R x = R 0. (4-33)
R2
R1
Như vậy khi đo Rx chỉ cần thay đổi giá trị R0 và tỷ số để cân bằng cầu
R2
Cấp chính xác của cầu một chiều phụ thuộc vào giới hạn đo của cầu.
4.4 Đo điện trở lớn.
Điện trở có giá trị lớn (Megaom) dùng vônmét, microampemét, cầu Wheatstone
và megommét chuyên dụng. Khi đo điện trở có trị số lớn như đo điện trở cách điện của
vật liệu thông thường sẽ có 2 phần tử điện trở:
- Điện trở khối
67
- Điện trở rỉ bề mặt

Hai phần điện trở này song song với nhau như vậy hai điện trở có trị số lớn có
thể so sánh được thì sẽ ảnh hưởng đáng kể đến điện trở khối cần đo của vật liệu cách điện
4.4.1 Đo điện trở lớn dùng vôn mét và mircoampe mét.
Líp vá D©y b¶o vÖ
Gi¸p kim lo¹i
çch ®iÖn
D©y dÉn
IV IV
IS+IV
A A
Vm
+
+ IS
IS E V
IS
V E - V E
- V E
H×nh 4.16b
H×nh 4.16a
CÇn ®o ®iÖn trë çch ®iÖn cña vá bäc d©y dÉn trong vµ d©y dÉn bªn ngoµi (vá gi¸p
b»ng kim lo¹i) cña d©y dÉn ®iÖn ®ång trôc cã vá gi¸p (H×nh 4.16a). Khi dßng ®iÖn ®i vµo
d©y dÉn th× sÏ cã hai dßng ®iÖn ®i qua mircoampe mÐt lµ dßng I V ®i qua líp çch ®iÖn cña
vá bäc vµ dßng I S ®i qua bÒ mÆt cña d©y dÉn vµ líp çch ®iÖn. Cho nªn ®iÖn trë song
RV
song gi÷a líp çch ®iÖn vµ bÒ mÆt ®-îc x¸c ®Þnh bëi v«n mÐt vµ microampe mÐt. NÕu
RS
RS so s¸nh ®-îc víi R V th× R S sÏ ¶nh h-ëng rÊt lín ®Õn R V cÇn ®o. §Ó tr¸nh ¶nh h-ëng
cña R S b»ng çch lo¹i bá dßng I S qua microampe mÐt, ng-êi ta th-êng dïng d©y dÉn ®iÖn
(kh«ng cã vá bäc hoÆc vÐcni)
quÊn quanh líp vá cÊch ®iÖn vµ
nèi tr-íc microampe kÕ. Nh-
vËy dßng I S ®i qua R S lóc tr-íc
sÏ ®i qua d©y dÉn nµy (H×nh
4.16b) do ®ã ¶nh h-ëng cña RS
vµo RV bÞ lo¹i bá. Vßng d©y dÉn
nµy gäi lµ vßng b¶o vÖ tr¸nh
®iÖn trë rØ bÒ mÆt R S .
H×nh 4.17
Trong tr-êng hîp ®o ®iÖn trë çch ®iÖn cña mét mÉu çch ®iÖn bÒ mÆt (h×nh 4.17)
khi ®ã ®Ó lo¹i bá dßng ®iÖn rØ bÒ mÆt ng-êi ta dïng vßng b¶o vÖ b»ng kim lo¹i h×nh vµnh
kh¨n bªn ngoµi b¶n cùc trªn ®Ó ®o ®iÖn trë çch ®iÖn.
4.4.2 Megom mÐt chuyªn dïng
Bé chØ thÞ th-êng dïng cho megom mÐt (lo¹i cæ ®iÓn) lµ tû sè kÕ tõ ®iÖn (H×nh
4.18).
C¬ cÊu chØ thÞ nµy gåm hai cuén d©y:
- Cuén lµm lÖch 2-2
- Cuén kiÓm so¸t 1-1
Hai cuén d©y nµy quÊn trªn trôc quay mang kim chØ thÞ. M«men quay:
M 2 = d 2(  ).I 2 vµ M1 = d 1(  ).I1
68
Hai m«men nµy lu«n lu«n ®èi kh¸ng nhau vµ d 1 vµ d 2 lµ hµm sè theo gãc quay  cña kim
chØ thÞ ®Ó sao cho t¹i gãc  i cña kim chØ thÞ
M1 = d 1(  i ).I1 = M 2 = d 2(  i ).I 2
I1 d ( )
Suy ra: = 2 i = d(  i )
I2 d1 (i )
R1 
VËy gãc quay  i cña kim phô thuéc RX
N
1 2
vµo trÞ sè cña dßng ®iÖn I 1 vµ I 2 (c¬ MF
2
cÊu chØ thÞ nµy kh«ng cã trÞ ban ®Çu R2 1
S Tay
v× kh«ng cã lß xo kiÓm so¸t hoÆc d©y 0 quay
treo nh- c¬ cÊu chØ thÞ tõ ®iÖn mµ chØ
cã trôc quaydo ®ã khi kh«ng cã dßng G
I 1 , I 2 kim chØ thÞ ë vÞ trÝ bÊt k×) H×nh 4.18
Theo m¹ch cô thÓ cña megom mÐt: nguån E ®-îc cung cÊp bëi m¸y ph¸t ®iÖn
quay tay (hoÆc nguån ph¸t b»ng m¹ch ®iÖn tö dïng pin nh- çc m¸y míi sau nµy ).
Dßng I 1 qua cuén kiÓm so¸t:
E
I1 =
R 1 + r1
Trong ®ã :
R1 : ®iÖn trë chuÈn
r1 : néi trë cña khung quay kiÓm so¸t.
Dßng I 2 qua cuén lµm lÖch:
E
I2=
R X + R 2 + r2
Trong ®ã:
RX : ®iÖn trë ®o
R2 : ®iÖn trë chuÈn
r2 : néi trë cña khung lµm lÖch.
➢ Khi R X → ; I 2 → 0 Dßng ®iÖn I 1 kÐo kim chØ thÞ lÖch vÒ phÝa tr¸i thang ®o cã
trÞ sè .
➢ Khi R X → 0; I 2 → I 2 max (cùc ®¹i) tØ sè I 2 / I 1 → trÞ sè cùc ®¹i kim chØ thÞ lÖch vÒ
phÝa ph¶i (trÞ sè 0 )
➢ Khi R X → bÊt k× khi ®ã gãc quay  i .
E E
I1 = vµ I 2 =
R 1 + r1 R X + R 2 + r2
I1 E /( R1 + r1 ) R + R2 + r2
= = d (i ) => x = d ( i )
I 2 E /( RX + R2 + r2 ) R1 + r1
Nh- vËy gãc quay  i phô thuéc vµo trÞ sè ®o R X
69
* §Æc biÖt khi kim chØ thÞ gi÷a thang ®o:

I1
= 1 => R X = R 1 + r 1 - R 2 - r 2
I2
NÕu: r 1 = r 2 => R X = R 1 - R 2
Nh- vËy thay ®æi kho¶ng ®o cho thang ®o b»ng çch thay ®æi trÞ sè R 2 .
Trong m¹ch nµy cã ®Çu G (Guard) ®Ó g¾n vµo vßng b¶o vÖ hoÆc d©y b¶o vÖ ®Ó
lo¹i bá ®iÖn trë rØ bÒ mÆt (R S ) khi ®o ®iÖn trë çch ®iÖn.
4.5 §o ®iÖn trë tiÕp ®Êt

§iÖn trë ®Êt: ®iÖn trë cña vïng ®Êt cÇn ®o tiÕp xóc víi cäc ®Êt sÏ ®-îc x¸c ®Þnh
bëi ®iÖn ¸p r¬i trªn ®iÖn trë ®Êt khi cã dßng ®iÖn ®i qua nã. §iÖn trë ®Êt phô thuéc vµo
m«i tr-êng xung quanh (t 0, F), thµnh phÇn cña ®Êt.
Kho¶ng çch gi÷a çc cäc ®Êt: kh«ng ¶nh h-ëng tíi nhau (®iÖn trë cäc A lµ R A
kh«ng bÞ ¶nh h-ëng cña ®iÖn trë cäc B lµ R B ) ®Ó ®iÖn trë ®Êt cÇn ®o kh«ng bÞ ¶nh h-ëng.
H×nh 4.19a ta cho dßng ®iÖn I ®i qua vïng ®Êt gi÷a hai cäc ®Êt sÏ t¹o ra ®iÖn ¸p :
UAC = RA.I
UBC = RB.I
Khi cäc P ®-îc ®ãng ë gi÷a cäc A;B ë bÊt kú vÞ trÝ nµo th× ®iÖn ¸p U AC cã trÞ sè
thay ®æi theo ®-êng biÓu diÔn h×nh 4.19b. Nh- vËy ngoµi ph¹m vi 10m th× U AC kh«ng ®æi,
do ®ã ë ph¹m vi 20m th× cã thÓ xem nh- hai cäc kh«ng ¶nh h-ëng ®Õn nhau.
§iÖn ¸p dïng trong m¹ch ®o: Nguån AC d¹ng sin hoÆc xung vu«ng ( tr¸nh dïng
nguån DC sÏ cã sai sè); nguån cÇn cã çch ly (tr¸nh dßng trung tÝnh khi mÊt ®èi xøng).
a) b)
H×nh 4.19
4.5.1 §o ®iÖn trë ®Êt dïng V«nmÐt, ampemet.
1. Ph-¬ng ph¸p trùc tiÕp (H×nh 4.20).
Cäc A: ®o ®iÖn trë ®Êt R X
Cäc P: cäc phô ®o ®iÖn ¸p
Cäc C: cäc phô ®o dßng ®iÖn.
M¹ch t-¬ng ®-¬ng h×nh 4.21:
UAP = RX.I' + R P.IV
I = I' + I V
UA H×nh 4.20
NÕu IV << I' th× I'  I. Ta ®-îc: R X =
I
70
H×nh 4.21 H×nh 4.22
2. Ph-¬ng ph¸p gi¸n tiÕp

Dïng v«nmet, ampemet ta cã ®iÖn trë cña tõng cäc theo cÆp (H×nh 4.22):
RA + RP = U1/ I1
TiÕp tôc ®o hai cÆp cäc B;C vµ C;A:
RB + RC = U2 / I2
RC + RA = U3 / I3
Gi¶i ra ta ®-îc R A, RB , RC.
4.5.2 Dïng cÇu ®o (H×nh 4.23)
§iÖn trë R A + RB ®-îc x¸c ®Þnh:
R1
R A + RB = R3
R2
4.6 Đo điện cảm, điện dung, hỗ cảm.

4.6.1 Dùng vôn mét và Ampe mét đo
điện dung, điện cảm và hỗ cảm. H×nh 4.23
4.6.1.1 Đo điện dung C.
Mạch đo được mắc theo hình 5-1.Tổng trở của điện dung Cx được xác định bởi
vônmét và ampemét (nếu sự tổn hao mất do điện môi của tụ điện không đáng kể ):
U 1 I
Z CX = = ; suy ra: C X = . (5.1)
I C X .w U .w
A A W
U U
CX CX
V RX V
RX
H×nh 5.2
H×nh 5.1
Nguồn tín hiệu cung cấp cho mạch đo phải là nguồn tín hiệu hình sin, có độ méo
dạng nhỏ, biên độ và tần số của tín hiệu phải ổn định (không thay đổi). Nếu tần số của tín
71
hiệu lớn thì sẽ tạo ra sai số đáng kể cho kết quả đo. Trong trường hợp mạch dùng thêm
Wattmét (Hình 5.2), điện trở rỉ Rx của điện dung Cx được xác định bởi biểu thức sau:
P
RX = (5.2)
I2
2
U  1 
Tổng trở của điện dung: Z= = R 2
X +   (5.3)
I  C X .w 
1
Và điện dung cần đo: CX = (5.4)
w Z 2 − R2 X
1
Từ (5.2); (5.3); (5.4) ta suy ra: CX = (5.5)
2
U2  P 
w 2 − 2 
I I 
I2
Do đó: CX =
w U 2 .I 2 − P 2
Sự hao mất công suất do điện dung cho bởi:
1
P = U .I cos = I 2 sin d . Vì: d =  / 2 −  )
C X .w
d: góc mất của điện dung.
P.w.C X
Nếu góc mất nhỏ: tgd  sin d =
I2
Sự chính xác của phương pháp đo này có thể bằng hoặc lớn hơn phương pháp đo
trước. Phương pháp dùng Wattmét không chính xác khi xác định những điện dung có góc
mất nhỏ. Để đo góc mất d được chính xác người ta thường dùng phương pháp cầu đo.
4.6.1.2 Đo điện cảm L.
A A w
U U
LX
V LX
RX V
RX
H×nh 5.3 H×nh 5.4

Mạch đo điện cảm LX được xác định như hình 5.3. Tổng trở của điện cảm LX
được xác định:
U 1
Z= = R 2X + L2X w2 và điện cảm LX = Z 2 − R 2X
I w
Z: được xác định bởi Vôn kế và ampe kế ; RX được xác định trước
Trong trường hợp dùng thêm Watt mét (Hình 5.4) cuộn dây có điện cảm:
1
LX = U 2 I 2 − P2
w .I 2
P: Công suất tổn hao của cuộn dây được xác định bởi Watt mét
72
4.6.1.3 Đo hệ số hỗ cảm M: Theo mạch đo ( hình 5.5)

A
M
A
M L1
R1
U U V
V
L2
R2
H×nh 5.5
H×nh 5.6
Hệ số hỗ cảm M giữa hai cuộn dây được xác định bởi:
M = U/Iw ; U, I cho bởi Vôn mét và Ampe mét
Ngoài ra chúng ta cũng biết:
M = n1 . n2 / R.
n1 ; n2 : số vòng dây quấn vào cuộn dây 1 và 2
R : từ trở của mạch từ
Trong trường hợp hai cuộn dây được mắc nối tiếp với nhau trên cùng mạch từ, có
cùng chiều quấn cực tính của cuộn dây. Tổng trở điện cảm của hai cuộn dâyđược xác
định:
La = L1 + L2 + 2M
Do đó La được xác định bởi tổng trở Za cho bởi vôn mét và ampe mét:
1
La = Z 2 a − ( R1 + R2 ) 2 ; Za: tổng trở của hai cuộn dây
w
Trong trường hợp hai cuộn dây được mắc nối tiếp nhau trên cùng mạch từ có
chiều quấn ngược nhau ( cực tính của hai cuộn dây được xác định trên hình 5.6 ). Khi đó
tổng số điện cảm của hai cuộn dây được xác định:
Lb = L1 + L2 - 2M
và Lb cũng được xác định bởi tổng trở Zb cho bởi vôn mét và ampe mét cho bởi biểu
thức:
1
Lb = Z 2 b − ( R1 + R2 ) 2
w
Từ hai giá trị của La và Lb có thể suy ra giá trị hỗ cảm M như sau:
La - Lb = 4M
 M = (La - Lb)/4
73
4.6.2 Cầu đo điện dung và điện cảm.

4.6.2.1 Cầu Wheatstone xoay chiều.
Điều kiện cân bằng cho cầu đo AC:
Z1 Z2
Theo mạch đo của cầu đo AC hình 5.7:
Z1 . Z3 = Z2 . Z4
G
Từ phương trình này ta có sự cân bằng theo điều
kiện : Z4 Z3
• Cân bằng modul: Z1 Z 3 = Z 2 Z 4
• Cân bằng góc pha:  1 +  3 =  2 +  4 H×nh 5.7
Nếu khai triển số phức của phương trình cân bằng :
• Cân bằng phần thực: Re(Z1Z3 ) = Re(Z2Z4 )
• Cân bằng phần ảo: Im(Z1Z3) = Im(Z2Z4)
4.6.2.2 Cầu đơn giản đo C và L.

Cầu đo điện dung: Mạch đo được mắc theo hình 5.8
Z1 : Là tụ điện mẫu C1. ( có thể thay đổi được) C1 Cx
Z2 : Tụ điện cần đo CX.
Z3 , Z4 : Là những điện trở mẫu thay đổi được G
Khi cầu cân bằng (điện kế G chỉ 0) ta có:
R4 R3
1 1
Z1 Z3 = Z2 Z4 ; R3 = R4
jwC1 j wC X
H×nh 5.8
R4
Suy ra : CX = C1
R3
Với giá trị cầu đo Cx bất kỳ, chúng ta điều chỉnh tỉ số R4 /R3 và C1 ( nếu là tụ điện
mẫu thay dổi được) cho cầu cân bằng để xác định Cx.
Cầu đo điện cảm : Hình 5.9
Z1 : Là cuộn dây mẫu L1
L1 Lx
Z2 : Cuộn dây đo Lx
R3 , R4 : Điện trở mẫu thay đổi được
G
Khi cầu cân bằng ta có mối quan hệ:
Z1R3 = Z2R4 ; JwL1 R3 = JwLx.R4 R4 R3
Suy ra: Lx = (R3/R4)/L1
H×nh 5.9
Trong 2 cầu đo đơn giản trên chúng ta xác định thuần tuý giá trị Cx , Lx . Không
xác định sự tổn hao mất điện dung cũng như trên điện cảm cần đo
74
4.6.2.3 Cầu đo L, C phổ quát.

1. Hệ số hao mất của điện dung.
Tụ điện lý tưởng không tiêu thụ công suất (không có dòng qua hai bản cực).
Nhưng trong thực tế có dòng từ cực này qua lớp điện môi đến cực kia. Vì vậy trong tụ có
tổn hao công suất. Thực tế tổn hao này nhỏ nên người ta thường đo góc tổn hao tg d của
tụ để đánh giá tụ điện. Tụ điện được đặc trưng bởi một tụ điện lý tưởng và một thuần trở
hoặc mắc nối tiếp nhau (tụ tổn hao ít) hoặc mắc song song (tụ tổn hao nhiều).
U U
CX RX I IC CX
I
IR RX
UC UR
UR IC I
I d
d
IR U
UC U
D: nhá D: lín
Chất lượng của điện dung được đánh giá qua hệ số D.
- Với tụ tổn hao ít ( D  0,1 ):
UR = I.RX
I
UC =
w.C X
UR I .R X
Ta có: D = tgd = = = wR X C X
UC I
w.C X
- Trường hợp điện dung tổn hao lớn ( D  0,1); tương tự trên ta có:
1
D=
wR X C X
2. Hệ số phẩm chất Q của cuộn dây:
Phẩm chất của cuộn dây có điện cảm Lx được xác định bởi hệ số Q.
LX RX LX
RX
D: nhá
D: lín
- Nếu cuộn dây có sự hao mất nhỏ (điện trở của cuộn dây nhỏ) thì có mạch tương
đương Rx nối tiếp với Lx , hệ số Q của cuộn dây:
XL
Q=
R
75
Lxw
Q= ; ( Q  10: Q nhỏ )
Rx
- Nếu cuộn dây có sự hai mất lớn ( điện trở của cuộn dây lớn ) thì mạch tương
đương ( Rx// Lx ):
1 / wLx R
Q= = x ; ( Q  10: Q lớn )
1 / Rx wLx
Tuỳ theo giá trị của D (điện dung), Q (điện cảm) lớn hoặc nhỏ sẽ có mạch cầu đo
phổ quát cho từng loại.
3. Cầu phổ quát đo điện dung: cầu phổ quát đo điện dung gồm hai loại điện dung có hệ
số D nhỏ(hình 5.10) và D lớn (hình 5.11).
C1 Cx R1 Rx
R1 Rx C1 Cx
G G
R4 R3 R4 R3
H×nh 5.10 H×nh 5.11

- Trong mạch cầu Rx nối tiếp Cx :
R − j1 / wC1 R X − j1 / wC X
Khi cầu cân bằng: 1 =
R4 R3
Cân bằng phần thực: RX = R1(R3 /R4)
Cân bằng phần ảo: Cx = (R4/R3) C1
Từ kết quả đo được Cx, Rx chúng ta xác định được hệ số D cho điện dung
R R
D = wCxRx = w 4 C1. 3 R1 = wC1 R1
R3 R4
Cho nên cầu đo phổ quát cho chúng ta giá trị D khi w, R1, C1 được xác định. Trị số
CX, RX không phụ thuộc tần số.
- Trong mạch CX // RX: Z1Z3 = Z2Z4
1 1
R3 = R4
1 1
+ jwC1 + jwC X
R1 RX
R3
Cân bằng phần thực: R X = R1
R4
R4
Cân bằng phần ảo: C X = C1
R3
1 1
Ta xác định được: D = =
wR X C X wR1C1
76
4. Cầu phổ quát đo điện cảm: Cầu phổ quát đo điện cảm cũng gồm có hai dạng dùng
cho loại điện cảm có hệ số Q nhỏ (hình 5.12) và Q lớn (hình 5.13).
Lx R1 Rx
R1
RX LX
G G
C4
C4 R4 R3 R3
R4
H×nh 5.12 H×nh 5.13

- Trong mạch cầu đo Lx nối tiếp Rx : cầu Maxwell
Khi cầu thoả mãn điều kiện cân bằng:
1
( R X + jwL X ). = R1 .R3
1
+ jwC 4
R4
R X + jwL X 1
= R1 .( + jwC 4 )
R3 R4
Cân bằng phần thực: Rx = R1 (R3 /R4)
Cân bằng phần ảo: Lx = C4 R1R3
Do đó hệ số Q của cuộn dây Lx nối tiếp Rx được xác định:
wL X wC 4 R1 R3
Q= = = wC 4 R4
RX R1 R3 / R4
- Trong mạch LX // RX: cầu Hay
Khi cầu thoả mãn điều kiện cân bằng:
1 1
( R4 − j ). = R1 .R3
wC 4 1 + 1
RX j wL X
1 1 1
( R4 − j ) = R1 .R3 ( −j )
wC 4 RX wL X
Cân bằng phần thực: Rx = R1 (R3 /R4)
Cân bằng phần ảo: Lx = C4 R1R3
Do đó hệ số Q của cuộn dây Lx song song Rx được xác định:
RX R R /R 1
Q= = 1 3 4 =
wL X wR1 R3C 4 wC 4 R4
77
Bài 5.
ĐO CÔNG SUẤT VÀ ĐIỆN NĂNG

5.1 Công suất và năng lượng.
Công suất và năng lượng là các đại lượng cơ bản của phần lớn các đối tượng quá
trình và hiện tượng vật lí. Vì vậy việc xác định công suất và năng lượng là một phép đo
rất phổ biến.
• Công suất trong mạch một chiều được xác định: P = U.I = I2R = U2/R = k.q
q: nhiệt lượng toả ra trên phụ tải
• Công suất trong mạch xoay chiều một pha:
T T
1 1
P=
T 
0
pdt =
T 0
uidt
Trường hợp dòng, áp có dạng Sin thì:

P = U.I.cos; cos là hệ số công suất
và công suất phản kháng:
Q = U.I.sin
• Công suất trong mạch 3 pha được xác định
P = PA + PB + PC
Q = QA + QB + QC
5.2 Đo công suất DC trong mạch một pha
5.2.1 Phương pháp dùng Vônmét và Ampemét.
Ua I
A IT
A
IV
Ra
U V
U V T¶i
Ut T¶i RV
H×nh 6.2
H×nh 6.1
Trên hình 6.1: Vônmét chỉ
U = Ua + Ut .
Công suất của tải: P t = It Ut = It (U - Ua) = UIt - RaI2t
Vậy với sơ đồ này công suất đo được có sai số do điện trở nội của Ampemét.
Trên hình 6.2:
P t = UIt = U(I - Iv) = U.I - U.It
Như vậy sai số của phép đo phụ thuộc vào dòng Iv qua Vônmét. Nếu Iv càng nhỏ
thì phương pháp này đo càng chính xác.
78
5.2.2 Phương pháp đo dùng Watt mét.

Trên hình 6.3 cuộn tĩnh được nối nối tiếp với *
phụ tải, cuộn động nối nối tiếp với điện trở phụ RP . * W
I
Cuộn động và cuộn tĩnh được nối với nhau ở hai đầu
IU
có đánh dấu *.
U RP T¶i
Ta biết đặc tính thang đo của cơ cấu điện
động:
1 dM 12
=  I1 I 2
D d H×nh 6.3
Dòng I1 đi qua cuộn tĩnh; dòng I2 đi qua cuộn động. Do đó ta có góc lệch của kim
chỉ thị của Watt-mét điện động được xác định như sau:
U
Với dòng I1 bằng dòng tải I; dòng I2 là dòng qua cuộn áp IU: I U =
Ru + R p
1 dM 12 I .U
Nên: =  . ; như vậy  phụ thuộc vào công suất P = UI.
D d Ru + R p
Để thang đo của Watt-mét điện động đều phải đảm bảo dM12 /d không đổi (điều
dM12
này phụ thuộc vào hình dáng, kích thước và vị trí ban đầu của cuộn dây). Nếu =
d
dM 12 1
const thì:  = SUI = SP , ở đây S =  là độ nhạy của Watt-mét điện động
d D( Ru + R p )
theo dòng một chiều.
Theo cách mắc trên thì Watt mét quay theo chiều đã được xác định sẵn, nếu muốn
quay ngược lại thì đổi hai đầu của cuộn dây cố định.
5.3 Đo công suất AC trong mạch một pha
5.3.1 Phương pháp dùng Vônmét và Ampemét.
A
1 R U3
K U2
2
UAC
V T¶i 
1' 1
K’ I U1
2'
H×nh 6.4 H×nh 6.5
Mạch đo hình 6.4 dùng Vôn mét đo U1, U2, U3. Ta có giản đồ véc tơ hình 6.5.
Ta biết: P = U2 .I cos
Việc đo công suất trở thành tính hệ số công suất cos. Từ giản đồ:
U2 3 = U22 + U21 - 2U1 .U2 cos( - )
79
U 2 3 − (U 2 2 + U 21 )
Suy ra: cos =
2U 1U 2
U 2 3 − (U 2 2 + U 21 ) U 2 3 − (U 2 2 + U 21 )
Do đó: P = U 2 I . = I.
2U 1U 2 2U 1
5.3.2 Dùng Watt mét điện động.
Watt mét trong mạch xoay chiều ta có: U
1 dM 12 I
=  i1i2 IU
D d
 I
Từ đồ thị hình 6.6 ta có:
1 dM12
=  .I .I u cosd d
D d 

U
Với: Iu = cos
Ru + R p
H×nh 6.6
dM12
Nếu = const thì:  = SUI cos( −  )cos
d
Từ biểu thức trên đây ta thấy góc lệch của kim chỉ thị đã tỷ lệ với công suất
 = SUI cos = SP khi  =  hoặc  = 0 ( điều này có thể đạt được khi chế tạo ta mắc
thêm tụ C song song với điện trở RP; điều kiện tần số không đổi)
5.3.3 Đo gián tiếp dùng biến dòng với Watt mét.
U1
U1 T¶i
-I2
i1
1

K L d I1
i2 I2
W
H×nh 6.7
Trường hợp đo công suất của tải có điện áp định mức, dòng có trị số lớn thì cần sử
dụng TI để dòng qua cuộn dòng không quá giới hạn. Hình 6.7
Ta có công suất do Watt mét chỉ:
P 2 = U1 .I2cos 2.
Công suất của tải:
P 1 = U1 . KI.I2cos( 1 - d)
KI: hệ số biến dòng TI
Thực tế d rất nhỏ nên  1 - d   1 . Nên ta có:
P 1 = U1 .I1cos 1 = KI.P 2.
( Sai số của kết quả đo phụ thuộc vào sai số của biến dòng; góc lệch pha của dòng
sơ và dòng thứ)
80
5.3.4 Đo gián tiếp dùng biến dòng, biến áp phối hợp với Watt mét.(hình 6.8)
U1
U1 T¶i
i1 -I2
1
-U2 dU dI
K L I1
x X
i2 I2 2
W U2 U1 U2
a A
H×nh 6.8
Trường hợp tải có điện áp cao, dòng lớn ta cần hạ thấp điện áp, dòng điện. Như
vậy công suất do Watt mét chỉ:
P W = U2I2cos 2
Do đó công suất của tải:
P T = KI.I2.KU.U2cos( 1 +d U - d I)
Nếu góc lệch d U và d I rất nhỏ đảm bảo  1 + d U - d I =  1 thì:
P T = P W KI.KU = U1I1 cos  1
(Sai số do tỷ số biến áp, biến dòng, góc lệch giữa cuộn dòng, cuộn áp)
5.4 Đo công suất tải ba pha.

5.4.1 Nguyên lý chung:
Trong mạch điện 3 pha phụ tải được mắc theo hai cách: phụ tải hình sao và phụ tải
hình tam giác: hình 6.9
A A
ZA
B ZAC ZAB
B
N
ZB
C ZC C
Z BC
N
H×nh 6.9
Phụ tải ở đây có thể đối xứng hoặc không đối xứng. Trong thực tế phụ tải thường
không đối xứng nhưng trong quá trình vận hành ngưới ta cố gắng tạo ra phụ tải đối xứng
để thuận lợi cho MF và lưới điện.
Để thực hiện phép đo công suất tổng trong mạch 3 pha ta xét trường hợp chung
(mạch 3 pha 3 dây). Ví dụ tải hình sao không có dây trung tính phụ tải bất kỳ (đối xứng
hay không đối xứng):
81
Các điện áp
uAB, uBC, uAC là các giá trị tức thời của điện áp dây
uAN, uBN, uCN là các giá trị tức thời của điện áp pha
iA, iB, iC, là các giá trị tức thời của dòng điện pha
Ta có các phương trình sau đây:
iA + iB + iC = 0  iC = -( iA + iB)
P  = uAN iA + uBN iB + uCN iC
 P  = uAN iA + uBN iB - uCN iA - uCN iB
= iA(uAN - uCN) + iB(uBN - uCN)
= iAuAC + iBuBC
Dựa vào biểu thức này ta có thể viết công suất của mạch 3 pha theo một trong 3
công thức sau:
P  = iAuAC + iBuBC
P  = iAuAB + iCuCB
P  = iCuAC + iBuBA
Như vậy trong mạch 3 pha sử dụng điện áp dây và dòng điện pha ta chỉ sử dụng 2
Wattmét là đủ. Chứng minh trên đây chỉ phù hợp với tải bất kỳ ba pha ba dây (tải hình
sao không có dây trung tính)
5.4.2 Các phương pháp đo công suất
1) Đo công suất mạch 4 dây.
- Sử dụng 3 Watt mét với mạch 3 pha không đối xứng (hình 6.10):
P  = P 1 + P 2 +P 3.
* W1
A *
* W2
B * T¶i
* W3 3
C * pha
H×nh 6.10
2) Đo công suất mạch 3 dây (Hình 6.11)
* W1
A *
* W2 T¶i
B * 3
pha
C
H×nh 6.11
82
Ta có:
P 1 = UACIAcos(  + 30 0)
P 2 = UBCIBcos(30 0 -  )
Do đó:P 1 + P 2 = UACIAcos(  + 30 0) + UBCIBcos(30 0 -  )
➢ Trường hợp tải 3 pha đối xứng: 3 U = UAC = UBC; I = IA = IB nên:
P1 + P2 = 3 U.I [cos(  + 30 0 ) + cos(30 0 -  )]
3
= 3 U.I(2cos30 0 cos) = 3 U.I(2 )cos = 3UIcos.
2
Vậy P 3F = P 1 + P 2 .
➢ Trường hợp tải 3 pha không đối xứng:
Công suất tức thời:
p1 = uAC.iA
p2 = uBC.iB
Mà iA + iB + iC = 0; uAC =uAO - uCO; uBC =uBO - uCO nên:
p1 + p2 = uAO.iA + uBO.iB + uCO.iC.
1 
T T T
Hay: P1 + P2 =   u AO i A dt +  u BO i B dt +  u CO iC dt 
T 0 0 0 
Như vậy chỉ cần dùng 2 Watt mét đo công suất tải ba pha.
( Chú ý đấu đúng đầu dây nếu không kết quả sẽ sai. Ví dụ Watt mét 2 quay ngược:
P3F = P1 - P2).
3) Dùng một Watt mét đo công suất tải 3 pha đối xứng.
* P1 A
A * * P1
Z B Z * Z
B
N
Z C
C Z Z
H×nh 6.12 H×nh 6.13

- Trường hợp mạch 3 pha đối xứng chỉ cần 1 Watt mét (hình 6.12):
P  = 3P 1
- Trường hợp (riêng) tải tam giác đối xứng đo trong nhánh ( Hình 6.13)
P  = 3P 1
- Trường hợp tải không có dây trung tính (tải Y không có dây trung tính; tải  đo
nhánh ngoài) ( Hình 6.14):
Cần tạo một điểm trung tính giả bằng cách: Watt mét được mắc thêm hai điện trở
R1; R2 . RU - điện trở cuộn áp của Wattmét.
Nếu tải cân bằng: R1 = R2 = RU = R
iU = i1 = i2 = i.
83
uAC = iU .R + i2.R = 2iR. * W1

uBC = i1 .R + i2.R = 2iR. A *
u AC + u BC T¶i 3
uAC + uBC = 4i.R; i = B pha
4R đối
Do đó Watt mét chỉ kết quả trung bình: xứng
T T T C
1 1 1
P=
T0 u AO .i A dt =  R.i.i.dt =R.  .i.i.dt
T0 T0
iu
R1 R2
T
11
4 T 0
= (u AC + u BC ).i.dt i1 i2
=
1
4  ( 1
3.UI. cos(300 + ) + cos( − 300  = 3UI cos 
4
) H×nh 6.14
Như vậy công suất của tải 3 pha được xác định bằng số chỉ của Watt mét một pha
nhân với hằng số phụ thuộc vào RV, R1 , R2 .
Chú ý: Trong trường hợp tải có dòng quá lớn; hoặc cả dòng ap đều lớn thì ta
dùng TI, TU cho từng pha như trường hợp một pha
5.5 Đo công suất phản kháng của tải.
5.5.1 Công suất phản kháng của tải một pha.
Công suất phản kháng của tải: *
Q = UIsin = UIcos(90 - )
0
* W
Như vậy có hai cách: I
- Dùng Wattmét, Vôn mét, Ampemet:
R
P2
Sin = 1 − cos  = 1 − 2 2 .
2
T¶i
U I U
- Ta chế VAR mét dùng Wattmét: sao cho L
dòng trong cuộn áp IU lệch pha với điện áp U một
góc 90 0. Ta thấy:
U
 = k.IU.II cos(90 0 - ) = k I .Sin = S .Q H×nh 6.15
ZU
Bằng cách mắc thêm một điện cảm nối tiếp với cuộn áp. (Hình 6.15)
5.5.2 Công suất phản kháng của tải ba pha.
a)Trong hệ thống 4 dây: Dùng Wattmét một pha Hình 6.16.
* W1 UA IA
A *
A
W2
B * T¶i
* W3 3 900 − A
C pha UBC
*
*
N
UC UB
H×nh 6.16
84
Như hình dùng Wattmét W1 (P A) đo công suất phản kháng QA

Ta có:
P A = IA.UBC cos(90 0 - ) = IA 3 UAsin = 3 QA
P
Hay: Q A = A
3
P +P +P
Do đó: Q3 f = A B C .
3
b)Trong hệ thống 3 dây:
- Tr.h tải cân bằng, điện áp đối xứng (Hình 6.17): Dùng hai Wattmet một pha
(hoặc 1 Wattmet 3 pha 2 phần tử).
UA IA
W1 A
*
A *
W2 T¶i 900 − A
B UBC
* 3
pha
*
C
UC UB
H×nh 6.17
Công suất cho bởi hai Wattmet:

P 2w = UBC.IA cos(90 0 - ) + UCAIB cos(90 0 - )
Do tải cân bằng, áp đối xứng nên: UBC = UCA = Ud ; IA = IB = Id.
Suy ra: P 2w = 2 Ud.Id.sin = 2 3 UIdsin = 2 3 Q
P
2Q = 2w .
3
Như vậy trên thang đo cần nhân với hệ số tỷ lệ ta sẽ được công suất phản kháng ba
pha.
- Tr.h tải không cân bằng, điện áp đối xứng: Dùng 3 Wattmet (Xem hình 4.16)
Kết quả: Q3f = (P 1 + P 2 + P 3 )/ 3 - tải không đối xứng
Q3f = P 1f 3 - tải đối xứng
5.6 Đo điện năng.
5.6.1 Đo điện năng trong mạch xoay chiều một pha bằng công tơ một pha
Điện năng trong mạch AC một pha được tính:
t2 t2
W =  Pdt =  UI cos .dt

t1 t1
P: Công suất tiêu thụ của tải
85
t = t 2 - t1 : khoảng thời gian tiêu thụ.

Dụng cụ đo điện năng gọi là công tơ. Công tơ được cấu tạo dựa trên cơ cấu cảm
ứng (Hình 6.18a)
Hình 6.18
a. Cấu tạo: gồm hai cuộn dây tạo thành hai nam châm điện 1;2.
Cuộn 1: gọi là cuộn áp được mắc song song với phụ tải (cuộn này có số vòng dây
nhiều, tiết diện dây nhỏ để chịu được điện áp cao).
Cuộn 2: gọi là cuộn dòng được mắc nối tiếp với phụ tải (cuộn này dây to, số vòng
ít, chịu được dòng lớn).
Đĩa nhôm 3 được gắn lên trục tì vào trụ có thể quay tự do giữa hai cuộn 1;2.
Gắn với trục của đĩa nhôm là một hộp số cơ khí. Một nam châm vĩnh cửu 4 mà từ
trường của nó xuyên qua đĩa nhôm để tạo ra mômen hãm.
b. Nguyên lý làm việc:
Khi có dòng điện I chạy trong phụ tải qua cuộn dòng tạo ra từ thông I cắt đĩa
nhôm 2 lần. Điện áp U được đặt vào cuộn áp, dòng Iu chạy trong cuộn áp tạo thành 2 từ
thông:
U – Là từ thông làm việc, nó xuyên qua đĩa nhôm
I – Là từ thông không xyên qua đĩa nhôm, do vậy mà không tham gia vào việc
tạo ra mômen quay.
Từ sơ đồ véctơ hình 6.19. Ta có: U I
I = kII I
I
U = kUIU = kU
U 
ZU IU

kI; kU : là hệ số tỷ lệ về dòng và áp 
L IL
ZU : là tổng trở của cuộn áp. U
Vì cuộn áp có điện trở thuần nhỏ so vói điện
U
kháng của nó cho nên có thể coi ZU XU =2fLU.
Từ đó: H×nh 6.19
86
kU .U U
U = = k 'U .
2fLU f
Ta đã biết mômen quay của cơ cấu chỉ thị cảm ứng được tính:
Mq = C.f. 1.2sin 
Như vậy: 1 = I; 2 = U. Do đó ta được:
Mq = kUIsin
Trong đó: k = C.kI.k'U.
: góc lệch pha giữa I và U
Từ biểu đồ vectơ ta có:
 =  - I - 
 
Nếu ta bảo đảm sao cho  =  - I = thì = - . Lúc đó mô men được
2 2
tính:
Mq = kUIcos = kP
Như vậy, lúc này mômen quay tỉ lệ với công suất. Để thực hiện điều kiện  =  -

I = , ta có thể điều chỉnh góc  (tức là điều chỉnh U bằng cách thay đổi vị trí sun từ
2
cuộn dây áp); hoặc điều chỉnh góc I (tức là điều chỉnh I bằng cách thêm hoặc bớt vòng
ngắn mạch của cuộn dòng).
Để kiểm tra điều kiện này người ta tạo ra một phụ tải ảo tức là sao cho cos  = 0
(hay dùng bộ điều chỉnh pha), lúc đó: Mq = kUIcos  = 0, công tơ phải đứng yên. Nếu
công tơ còn quay thì chứng tỏ rằng điều kiện trên chưa đạt, phải tiếp tục điều chỉnh 
hoặc I.
Mômen quay Mq làm cho đĩa nhôm quay. Đĩa quay trong từ trường của nam châm
vĩnh cửu 4, nó bị hãm lại và khi mômen hãm bằng mômen quay thì đĩa sẽ quay đều với
tốc độ n0 (vòng/s).
Mômen hãm sinh ra do từ thông của nam châm vĩnh cửu M và dòng điện xoáy
sinh ra ở đĩa nhôm IM ta có:
Mc = kI.M IM
Trong đó: IM = k2 Mn0
Vậy:
Mc = k3 2Mn0
Khi cân bằng ta có:
Mq = Mc
Hay: kP = k3 2Mn0
N
Sau một thời gian t = t 2 - t1 đĩa quay được N vòng; n0 = . Thay n0 vào biểu thức
t
trên ta được:
N = CP .P.t = CP .W
87
Nghĩa là số vòng dây của công tơ sau một thời gian t tỉ lệ với năng lượng W tiêu
thụ của phụ tải trong thời gian ấy.
Trong đó CP được gọi là hằng số công tơ
N
CP = [vòng/kWh]
W
Đó là số vòng của công tơ khi tiêu hao công suất là 1kW trong 1 giờ .
Số chỉ này của điện năng sẽ được ghi lại bởi một hộp số cơ học trên mặt công tơ.
c. Sai số của công tơ được tính như sau:
WN − Wdo C − C Pdo
W% = = PN
Wdo C Pdo
WN,CPN – là năng lượng và hằng số công tơ định mức.
Wdo,CPdo – là năng lượng và hằng số
công tơ đo được.
Cấp chính xác của công tơ thường là
0,5; 1; 1,5;2; 2,5.
5.6.2 Đo điện năng tải ba pha.

Công tơ 3 pha 2 phần tử:
Gồm 2 công tơ một pha làm quay 2
đĩa nhôm (Hình 6.20).
Công tơ 3 pha 3 phần tử:
Gồm 3 công tơ một pha ghép trong
một vỏ; làm quay 3 đĩa nhôm có cùng
một trục quay Hình 6.20
5.6.3 Công tơ điện tử (Hình 6.21).

I U2 = k2U
Để chế tạo công tơ điện tử
người ta biến dòng điện I thành điện U1 = k1I
C§ 1 X
áp U1 tỷ lệ với nó:
U1 = k1.I
Một điện áp khác tỷ lệ với điện U3 = k3P
áp đặt vào: C§ chØ
U2 = k2.U §Õm
u/f thÞ
H×nh 6.21
Qua bộ nhân analog nhận được điện áp U3 tỷ lệ với công suất P:
U3 = k3.P
Điện áp này qua bộ BĐ điện áp tần số ( hoặc A/D); vào bộ đếm - ra chỉ thị. Số chỉ
của chỉ thị tỷ lệ với năng lượng N = C.W trong thời gian cần đo.
Công tơ điện tử đạt cấp chính xác 0,5
88
5.7 Đo hệ số công suất cos .

5.7.1 Dùng Vômét.
- Đo sự lệch pha giữa hai tín hiệu: e1 = E1coswt; e2 = E2cos(wt +)
Dùng vônmét đo S (tổng của hai tín hiệu); và D
(hiệu của hai tín hiệu); Hình 6.22.
S2 = E21 + E22 + 2E1E2cos S
E2
D2 = E21 + E2 2 - 2 E1E2cos
S 2 − D2 
Suy ra: cos = . E1
4 E1 E2
U 2 3 − (U 2 2 + U 21 )
- Dùng 3 vônmét: cos =
2U 1U 2 D -E2
(tương tự phần đo công suất)
H×nh 6.22
5.7.2 Dùng Vônmét, Ampemet, Wattmet(Hình 6.23)
Wattmet đo công suất của tải P e *
Vônmét, Ampemet đeo công suất A * W
biểu kiến P a = U.I
Pe P
cos = = e V RP T¶i
Pa U .I
H×nh 6.23
5.7.3 Dùng cơ cấu điện động (Fazômét điện động)
Trường hợp tải một pha: Hình 6.24
Cuộn 1 nối với điện trở R, cuộn 2 nối với L sao cho dòng IRvà IL lệch pha 90 0; hai
cuộn thẳng góc với nhau nên ta có:
M1 = Mcos; M2 = Msin
M1: hệ số hỗ cảm cuộn di động1 với cuộn
cố định
M2: hệ số hỗ cảm cuộn di động2 với cuộn
cố định
M : hệ số hỗ cảm lớn nhất khi các cuộn di
động có từ thông do cuộn cố định tạo ra xuyên
qua lớn nhất.
Giả sử tổng trở hai cuộn di động không
đáng kể so với R, wL. Hình 6.24
Điện áp tải: ut = U 2 coswt
Dòng điện tải: it = I 2 cos(wt - )
Khi đó dòng qua cuộn 1, 2 là:
89
iR = (U 2 /R)coswt
iL = (U 2 /wL) cos(wt - )
Do đó mô men quay trung bình của cuộn 1,2:
dM1.U .I dM 2 .U .I
M q1 = cos ; M q2 = sin  .
d .R d .wL
Tại trị số i của hai cuộn di động Mq1 = Mq2 . Hai cuộn đứng yên và góc lệch pha 
giữa hai tín hiệu áp, dòng của tải được xác định:
tg = (Lw/R)tgi.
Nếu chế tạo Lw = R thì tại vị trí chỉ thị ta
được: i = .
Cos thường được khắc độ có trị số 0 ở giữa
(phía phải 0 là sớm pha; phía trái là trễ pha). Việc
lấy chuẩn cho Cos kế có ảnh hưởng của tần số tín
hiệu, để ít bị ảnh hưởng của tín hiệu người ta thay
cuộn 2 Hình 6.25
bằng 2 phần tử có số vòng dây bằng nhau, hai phần tử được nối với L,C (Hình 6.25). Trị
số LC sao cho tần số của thiết bị: LCw2 = 1. Như vậy Mq2 không đổi khi tần số tín hiệu
thay đổi.
5.8 Tần số kế.
• Đo tần số bằng phương pháp biến đổi thẳng gồm:
- Loại cơ điện tương tự: tần số kế điện từ, điện động, sắt điện động.
- Loại điện dung
- Loại chỉ thị số
• Đo tần số bằng phương pháp so sánh.
- Sử dụng Osilloscop
- Loại trộn tần
- Cầu xoay chiều phụ thuộc tần số.
Xét loại cơ điện tương tự.
5.8.1 Tần số kế cộng hưởng điện từ (bản rung): hình 6.26
Hình 6.26
90
Gồm một nam châm điện tạo ra bởi một cuộn dây điện quấn trên lõi chữ U, một
miếng thép nằm trong từ trường nam châm, trên miếng thép mang những thanh rung có
tần số dao động riêng khác nhau. Tín hiệu cần đo được đưa vào cuộn nam châm, sẽ tạo ra
một lực hút miếng thép với tần số dao động f, khiến cho thanh rung nào có tần số dao
động riêng trùng với f thì sẽ dao động cực đại do cộng hưởng; các thanh khác không dao
động cực đại. Ta sẽ đọc kết quả trên thanh cực đại đó.
ưu điểm: đơn giản, dễ chế tạo, bền
Nhược điểm: dải hẹp (450  550 Hz); sai số  (1,5  2,5)%. Không sử dụng ở chỗ
độ rung lớn, thiết bị di chuyển.
5.8.2 Tần số kế điện động, sắt điện động (dùng lôgômet điện động, sắt điện động)
B2 B1 Ufx
R2 I2 = I
~ Ufx 2 − 2
C1 L2
I1 1
C2
I1 2
I2
H×nh 6.28
H×nh 6.27
Về cấu tạo, cuộn tĩnh A mắc nối tiếp với cuộn động B2 và R2, L2, C2; còn cuộn
động B1 mắc nối tiếp với C1(Hình 6.27)
Góc lệch giữa Ux và I1 là 90 0 ( Hình 6.28)
Các thông số của cuộn A (R2, L2, C2) và cuộn B2 được chọn sao cho tạo điện áp
cộng hưởng trong mạch, có tần số fxo bằng giá trị trung bình của tần số cần đo:
1
f xo =
2 L2 C 2
Góc lệch  của chỉ thị Lôgômet được tính:
 I cos 1 
 = F  1 
 2
I cos 2 
1, 2 : góc lệch pha giữa dòng I trong cuộn tĩnh và hai dòng I1, I2 của hai cuộn
động 1, 2. Từ đồ thị ta có:
2 = 0, từ đó cos2 = 1; I = I2; cos1 = cos(90 0 - 2 ) = sin2
X2
Nhưng ở đây sin2 = ; X2 , Z2 điện kháng, tổng trở của mạch dòng I2 .
Z2
I1 Z 2
Mặt khác: =
I 2 Z1
91
I  Z X  X 
Do đó:  = F  1 cos 1  = F  2 2  = F  2 
 I2   Z1 Z 2   Z1 
Ta thấy Z1  X1 do chỉ có C1 trong mạch dòng I1.
X 
Nên:  = F  2 
 X1 
1 1
Vì: X1 = ; X 2 = w x L2 − ; wx = 2fx .
w x C1 w x C1
Suy ra:
 1 
 2f x L2 − 
2f x C 2  = F  (4 f x .L2 .C 2 − 1).C1 
2 2
 = F  
 1   C2 
 
 2f x C1 
Vậy:  = F(f 2x )
Tức góc lệch  là một hàm của tần số f2 x.
92
.
Bài 6
DAO ĐỘNG KÝ
6.1 ống phóng tia điện tử - CRT (Cathode Ray Tube) - Hình 7.1
Hình 7.1
• Tim đèn F: Dùng để đốt nóng catốt (có U = 6,3 VAC)
• Catốt K: ở bề mặt có phủ lớp kim loại oxít, khi tiếp thu năng lượng sẽ bức xạ điện
tử (hiện tượng phát xạ nhiệt).
• Lưới điều khiển (điều chế ) M: có dạng cái ly bằng Nikel, có một lỗ để cho chùm
điện tử qua, nó bao quanh catốt. Giữa chúng có điẹn áp Ugk: điện áp này càng âm thì số
điện tử thoát ra càng ít ( khi Ugk đạt giá trị ngưng thì chùm điện tử không thoát được ra
ngoài).
• Bản cực gốc A1: Có nhiệm vụ làm tăng tốc chùm tia điện tử, có dạng hình trụ, một
đầu hở hướng chùm tia điện tử vào, một đầu kín có một lỗ nhỏ tại tâm dể chùm tia tập
trung lại đi qua.
• Bản A2, A3 : phối hợp với A1 tạo thành hệ thống thấu kính điện tử. Do sự phân cực
giữa điện áp trên A1A2 ; A2 A3 ta có lực tĩnh điện tác động lên chùm tia điện tử. Lực này
phụ thuộc vào các đường đẳng thế, sự phân cực điện áp này thay đổi làm cho các đường
đẳng thế thay đổi dẫn đến độ hội tụ thay đổi.
• Bản lệch dọc và lệch ngang: Khi chùm tia qua bản lệch dọc, ngang thì bị lực tĩnh
điện do điện trường giữa hai điện cực làm lệch theo chiều dọc, ngang. Hệ thống này gồm
hai cặp phiến làm lệchđặt vuông góc với nhau theo trục ống. Nếu trên một cặp có đặt một
hiệu điện thế thì khoảng không gian giữa chúng sẽ có một điện trường. Khi điện tử đi qua
giữa hai phiến do bị tác động của điện trường này làm quỹ đạo của chúng thay đổi.
Khoảng cách lệch của điểm sáng do chùm tia tạo nên trên màn so với vị trí ban đầu phụ
thuộc vào cường độ điện trường và thời gian bay của điện tử qua khoảng không gian
giữa hai phiến. Cường độ điện trường càng lớn cũng như thời gian bay càng lâu thì độ
lệch của quỹ đạo càng tăng. Cường độ điện trường tỷ lệ với địên áp Uy đặt lên phiến lệch
và tỷ lệ nghịch với khoảng cách d giữa hai phiến . Thời gian bay của điện tử qua khoảng
93
.
giữa hai phiến tỷ lệ với độ dài l của phiến và tỷ lệ nghịch với tốc độ điện tử. Tốc độ của
điện tử tỷ lệ với điện áp trên anốt A2.
Như vậy tăng điện áp
UA2thì độ sáng trên màn tăng
UA2 l y
nhưng đồng thời cũng làm giảm
độ lệch của tia điện tử (hay giảm
độ nhạy của ống tia). Hình 7.2 bên d
Uy L
ta thấy độ lệch tia điện tử còn tỷ lệ
với khoảng cách từ điểm giữa
phiến lệch đến màn huỳnh quang H×nh 7.2
L.
U y .l.L
Như vậy độ lệch: y = (mm)
2.d .U A
y l.L
Độ nhạy: S= = (mm/V);
U y 2.d .U A
H×nh 7.3
Độ lệch của tia sáng trên màn tính ra mm khi đặt 1V lên phiến (Dao động hiện nay
thường dùng ống có độ nhạy 0,2  1mm/V). Trong một số trường hợp khi muốn tăng độ
nhạy mà không thể tăng chiều dài l. Cặp phiến làm lệch thường loe ở đầu cuối mà không
phải là một bản phẳng (Hình 7.3)
• Bản chắn: Nằm giữa hai bản dọc và ngang. Bản được nối mass nhằm tránh ảnh
hưởng của điện trường giữa hai bản dọc, ngang.
• Màn huỳnh quang: Mặt trong của màn phủ một lớp phát quang; tuỳ theo chất phát
quang mà màn sẽ có màu tương ứng: Zn2SiO4 và Mn (màu xanh lá); muối Sunfuric
Cadnium (màu vàng).
- Lớp than chì quanh ống cạnh màn thu nhận các điện tử phát xạ thứ cấp (điện tử
đập vào màn dội trở lại). Do đó điện thế âm không tích tụ lại trên màn.
- Điện áp phân cực cho anốt rất lớn đến KV; nó rất mạnh để tăng tốc cho chùm tia
điện tử đập mạnh vào màn huỳnh quang.
- Các vòng điện trở xoáy ốc bên ngoài nối mass làm cho các điện tích tích tụ, do
điện trường lớn giữa catốt và anốt bị trung hoà điện tích.
6.2 Phân cực cho các bộ phận cho CRT (Hình 7.4).
• Điện thế phân cực cho lưới Ug khi thay đổi biến trở P 1 làm Ugk thay đổi. Như vậy
Ugk < 0 ảnh hưởng đến sự phóng điện tử ra khỏi lưới. Vậy P 1 điều chỉnh đoọ sáng cho
chùm tia điện tử.
• Biến trở P 2 thay đổi điện truờng cho bản cực hội tụ A1, A2, A3
• P 3 dùng thay đổi điện thế giữa hai bản cực dọc: biến trở dịch chuyển về trái thì
điện thế Y1 tăng so với Y2, chùm tia điện tử bị kéo về phía trên Y1. Nếu biến trở về phía
phải thì ngược lại.
• Biến trở P 4 dùng thay đổi tia theo chiều ngang ( lý giải như bản dọc).
94
.
X1
6,31 Y1
VAC
Y2
X2
LÖch ngang
P4
P1 P2 P5
+ §iÖn ¸p
§é s¸ng Héi tô Khö tõ thÊp
- §iÖn ¸p
LÖch däc
P3
H×nh 7.4
6.3 Các khối chức năng trong dao động ký.
6.3.1. Sơ đồ khối chung (Hình 7.5).
Kªnh Y
Y Ph©n ¸p
B1 K§ Y Y
vµo
ChuÈn ChuÈn
K§ tia
biªn ®é thêi gian
§ång bé trong
M¹ch M¸y ph¸t

B2 §B1 r¨ng cưa
B3 K§ X X
X
H×nh 7.5
6.3.2 Khối khuếch đại quét dọc Y (Hình 7.6)
Thanh M¹ch TiÒn khuÕch ®¹i

CRT
®o gi¶m khuÕch ®¹i c«ng suÊt
Khèi khuÕch ®¹i däc
H×nh 7.6
95
.
Tín hiệu thanh đo được đưa vào mạch phân khoảng đo (mạch giảm) để tín hiệu
đưa vào mạch tiền khuếch đại (đây là mạch khuếch đại điện áp như phần vôn kế điện tử).
Ngõ ra của mạch phân khoảng đo có khoá SW2 cho ta hai cách thức hình 7.7:
- Ghép trực tiếp DC: cho cả tín hiệu DC và AC vào.
- Ghép gián tiếp AC: chỉ cho tín hiệu DC vào. Còn khi ở vị trí 0 thì được nối mass
không có tín hiệu.
Tuỳ theo vị trí của núm thay đổi khoảng đo (đơn vị Volt/Div), mạch giảm có khoá
SW1 ở vị trí tương ứng.
c1 AC
SW2
IC2 IC3 + Ecc1

R9
DC
T1 R3 UR3 R0 T4
UR0 R11
TÝn hiÖu
vµo
Ur
R1 - Ecc1
SW1 Uc2 Uc3
UB2 R1 UB3 + Ecc2
R10
T2 T3
IE1 IE3
R2 IE Rs R8 - Ecc2
H×nh 7.7
Sau đó tín hiệu đưa vào mạch KĐ vi sai (Q2; Q3) có mạch KĐ đệm (Q1; Q4 ). Tín
hiệu ra UC2 - UC3 được đưa vào mạch KĐ công suất. Điện áp ra của KĐ công suất được
đưa vào hai bản lệch dọc.
6.3.3 Khối khuếch đại quét ngang X (Hình 7.8).
Nè i AC
M¹ch gi¶m
TÝn hiÖu vµo
SW1
Nè i DC EXI
khuÕch ®¹ i khuÕch ®¹ i
CRT
ngang ®Èy kÐo
INT SW2
QuÐt r¨ng
cưa
H×nh 7.8
Khối KĐ quét ngang giống như khối KĐ quét dọc. Ngoài ra tín hiệu vào có hai
cách phụ thuộc vào vị trí S2: nếu S2 ở vị trí EXT tín hiệu quét ngang được đưa vào; nếu
S2 ở vị trí INT thì tín hiệu quét dạng răng cưa từ mạch tạo điện áp quét răng cưa được
đưa vào.
96
.
6.4 Bộ tạo điện áp quét.
6.4.1 Nguyên lý quét đường thẳng trong dao động ký.
Trên cặp phiến làm lệch X là điện áp quét răng
cưa. Điện áp quét răng cưa là điện áp có hình dạng Uq
biến thiên bậc nhất theo thời gian như hình răng cưa.
Um
Dạng răng cưa lý tưởng (hình 7.9). Với điện áp quét
như vậy, tia điện tử mới quét được với vận tốc đều
theo phương trục ngang. ứng với Uquét = Um thì điểm t
Tq
sáng ( tức vị trí tia điện tử trên màn hình quang) sẽ ở
đầu giới hạn cuối của đường quét màn, so với điểm H×nh 7.9
giới hạn đầu là khi điện áp quét Uq = 0 (điểm 1 và 5) -
(hình 7.10).
Y Uth
2
X 3 5 t1 t3 t4 t5
1 t2 t
4
t1
Uq
t2
t3
t4
t5
t H×nh 7.10
Sau khi quét hết một chu kỳ thì tia điện tử trở về vị trí cũ. Các chu kỳ tiếp theo nó
lại quét đi quét lại trên cùng một quỹ đạo của màn hình. Nếu tần số quét fq đủ cao, màn
huỳnh quang có độ dư huy đủ mức cần thiết, thì khi chỉ mới có điện áp đặt lên phiến X
thì ta đã có một đường sáng theo phương nằm ngang.
6.4.2 Bộ tạo điện áp quét răng cưa có chu kỳ.
Trong dao động ký thường dùng hai chế độ quét răng cưa: chế độ quét liên tục và
chế độ quét đợi.

Chế độ quét liên tục để quan sát tín hiệu có chu kỳ, có hệ số lớn ( độ rộng của
T
thời gian duy trì tín hiệu; T chu kỳ của tín hiệu)

Chế độ đợi để quan sát tín hiệu có hệ số bé.
T
97
.
6.5 Sự trình bày tín hiệu trên màn của OSC.
6.5.1 Sự phối hợp của tín hiệu y =f(t) và x = K.t
Để có được hình dạng của tín hiẹu dao 0 1 2 3 4 ms
động biến thiên theo thời gian trên màn hình thì
điện áp của tín hiệu cần nghiên cứu đưa lên phiến
a
lệch dọc Y, còn điện áp răng cưa đưa vào phiến
ngang X. Như vậy do tác động đồng thời của cả
t
hai điện trường lên hai cặp phiến mà tia điện tử
dịch chuyển cả theo phương trục x và y. Quỹ đạo
của tia điện tử dịch chuyển trên màn sẽ vạch ra
§ưêng
dạng điện áp nghiên cứu biến thiên theo thời xuèng
gian. b
Tín hiệu răng cưa ( còn gọi là tín hiệu
chuẩn thời gian). Cạnh lên của tín hiệu quét t
ngang là đường thẳng tỷ lệ theo thời gian t: 2
x = K.t §ưêng
Ta thấy, ví dụ tín hiệu vào dạng Sin là: håi
y = Asinwt c 3
1 5
Thì ta có tín hiệu biểu diễn trên màn:
Y = Asinw(x/K)
Hệ số K có thể thay đổi khi thay đổi tần số của
4
tín hiệu răng cưa. Hình 7.11 là sự phối hợp giữa
hai tín hiệu quét dọc a) và ngang b) cho hình ảnh H×nh 7.11
c) trên màn ảnh
6.5.2 Sự đồng bộ giữa hai tín hiệu quét dọc và quét ngang.
Ở cạnh lên của tín hiệu
quét răng cưa sẽ cho dạng tín
hiệu trên màn đến điểm 5. Sau
đó trong thời gian cạnh xuống
của nó chùm tia điện tử quét
ngang trở lại. Nhưng trong lúc
chùm tia điện tử quay trở về thì
tín hiệu quan sát vẫn tiếp tục
hiện hữu theo thời gian. Do đó
điểm bắt đầu của chu kỳ quét thứ
hai của tín hiệu khảo sát không
trùng tại vị trí lần 1. Đó là hiện
tượng không đồng pha giữa điện H×nh 7.12
áp quét và điện áp nghiên cứu
(nghĩa là Tq  TT ín hiệu) dẫn đến bị một hình luôn di động, rối loạn làm ta không quan sát
được. Như vậy: cần thoả mãn chu kỳ điện áp quét bằng một hay một số nguyên lần chu
98
.
kỳ điện áp nghiên cứu. Muốn vậy tín hiệu răng cưa không được tự do xuất hiện mà phải
xuất hiện khi có xung kích mà xung kích có tần số phụ thuộc vào tín hiệu quan sát Hình
7.12
6.6 Bộ tạo trễ.
Đối với tín hiệu cần khảo sát có tần số cao để cho vận tốc bay của chùm tia điẹn tử
catốt đến bản lệch dọc hoặc ngang, phù hợp với tốc độ truyền của tín hiệu từ ngõ vào đến
bản lệch dọc hoặc lệch ngang, người ta thường ch tín hiệu đi qua bộ tạo trễ ( vì tốc độ
truyền tín hiệu lớn hơn vận tốc bay của điện tử).
Bộ tạo trễ thường có hai dạng: - loại
§Çu C/2
dây song hành; - loại dây đồng trục. Mạch vµo
L
như hình 7.13 gồm một số mắt điện cảm,
điện dung. C L
Thời gian trễ của điện áp tín hiệu
đầu ra so với đầu vào của đường dây n mắt: C L §Çu ra
t = n LC
C L
Điện trở tải R = L / C để có sự điều
hợp tổng trở cho công suất tín hiệu ra
C/2
không bị suy giảm. R
H×nh 7.13
Thực tế các dao động ký thường có mức trễ tín hiệu khoảng 0,2  0,3s
6.7 Thanh đo
Thanh đo của dao động ký có hai mức thay đổi điện áp:
- Mức điện áp 1:1 CC : điện dung ký sinh của dây dẫn.
- Mức điện áp 10:1 Ci : điện dung ngõ vào quét dọc.
- Điện dung: Ri : điện trở của ngõ quét dọc.
99
ĐƠN VỊ ĐO LƯỜNG
Nguồn gốc
Các đơn vị đo lường của SI được quyết định chọn lựa sau hàng loạt các hội nghị quốc tế
được tổ chức bởi tổ chức tiêu chuẩn là Viện đo lường quốc tế (theo tiếng Pháp là Bureau
International des Poids et Mesures - viết tắt BIPM). SI được đặt tên lần đầu tiên năm
1960 và sau đó được bổ sung năm 1971.
Nguồn gốc thực sự của SI, hay hệ mét, có thể tính từ những năm 1640. Nó được phát
minh bởi các nhà khoa học Pháp và nhận được sự quảng bá lớn bởi Cuộc cách mạng
Pháp năm 1789 để trở nên phổ biến hơn. Hệ mét cố gắng lựa chọn các đơn vị đo lường
không mang tính tùy ý, trong khi gắn liền với tư tưởng chính thức của cuộc cách mạng là
"lý trí thuần túy"; nó là một sự cải thiện đáng kể đối với các đơn vị đo hiện hành ngày ấy
do giá trị của chúng thông thường phụ thuộc theo từng khu vực.
Đơn vị đo lường quan trọng nhất là đơn vị đo chiều dài: một mét được cho là
1/10.000.000 của khoảng cách từ cực tới xích đạo dọc theo kinh tuyến đi qua Paris. Nó
xấp xỉ 10% dài hơn một thước Anh. Sau đó một chiếc thước platin với tiết diện hình chữ
X đã được sản xuất để phục vụ cho mục đích dễ dàng kiểm tra tiêu chuẩn chiều dài của
một mét. Tuy nhiên, vì những khó khăn của việc đo đạc thực tế chiều dài của góc phần tư
kinh tuyến trong thế kỷ 18, chiếc thước mẫu platin đầu tiên đã ngắn hơn 0,2 milimét. Sau
đó các chiều dài bước sóng bức xạ khác nhau đã được giới thiệu để có thể định nghĩa một
cách trừu tượng chiều dài (không đổi) của đơn vị mét, và cuối cùng mét đã được định
nghĩa như là khoảng cách mà một tia sáng có thể đi được trong chân không trong một
khoảng thời gian cụ thể.
Đơn vị đo cơ bản của khối lượng trong hệ mét đầu tiên là gam, nhưng đã nhanh chóng bị
chuyển sang kilôgam, đã được định nghĩa như là khối lượng của nước nguyên chất tại
điểm mà nó nặng nhất (+3,98 độ C) trong một khối lập phương có các cạnh bằng 1/10
của mét. Một kilôgam bằng khoảng 2,2 pound. Khoảng không gian lập phương này còn
được gọi là một lít để thể tích của các chất lỏng khác nhau có thể dễ dàng so sánh. Năm
1799, một ống hình trụ bằng platin đã được sản xuất để làm tiêu chuẩn cho kilôgam, vì
thế tiêu chuẩn dựa trên cơ sở nước chưa bao giờ được sử dụng như là tiêu chuẩn gốc khi
mà hệ mét thực sự được sử dụng. Năm 1890, nó được thay thế bằng ống hình trụ là hợp
kim gồm 90% platin và 10% iridi. Nó được sử dụng làm kilôgam tiêu chuẩn từ đó đến
nay và được lưu giữ ở Paris. Kilôgam là đơn vị đo lường cơ bản duy nhất không được
định nghĩa lại theo thuật ngữ của các hiện tượng tự nhiên không đổi. Tuy nhiên, tại cuộc
họp của Hội khoa học Hoàng gia tại London vào ngày 15 tháng 2 năm 2005, các nhà
khoa học đã lên tiếng kêu gọi thay thế khối lượng của kilôgam tiêu chuẩn ở Paris vì định
nghĩa chính thức chỉ rõ rằng "thuộc tính không thay đổi của tự nhiên" cần được sử dụng
(hơn là một vật cụ thể mà khối lượng của nó có thể bị thay đổi), nhưng vẫn chưa có một
quyết định nào về việc định nghĩa lại cho đến năm 2007.
100
Đơn vị đo nhiệt độ là độ bách phân hay độ Celsius (C), có nghĩa là thang thủy ngân giữa
điểm đóng băng và điểm sôi của nước nguyên chất được chia thành một trăm phần bằng
nhau. Nước sôi vì thế là 100 độ Celsius và nước đóng băng có 0 độ Celsius. Đây là đơn
vị đo lường nhiệt độ của hệ mét trong sử dụng thông thường. Khoảng một trăm năm sau,
các nhà khoa học phát hiện ra điểm 0 tuyệt đối. Điều này dẫn đến sự ra đời của thang đo
nhiệt độ mới, được gọi là thang độ tuyệt đối hay thang Kelvin, nó xác định lại điểm 0
nhưng vẫn sử dụng 100 kelvin bằng khoảng cách giữa điểm đóng băng và điểm sôi của
nước nguyên chất.
Đơn vị đo lường thời gian của hệ mét là giây, nguyên thủy được định nghĩa như là
1/86.400 của một ngày trung bình. Các hình thức định nghĩa giây đã thay đổi vài lần để
đáp ứng được các yêu cầu ngày càng tăng của khoa học (các quan sát thiên văn, đồng hồ
âm thoa, đồng hồ thạch anh và sau đó là đồng hồ nguyên tử xêri) nhưng những đồng hồ
đeo tay vẫn không chịu ảnh hưởng (một cách tương đối).
Sự chấp nhận nhanh chóng hệ mét như là công cụ của kinh tế và các hoạt động thương
mại hằng ngày chủ yếu dựa trên cơ sở sự thiếu hụt của các hệ thống đo lường theo phong
tục, tập quán tại nhiều quốc gia trong việc miêu tả một cách đầy đủ một số khái niệm, hay
là kết quả của những cố gắng để tiêu chuẩn hóa rất nhiều sai khác theo khu vực trong các
hệ thống phong tục, tập quán. Các yếu tố quốc tế cũng ảnh hưởng đến sự chấp nhận hệ
mét, vì nhiều quốc gia tăng cường các hoạt động thương mại. Về khoa học, nó cung cấp
một sự tiện lợi trong việc tính toán các đại lượng lớn và nhỏ vì nó rất phù hợp với hệ đếm
thập phân của chúng ta.
Sự khác biệt về văn hóa cũng có thể hiện diện trong việc sử dụng hệ mét trong cuộc sống
hàng ngày theo từng khu vực. Ví dụ, bánh mì được bán ở nhiều nước có khối lượng 1
hoặc 2 kg, nhưng bạn phải mua chúng theo cơ số nhân của 100 gam tại Liên Xô cũ. Ở
một số nước, dung tích của một chiếc cốc không chính thức là 250 mL, và giá của một số
mặt hàng đôi khi được tính theo 100 g hơn là cho một kilôgam.
Những người bình thường có thể không cần quan tâm đến sự cải tiến và hoàn thiện của
hệ mét trong khoảng 200 năm qua, nhưng các chuyên gia vẫn phải cố gắng để hoàn thiện
hệ mét để nó phù hợp hơn với những nghiên cứu khoa học (ví dụ từ CGS sang MKS tới
hệ SI hay sự phát minh ra thang Kelvin). Những sự thay đổi này không ảnh hưởng tới
việc sử dụng hệ mét hằng ngày. Sự hiện diện của các điều chỉnh là một lý do biện hộ cho
việc sử dụng của các đơn vị đo lường theo tập quán thay vì hệ mét. Tuy nhiên các đơn vị
đo lường theo phong tục, tập quán này ngày nay về cơ bản đã được định nghĩa lại theo
các thuật ngữ của các đơn vị đo lường của SI, vì thế bất kỳ sự sai khác nào trong định
nghĩa các đơn vị đo lường theo SI đều gây ra sự sai khác trong định nghĩa của các đơn vị
đo lường theo tập quán.
101
Cơ sở
SI được xây dựng trên cơ sở của bảy đơn vị đo lường cơ bản của SI, đó là kilôgam, mét,
giây, ămpe, kelvin, mol và candela. Các đơn vị này được sử dụng để định nghĩa các đơn
vị đo lường suy ra khác.
SI cũng định nghĩa một số các tiền tố của SI để sử dụng cùng với đơn vị đo lường: các
tiền tố này kết hợp với bất kỳ đơn vị đo lường nào để tạo ra các bội số hay ước số của nó.
Ví dụ, tiền tố kilô biểu hiện là bội số hàng nghìn (ngàn), vì thế kilômét bằng 1.000 mét,
kilôgam bằng 1.000 gam v.v . Cũng lưu ý rằng một phần triệu của kilôgam là miligam,
không phải micrôkilôgam.
Kiểu viết trong SI
• Các ký hiệu được viết bằng chữ thường, ngoại trừ các ký hiệu lấy theo tên người.
Điều đó có nghĩa là ký hiệu cho đơn vị đo áp suất của SI, lấy tên của Blaise
Pascal, là Pa, trong khi đơn vị đo tự bản thân nó là pascal. Trong danh mục chính
thức của SI chỉ có một ngoại lệ duy nhất trong quy tắc viết hoa, đó là ký hiệu của
lít. Nó có thể viết là l hay L đều được chấp nhận.
• Các ký hiệu được viết theo số ít. Ví dụ trong tiếng Anh phải viết là "25 kg" chứ
không phải "25 kgs". Trong tiếng Việt, điều này không ảnh hưởng gì do không có
sự khác nhau trong cách gọi theo số nhiều và số ít.
• Các ký hiệu, dù là viết tắt nhưng không có dấu chấm (.) ở cuối.
• Được khuyến khích sử dụng các ký hiệu theo kiểu viết Roman thường (ví dụ, m
cho mét, L cho lít), để có thể dễ dàng phân biệt với các ký hiệu của biến (tham số)
trong toán học và vật lý (ví dụ, m cho tham số khối lượng, l cho tham số chiều
dài).
• Một khoảng trống giữa số và ký hiệu: 2.21 kg, 7.3x10 2 m2. Có một ngoại lệ trong
trường hợp này. Ký hiệu của góc phẳng như độ, phút và giây (°, ′ và ″) được đặt
liền ngay sau giá trị số mà không có khoảng trống.
• SI sử dụng các khoảng trống để tách các số (phần nguyên) theo từng bộ ba chữ số.
Ví dụ 1 000 000 hay 342 142 (hoàn toàn không giống với việc sử dụng các dấu
chấm hay phẩy trong các hệ đo lường khác, như 1.000.000 hay 1,000,000).
• SI sử dụng dấu phẩy duy nhất để chia tách phần thập phân cho đến năm 1997. Số
"hai mươi tư phẩy năm mươi mốt" được viết là "24,51". Năm 1997 CIPM quyết
định rằng dấu chấm sẽ là dấu chia tách phần thập phân cho các văn bản mà trong
đó chủ yếu là tiếng Anh ("24.51"); dấu phẩy sẽ là dấu chia tách phần thập phân
cho các văn bản bằng ngôn ngữ khác.
• Ký hiệu cho các đơn vị được suy ra từ các đơn vị đo khác bằng cách nhân chúng
với nhau được kết nối với nhau với một khoảng trống hoặc một dấu chấm (·) ở
giữa, ví dụ N m hay N·m.
102
• Ký hiệu được tạo thành do việc chia của hai đơn vị đo được kết nối với nhau bằng
dấu gạch chéo (/), hoặc được viết dưới dạng số mũ với lũy thừa âm, ví dụ "m/s",
hay "m s-1" hay "m·s-1" hoặc . Dấu gạch chéo không được sử dụng nếu như kết
-1 -2
quả là phức hợp, ví dụ "kg·m ·s ", không phải là "kg/m/s²".
• Nếu không dùng tên Việt hóa của các đơn vị nên viết mét, lít và gam thành metre,
litre và gram – thay vì meter, liter và gramme.
Với một số ngoại lệ (chẳng hạn bia tươi được bán ở Anh) hệ thống có thể được sử dụng
hợp pháp tại mọi quốc gia trên thế giới và rất nhiều quốc gia không cần thiết phải duy trì
định nghĩa của các đơn vị đo khác. Các quốc gia khác vẫn còn công nhận các đơn vị đo
phi SI (ví dụ như Mỹ hay Anh) cần phải định nghĩa các đơn vị đo lường theo thuật ngữ
của các đơn vị đo của SI; ví dụ, một inch thông thường được định nghĩa bằng chính xác
0.0254 mét. Tuy nhiên, tại Mỹ, các khoảng cách địa lý không được định nghĩa lại do sai
số tích lũy nó có thể để lại và một lý do khác là survey foot và survey inch (là hai đơn vị
đo chiều dài sử dụng trong công tác lập bản đồ) vẫn là các đơn vị đo tách biệt. (Đây
không phải là vấn đề cho Anh, bởi vì Ordnance Survey (tổ chức lập bản đồ ở Anh) đã lập
các bản đồ theo hệ mét từ trước Đại chiến thế giới lần thứ hai.) (Xem hệ đo lường để hiểu
thêm về lịch sử phát triển của các đơn vị đo.)
Các đơn vị
Các đơn vị cơ sở
Các đơn vị đo lường dưới đây là nền tảng cơ sở để từ đó các đơn vị khác được suy ra
(dẫn xuất), chúng là hoàn toàn độc lập với nhau. Các định nghĩa dưới đây được chấp
nhận rộng rãi.
Các đơn vị đo lường cơ bản:
Ký Đại
Tên Định nghĩa
hiệu lượng
Đơn vị đo chiều dài tương đương với chiều dài quãng đường đi
được của một tia sáng trong chân không trong khoảng thời gian
mét m Chiều dài 1 / 299 792 458 giây (CGPM lần thứ 17 (1983) Nghị quyết số
1, CR 97). Con số này là chính xác và mét được định nghĩa
theo cách này.
103
Đơn vị đo khối lượng bằng khối lượng của kilôgam tiêu chuẩn
quốc tế (quả cân hình trụ bằng hợp kim platin-iriđi) được giữ
tại Viện đo lường quốc tế (viết tắt tiếng Pháp: BIPM), Sèvres,
Pari (CGPM lần thứ 1 (1889), CR 34-38). Cũng lưu ý rằng
kilôgam là đơn vị đo cơ bản có tiền tố duy nhất; gam được định
Khối
kilôgam kg nghĩa như là đơn vị suy ra, bằng 1 / 1 000 của kilôgam; các tiền
lượng
tố như mêga được áp dụng đối với gam, không phải kg; ví dụ
Gg, không phải Mkg. Nó cũng là đơn vị đo lường cơ bản duy
nhất còn được định nghĩa bằng nguyên mẫu vật cụ thể thay vì
được đo lường bằng các hiện tượng tự nhiên (Xem thêm bài về
kilôgam để có các định nghĩa khác).
Đơn vị đo thời gian bằng chính xác 9 192 631 770 chu kỳ của
bức xạ ứng với sự chuyển tiếp giữa hai mức trạng thái cơ bản
giây s Thời gian
siêu tinh tế của nguyên tử xêri-133 tại nhiệt độ 0 K (CGPM lần
thứ 13 (1967-1968) Nghị quyết 1, CR 103).
Đơn vị đo cường độ dòng điện là dòng điện cố định, nếu nó

chạy trong hai dây dẫn song song dài vô hạn có tiết diện không
Cường độ
ămpe A đáng kể, đặt cách nhau 1 mét trong chân không, thì sinh ra một
dòng điện
lực giữa hai dây này bằng 2×10 −7 niutơn trên một mét chiều dài
(CGPM lần thứ 9 (1948), Nghị quyết 7, CR 70).
Đơn vị đo nhiệt độ nhiệt động học (hay nhiệt độ tuyệt đối) là 1

Nhiệt độ
/ 273,16 (chính xác) của nhiệt độ nhiệt động học tại điểm cân
kelvin K nhiệt
bằng ba trạng thái của nước (CGPM lần thứ 13 (1967) Nghị
động học
quyết 4, CR 104).
Đơn vị đo lượng vật chất là lượng vật chất chứa các thực thể cơ
bản bằng với số nguyên tử trong 0,012 kilôgam cacbon-12
Lượng nguyên chất (CGPM lần thứ 14 (1971) Nghị quyết 3, CR 78).
mol mol
vật chất (Các thực thể cơ bản có thể là các nguyên tử, phân tử, ion, điện
tử (êlectron) hay hạt.) Nó xấp xỉ tương đương với 6,022 141 99
× 10 23 đơn vị.
104
Đơn vị đo cường độ chiếu sáng là cường độ chiếu sáng theo

Cường độ một hướng cho trước của một nguồn phát ra bức xạ đơn sắc với
candela cd chiếu tần số 540×10 12 héc và cường độ bức xạ theo hướng đó là
sáng 1/683 oát trên một sterađian (CGPM lần thứ 16 (1979) Nghị
quyết 3, CR 100).
Các đơn vị đo dẫn xuất không thứ nguyên
Các đơn vị đo lường của SI được suy ra từ các đơn vị đo cơ bản và là không thứ nguyên.
Các đơn vị đo dẫn xuất không thứ nguyên của SI:
Đại
Ký
Tên lượng Định nghĩa
hiệu
đo
Đơn vị đo góc là góc trương tại tâm của một hình tròn theo một
rađian rad Góc cung có chiều dài bằng chiều dài bán kính của đường tròn. Như
vậy ta có 2π rađian trong hình tròn.
Đơn vị đo góc khối là góc khối trương tại tâm của một hình
Góc
sterađian sr cầu có bán kính r theo một phần trên bề mặt của hình cầu có
khối
diện tích r². Như vậy ta có 4π sterađian trong hình cầu.
Các đơn vị dẫn xuất với tên đặc biệt
Các đơn vị đo cơ bản có thể ghép với nhau để suy ra những đơn vị đo khác cho các đại
lượng khác. Một số có tên theo bảng dưới đây. Các đơn vị dẫn xuất của SI với tên đặc
biệt:
Ký
Tên Đại lượng đo Chuyển sang đơn vị cơ bản
hiệu
héc Hz Tần số s-1
105
niutơn N Lực kg m s -2
jun J Công N m = kg m2 s-2
oát W Công suất J/s = kg m2 s-3
pascal Pa Áp suất N/m2 = kg m-1 s-2
lumen lm Thông lượng chiếu sáng (quang thông) cd
lux lx Độ rọi cd m-2
culông C Tĩnh điện As
vôn V Hiệu điện thế J/C = kg m2 A-1 s-3
ôm Ω Điện trở V/A = kg m2 A-2 s-3
fara F Điện dung Ω-1 s = A2 s4 kg-1 m-2
vêbe Wb Thông lượng từ (Từ thông) kg m2 s-2 A-1
tesla T Cường độ cảm ứng từ Wb/m2 = kg s-2 A-1
henry H Cường độ tự cảm Ω s = kg m2 A-2 s-2
siemen S Độ dẫn điện Ω-1 = kg-1 m-2 A² s³
becơren Bq Cường độ phóng xạ (phân rã trên đơn vị s

-1
106
thời gian)
gray Gy Lượng hấp thụ (của bức xạ ion hóa) J/kg = m2 s-2
sievert Sv Lượng tương đương (của bức xạ ion hóa) J/kg = m² s -2
katal kat Độ hoạt hóa xúc tác mol/s = mol s -1
nhiệt độ nhiệt động học K -

Độ C °C nhiệt độ
273,15
[sửa]
Các đơn vị phi SI được chấp nhận sử dụng với SI
Các đơn vị đo lường sau không phải là đơn vị đo lường của SI nhưng được "chấp nhận để
sử dụng trong hệ đo lường quốc tế."
Các đơn vị phi SI được chấp nhận sử dụng với SI
Tên Ký hiệu Đại lượng đo Tương đương với đơn vị SI
phút min thời gian 1 min = 60 s
giờ h thời gian 1 h = 60 min = 3 600 s
ngày d thời gian 1 d = 24 h = 1 440 min = 86 400 s
độ (của cung) ° góc 1° = (π/180) rad
phút (của cung) ′ góc 1′ = (1/60)° = (π / 10 800) rad
giây (của cung) ″ góc 1″ = (1/60)′ = (1 / 3 600)° = (π / 648 000) rad
107
lít l hay L thể tích 0,001 m³
tấn t khối lượng 1 t = 10³ kg
Các đơn vị phi SI chưa được chấp nhận bởi CGPM
Ký Tương đương với đơn vị

Tên Đại lượng đo
hiệu SI
tỷ lệ (không thứ
nepơ (đại lượng đo trường) Np LF = ln(F/F0) Np
nguyên)
nepơ (đại lượng đo công tỷ lệ (không thứ

Np LP = ½ ln(P/P 0 ) Np
suất) nguyên)
tỷ lệ (không thứ
bel, (đại lượng đo trường) B LF = 2 log10 (F/F0) B
nguyên)
bel, (đại lượng đo công tỷ lệ (không thứ

B LP = log10(P/P 0) B
suất) nguyên)
Các đơn vị kinh nghiệm phi SI được chấp nhận sử dụng trong SI
Ký Đại lượng
Tên Tương đương với đơn vị SI
hiệu đo
êlectronvôn eV năng lượng 1 eV = 1,602 177 33(49) × 10 -19 J
đơn vị khối lượng nguyên

u khối lượng 1 u = 1,660 540 2(10) × 10 -27 kg
tử
đơn vị thiên văn au chiều dài 1 au = 1,495 978 706 91(30) × 10 11
108
Các đơn vị phi SI khác hiện được chấp nhận sử dụng trong SI
Tên Ký hiệu Đại lượng đo Tương đương với đơn vị SI
hải lý (dặm biển) hải lý chiều dài 1 hải lý = 1 852 m
knot knot vận tốc 1 knot = 1 hải lý / giờ = (1 852 / 3 600) m/s
a a diện tích 1 a = 1dam2 = 100 m²
hecta ha diện tích 1 ha = 100 a = 10.000 m²
bar bar áp suất 1 bar = 10 5 Pa
ångström, ăngstrôm Å chiều dài 1 Å = 0,1 nm = 10 -10 m
barn b diện tích 1 b = 10 -28 m²
Các tiền tố của SI
Bài chính: Các tiền tố của SI
Các tiền tố sau đây của SI có thể được sử dụng để tạo ra các bội số hay ước số của đơn vị
đo lường gốc.
Ký
10 n Tiền tố Tên gọi 1 Tương đương²
hiệu
109
10 24 yôta Y Triệu tỷ tỷ 1 000 000 000 000 000 000 000 000
10 21 zêta Z Nghìn (ngàn) tỷ tỷ 1 000 000 000 000 000 000 000
10 18 êxa E Tỷ tỷ 1 000 000 000 000 000 000
10 15 pêta P Triệu tỷ 1 000 000 000 000 000
10 12 têra T Nghìn (ngàn) tỷ 1 000 000 000 000
10 9 giga G Tỷ 1 000 000 000
10 6 mêga M Triệu 1 000 000
10 3 kilô k Nghìn (ngàn) 1 000
10 2 héctô h Trăm 100
10 1 đêca da Mười 10
10 −1 đêxi d Một phần mười 0,1
xenti, (đọc là
10 −2 c Một phần trăm 0,01
xăng ti)
10 −3 mili m Một phần nghìn (ngàn) 0,001
10 −6 micrô µ Một phần triệu 0,000 001
110
10 −9 nanô n Một phần tỷ 0,000 000 001
Một phần nghìn (ngàn)

10 −12 picô p 0,000 000 000 001
tỷ
10 −15 femtô f Một phần triệu tỷ 0,000 000 000 000 001
10 −18 atô a Một phần tỷ tỷ 0,000 000 000 000 000 001
Một phần nghìn (ngàn)

10 −21 zeptô z 0,000 000 000 000 000 000 001
tỷ tỷ
10 −24 yóctô y Một phần triệu tỷ tỷ 0,000 000 000 000 000 000 000 001
Ghi chú:
¹ Đây chỉ là một trong rất nhiều cách đếm số của người Việt.
² Cách ghi số phù hợp với cách ghi phổ biến nhất của người Việt hiện nay.
Các tiền tố SI lỗi thời
Bài chính: Các tiền tố SI lỗi thời
Các tiền tố của SI dưới đây không được sử dụng nữa. Các tiền tố kép cũng đã lỗi thời như
micrômicrôfara, héctôkilômét, micrômilimét, v.v.
10 n Tiền tố Ký hiệu Tên gọi Tương đương
10 4 myria ma Mười nghìn (ngàn) 10.000
10 −4 myriô mo Một phần mười nghìn (ngàn) 0,000 1
111
CHƯƠNG 2: KỸ THUẬT CẢM BIẾN

Bài 1
KHÁI NIỆM CƠ BẢN VỀ CẢM BIẾN
1.1 Định nghĩa và phân loại cảm biến.
a) Định nghĩa:
Cảm biến là một thiết bị chịu tác động của đại lượng cần kiểm tra m không có
tính chất điện và cho ta một đặc trưng mang bản chất điện (như điện tích, điện áp,
dòng điện hoặc trở kháng) ký hiệu là s. Đặc trưng điện s là hàm của đại lượng cần đo
m.
s = f(m)
Trong đó s là đại lượng đầu ra hoặc phản ứng của cảm biến và m là đại lượng
đầu vào hay kích thích (có nguồn gốc là đại lượng cần đo). Việc đo đạc s cho phép
nhận biết giá trị của m.
m
§¹i l-îng cÇn ®o

(m)
C¶m biÕn t1 t2 tn t
s
§¹i l-îng ®iÖn

(s)
t1 t2 tn t
Hình 1.1: Sự biến đổi của đại lượng cần kiểm tra m và phản ứng s theo thời gian.
* Đặc tuyến của cảm biến.

Đối với mọi cảm biến, để có thể thiết lập và sử dụng biểu thức trên ta cần phải
xây dựng đặc tuyến truyền đạt cho mỗi một loại cảm biến hay nói cách khác là phải
chuẩn cảm biến.
Phương pháp xây dựng đặc tuyến:
- Phải có một loạt giá trị đã biết chính xác của m (mẫu đo),
- Đo giá trị tương ứng s với từng giá trị của m.
- Dựng đồ thị
112
s s
s2
si
s1
m1 m2 t mi t
Hình 1.2: Dựng đồ thị từ các giá trị đã biết của m và xác định mi từ giá trị si
Đặc tuyến này cho phép xác định mọi giá trị của mi từ si. Để dễ cho người sử
dụng cảm biến, thông thường người ta chế tạo cảm biến sao cho có sự liên hệ tuyến
tính giữa biến thiên đầu ra s và biến thiên đầu vào m.
b) Phân loại cảm biến.
* Căn cứ vào đại lượng đầu ra:
Có 2 loại: Cảm biến tích cực và cảm biến thụ động.
- Cảm biến mà nó giống như một máy phát, trong đó s là điện tích, điện áp hay
dòng điện như vậy ta có cảm biến loại tích cực. Gọi tắt là cảm biến tích cực.
- Cảm biến mà nó giống như một trở kháng, trong đó s là điện trở, điện cảm,
hoặc điện dung, trường hợp này ta có cảm biến loại thụ động. Gọi là cảm biến thụ
động.
* Căn cứ vào các đại lượng vật lý tác động ta có các loại cơ bản như sau:
+ Cảm biến điện áp
- Varistor
+ Cảm biến nhiệt
- Risistance thermometer
- Thermistor (NTC, PTC)
- Siemiconductor sensor
- Intergrated sensor
- Thermocoupler
+ Cảm biến từ
- Hall generator
- Magnetor rersistor
+ Cảm biến biến dạng
+ Bức xạ điện từ
- Light Dependent Resistor (LDR)
- Photodiode
- Phototransistor
- Solar cell
113
Hình 1.3: Phân loại cảm biến theo đại lượng vật lý tác động
114
1.2 Các đặc tính tĩnh và động của cảm biến.

1.2.1 Độ nhạy
a) Định nghĩa
Độ nhạy S xung quanh một giá trị không đổi mi của đại lượng cần kiểm tra
được xác định bởi tỷ số biến thiên Δs của đại lượng ở đầu ra và biến thiên Δm tương
ứng của đại lượng kiểm tra ở đầu vào:
 s 
S = 
 m  m=mi
Thông thường cảm biến được sản xuất có những độ nhạy S tương ứng với
những điều kiện làm việc nhất định của cảm biến. Điều này cho phép lựa chọn được
cảm biến thích hợp để sao cho mạch kiểm tra thoả mãn các điều kiện đặt ra.
Đơn vị đo của độ nhạy phụ thuộc vào nguyên lý làm việc của cảm biến và các
đại lượng liên quan, ví dụ:
- Ω/OC đối với nhiệt điện trở.
- V/ OC đối với cặp nhiệt.
Đối với các cảm biến khác nhau cùng dựa trên một nguyên lý vật lý, trị số của
độ nhạy S có thể phụ thuộc vào vật liệu, kích thước hay kiểu lắp ráp.
Vấn đề quan trọng ở đây là khi thiết kế và chế tạo cảm biến làm sao để khi sử
dụng cảm biến độ nhạy S của chúng không đổi, nghĩa là S ít phụ thuộc nhất và các yếu
tố sau:
- Giá trị của đại lượng cần đo m (độ tuyến tính) và tần số thay đổi của nó (dải
thông)
- Thời gian sử dụng (độ già hoá).
- Ảnh hưởng của các đại lượng vật lý khác (không phải đại lượng cần đo) của
môi trường xung quanh.
Đây chính là những căn cứ để so sánh và lựa chọn cảm biến.
b) Độ nhạy trong chế độ tĩnh.
Chuẩn cảm biến ở chế độ tĩnh là dựng lại các giá trị si của đại lượng điện ở đầu
ra tương ứng với các giá trị không đổi mi của đại lượng đo khi đại lượng này đạt giá trị
làm việc danh định (ứng với giá trị cực đại tức thời). Đặc trưng tĩnh của cảm biến
chính là dạng chuyển đổi đồ thị của việc chuẩn đó và điểm làm việc Qi của cảm biến
chính là đặc trưng tĩnh tương ứng với các giá trị si, mi.
Độ nhạy trong chế độ tĩnh chính là độ dốc của đặc tuyến tĩnh ở điểm làm việc.
Nếu đặc tuyến tĩnh không phải là tuyến tính thì độ nhạy trong chế độ tĩnh phụ thuộc
vào điểm làm việc.
Với đặc tuyến tĩnh (đường cong chuẩn) của cảm biến thể hiện mối quan hệ giữa
đối tượng tác động m và đại lượng đầu ra là tuyến tính thì độ nhạy của cảm biến phụ
thuộc vào độ dốc của đặc trưng tĩnh đó. Nếu độ dốc của nó càng lớn thì độ nhạy càng
115
tăng, tức là với một sự biến thiên m rất nhỏ cũng cho ta một đại lượng đầu ra s
tương đối lớn. Được mô tả trên hình vẽ sau.
s
§Æc trung tÜnh 2

s2
§Æc trung tÜnh 1

s1
m m
Hình 1.4: Sự phụ thuộc của độ nhạy S vào độ dốc của đặc trưng tĩnh.
Rõ ràng chúng ta thấy s1 nhỏ hơn s2 như vậy độ nhạy của cảm biến có đặc
truyến với độ dốc lớn tức là biến thiên đầu vào nhỏ và cho ta 1 sự thay đổi lớn ở đầu
ra. Điêu
c) Độ nhạy trong chế độ động

Độ nhạy trong chế độ động được xác định khi đại lượng kiểm tra là hàm tuần
hoàn của thời gian. Trong điều kiện như vậy, đại lượng đầu ra s ở chế độ làm việc
danh định cũng là hàm tuần hoàn theo thời gian giống như đại lượng kiểm tra.
Giả sử đại lượng kiểm tra có dạng:
m(t) = m0 + m1 cosωt
Trong đó:
- m0 là giá trị không đổi
- m1 là biên độ
- f = ω/2π là tần số biến thiên của đại lượng kiểm tra.
Vậy ở đầu ra của cảm biến ta thu được đại lượng s có dạng:
s(t) = s 0 + s1 cos(ωt + φ)
Trong đó:
- s0 là đại lượng không đổi tương ứng với m0 xác định điểm Q0 trên đường cong
chuẩn ở chế độ tĩnh.
- s1 là biên độ biến thiên ở đầu ra do thành phần biến thiên của đại lượng kiểm
tra m1 gây nên.
- φ là độ lệch pha giữa đầu vào và đầu ra của cảm biến.
Độ nhạy trong trường hợp này được xác định như sau:
s 
S= 1 
 m1  Q0
116
Ngoài ra trong chế độ động độ nhạy của cảm biến còn phụ thuộc vào tần số của
đại lượng đo m và ta có S(f) xác định đặc tính tần số của cảm biến.
1.2.2 Điều kiện có tuyến tính
Một cảm biến được gọi là tuyến tính trong một dải đo xác định nếu trong dải đó
độ nhạy không phụ thuộc vào giá trị của đại lượng đo.
Nếu như cảm biến không phải là tuyến tính, người ta có thể đưa vào mạch đo
các thiết bị hiệu chỉnh, gọi là tuyến tính hoá, có tác dụng làm cho tín hiệu điện tỷ lệ
với sự thay đổi của đại lượng đo.
Trong chế độ tĩnh, độ tuyến tính thể hiện bằng các đoạn thẳng trên đặc tuyến
tĩnh và hoạt động của cảm biến là tuyến tính chừng nào các thay đổi của đại lượng
kiểm tra còn ở trong vùng này.
Trong chế độ động, độ tuyến tính bao gồm sự không phụ thuộc của độ nhạy ở
chế độ tĩnh S(0) vào đại lượng đo m, đồng thời các thông số quyết định (như tần số
riêng f0 của dao động không tắt, hệ số tắt dần ξ) cũng không phụ thuộc vào đại lượng
đo.
1.2.3 Độ nhanh và thời gian hồi đáp
Độ nhanh là đặc trưng của cảm biến cho phép đánh giá xem đại lượng đầu ra có
theo kịp về thời gian với biến thiên của đại lượng đo không.
- Độ nhanh là khoảng thời gian mà từ khi đại lượng đo thay đổi đột ngột đến
khi biến thiên của đại lượng đầu ra s của cảm biến chỉ còn khác giá trị cuối cùng của
nó một lượng được quy định bằng ε%.
- Thời gian hồi đáp là đại lượng được sử dụng để xác định giá trị của độ
nhanh.
Cảm biến càng nhanh thì thời gian hồi đáp càng nhỏ. Thời gian hồi đáp
đặc trưng cho tốc độ thay đổi của quá trình quá độ và là hàm của các thông số xác định
chế độ này.
m
m0
0
t
s
s0
0 ,9
0 ,1
0
to t+
s
t1 t -s t
Hình 1.5: Các khoảng thời gian khác nhau đặc trưng cho quá trình quá độ
117
Kết luận:
Khi đánh giá lựa chọn một cảm biến hay phải so sánh chúng với nhau ta cần
phải chú ý những đặc tính cơ bản sau đây:
- Phải xét đến khả năng có thể thay thế các cảm biến. Tức là khi chế tạo một
loại cảm biến ta phải tính đến khả năng chế tạo nhiều cảm biến với các đặc
tính như nhau đã cho trước. Như thế mới có thể thay thế khi bị hư hỏng mà
không mắc phải sai số.
- Cảm biến phải có đặc tính đơn trị, nghĩa là với đường cong hồi phục của cảm
biến ứng với giá trị m ta chỉ nhận được một giá trị s mà thôi.
- Đặc tuyến của cảm biến phải ổn định, nghĩa là không được thay đổi theo thời
gian.
- Tín hiệu ra của cảm biến yêu cầu phải tiện cho việc ghép nối vào dụng cụ đo,
hệ thống đo và hệ thống điều khiển.
- Đặc tính quan trọng của cảm biến là sai số:
Sai số cơ bản của cảm biếnlà sai số gây ra do nguyên tắc của cảm biến,
sự không hoàn thiện của cấu trúc, sự yếu kém của công nghệ chế tạo.
Sai số phụ: là sai số gây ra do sự biến động của điều kiện bên ngoài
khác với điều kiện tiêu chuẩn.
- Độ nhạy của cảm biến cũng là một tiêu chuẩn quan trọng. Nó có tác dụng
quyết định cấu trúc của mạch đo để đảm bảo cho phép đ có thể bắt nhạy với
những biến động nhỏ của đại lượng đo.
- Đặc tính động của cảm biến: Khi cho tín hiệu đo vào cảm biến thường xuất
hiện quá trình quá độ. Quá trình này có thể nhanh hay chậm tuỳ thuộc vào
dạng cảm biến. Đặc tính này được gọi là độ tác động nhanh. Nếu độ tác động
nhanh chậm tức là phả ứng của tín hiệu ra của cảm biến trễ so với sự thay đổi
của tín hiệu vào.
- Sự tác động ngược lại của cảm biến lên đại lượng đo làm thay đổi nó và tiếp
đến là gây ra sự thay đổi của tín hiệu ở đầu ra của cảm biến.
- Về kích thước của cảm biến mong muốn là phải nhỏ có như vậy mới đưa được
vào những nơi hẹp, nâng cao độ chính xác của phép đo.
118
Bài 2:
CẢM BIẾN NHIỆT
(Temperature sensor)
2.1 Cặp nhiệt ngẫu (Thermocoupler)
2.1.1 Hiệu ứng nhiệt điện
Khi một thanh kim loại được đốt nóng ở một đầu, đầu còn lại giữ ở nhiệt độ
0 C. Dưới tác động của nhiệt độ cao cấu trúc mạng của kim loại bị phá vỡ. Các điện tử
0
được giải phóng có vận tốc lớn hơn các điện tử ở 0 oC, di chuyển về phần nguội của
thanh kim loại. Như vậy nhiệt độ làm cho mật độ điện tử ở phần nóng thanh kim loại
nghèo đi, mật độ điện tử ở phần lạnh được tăng lên.
Nếu hai thanh kim loại khác nhau về tính chất thì ta nhận thấy số điện tử được
giải phóng dưới tác dụng của nhiệt là khác nhau. Nên khi được nung nóng ở cùng một
nhiệt độ thì số điện tử ở phần lạnh của 2 thanh kim loại sẽ khác nhau dẫn tới có sự
chênh lệch về điện thế.
2.1.2. Nguyên lý cấu tạo
Cấu tạo của cặp nhiệt gồm hai thanh kim loại a, b được hàn với nhau tại một
đầu đó là đầu làm việc t1. Hai đầu còn lại t0 là đầu tự do.
Hình 2.1: Nguyên lý của cặp nhiệt

Nguyên lý làm việc: Khi có sự chênh lệch nhiệt độ giữa hai điểm t1 và t0 thì tại
hai đầu còn lại của hai thanh kim loại sẽ xuất hiện một suất điện động.
Eab(t1 ,t0) = Eab(t1 ) – Eab(t0).
Nếu giữ cho nhiệt độ t0 không thay đổi và t1 phụ thuộc vào môi trường đo nhiệt
độ thì ta có:
Eab(t1 ,t0) = Eab(t1) – C = f(t1 ). Với C là hằng số
Sức điện động Eab không chỉ phụ thuộc vào nhiệt độ t1 và t0 mà còn phụ thuộc
vào vật liệu để chế tạo các thanh kim loại a, b.
2.1.3. Các dạng cấu tạo và đặc tuyến:
a) Cấu tạo
Được cấu tạo bởi các kim loại hoặc hợp kim có khả năng làm việc với nhiệt
độ cao như: Pt, Ni, Cr, RhPt, NiCr … Chúng được đặt trong một vỏ bọc có thể kín
hoặc hở, đầu đo có thể được hàn với vỏ (loại không cách điện) hoặc không hàn với vỏ
(cách điện). Với loại cách điện thì bên trong là môi trường dẫn nhiệt, có thể là không
khí nếu trên vỏ bọc có để hở ra các cửa sổ.
119
Hình 2.2: Cấu trúc của cặp nhiệt loại không cách điện và cách điện.
b) Đặc tuyến nhiệt điện của một số loại cặp nhiệt.
Hình 2..3: Đặc tính của một số loại cặp nhiệt
Nhìn vào đặc tuyến trên hình 2.3 ta có một số nhận xét sau:
- Cặp nhiệt Cu/Const có độ nhạy cao nhưng dải nhiệt độ làm việc của nó rất
hạn chế. ( Nhiệt độ tối đa khoảng 400 oC và điện áp ra tương ứng khoảng
hơn 20mV).
- Cặp nhiệt Fe/Const cũng có độ nhạy cao nhưng dải nhiệt độ làm việc của nó
lớn hơn nhưng vẫn còn thấp để có thể đáp ứng được những yêu cầu về dải
nhiệt độ cao hơn. ( Nhiệt độ tối đa khoảng 700 o C và điện áp ra tương ứng
khoảng hơn 40mV).
- Cặp nhiệt NiCr/Ni có độ nhạy trung bình và dải nhiệt độ làm việc cũng khá
rộng. ( Nhiệt độ tối đa khoảng 1000 o C và điện áp ra tương ứng khoảng hơn
40mV).
- Cặp nhiệt RhPt/Pt có độ nhạy thấp nhất điện áp ra nhỏ nhưng bù lại dải
nhiệt độ làm việc rất lớn . ( Nhiệt độ tối đa khoảng 1600 o C và điện áp ra
tương ứng khoảng hơn 10mV).
120
Một số loại cảm biến thường được sử dụng trong những ứng dụng cơ bản:
Dạng cảm biến Kiểu tiếp xúc Thời gian hồi đáp
Cảm biến bề mặt 57s
Cảm biến nhúng 6s
Cảm biến chèn 10s
Cảm biến không khí 70s
Thời gian tác động được tính đến khi giá trị đầu ra của tín hiệu cảm biến đạt tới
99% giá trị cuối cùng.
2.1.4 Thông số các loại cặp nhiệt

a) Dải nhiệt độ làm việc
121
b) Thông số điện áp ra của một số cặp nhiệt
Đơn vị tính điện áp V
2.1.5. Nguyên lý đo nhi ệt độ
Hình 2.5: Cấu trúc hệ thống đo nhiệt độ

* Thực hiện phép đo
Để thực hiện phép đo ta cần phải xây dựng mạch đo như hình vẽ trên. Trong đó
đầu làm việc t1 được đặt trong môi trường cần xác định nhiệt độ, gọi là điểm đo. Muốn
đo được nhiệt độ một cách chính xác ta cần phải có nhiệt độ chuẩn để so sánh thông
thường là 0 oC , chính là điểm so sánh đây chính là vị trí đầu tự do t0. Bởi vì điện áp do
cặp nhiệt sinh ra chỉ cỡ mV nên cơ cấu đo ta sử dụng mV kế để đo. Ta sử dụng cơ cấu
từ điện để chỉ thị, vì thang đo tỷ lệ thuận với dòng điện. Thông qua việc đọc các giá trị
điện áp của mV kế và dựa vào đường đặc tuyến thể hiện mối quan hệ giữa nhiệt độ và
điện áp ta sẽ xác định được giá trị nhiệt độ tại điểm đo.
Trong thực tế để đo nhiệt độ người ta sử dụng các chip chuyên dụng, như
AD594/AD595. Cực dương và âm của cặp nhiệt được mắc vào chân 1 và 14 của IC.
Trong IC này có mạch so sánh nhiệt độ nước đá (ICE POINT COMP), điện áp được
lấy ra tại chân số 9 của IC(VO). Với IC này độ chính xác của phép đo nhiệt độ sử dụng
122
cặp nhiệt đạt rất cao. Để hiển thị kết quả đo người ta có thể hiện thị số thông qua việc
chuyển đổi A/D (vấn đề này sẽ được đề cập ở chương cuối).
Hình 2.6: IC xử lý tín hiệu điện áp của cặp nhiệt

2.2 Nhiệt kế điện trở (Resistance thermometers)
2.2.1 Cơ sở nguyên lý và cấu trúc.
Mối quan hệ giữa điện trở và nhiệt độ được xác định bằng biểu thức:
Rv = R0 (1 + αΔT)
Trong đó Rv = Giá trị điện trở tại nhiệt độ v
R0 = Giá trị điện trở tại nhiệt độ v = 0 OC
α = Hệ số điện trở nhiệt (1/K); phụ thuộc vào vật liệu và kích
thước của điện trở nhiệt.
ΔT = Độ lệch nhiệt độ so với 0 OC
Ký hiệu: v
2.2.2 Cấu tạo

a) Cơ bản
a) Điện trở quấn dây đơn b) Điện trở dây quấn kép
Hình 2.7: Cấu trúc cơ bản nhiệt kế điện trở
Trên một lõi cách điện người ta thực hiện việc quấn dây điện trở lên đó, vật liệu
chế tạo có thể là Pt hoặc Ni như hình 2.7. Sau đó người ta sẽ bọc bên ngoài một lớp
cách điện nhưng có khả năng dẫn nhiệt tốt. Có hình dạng như sau:
Hình 2.8: Các dạng nhiệt kế điện trở

123
Trên thân điện trở thường ghi ký hiệu loại điện trở và giá trị danh định của nó.
Ví dụ:
- Pt 100 : Được chế tạo bằng Platinium có giá trị 100 ở 0 OC
- Ni 100 : Được chế tạo bằng Nickel có giá trị 100 ở 0OC
- Pt 500 : Được chế tạo bằng Platinium có giá trị 500 ở 0 OC
- Pt 1000 : Được chế tạo bằng Platinium có giá trị 1000 ở 0OC
b) Dạng thực tế
Hình 2.9: Nhiệt kế điện trở loại 4 dây nối trong thực tế
* Thông số của nhiệt kế điện trở loại Nikel (Ni-100) và Platinum (Pt-100)
124
2.2.3 Các dạng mắc mạch cơ bản

a) Kỹ thuật 2 dây nối
Hình 2.10: Cách mắc 2 dây nối

Với kỹ thuật 2 dây nối ta thấy giữa nhiệt kế điện trở và mạch điện tử được nối
bởi hai dây dẫn. Với bất kỳ dây dẫn nào đều có điện trở, điện trở này được mắc nối
tiếp với điện trở nhiệt. Kết quả là sẽ dẫn đến sai số kết quả đo. Dây dẫn càng dài điện
trở càng lớn.
Ví dụ với dây dẫn đồng:
- Tiết diện dây: 0,5mm2
- Điện trở suất: 0,0017 mm2m-1
- Chiều dài: 100 m
có giá trị điện trở R là 6,8, với giá trị đó tương ứng cho việc thay đổi 17 o C tác động
lên Pt 100 và là 11 o C với Ni100.
Mặt khác giá trị điện trở của dây cũng thay đổi theo nhiệt độ dẫn tới kết quả đo
không chính xác.
b) Kỹ thuật 3 dây nối

Phương pháp 3 dây nối có nghĩa là từ một đầu của điện trở nhiệt nối thêm một
dây dẫn nữa. Với phương pháp này sự ảnh hưởng của giá trị điện trở dây dẫn lên mạch
đo không còn đáng kể. Cho nên ta thu được một kết quả đo nhiệt độ chính xác hơn.
Mặc dầu vậy ta thấy rằng với một yêu cầu cao về độ chính xác của phép đo thì phương
pháp này không thoả mãn. Chính vì vậy ta có cách mắc 4 dây nối.
125
c) Kỹ thuật 4 dây nối

Với phương pháp này cho ta một kết quả đo có độ chính xác cao nhất. Lúc này
vấn đề đặt ra là ta phải tạo ra một nguồn dòng ổn định. Điện áp đặt vào mạch đo không
bị ảnh hưởng bởi sự thay đổi điện trở của dây dẫn.
Trong ba phương pháp trên, phương pháp thường được sử dụng nhiều nhất đó
là phương pháp 3 dây nối (kỹ thuật 3 dây). Bởi vì yêu cầu của mạch điện không quá
phức tạp mà vẫn đạt được độ chính xác cao.
2.3 Điện trở nhiệt có hệ số nhiệt âm NTC (NTC Thermistor Resistance)
2.3.1 Khái niệm
Là loại điện trở nhiệt có trị số biến thiên tỷ lệ nghịch đối với nhiệt độ môi
trường xung quanh và bản thân nó.
Ký hiệu: v
Vì vậy điện trở nhiệt NTC khi được nung nóng sẽ dẫn điện tốt hơn khi ở trạng
thái nguội
2.3.2 Đặc tuyến.
Hình 2.13: Đặc tuyến quan hệ giữa điện trở RNTCT với nhiệt độ Tamb
126
Theo hình vẽ ta thấy sự thay đổi của điện trở từ RNT CT = 5,5kΩ tại toamb = 20 oC
đến RNT CT = 400 Ω tại toamb = 100 oC đoạn này ta có thể có thể thấy gần như là tuyến
tính
2.3.3 Mạch điện ứng dụng

a) Nhiệt kế điện tử
Hình 2.14: Mạch cơ bản nhiệt kế điện tử

Nguyên lý làm việc:
Điện trở nhiệt NTC được mắc nối tiếp với một cơ cấu chỉ thị kim. Nguồn điện
áp cung cấp cho mạch được giữ cố định, khi đó khi nhiệt độ thay đổi sẽ làm thay đổi
giá trị điện trở NTC do đó dòng điện qua mạch sẽ thay đổi theo. Nếu nhiệt độ tăng
điện trở sẽ giảm và dòng điện qua mạch tăng vì vậy độ lệch của kim chỉ so với gốc
tăng. Nếu nhiệt độ giảm điện trở sẽ tăng và dòng điện qua mạch giảm vì vậy độ lệch
của kim chỉ so với gốc giảm. Kết quả ta xác định được giá trị của nhiệt độ trên thang
đo.
b) Mạch phân áp
Hình 2.15 Mạch phân áp

Sơ đồ này được sử dụng rất nhiều trong các mạch điều khiển. R1 là cố định do
đó giá trị của U1 và U2 sẽ phụ thuộc vào giá trị của R2 . Nếu nhiệt độ tăng điện trở R2
sẽ giảm và U1 tăng U2 giảm và ngược lại. U1 tăng tỷ lệ thuận theo nhiệt độ, U2 tăng tỷ
lệ nghịch với nhiệt độ.
Sơ đồ này có thể dùng là mạch phân áp cho Transistor hoặc tạo điện áp để đưa
vào mạch khuếch đại thuật toán so sánh với một điện áp chuẩn dùng làm mạch chuyển
mạch theo nhiệt độ có thể thay đổi được giá trị chuyển mạch.
127
c) Đo nhiệt độ với cầu đo
Hình 2.16: Mạch cầu với NTC thermistors

Trong sơ đồ cầu hình a), chỉ sử dụng một điện trở loại NTC. Điện trở nhiệt này
sẽ quyết định khoảng nhiệt độ đo được. Giá trị của nó có thể được tính toán thông qua
các giá trị của R1 , R2 và R4 khi điều chỉnh cầu cân bằng, cầu cân bằng khi UD = 0 V tức
là R1xR4 = R2 xR3 .
Theo biểu thức R1 xR4 = R2xR3 thì nếu nhiệt độ thay đổi thì R3 cũng thay dẫn tới
ta phải điều chỉnh R1 để cho cầu trở lại vị trí cân bằng. Nhưng ở đây ta mới chỉ xác
định được giá trị của R3. Muốn xác định giá trị của nhiệt độ tác động ta phải tính toán
nhiệt độ theo R3.
Để đơn giản cho người sử dụng, trong quá trình chế tạo nhà sản xuất cần có
những giá trị nhiệt độ chuẩn, để khắc độ tại các vị trí con trỏ của biến trở làm cho cầu
cân bằng tương ứng với nhiệt độ mẫu.
d) Điều khiển Rơle đóng, ngắt trễ với NTC thermistors
Hình 2.17: a) Mạch đóng trễ b) Mạch ngắt trễ

Nguyên tắc hoạt động như sau:
Hình 2.17 a): Khi khoá S1 được đóng thì dòng điện trong mạch ở thời điểm ban
đầu nhỏ vì giá trị của NTC còn rất lớn do đó không đủ dòng định mức cho cuộn hút
K1 làm việc. Sau một thời gian do có sự tiêu hao năng lượng điện và sinh ra nhiệt trên
điện trở NTC, vì vậy giá trị của NTC giảm xuống khi nhiệt độ tăng lên. Giá trị nhiệt độ
tăng lên làm giá trị của NTC giảm rất nhanh do đó dòng điện chạy qua cuộn hút K1
tăng vọt đến dòng định mức cuộn hút K1 làm việc tiếp điểm K1 được đóng lại duy trì
128
trạng thái của cuộn hút, đồng thời khi K1 đóng thì điện áp trên NTC coi như bằng 0.
NTC được ngắt ra khỏi mạch.
Hình 2.17 b): Khi khoá S2 được đóng thì dòng điện chạy qua NTC ở thời điểm
ban đầu nhỏ vì giá trị của NTC còn rất lớn do đó dòng và áp cung cấp cho cuộn hút K1
giảm không đáng kể. Sau một thời gian do có sự tiêu hao năng lượng điện và sinh ra
nhiệt trên điện trở NTC, vì vậy giá trị của NTC giảm xuống khi nhiệt độ tăng lên. Giá
trị nhiệt độ tăng lên làm giá trị của NTC giảm rất nhanh do đó dòng điện chạy qua
cuộn hút K1 và điện áp rơi trên nó giảm cũng rất nhanh vì vậy khi giá trị của NTC đạt
giá trị cực tiểu thì cuộn hút K1 cũng không đủ dòng và áp định mức để làm việc. Khoá
K1 ngắt.
Hình 2.18: Một vài dạng của NTC thermistor (Hãng Siemens)
2.4 Điện trở nhiệt dương PTC ( PTC Thermistor Resistance)

2.4.1 Khái niệm
Là loại điện trở có trị số biến thiên tỷ lệ thuận đối với nhiệt độ môi trường xung
quanh và bản thân nó.
Ký hiệu: v
129
2.4.2 Đặc tuyến
Hình 2.18: Đặc tuyến nhiệt điện trở PTC

Đặc tuyến trên có thể chia làm ba khoảng:
- Khoảng thứ nhất: Tại các giá trị nhiệt độ thấp điện trở nhiệt PTC có một
khoảng với một hệ số nhiệt âm nhỏ. Trong khoảng này nó làm việc giống như một
điện trở nhiệt loại NTC. Tại giá trị TSW sẽ chuyển từ loại NTC sang loại PTC. Giá trị
của điện trở nhiệt PTC tại nhiệt độ TSW gọi là điện trở ban đầu (inception resistance)
Rincept .
- Khoảng thứ hai: Nhiệt độ càng tăng thì độ dốc của đặc tuyến càng lớn do đó
hệ số nhiệt cũng tăng. Sau một giá trị nhiệt độ danh định Tnom thì giá trị điện trở của
PTC tăng đột biến và có giá trị điện trở tương ứng tại nhiệt độ này là Rnom (nominal
resistance). Trong khoảng này độ nhạy của điện trở nhiệt phụ thuộc vào giá trị của
nhiệt độ, nhiệt độ càng cao thì độ nhạy càng lớn.
- Khoảng thứ 3: Tức là từ nhiệt độ Tnom đến Tupper ta thấy độ dốc của đặc tuyến
rất lớn và tuyến tính. Chính vì thế nó thường được sử dụng làm cảm biến trong dải
nhiệt độ này.
Tới gần nhiệt độ cao, khoảng làm việc của điện trở nhiệt PTC bị giới hạn bởi
khoảng nhiệt độ cao Tupper(upper-range temperature) với giá trị điện trở tương ứng
Rupper .Khi Tupper vượt quá thì sự tăng điện trở càng ít hơn đến khi giá trị cực đại. Vùng
này thường không thấy trong đặc tuyến bởi vì nó nằm ngoài khoảng làm việc của điện
trở nhiệt PTC.
130
2.4.3 Mạch điện ứng dụng

a) Mạch phân áp.
Khi sử dụng giống như một cảm
biến nhiệt, các điện trở nhiệt thường được
dùng trong các mạch phân áp. Mạch điện
cơ sở của việc phân áp với điện trở nhiệt
PTC được biểu diễn trên hình vẽ bên.
Hình 2.19: Mạch phân áp

Điện trở nhiệt PTC cũng có thể sử dụng trong các mạch cầu giống như đối với
điện trở nhiệt NTC.
b) Điện trở nhiệt PTC sử dụng giống như cảm biến mức chất lỏng.
ở trạng thái ban đầu khi mực chất lỏng còn
đang ở phía dưới. Khi mạch được cấp một điện
áp Us thì do có sự tổn hao năng lượng dưới dạng
nhiệt năng làm cho điện trở nhiệt PTC nóng
lên, dẫn tới giá trị của nó tăng đột biến tới hàng
M làm dòng cung cấp cho cuộn hút K1 không
đủ định mức tiếp điểm K1 nhả, đèn L1 không
sáng.
Hình 2.20: Cảm biến mức chất lỏng
Khi chất lỏng tăng lên đến vị trí đặt điện trở nhiệt PTC làm cho nhiệt độ của
PTC bị giảm xuống dòng chạy qua cuộn hút K1 tăng lên đến giá trị định mức và khoá
K1 được đóng lại đèn L1 báo sáng và bơm được ngắt.
c) Bảo vệ quá tải.

Với đặc tuyến Vôn – Ampe , điện trở nhiệt PTC có thể được sử dụng để bảo vệ
ngắn mạch hoặc quá tải. Trong hình vẽ dưới PTC được mắc nối tiếp với tải với chức
năng bảo vệ quá dòng.
Hình 2.21: Mạch ghép nối bảo vệ quá tải

131
Hình 2.22: Một vài dạng của PTC thermistor (Hãng Siemens)
2.5 IC cảm biến nhiệt độ

2.5.1 IC cảm biến nhiệt loại LM35
Đây là loại IC có điện áp tỷ lệ tuyến tính với nhiệt độ thang Celsius. Như vậy
mạch hiệu chỉnh điểm 0 của thang nhiệt độ Kelvin là không cần như một số loại IC
khác. Điện áp đầu ra là 10mV/K (10mV/ oC) và sai số không tuyến tính là ±1,8mV cho
toàn thang đo. Điện áp cung cấp có thể thay đổi từ 4V đến 30V.
LM35 được chế tạo cho 3 thang đo: -50 oC ...+150 oC (LM35/35A); -
40 oC...+110 oC (LM35C/CA); 0 oC...100 o C (LM35D).
U
1,5V
1,0V
0,5V
0 0 100 150 o
C
- 0,5V
Hình 2.23: Đặc tuyến thể hiện mối quan hệ giữa nhiệt độ và điện áp của LM35
Để có thể đo được nhiệt độ âm thì cần có một điện trở tại đầu ra nối với điện áp
âm. Điện trở này phải được tính sao cho dòng điện qua nó lớn hơn 50μA. Ngoài ra
điện áp âm cần phải lớn hơn điện thế thấp nhất (Ví dụ: -550mV với -55 oC). Sơ đồ kết
nối cảm biến như sau:
132
Vcc = +4… 30V Vcc = +4… 30V
OUT
LM35 OUT LM35
10mV/oC
50A R
GND GND
a) -U
b)
Hình2.24: Sơ đồ kết nối cảm biến
a) Sơ đồ đo nhiệt độ dương
b) Sơ đồ đo nhiệt độ âm và dương
Tỷ lệ giữa điện áp ra và như sau:
Uout = 1,5V toC = 150 oC
Uout = -0,55V toC = -55 oC
Tín hiệu tại đầu ra của IC LM35 ta có thể đưa trực tiếp tới đầu vào của bộ biến
đổi A/D loại 8 bit, ta kết hợp với một bộ vi xử lý như vậy sẽ tạo thành một thiết bị đo
nhiệt độ trong hệ thống tự động điều chỉnh nhiệt độ.
Các bộ biến đổi A/D như:
- Giao diện song song: ADC0804 8 bit, ICL7109 12 bit.
- Giao diện nối tiếp: ADC0831
2.5.2 IC cảm biến nhiệt loại AD590
Là loại IC cảm biến nhiệt 2 chân nối. Dòng điện đầu ra tỷ lệ với nhiệt độ
Kelvin: 1μA/K . Điện áp cungcấp cũng từ +4V đến +30V. IC hoạt động như một bộ
hiệu chỉnh dòng tổng trở cao. Với tổng trở đầu ra khá cao (>10MΩ), khi điện áp cấp
thay đổi, dòng điện thay đổi rất ít. Ví dụ sự thay đổi điện áp 5V đến 10V ta chỉ có sự
thay đổi khoảng 1μA hay 1 oC.
IOUT
A
423
273
218
218 273 423 T/K

-55 0 150 v/oC
Hình 2.25: Đặc tuyến nhiệt độ – dòng điện của IC AD590

133
Sơ đồ thiết bị đo nhiệt độ chỉ thị kim sử dụng IC cảm biến nhiệt AD590
Trong sơ đồ Hình 2.26 thì
AD590 được mắc với một điện
trở 10K tạo thành mạch phân
áp, cung cấp tín hiệu điện áp
thay đổi theo nhiệt độ tới đầu
vào khuếch đại thuận của
khuếch đại thuật toán. Khi nhiệt
độ thay làm cho dòng điện
chạy qua AD590 thay đổi dẫn
tới điện áp rơi trên điện trở R3
thay đổi, làm thay đổi điện áp
tại đầu vào thuận của bộ khuếch Hình 2.26: Mạch điện đo nhiệt độ dùng AD590
đại thuật toán.
Tín hiệu thay đổi này được khuếch đại lên và cung cấp cho thiết bị chỉ thị nhiệt độ
134
Bài 3:
CẢM BIẾN VỊ TRÍ VÀ DỊCH CHUYỂN
Cảm biến vị trí và dịch chuyển được ứng dụng trong các dây chuyền công nghệ,
trong các máy móc có hệ thống chuyển động theo chương trình điều khiển tự động.
3.1: Công tắc gới hạn (Limit SWITCH)

3.1.1 Phân loại, ký hiệu và nguyên tắc hoạt động
a) Phân loại:
Được chia làm 2 loại thường đóng và thường mở tín hiệu được tạo ra ở hai
trạng thái nối mạch và ngắt mạch (nhị phân).
b) Ký hiệu:
c)
a) b)
d)
Hình 3.1: Ký hiệu của các loại tiếp điểm
a) và c) Tiếp điểm thường mở (NO: Normal Open)
b) và d) Tiếp điểm thường đóng (NC: Normal Close)
c) Nguyên tắc hoạt động
Đối với công tắc thường mở như chúng ta thấy ký hiệu rất rõ. Bình thường khi
không có tác động của bên ngoài thì hai cực của công tắc không được nối, mạch điện
được mắc nối tiếp với công tắc bị ngắt tín hiệu(tín hiệu có thể là Vcc hoặc GND). Khi
có tác động bên ngoài thì 2 cực của công tắc được nối thông, mạch điện được mắc nối
tiếp với công tắc được cung cấp tín hiệu(tín hiệu có thể là Vcc hoặc GND).
Đối với công tắc thường đóng thì ngược lại.
3.1.2 Ứng dụng
Tuỳ thuộc vào các mạch điện điều khiển sử dụng nguồn điện như thế nào mà
chúng ta lựa chọn các loại công tắc hành trình cho phù hợp với điện áp và dòng điện
trong mạch điều khiển.
Thông thường đối với các mạch điều khiển ứng dụng Kỹ thuật vi điều khiển,
thuật số thì mức điện áp từ 5V đến 18V DC và PLC thì mức điện áp cung cấp cho các
đầu vào điều khiển là 24V còn dòng điện thì không lớn lắm chỉ khoảng vài chục đến
vài trăm mA.
Các công tắc hành trình thường được lắp đặt tại vị trí cần thiết để thay đổi hành
trình chuyển động của hệ thống hoặc thực hiện một thao tác khác khác của hệ thống.
Các ứng dụng:
135
- Đếm sản phẩm: Cảm biến được lắp đặt sao cho khi sản phẩm di chuyển trên
băng tải đến vị trí đó phải tác động vào công tắc. Mỗi lần đóng và ngắt công tắc sẽ tạo
ra một xung điện. Xung điện này được đưa về bộ đếm xung. Số xung đếm được sẽ
tương ứng với một sản phẩm đã đi qua vị trí của công tắc.
- Dừng hệ thống: ví dụ đối với hệ thống đóng mở cổng tự động. Cổng chuyển
động thẳng nhờ một mô tơ kéo có thể quay được 2 chiều. Vấn đề dặt ra là khi cổng mở
hết hoặc đóng hết thì môtơ kéo phải tự động dừng, như vậy tại cuối và đầu đường chạy
của cổng chúng ta phải lắp đặt ở đó một cảm biến báo hiệu cổng đã mở hết hoặc đóng
hết để ngắt môtơ kéo.
Ngoài ra còn rất nhiều ứng dụng nữa của công tắc hành trình phụ thuộc vào các
yêu cầu của những bài toán kỹ thuật đặt ra mà chúng ta cần giải quyết.
3.1.3 Tạo tín hiệu điều khiển và xử lý tín hiệu xung nhiễu
a) Tạo tín hiệu điều khiển
Tín hiệu điều khiển được tạo ra bởi công tắc hành trình tuỳ phụ thuộc vào hệ vi
xử lý tích cực với mức logic nào của tín hiệu. Ta có các sơ đồ sau:
Vcc
Vcc HÖ
SW VXL
R
R
HÖ
SW VXL
a) SW thường mở tích cực cao

c) SW thường mở tích cực thấp
Vcc
Vcc HÖ
SW VXL
R R
HÖ
SW VXL
d) SW thường đóng tích cực thấp

b) SW thường đóng tích cực cao
Hình 3.2: Các phương pháp ghép nối tạo tín hiệu
Hình 3.2 a) Sử dụng tiếp điểm thường mở cho nên đối với hệ vi xử lý tích cực
với mức cao khi tiếp điểm chưa được tác động thì tín hiệu mức cao chưa được đưa vào
hệ. ở trạng thái chưa tác động tín hiệu vào hệ ở mức thấp.
Hình 3.2 b) Sử dụng tiếp điểm thường đóng cho nên đối với hệ vi xử lý tích cực
với mức cao khi tiếp điểm chưa được tác động thì tín hiệu mức cao chưa được đưa vào
hệ. ở trạng thái chưa tác động tín hiệu vào hệ ở mức thấp.
Hình 3.2 c) Sử dụng tiếp điểm thường mở cho nên đối với hệ vi xử lý tích cực
với mức thấp khi tiếp điểm chưa được tác động thì tín hiệu mức thấp chưa được đưa
vào hệ. ở trạng thái chưa tác động tín hiệu vào hệ ở mức cao.
136
Hình 3.2 d) Sử dụng tiếp điểm thường đóng cho nên đối với hệ vi xử lý tích cực
với mức thấp khi tiếp điểm chưa được tác động thì tín hiệu mức thấp chưa được đưa
vào hệ. ở trạng thái chưa tác động tín hiệu vào hệ ở mức cao.
b) Xử lý xung nhiễu
* Đối với tiếp điểm thường mở:
Xung nhiễu xuất hiện khi tiếp điểm thường mở được tác động để nối mạch tạo
mức lôgic.
Khi c«ng t¾c bÞ nhÊn
TiÕp ®iÓm dao ®éng
Xung chuÈn
Hình 3.3: Giản đồ xung được tạo ra của hình 3.2 a)

* Đối với tiếp điểm thường đóng:
Xung nhiễu xuất hiện khi tiếp điểm thường đóng đang ở trạng thái mở được
đóng lại (khi ngừng tác động).
Khi ngõng t¸c ®éng
TiÕp ®iÓm dao ®éng
Xung chuÈn
Hình 3.4: Giản đồ xung được tạo ra của Hình 3.2d
* Nguyên nhân chính là do khi đóng mạch đối với các tiếp điểm thường có hiện
tượng rung cho nên tạo ra sự đóng ngắt liên tiếp của tiếp điểm vì vậy tạo ra các xung
nhiễu ảnh hưởng đến sự hoạt động của hệ thống.
* Giải pháp thứ nhất: Để khử xung nhiễu như vậy chúng ta phải sử dụng
phương pháp lọc nhiễu, ngắn mạch tần số cao bằng tụ điện. Chúng ta có các sơ đồ sau:
Vcc HÖ
Vcc HÖ
SW VXL
SW VXL
R R C
C
b)
a)
Hình 3.5: Mạch khử xung nhiễu tín hiệu.
137
• Giải pháp thứ 2: là ta dùng Trigơ RS tạo công tắc chống rung.
Vcc S\ R\ Qn+1
R1 R2
0 0 x
S 1 &
OUT
0
1
SW 0 1 1
0 & 1 0 0
1
0
R
1 1 Qn
Hình 3.6: Công tắc chống rung
Các điện trở R1, R2 được mắc trong mạch để đảm bảo khi tiếm điểm chưa đóng
vào vị trí nào thì các đầu vào S\ và R\ luôn ở mức cao và Trigơ ở trạng thái nhớ.
R
Q
Hình 3.7: Giản đồ thời gian mô tả công tắc chống rung
3.1.4 Hình dáng, cấu tạo và vận hành một số loại thực tế
138
Hình 3.8: Một số loại công tắc giới hạn
Hình 3.9: Cấu trúc bên trong công tắc
139
Hình 3.10: Cấu trúc bên ngoài
Hình 3.11: Hành trình chuyển động của cánh tay đòn
Hình 3.12: Vị trí của cánh tay đòn và của tiếp điểm
140
3.2 Cảm biến điện trở.

3.2.1 Khái niệm và phân loại
a) Khái niệm
Cảm biến điện trở: là những cảm biến điện, chúng chuyển đổi các đại lượng cần
đo, cần xác định thành các giá trị điện trở tương ứng
b) Phân loại
- Điện trở tiếp xúc
- Điện trở tiếp xúc trượt
- Điện trở tiếp xúc thuỷ ngân
- Điện trở phụ thuộc áp suất
- Điện trở biến dạng
- Điện trở phụ thuộc nhiệt độ
- Điện trở chất điện phân
- Quang trở.
Trong bài này chúng ta chủ yếu nghiên cứu loại điện trở tiếp xúc trượt đó chính
là biến trở (hay chiết áp).
3.2.2 Nguyên lý và cấu tạo của biến trở

a) Nguyên lý của nó được thể hiện trên hình vẽ sau:
DÞch chuyÓn dµi l Gi¸ trÞ ®iÖn trë

BiÕn trë
DÞch chuyÓn gãc 
Hình 3.13: Nguyên lý biến trở

b) Cấu tạo:
- Biến trở dạng dịch chuyển thẳng:
§iÖn trë R n Con ch¹y Tay g¹t
L
R l
Hình 3.14: Cấu tạo bên trong của biến trở dạng thẳng
Biểu thức tính giá trị điện trở ứng với độ dịch chuyển dài
l
R( l ) = Rn
L
141
- Biến trở dạng dịch chuyển góc quay:

Con ch¹y
Nóm xoay
a) Cấu tạo bên trong b) Hình dạng bên ngoài

Hình 3.15: Cấu tạo của biến trở quay
Biểu thức tính giá trị điện trở ứng với độ dịch chuyển góc quay

R( ) = R
M n
- Chế tạo: Nó có thể được chế tạo dạng màng than hoặc dây điện trở quấn
quanh một lõi cách điện.
Căn cứ vào những đối tượng đo cụ thể với những yêu cầu kỹ thuật và độ dich
chuyển (dài, góc) khác nhau mà ta chọn hoặc chế tạo các chiết áp có hình dạng tương
ứng khác nhau.
Khi chọn chiết áp cần chú ý:
- Điện trở suất () của vật liệu phải lớn và ổn định
- Chịu mài mòn tốt (chống mòn)
- Hệ số nhiệt điện trở của dây (R) phải nhỏ
- Không bị ôxy hoá (chống ôxy hoá)
Những vật liệu thường được chọn để chế tạo là: Konstantan, Manganin.
c) Đặc tuyến
R R
R = f(l,) R = f(l,)
l,  l, 
a) Biến trở màng than b) Biến trở dây quấn
Hình 3.16: Đặc tuyến quan hệ giữa độ dich chuyển và điện trở
3.2.3 Ưu nhược điểm của cảm biến điện trở tiếp xúc trượt là:
a) Ưu điểm
- Kết cấu đơn giản
- Có khả năng đo liên tục
142
- Các đặc tuyến của chúng ổn định

- Giá thành rẻ
b) Nhược điểm
- Đòi hỏi mô men lớn
- Dễ bị hỏng do ôxy hoá
- Nhạy với dòng quá tải.
3.2.4 Ứng dụng
* Các ứng dụng:
- Để xác định vị trí khoảng cách dịch chuyển của hệ thống tự động
- Xác định mức độ cao thấp, đầy vơi.
* Để ứng dụng biến trở vào việc xác định vị trí hay khoảng cách dịch chuyển
của vật thể chuyển động.
Cần dựa vào các yếu tố sau:
- Tay gạt hoặc núm xoay của biến trở phải được liên kết với vật thể chuyển
động.
- Tỷ số truyền chuyển động
- Mối quan hệ U = I.R
Mà I = Un/Rn = const nên lúc này điện áp chỉ phụ thuộc vào giá trị điện trở tại vị trí
của con chạy.
Để xác định được vị trí dịch chuyển và khoảng cách của vật chuyển động với vị
trí ban đầu người ta cần phải quy ước các giá trị tương ứng của điện áp so với độ dài
chuyển động của vật thể.
Ví dụ:
Ta có điện áp Un = 10V và quãng đường vật có thể di chuyển được tối đa là 1m
thì tuỳ theo mức độ cần thiết độ chính xác của phép đo chúng ta có thể xử lý như sau:
Chính xác tới từng cm thì ta có: 1m = 100 cm vậy điện áp ứng với 1 cm sẽ là
U = 10V/100 cm= 0,1 (V/cm). Như vậy điện áp thay đổi 0,1V ta biết rằng vật đã dịch
chuyển khỏi vị trí 1cm.
Với yêu cầu chính xác tới từng mm thì ta sẽ có điện áp tương ứng với 1mm là:
U = 10V/1000 mm = 0,01 (V/mm)
Sau đó tín hiệu điện áp này được đưa tới thiết bị hiển thị cho chúng ta biết vị trí
mà vật đang ở đó so với vị trí ban đầu khi vật chưa di chuyển.
Nhưng chúng ta cũng biết rằng kích thước của các biến trở là giới hạn cho nên
sự tác động của vật lên tay gạt hoặc núm xoay của biến trở phải thông qua hệ thống
biến đổi trung gian cơ học (thay đổi tỷ số truyền).
Vì vậy khi thiết kế hệ thống điều khiển tự động sử dụng biến trở chúng ta cần
lựa chọn các loại biến trở đã được chế tạo sẵn hệ thống truyền động thay đổi tỷ số
truyền bên trong bản thân nó. Ví dụ như các loại biến trở dạng cung tròn khi núm xoay
xoay hết 10 vòng thì giá trị điện trở mới đạt giá trị cực đại.
143
3.3 Cảm biến cảm ứng từ tiệm cận (Inductive Proximity Sensor)
3.3.1 Cơ sở của cảm biến từ (cảm biến dòng điện Foucault)
Là thiết bị cảm nhận sự thay đổi từ trường tác động lên nó. Phần tử chính của
cảm biến là một cuộn dây được cung cấp dòng có tần số cao, nó sẽ tạo ra một từ
trường thay đổi xung quanh cuộn dây. Một vật kim loại nằm trong vùng từ trường này
sẽ xảy ra hiệu ứng dòng điện Fuco. Theo định luật Lenz, dòng điện này có chiều chống
lại nguyên nhân tạo nên nó, tạo nên một từ thông ngược lại với từ thông của cuộn dây,
điều này dẫn đến hệ số tự cảm của cuộn dây thay đổi. Và như vậy trở kháng của cuộn
dây cũng thay đổi vì: ZL = 2fL.
L
VËt M¹ch
kim dao ®éng
lo¹i (OSC)
Hình 3.17: Cơ sở của cảm biến từ

Trong đó độ tự cảm L phụ thuộc vào rất nhiều yếu tố như số vòng của cuộn
dây, độ từ thẩm của vật kim loại, hình dạng …
L = f(n, , A, l) L độ tự cảm; n số vòng;  độ từ thẩm
A, l sự phụ thuộc vào khoảng cách và vật liệu
Cảm biến dòng điện Foucault được dùng để cảm biến những vật được chế tạo
từ kim loại. Tuy nhiên sự tác động của chúng phụ thuộc vào các yếu tố như: khoảng
cách đối tượng tác động, đặc tính điện (điện trở suất, độ từ thẩm) và những đặc tính
hình học (dạng, kích thước). Đối tượng và cảm biến thường được đặt trong môi trường
không khí, việc lắp đặt có thể bố trí trong môi trường cách điện, điều này cho phép tổn
hao ít đối với tần số dòng điện hoạt động.
3.3.2 Cấu tạo cơ bản và nguyên lý hoạt động của cảm biến từ công nghiệp
Cấu tạo của nó gồm 4 thành phần chính đó là:
- Bộ phận cảm ứng (bề mặt tích cực)
- Tạo dao động
- Mạch chỉnh lưu, lọc và lật trạng thái
- Chuyển mạch đầu ra và khuếch đại.
a) Bộ phận cảm ứng
a) Có vỏ chắn từ b) Không có vỏ chắn từ

Hình 3.18: Cấu trúc đầu cảm ứng
144
Với vỏ bọc kim loại được nối mass sẽ ngăn chặn được từ trường mở rộng như
đối với trường hợp không được bọc kim. Như vậy cảm biến sẽ cảm nhận những vật
nằm trong phạm vi hẹp, nâng cao độ chính xác về việc xác định vị trí của vật kim loại.
Hình 3.19 mô tả một cách rõ nét hơn về đường sức từ được tạo ra từ bộ phận cảm ứng.
Thực chất đây là một mạch từ hở. Khi có vật kim loại tiến đến sẽ khép kín mạch từ.
Hình 3.19: Đường sức từ và sự tác động của vật kim loại
b) Cấu trúc của cảm biến từ

TÊm kim lo¹i - Bề mặt tích cực có tác dụng tạo từ trường cảm
ứng.
BÒ mÆt tÝch cùc
- Mạch dao động, kết hợp với cuộn dây tạo tín
hiệu dao động có tần số cao.
M¹ch dao ®éng - Tín hiệu dao động được đưa đến mạch chỉnh
lưu, lọc và lật trạng thái (Trigơ Smith). Tín hiệu
Tri g¬ Smith đầu ra cung cấp cho mạch Khuếch đại và chuyển
mạch ra.
KhuÕch ®¹i vµ - Khối khuếch đại và chuyển mạch ra, có
chuyÓn m¹ch
nhiệm vụ khuếch đại tín hiệu nếu là cảm biến từ
đầu ra tương tự và là chuyển mạch nếu cảm biến
từ đầu ra là nhị phân (Binary Sensor).
Hình 3.20: Cấu trúc của cảm biến từ
145
c) Hoạt động
VËt t¸c ®éng
Kho¶ng çch
TÝn hiÖu dao ®éng
§iÖn ¸p ra
Møc ngõng t¸c ®éng

Møc t¸c ®éng ON
Out OFF OFF
Hình 3.22: Hoạt động cảu cảm biến từ tiệm cận chuyển mạch
Khi cảm biến từ được cấp điện, vật kim loại chưa tác động. Biên độ dao động
của tín hiệu dao động đặt tới đầu vào của mạch chỉnh lưu không thay đổi và điện áp
sau chỉnh lưu vẫn ổn định. Khi vật kim loại tiến lại gần bộ phận cảm ứng, làm cho biên
độ của tín hiệu dao động giảm dần dẫn tới biên độ điện áp sau chỉnh lưu và lọc cũng
giảm. Sự thay đổi này đưa tới đầu vào của Trigơ Smith, khi điện áp giảm tới mức tác
động thì Trigơ lật trạng thái từ mức thấp lên mức cao. Tín hiệu này được đưa tới điều
khiển chuyển mạch đầu ra, đóng mạch hoặc ngắt mạch tuỳ theo trạng thái của chuyển
mạch là thường đóng(NC) hay thường mở (NO).
d) Khoảng cách tác động
VËt liÖu HÖ sè
St37 1,0
Nh«m l¸ 0,95
ThÐp 0,7
§ång thau 0,55
a Nh«m 0,5
§ång ®á 0,45
VÝ dô:
Kho¶ng çch ®èi víi
thÐp:
a = Sn x 0,7
Hình 3.21: Khoảng cách tác động phụ thuộc vật liệu
146
Với mỗi một cảm biến từ khi được chế tạo đều có một khoảng cách cảm nhận
khác nhau nó phụ thuộc vào kích thước của cảm biến. Khoảng cách đó gọi là khoảng
cách danh định Sn. Với mỗi loại vật liệu khác nhau thì khoảng cách tác động thực là
khác nhau như trong ví dụ hình 3.21
Thông số này rất quan trọng đối với việc lắp đặt và hiệu chỉnh cảm biến ứng với
mỗi loại vật liệu khác nhau, chính vì vậy trước khi lắp đặt chúng ta phải lựa chọn các
cảm biến có khoảng cách cảm biến phù hợp.
3.3.3 Sơ đồ kết nối của cảm biến từ.
a) Cảm biến từ tín hiệu ra ở dạng chuyển mạch (Binary Sensor)
Chuyển mạch đầu ra có hai loại cơ bản sử dung Transistor đó là PNP và NPN.
Có hai trạng thái cơ bản NO (Normally Open) và NC (Normally Close). Đó cũng là
các ký hiệu luôn được ghi trên thân của cảm biến.
- NO: trạng thái đầu ra luôn hở mạch khi có tác động thì đóng mạch
- NC: trạng thái đầu ra luôn đóng mạch khi có tác động thì đóng hở mạch
BN +Vcc BN +Vcc
Z
BK Out BK Out
NPN PNP
Z
BU 0V BU 0V
a) NPN b) PNP
Hình 3.23: Cảm biến từ loại chuyển mạch
b) Cảm biến từ tín hiệu ra ở dạng tín hiệu khuếch đại tương tự
- Điện áp ra
- Dòng điện ra
BN +Vcc BN +Vcc
BK Out BK Out
Z Z
BU 0V BU 0V
a) Điện áp ra b) Dòng điện ra

Hình 3.24: Cảm biến từ loại tín hiệu ra tương tự
Ví dụ loại cảm biến IWA 30 U 9001 (Baumer) trên hình vẽ 3.3 với độ rộng bề
mặt là 30mm, đường đặc tuyến làm việc nằm trong khoảng từ 5 đến 10 mm thì tốt
nhất. Sự sai lệch so với đặc tuyến là ±0.2mm. Tỷ lệ đặc tính ra là 1,6V/mm. Điện áp
147
làm việc trong khoảng 13,5V đến 30V. Ngoài khoảng làm việc cảm biến ở trạng thái
coi như hư hỏng vì lúc đó điện áp ra không thay đổi.
Đầu ra được thiết kế với transistor PNP ở trạng thái mạch hở collector (open-
collector). Nhiệt độ làm việc trong khoảng từ 0 đến 60 o C.
Hình 3.25: Cảm biến từ loại IWA 30 U 9001 (Baumer)
Hình 3.26: Cảm biến từ loại IWA 18 U 9001 (Baumer)

3.3.4 Lắp đặt ứng dụng
a) Lắp đặt:
Cảm biến từ được sử dụng chủ yếu để cảm biến các vật thể có tính kim loại.
a) Từ bẹt dạng hình trụ
148
b) Từ lồi dạng hình trụ
c)Từ bẹt dạng vuông
d)Từ lồi dạng vuông

Hình 3.27: Yêu cầu khoảng cách lắp đặt
b) Ứng dụng.
Một số ứng dụng của cảm biến từ như sau:
a) Phát hiện mũi khoan gãy b) Xác định tốc độ quay
149
c) Cảm biến vị trí van mở hay đóng d) Cảm biến khoan
e) Cảm biến sản phẩm kim loại
f) Cảm biến vị trí đường ray g) Cảm biến vị trí tầng nhà
Hình 3.28: Một số ứng dụng của cảm biến từ
3.4 Cảm biến điện dung tiệm cận (Capacitive Proximity Sensor)
3.4.1 Cơ sở của cảm biến điện dung
Phần tử chính của cảm biến là một cuộn tụ điện được cung cấp dòng có tần số
cao, nó sẽ tạo ra một điện trường thay đổi giữa hai bản cực được đặt song song như
hình vẽ. Nhưng do hai bản cực đặt song song như vậy và điện môi lúc này là không
khí, cho nên sự tương tác điện trường giữa hai bản cực là yếu. Một vật kim loại hoặc
phi kim loại nằm trong vùng gần hai bản cực này sẽ tạo thành một lớp điện môi nối
thông điện trường giữa hai bản cực. Điều đó có nghĩa là làm thay đổi khả năng dẫn
điện của tụ điện.
Hình 3.29: Cơ sở của cảm biến điện dung

150
Cảm biến điện dung thường ít được dùng hơn trong việc xác định vị trí và độ
dài so với việc dùng cảm biến từ trường. Cơ sở của cảm biến là một tụ điện mà trong
đó vị trí của các bản cực có thể thay đổi được. Thông thường thì chỉ có một bản cực
thay đổi. Việc thay đổi đó dẫn đến làm thay đổi giá trị điện dung của tụ điện. Nếu hai
bề mặt được ghép song song với nhau thì điện dung của tụ điện có thể được tính theo
biểu thức:
Hình 3.30: Sơ đồ hoạt động và đặc tuyến điện dung của tụ

Nếu hai bản cực của tụ điện được đặt trên cùng một mặt phẳng không đối diện
nhau chúng ta có được một cảm biến điện trường mà điện dung của tụ phụ thuộc vào
chất làm điện môi vì vậy các vật được phát hiện nhờ cảm biến này không chỉ có kim
loại mà ngay cả các vật được cấu tạo từ các vật liệu phi kim loại cũng có tác dụng.
3.4.2 Cấu tạo cơ bản và nguyên lý hoạt động
Cấu tạo của nó gồm 4 thành phần chính đó là:
- Bộ phận cảm ứng (bề mặt tích cực)
- Tạo dao động
- Mạch chỉnh lưu, lọc và lật trạng thái
- Chuyển mạch đầu ra và khuếch đại.
a) Bộ phận cảm ứng
Hình 3.31: Cấu tạo đầu cảm biến điện dung

151
b) Cấu trúc cơ bản
Hình 3.32: Cấu trúc cơ bản của cảm biến điện dung
Về cấu trúc cơ bản của cảm biến điện dung tiệm cận cũng giống như cảm biến
từ. Chỉ khác nhau ở bộ phận cảm ứng mà thôi.
c) Nguyên lý hoạt động
Hình 3.33: Hoạt động của cảm biến điện dung

Khi cảm biến điện dung được cấp điện, đối tượng chưa tác động. Biên độ dao
động của tín hiệu dao động đặt tới đầu vào của mạch chỉnh lưu bằng 0 và được đưa
qua mạch khuếch đại đảo để tạo ra tín hiệu có biên độ lớn. Khi đối tượng tiến lại gần
bộ phận cảm ứng, làm cho biên độ của tín hiệu dao động tăng dần dần dẫn tới biên độ
điện áp sau chỉnh lưu và lọc cũng tăng và qua mạch đảo ta thu được tín hiệu giảm dần.
Sự thay đổi này đưa tới đầu vào của Trigơ Smith, khi điện áp giảm tới mức tác động
thì Trigơ lật trạng thái từ mức thấp lên mức cao. Tín hiệu này được đưa tới điều khiển
152
chuyển mạch đầu ra, đóng mạch hoặc ngắt mạch tuỳ theo trạng thái của chuyển mạch là
thường đóng(NC) hay thường mở (NO). Khi vật lùi dần ra xa thì quá trình lại xảy ra ngược
lại.
3.4.3 Sơ đồ kết nối của cảm biến điện dung.
Chuyển mạch đầu ra có hai loại cơ bản sử dung Transistor đó là PNP và NPN.
Có hai trạng thái cơ bản NO (Normally Open) và NC (Normally Close). Đó cũng là
các ký hiệu luôn được ghi trên thân của cảm biến.
- NO: trạng thái đầu ra luôn hở mạch khi có tác động thì đóng mạch
- NC: trạng thái đầu ra luôn đóng mạch khi có tác động thì đóng hở mạch
BN +Vcc BN +Vcc
Z
BK Out BK Out
NPN PNP
Z
BU 0V BU 0V
Hình 3.34: Cảm biến điện dung loại chuyển mạch

3.4.4 Ứng dụng.
Nhờ các tính chất của cảm biến điện dung mà hiện nay cảm biến loại này được
sử dụng nhiều trong các hệ thống sản xuất tự động các sản phẩm phi kim loại. Ví dụ
như được dùng để xác định mức đầy vơi của sản phẩm trong bể chứa, xác định trong
bình có chứa vật liệu hay không, phân biệt các loại vật liệu khác nhau.
a) Cảm biến vật thể b) Cảm biến vị trí mức chất lỏng
c) Cảm biến mức chất lỏng d) Cảm biến sữa trong hộp
153
e) Cảm biến đầy hộp

Hình 3.35: Một số ứng dụng của cảm biến điện dung
3.5 Cảm biến từ Hall
3.5.1 Nguyên lý của cảm biến từ Hall
a) Cấu trúc:
Cảm biến từ Hall cấu tạo gồm: Một bản hình chữ nhật là InAs (Indium
Asenide) hoặc InSb (Indium antimonide), hai điện cực Hall để lấy điện áp ra nằm giữa
chiều dài của cảm biến Hall, hai cực còn lại được cung cấp một dòng điện có giá trị là
hằng số.
Hình 3.36: Cấu trúc cơ bản của máy phát Hall

b) Nguyên lý hoạt động
Được mô tả trên hình vẽ như sau:
a) b)
Hình 3.37: Điện áp được tạo ra có chiều thay đổi theo từ trường B
Khi cung cấp một dòng điện I có chiều cố định cho cảm biến Hall như hình vẽ
và đặt trong từ trường sẽ có một điện áp được tạo ra. Giá trị của điện áp này phụ thuộc
154
vào dòng điện điều khiển, từ thông của từ trường B cũng như hệ số Hall (RH) và độ
dày của vật liệu cảm biến.
Điện áp Hall được tính theo biểu thức như sau:
R
U = H xIxB
H d
Trong đó:
UH = Điện áp Hall đơn vị tính V
RH = Hệ số Hall đơn vị tính m3 /A.s
I = Dòng điện điều khiển đơn vị tính A
B = Mật độ từ trường đơn vị tính V.s/m2
d = Độ dày của phiến bán dẫn đơn vị tính m
c) Đặc tuyến và thông số của cảm biến Hall
Hình 3.38: Đặc tuyến không tải của máy phát Hall với I = const
Đặc tuyến của cảm biến Hall nằm trong góc phần tư I và III, vì cực tính của
điện áp phụ thuộc vào chiều tác động của từ trường. Điện áp Hall được phát ra tương
đối nhỏ. Với một số lớn các dạng cảm biến, điện áp này nằm trong khoảng từ 50mV
đến 750mV, chỉ vượt qua 1000mV đối với một vài dạng.
Nhà sản xuất sẽ đưa ra các thông số đặc trưng đối với mọi dạng của cảm biến
Hall như sau:
- IM : Dòng điện điều khiển cực đại ( có thể tới 600mA tuỳ theo từng loại)
- IN : Dòng điện điều khiển danh định ( có thể tới 400mA tuỳ theo từng loại)
- BN : Từ trường danh định. BN là giới hạn tuyến tính của đặc tuyến
( BN có thể tới 1T tuỳ theo từng loại)
- UHo : Điện áp không tải
- RiH, R10 : Nội trở giữa hai điện cực của cảm biến Hall khi B = 0T
- Ricon , R20 : Nội trở giữa hai cực dòng điện của cảm biến Hall khi B = 0T
155
3.5.2 Một số ứng dụng của cảm biến từ Hall

+ Đo dòng điện
Hình 3.39: Đo dòng lớn DC

Đây là phương pháp đo cơ bản khi đó dòng điện không được kết nối với thiết bị
đo. Nếu giữ cho dòng điều khiển (Icon ) không đổi thì điện áp Hall (UH) biến thiên theo
cường độ dòng điện chạy trong dây dẫn.
+ Đo tốc độ quay
Hình 3.40: Đo tốc độ quay sử dụng cảm biến Hall

Một miếng nam châm nhỏ được gắn trên trục quay của thiết bị. Mỗi lần có sự
gặp nhau giữa miếng nam châm và cảm biến Hall thì một xung điện áp được tạo ra.
Xung này được đưa đến bộ đếm xung và xử lý kết quả. Tốc độ quay có thể được tính
là số vòng/phút hoặc vòng/giây.
n
Tần số của xung: f = (Hz)
60
Tốc độ quay: n = f .60 (vòng/phút)
+ Cảm biến đo dòng điện ACS750KCA-100 của Allegro
156
Hình 3.41: ACS750KCA-100 của Allegro

3.6 Cảm biến siêu âm (Ultrasonic sensor)
Cảm biến siêu âm nhận biết đối tượng không cần tiếp xúc với các đối tượng
như:
- Vật liệu (Kim loại, nhựa, gỗ, cacbon v.v...)
- Trạng thái (Rắn, lỏng, bụi, vv..)
- Màu sắc
- Độ của kính
Chúng được ứng dụng trong công nghiệp để kiểm tra, ví dụ như:
- Vị trí của các bộ phận máy móc
- Chuyển động của các đối tượng trên hệ thống băng tải: chai thuỷ tinh,
hộp giấy, bánh ngọt, v.v....
- Mức chất lỏng
Hình 3.42: Cảm biến siêu âm xác định được tất cả các đối tượng
157
3.6.1 Nguyên lý hoạt động

Nguyên lý của việc dùng sóng siêu âm để kiểm tra là dựa trên cơ sở đo thời
gian thu được giữa thời điểm phát sóng siêu âm và thu sóng âm đã phát đi.
Phần lớn những cảm biến siêu âm chúng có dạng hình trụ tròn. Chúng cấu gồm
các khối:
Hình 3.43: Cấu tạo của cảm biến siêu âm

1- Bộ phát dao động cao tần
2- Bộ chuyển đổi gốm áp điện (phát và thu)
3- Xử lý tín hiệu
4- Tầng chuyển mạch ra
Được kích thích bởi tín hiệu từ bộ phát cao tần (1), bộ chuyển đổi áp điện (2)
(phát và nhận) phát ra một xung sóng siêu âm (200 đến 500 KHz tuỳ thuộc vào từng
loại), nó di chuyển trong môi trường không khí với vận tốc của sóng âm ( khoảng
340m/s). Khi sóng âm đạp vào vật thể, nó phản xạ trở lại phía bộ chuyển đổi. Một bộ
vi xử lí (3) phân tích tín hiệu thu được và đo thời gian giữa tín hiệu được phát và tín
hiệu phản xạ. Thông qua việc so sánh với thời gian thiết lập, nó xác định và điều khiển
trạng thái đầu ra (4). Khối đầu ra (4) điều khiển 2 chuyển mạch không tiếp
điểm(transistor PNP và NPN) tương ứng tới chuyển mạch thường mở (NO)
Hình 3.44: Sóng siêu âm được phát đi và phản xạ trở lại

3.6.2 Những ưu điểm của cảm biến siêu âm
Không cần sự tiếp xúc vật lý với đối tượng kiểm tra, bởi vậy không bị mài mòn
và kiểm tra những đối tượng dễ vỡ hoặc sơn mới v.v...
Xác định được mọi vật liệu, màu sắc, cũng như khoảng cách. Không có sự điều
chỉnh hoặc điều chỉnh hệ số.
Chịu đựng rất tốt trong môi trường công nghiệp
Được đúc thành một khối liền nên rất vững chắc và bền
158
3.6.3 Các thuật ngữ cơ bản
Hình 3.45: Thông số khoảng cáchcủa cảm biến siêu âm

- Sn: Khoảng cách cảm biến danh định
- Sa: Khoảng cách hoạt động
- Sd: Khoảng cảm biến
- Khoảng cách cảm biến nhỏ nhất: Là điểm giới hạn gần nhất của khoảng cảm
biến.
- Khoảng cách cảm biến lớn nhất: Là điểm giới hạn lớn nhất của khoảng cảm biến.
- Vùng nhấp nháy: Là cùng nằm giữa bề mặt cảm biến và khoảng cách cảm biến
nhỏ nhất, nó không thể chắc chắn xác định được đối tượng. Không nên để đối
tượng tác động di chuyển qua vùng này, nó sẽ làm cho đầu ra của cảm biến
không ổn định.
- Đối tượng kim loại tiêu chuẩn: Theo tiêu chuẩn IEC 60947-5-2 vật tác động hình
vuông với độ dày 1 mm thì thông số đối tượng phụ thuộc khoảng cách cảm biến
như sau:
Khoảng cảm biến (mm) Kích thước đối tượng (mm)
< 300 10 x 10
300 < d < 800 20 x 20
> 800 100 x 100
3.6.4 Lắp đặt và bảo quản
a) Khoảng cách giữa các cảm biến siêu âm
Hình 3.46: Khoảng cách lắp đặt giữa 2 cảm biến

159
b) Dụng cụ tháo lắp
Hình 3.47: Kích thước của cảm biến

c) Dây nối
Phải kết nối xong tất cả các dây của cảm biến rồi mới bật công tắc nguồn cung
cấp
d) Kết nối
+ Kết nối nối tiếp: Không được sử dụng
Hình 3.48: Không mắc nối tiếp
+ Kết nối song song
Hình 3.49: Mắc song song
+ Kết nối tải điện dung
Hình 3.50: Tải điện dung
160
+ Kết nối với tải tiêu thụ
Hình 3.51: Mắc tải tiêu thụ
e) Vị trí và phương pháp cảm biến
Hình 3.52: Phương pháp cảm biến
+ Vật tác động di chuyển trước bề mặt cảm biến mà không có khả năng phản xạ
sóng âm thì phải sử dụng bề mặt phản xạ (2). Trong trường hợp đối tượng dịch chuyển
qua sẽ làm mất tín hiệu phản xạ, đó chính là tín hiệu báo có đối tượng tác động
+ Trường hợp khác đó là vật tác động di chuyển song song với cảm biến (3) (4)
chúng ta phải sử dụng bề mặt phản xạ sóng âm một góc 45 o so với phương chuyển
động của vật để sóng âm tác động lên vật là vuông góc.
161
Bài 4:
CẢM BIẾN QUANG HỌC
Các cảm biến được sử dụng để chuyển thông tin từ các ánh sáng nhìn thấy, tia
hồng ngoại(IR) hoặc tia tử ngoại (UV) thành tín hiệu điện.
4.1 Ánh sáng và phép đo quang.

4.1.1 Tính chất của ánh sáng.
Hai tính chất cơ bản của ánh sáng đó là tính chất sóng và tính chất hạt.
Tính chất sóng:
Dạng sóng của ánh sáng là sóng điện từ phát ra khi có sự chuyển điện tử giữa các
mức năng lượng của nguyên tử của nguồn sáng. Các sóng này truyền đi trong chân
không với vận tốc c = 299782 km/s. Trong vật chất ánh sáng có vận tốc v = c/n (n là
chiết suất của môi trường)
Tần số  và bước sóng  của ánh sáng liên hệ với nhau theo biểu thức:
v
λ=

c
=
Trong chân không:

Hình 4.1: Phổ ánh sáng

Tính chất hạt:
Tính chất hạt của ánh sáng thể hiện qua sự tương tác của nó với vật chất. ánh sáng
bao gồm các hạt photon với năng lượng W phụ thuộc duy nhất vào tần số:
W = h
trong đó h là hằng số Planck (h=6,625.10 -34 J.s)
Trong vật chất, các điện tử e- liên kết trong nguyên tử có xu hướng muốn được
giải phóng khỏi nguyên tử để trở thành điện tử tự do. Để giải phóng điện tử khỏi
nguyên tử cần phải cung cấp cho nó một năng lượng bằng năng lượng liên kết Wl . Khi
một photon được hấp thụ sẽ có một điện tử e- được giả phóng nếu W > Wl
162
Wl
Nghĩa là: 
h
hc
hay: 
Wl
Bước sóng ngưỡng (Bước sóng lớn nhất ) của ánh sáng có thể gây nên hiện
tượng giải phóng điện tử được tính từ biểu thức:
hc
s =
Wl
1,237
hay: s ( m) =
Wl ( eV )
Tóm lại, loại điện tích được giải phóng do chiếu sáng phụ thuộc vào bản chất
vật liệu bị chiếu sáng. Khi chiếu sáng chất điện môi và bán dẫn tinh khiết, các điện tích
được giải phóng là cặp điện tử – lỗ trống (H4.2a). Đối với trường hợp bán dẫn pha tạp,
khi bị chiếu sáng nó sẽ giải phóng điện tử (nếu pha tạp mức dono, H4.2b) hoặc lỗ
trống (nếu pha tạp mức acxepto, H4.2c).
- §iÖn tö - §iÖn tö
h +
h -
h
+ Lç trèng + Lç trèng
a) b) c)
Hình 4.2: Ảnh hưởng của bản chất vật liệu

đến dạng điện tích được giải phóng dưới tác dụng của ánh sáng.
Hiện tượng giải phóng hạt dẫn dưới tác dụng của ánh sáng bằng hiệu ứng quang
điện gây lên sự thay đổi tính chất dẫn điện của vật liệu. Đây là nguyên lý cơ bản của
các cảm biến quang.
4.1.2 Các đơn vị đo quang.

a) Các đơn vị đo năng lượng
- Năng lượng bức xạ (Q): là năng lượng phát xạ, lan truyền hoặc hấp thụ dưới
dạng bức xạ được đo bằng Jun (J).
- Thông lượng ánh sáng (): Là công suất phát xạ, lan truyền hoặc hấp thụ, đo
bằng oát (W).
dQ
=
dt
- Cường độ sáng (I): là luồng năng lượng phát ra theo một hướng cho trước
dưới một đơn vị góc khối, có đơn vị là oát/steradian:
163
d
I=
d
- Độ chói năng lượng (L): là tỷ số gữa cường độ ánh sáng phát ra bởi một phần
tử bề mặt dA theo hướng xác định và diện tích hình chiếu của phần tử này trên mặt
phẳng P vuông góc với hướng đó, dAn=dA.cos ( là góc giữa P và mặt phẳng chứa
dA). Độ chói năng lượng được đo bằng oát/steradian.m2 :
dI
L=
dAn
- Độ rọi năng lượng (E): là tỷ số giữa nguồn năng lượng thu được bởi một phần
tử bề mặt và diện tích của phần tử đó. Độ rọi năng lượng được đo bằng oát/m 2 :
d
E=
dA
b) Bảng các đơnvị đo quang cơ bản.
Đại lượng đo Đơn vị thị giác Đơn vị năng lượng

Luồng(thông lượng) lumen (lm) oat (W)
Cường độ candela (cd) oat/sr (W/Sr)
Độ chói candela/m2 (cd/m2 ) oat/sr.m2 (W/sr.m2)
Độ rọi lumen/m2 hay lux (lx) oat/m2 (W/m2)
Năng lượng lumen.s (lm.s) jun (J)
Hình 4.3: a) Mối quan hệ giữa luồng thông lượng và độ rọi

b) Luật nghịch đảo hình vuông đối với độ rọi
164
4.1.3 Nguồn sáng.

Việc sử dụng một cảm biến quang chỉ có hiệu quả khi nó phù hợp với bức xạ
ánh sáng (phổ, thông lượng, tần số). Nguồn sáng sẽ quyết định mọi đặc tính quan trọng
của bức xạ. Vì vậy ở đây chúng ta chỉ xét các đặc tính quan trọng của những nguồn
sáng thường sử dụng.
a) Đèn sợi đốt wonfram.
Đèn có cấu tạo gồm một sợi đốt bằng wonfram đặt trong một vỏ bóng thuỷ tinh
hoặc thạch anh có chứa chất khí hiếm hoặc halogen để giảm bay hơi sợi đốt. Nhiệt độ
của sợi wonfram giống như nhiệt độ của một vật đen tuyệt đối, có đường cong phổ
phát xạ nằm trong vùng phổ nhìn thấy.
Đặc điểm:
- Thông lượng lớn, dải phổ rộng, có thể giảm bằng các tấm lọc.
- Quán tính nhiệt lớn nên không thể thay đổi bức xạ một cách nhanh chóng, thời
gian sống nhỏ, dễ vỡ.
b) Điốt phát quang.

Năn lượng được sinh ra do tái hợp điện tử - lỗ trống ở gần tiếp giáp P-N của
điốt sẽ làm phát sinh các photon.
Đặc điểm:
- Thời gian hồi đáp nhỏ cỡ ns (do vậy có khả năng điều biến đến tần số cao
bằng dòng nuôi), phổ của ánh sáng hoàn toàn xác định, độ tin cậy cao và độ bền tốt.
- Thông lượng tương đối nhỏ (~ 10 2mW) và nhạy với nhiệt độ là nhược điểm
hạn chế phạm vi sử dụng của đèn.
c) Laser
Laser là nguồn sáng rất đơn sắc độ chói lớn, rất định hướng và đặc biệt là tính
liên kết mạnh (cùng phân cực, cùng pha), bởi vậy khi chồng chéo lên nhau chúng tạo
thành một sóng duy nhất và rất xác định.
Đặc điểm:
- Bước sóng đơn sắc hoàn toàn xác định
- Thông lượng lớn.
- Có khả năng nhận được chùm tia rất mảnh với độ định hướng cao và truyền đi
trên khoảng cách rất lớn.
4.2 Điện trở quang (Photoresistor)

Người ta có thể gọi nó là điện trở phụ thuộc ánh sáng(LDR: Light Dependent
Resistor). Đặc trưng của các điện trở quang là sự phụ thuộc của giá trị điện trở vào
thông lượng bức xạ và phổ của bức xạ đó. Điện trở quang là một trong những cảm
biến quang có độ nhạy cao. Cơ sở vật lý của điện trở quang là hiện tượng quang dẫn
do kết quả của hiệu ứng quang điện nội: hiện tượng giải phóng hạt tải điện trong vật
liệu dưới tác dụng của ánh làm tăng độ dẫn của vật liệu.
165
4.2.1 Vật liệu để chế tạo cảm biến.

Cảm biến quang thường được chế tạo bằng các bán dẫn đa tinh thể đồng nhất
hoặc đơn tinh thể, bán dẫn riênh hoặc bán dẫn pha tạp, ví dụ:
- Đa tinh thể: CdS, CdSe, CdTe
PbS, PbSe, PbTe
- Đơn tinh thể: Ge, Si tinh khiết hoặc pha tạp Au, Cu, Sb, In
SbIn, AsIn, PIn, CdHgTe
Vùng phổ làm việc của các vật liệu quang dẫn.
CdS
CdSe
CdTe
PbS
PbSe
PbTe
Ge
Si
GeCu
SbIn
AsIn
CdHgTe
(m)
0,3 0,4 0,5 1 2 3 4 5 10 20 30
Hình 4.4: Vùng phổ làm việc của một số vật liệu quang dẫn
Hình 4.5: Độ nhạy của quang trở loại CdS(Cadi Sunphua)

166
4.2. 2 Các đặc trưng cơ bản của điện trở quang.

a) Giá trị điện trở
Giá trị điện trở tối RC0 phụ thuộc vào dạng hình học, kích thước, nhiệt độ và
bản chất lý hoá của vật liệu quang dẫn. Các chất PbS, CdS, CdSe, có điện trở tối rất
lớn (từ 10 4  đến 10 9  ở 25OC), trong khi đó SbIn, SbAs, CdHgTe lại có điện trở tối
tương đối nhỏ (từ 10  đến 10 3  ở 25 OC). Điện trở RC của cảm biến khi bị chiếu sáng
giảm rất nhanh khi độ rọi tăng lên.
Các tính chất của một điện trở quang có thể biểu diễn bằng một mạch tương
đương, trong đó điện trở tối R0 mắc song song với điện trở Rill xác định bởi hiệu ứng
quang điện do chiếu sáng có dạng:
Rill = a-
Trong đó a là hệ số phụ thuộc vào vật liệu, nhiệt độ và phổ bức xạ,  có giá trị
từ 0,5 đến 1.
Vậy khi chiếu sáng điện trở quang có giá trị là:
R 0 R ill R 0 .aΦ − γ
RC = =
R 0 + R ill R 0 + aΦ − γ
Thông thường Rill << R0 cho nên RC = a-
Hình 4.6: Sự phụ thuộc giá trị của điện trở vào độ rọi
b) Độ nhạy của điện trở quang
Biểu thức độ nhạy:
ΔI U
= γ Φ γ−1
ΔΦ a
167
Trong đó:
- U là điện áp đặt vào điện trở quang.
- I là dòng điện chạy qua điện trở quang.
-  là thông lượng ánh sáng.
- a là hệ số phụ thuộc vào vật liệu, nhiệt độ và phổ bức xạ.
-  có giá trị nằm trong khoảng 0,5 – 1.
Từ biểu thức trên ta thấy:
- Điện trở quang là một cảm biến không tuyến tính, độ nhạy của nó giảm khi
bức xạ tăng (trừ trường hợp đặc biệt khi  =1).
- Độ nhạy tỷ lệ thuận với điện áp đặt vào. Điều này chỉ đúng khi điện áp đặt vào
đủ nhỏ (Vì nhiệt độ sẽ làm giảm độ nhạy).
Trong trường hợp sử dụng các bức xạ đơn sắc, đối với thông lượng bức xạ cho
trước thì dòng điện I phụ thuộc vào .
4.2.3 Ứng dụng của quang trở.
Vì đặc điểm của quang trở là khi có ánh sáng chiếu vào sẽ làm cho điện trở của
nó giảm đi và phụ thuộc vào thông lượng của ánh sáng. Nên người ta có thể ứng dụng
nó để điều khiển các mạch đóng, ngắt điện trong các hệ thống chiếu sáng hoặc có thể
ứng dụng tạo xung điện khi có xung ánh sáng chiếu vào nó.
Để điều khiển đóng ngắt mạch điện người ta có thể nối trực tiếp nó với cuộn hút
của Zơler và nó đóng vai trò như một công tắc. Hoặc làm điện trở phân cực cho 1
Tranzitor làm việc ở chế độ khoá như trên hình vẽ 4.7.
+L +L
D K
K K K
D VR
H T H
LDR
LDR
N N
a) Mắc trực tiếp b) Phân cực cho Transistor

Hình 4.7: Mạch điều khiển đèn dùng điện trở quang.
- Người ta cũng có thể dùng để điều khiển đèn chớp theo ánh sáng được ứng
dụng trong kỹ thuật chụp ảnh.
- Thu xung tín hiệu quang biến đổi xung tín hiệu quang thanh xung điện biến
thiên trên điện trở quang theo sự ngắt quãng của xung ánh sáng. Người ta ứng dụng
nguyên lý này để thiết kế mạch đo tốc độ quay của động cơ hoặc để đếm sản phẩm
trên dây chuyền.
Cấu trúc bề mặt và hình dạng bên ngoài của quang trở
168
Hình 4.8: Điện trở quang LDR 03

* Khi tính toán thiết kế mạch điều khiển dùng quang trở ta cần quan tâm đến
các thông số cơ bản của điện trở quang được sử dụng và đặc tuyến quang trở của nó.
Có như vậy mạch điện được lắp ráp mới hoạt động đúng theo yêu cầu.
Các thông số đặc trưng của điện trở quang bao gồm.
- Điện áp đặt vào cực đại US
- Công suất cực đại P max
- Điện trở tối R0
- Điện trở sáng Rill
Ví dụ loại LDR 03 có các thông số đặc trưng như sau:
4.3 Điốt cảm quang và Transistor quang (Photodiode & Phototransistor)

4.3.1 Cấu tạo và đặc tuyến quang điện của Photodiode
a) Cấu tạo
Được chế tạo dựa trên cơ sở của 2 bán dẫn P và N giống như các điốt thông
thường khác. Nhưng chỉ khác là người ta để ra một cửa sổ sao cho ánh sáng chiếu
đồng thời vào 2 bán dẫn đó. Điốt quang có thể làm việc ở hai chế độ: Chế độ nguồn
ngoài hoặc chế độ suất điện động.
Hình 4.9: Cấu tạo cơ bản của Photodiode
169
Hình 4.10: Cấu trúc của Photodiode
Hình 4.11: Đặc tuyến quang điện của Photodiode BPW 32.
Nhìn vào đặc tuyến ta thấy dòng qua điôt cũng tăng lên theo độ rọi của ánh sáng.
170
4.3.2 Nguyên lý hoạt động.

ở chế độ nguồn ngoài(quang dẫn) Photodiot được mắc như sau:
ID
R
a)
b)
Hình 4.12: a) Sơ đồ phân cực cho Photodiot.
b) Đặc tuyến V-A của Photodiot.
Khi  = 0 (chưa có chiếu sáng) Mặt ghép PN bị phân cực ngược chỉ có dòng
I0 do các động tử không cơ bản có sẵn trong bán dẫn tạo ra.
Khi  = 1 làm xuất hiện các động tử không cơ bản trong bán dẫn và làm cho
dòng ngược chạy qua điốt tương đối lớn. và ta có đường đặc tuyến ứng với Φ1.
Khi  =  2 ,  3 ,  4 ,  5 thì khi đó các đặc tuyến càng tăng.
E −U D
Khi có điện trở R ta có: UD = E – ID.R ID =
R
Giả sử điểm công tác ban đầu của Photodiot là điểm M và nếu như tín hiệu ánh
sáng chiếu vào biến đổi theo quy luật hình sin vậy thì điểm M sẽ dịch chuyển trên
đường tải và kéo theo ID cũng thay đổi theo quy luật của ánh sáng chiếu vào.
Vậy là từ tín hiệu ánh sáng ta đã biến đổi được thành tín hiệu điện.
Có hai loại Photodiot đó là: PIN và APD (điốt thác lũ)
4.3.3 Mạch ứng dụng của Photodiot.
*Chế độ có nguồn ngoài (Chế độ quang dẫn)
Ta có các sơ đồ mắc như sau:
Hình 4.13: Mạch biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện
171
Hình 4.14: Mạch khoá với Tranzitor trường
Hình 4.15: Đo độ chiếu sáng với OA
4.3.4 Transistor quang (Phototransistor)

Dòng điện và điện áp của mạch phân áp bao gồm điện trở nối tiếp với
Photodiode chúng thì quá nhỏ đối với nhiều ứng dụng. Nhiều Phototransistor đã phát
triển và khắc phục được những nhược điểm đó. Nó có thể tạo ra dòng điện và điện áp
lớn hơn rất nhiều.
a) Cấu tạo và nguyên lý hoạt động.
Hình 4.16: Cấu tạo của Phototransistor

Phototranzitor có thể được tạo ra từ sự kết hợp của Photodiode và một
Transistor lưỡng cực thông thường như hình vẽ sau:
172
Hình 4.17: Ký hiệu của Phototransistor

Khi không có ánh sáng chiếu vào, chỉ có một dòng điện tối (IRo ) rất nhỏ chạy
qua Photodiode. Đó cũng chính là dòng cực Base của Phototransistor. Lúc này ta sẽ
thu được dòng tối Collector (ICo ) như sau:
ICo =  x (ICBo + IRo)
Trong đó ICBo là dòng điện ngược giữa cực C và cực B.  là hệ số khuếch đại dòng.
Khi Photodiode được chiếu sáng, một dòng quang điện Iphoto chảy qua, dòng
điện này được khuếch đại với hệ số khuếch đại  như trường hợp dòng tối. Lúc này ta
có dòng IC.
IC = ICo +  x Iphoto
Nhưng dòng ICo rất nhỏ so với  x Iphoto , nên ta có thể bỏ qua, chính vì vậy
trong thực tế chúng ta có thể tính như sau:
IC =  x Iphoto
Thuận lợi chủ yếu của Phototransistor hơn Photodiode đó là nó có độ nhạy cao
hơn và sự phụ thuộc của dòng IC vào độ rọi sáng, tất cả là do hệ số . Kết quả là đặc
tuyến của Transistor có dạng cong, do không tuyến tính giữa dòng IC và độ rọi sáng.
Họ đặc tuyến ra của Phototransistor tương tự như một Transistor lưỡng cực
thông thường, chỉ khác là ở đây độ rọi sáng EV được thay thế cho dòng IB hoặc điện áp
UBE.
Hình 4.18: Họ đặc tuyến ra của một Phototransistor

173
Thông thường người ta sử dụng tải tuyến tính của điện trở cực C và thu được họ
đặc tuyến ra như Hình 4.18.
Một ví dụ về búp hướng của
Phototransistor BPX 38 và BPX 81
(Siemens) được mô tả trong hình bên.
Loại BPX81 có độ mở búp hướng nhỏ
hơn loại BPX 38.
Hình 4.19: Búp hướng của Phototransistor

b) Độ nhạy và đặc tuyến quang điện.
* Độ nhạy của Phototransistor
Giống như Photodiode, độ nhạy của Phototransistor phụ thuộc vào bước sóng
của ánh sáng tới và búp hướng của bức xạ. Độ nhạy phổ tối đa là ánh sáng có bước
sóng từ 800nm đến 870nm và nó được thể trên Hình 4.20.
Hình 4.20: Quan hệ giữa độ nhạy và phổ ánh sáng

Đối với Phototransistor, nó thường được kết hợp với thấu kính lọc trong vỏ, và
bằng cách đó có thể chống nhiễu tốt hơn.
174
* Đặc tuyến quang điện của một Phototransistor
Hình 4.21: Đặc tuyến quang điện của Phototranzitor BPX 81

Trên hình 4.21 thể hiện sự phụ phuộc của dòng IC vào độ rọi EV và bức xạ Ee,
bởi vì ưu điểm cảu nó là độ nhạy phổ, BPX81 nó được sử dụng cả đối với ánh sáng
nhìn thấy và ánh sáng hồng ngoại.
c) Sơ đồ sử dụng Phototransistor.
Khuếch đại tín hiệu điện điều
khiển bằng ánh sáng của
Phototranzitor. Đây là mạch điện rất
cần thiết bởi vì dòng tín hiệu quang
điện chạy trong Phototransitor là rất
nhỏ nên phải thông qua mạch khuếch
đại để nâng cao chất lượng dòng quang
điện. Người ta cũng có thể dùng mạch
khuếch đại thuật toán để khuếch đại tín
hiệu này.
Hình 4.22: Mạch khuếch đại
175
Hình 4.23: Mạch khuếch đại tín hiệu điều khiển chuyển mạch bằng ánh sáng.
Hình 4.24: Mạch điều khiển chuyển mạch đầu ra bằng ánh sáng
dùng IC chuyển mạch TCA105
4.4 Cảm biến quang sử dụng trong công nghi ệp (Cấu trúc, lắp đặt và ứng dụng)
4.4.1 Cấu tạo cơ bản
a) Cảm biến quang tích hợp
Ph¸t
quang Trig¬ ChuyÓn
Thu smith m¹ch ra
quang
Hình 4.25: Cảm biến quang sử dụng tính chất phản xạ

Nguyên lý làm việc:
Ánh sáng được phát ra từ Diode phát quang đến đập vào bề mặt của vật chắn và
phản xạ trở lại và chiếu vào Photodiode hoặc Phototransistor. Nguyên lý đó được mô
tả như ở các hình vẽ sau:
a) Bộ phát và thu quang đặt cùng phương cùng chiều

176
b) Bộ phát và thu quang đặt vuông góc với nhau

Hình 4.26: Tính chất phản xạ của ánh sáng
b) Cảm biến quang với bộ phát thu tách rời
Ph¸t Thu Trig¬ ChuyÓn

quang quang smith m¹ch ra
Hình 4.27: Cảm biến quang sử dụng tính chất sóng của ánh sáng
Nguyên lý : ánh sáng từ bộ phát quang với tần số và cường độ phù hợp với bộ
thu quang được bộ thu quang chuyển thành tín hiệu điện.
Hình 4.28: Bộ phát thu đặt đối xứng

4.4.2 Các dạng cảm biến quang
a) Cảm biến quang hồng ngoại
* Mô tả:
Là những loại cảm biến sử dụng ánh sáng hồng ngoại là ánh sáng không nhìn
thấy. Nguồn sáng được tạo ra từ các LED phát ra ánh sáng hồng ngoại và nó được gọi
là bộ phát. Bộ thu có thể là Photodiode hoặc Phototransistor.
Hình 4.29: Nguyên lý cảm biến hồng ngoại phản xạ

177
* Các dạng hoạt động của cảm biến quang

Cảm biến quang có 2 dạng hoạt động chính đó là:
- Tối hoạt động (Dark Operate)
- Sáng hoạt động (Light Operate)
Tối hoạt động là một dạng hoạt động của cảm biến, mà tải được cấp điện khi
ánh sáng từ bộ phát không đến được bộ thu của cảm biến.
Hình 4.30: Nguyên lý “tối hoạt động”

Sáng hoạt động là một dạng hoạt động của cảm biến, mà tải được cấp điện khi
ánh sáng từ bộ phát được truyền tới bộ thu của cảm biến.
Hình 4.31: Nguyên lý “sáng hoạt động”
c) Cảm biến quang ứng dụng cáp quang và công nghệ Laser
* Sợi quang (Fiber Optics)
Sợi quang được dùng để truyền dẫn ánh sáng. Những cảm biến sợi quang
thường có bộ phát, bộ thu, và cáp uốn cong với rất nhiều sợi quang truyền ánh sáng.
Cảm biến có thể sử dụng cáp đôi tách riêng cho bộ phát và bộ thu, hoặc nó cũng có thể
sử dụng cáp đơn.
Khi sử dụng cáp đơn, thì bộ phát và bộ thu sử dụng ở dạng biến đổi đến sự phân
phối bộ phát và sợi truyền bên trong cáp quang. Có các dạng cơ bản như sau.
178
Hình 4.32: Cấu trúc cáp quang

Sợi thuỷ tinh được sử dụng khi nguồn phát là ánh sáng hồng ngoại. Sợi nhựa
được sử dụng khi nguồn phát là ánh sáng nhìn thấy.
* Các dạng cảm biến dùng cáp quang.
Hình 4.33: Cảm biến sợi quang đối xứng
Hình 4.34: Cảm biến sợi quang phản xạ gương
Hình 4.35: Cảm biến sợi quang phản xạ

* Laser (LASER: Light Amplification by Stimulated Emision of Radiation )
Ánh sáng Laser cũng thường được sử dụng làm nguồn sáng của cảm biến.
Thông thường người ta sử dụng ánh sáng Laser thuộc nhóm 2, nhóm này có công suất
điểm phát cực đại ở 1mV. Đối với ánh sáng Lasers khi sử dụng cần phải chú ý đến
cảnh báo sự nguy hiểm của nó.
Những cảm biến Laser thì được dùng dưới dạng chùm tia, quét tán xạ, và quét
tán xạ với cơ sở loại bỏ những biến thái. Ánh sáng Laser có cường độ cao hơn ánh
sáng nhìn thấy, ánh sáng này có thể thiết lập và hiệu chỉnh một cách dễ dàng. Công
nghệ Laser được sử dụng để kiểm tra các đối tượng rất nhỏ tại một khoảng cách lớn.
Ví dụ đối với loại Cảm biến L18 của Siemens có thể kiểm tra một đối tượng có
kích thước 0,03 mm tại một khoảng cách là 80 cm.
179
Cảm biến sử dụng công nghệ Laser được ứng dụng rộng rãi trong các lĩnh vực
đo lường và điều khiển tự động. Nó được dùng để xác định vị trí, kiểm tra tốc độ quay,
hoặc kiểm tra độ dày tới 0,1mm, ngoài ra còn nhiều ứng dụng khác nữa.
4.4.3 Lắp đặt ứng dụng cảm biến quang công ngiệp
a) Sơ đồ kết nối của cảm biến quang.
Mạch điện đầu ra của cảm biến quang cũng có 2 loại cơ bản đó là: NPN và PNP.
Các sơ đồ kết nối như sau:
Hình 4.36: Bộ phát và thu nằm trong một vỏ
Hình 4.37: Bộ phát và thu tách rời nhau

Nguồn cung cấp cho cảm biến từ 10 đến 30VDC. Dòng điện từ 100mA đến
200mA. Khoảng cách tác động phụ thuộc vào vật liệu cần cảm biến và phương pháp
điều chế ánh sáng.
b) Ứng dụng cảm biến quang phản xạ
* Cảm biến quang sử dụng kỹ thuật tán xạ ngược.
Đó là những cảm biến quang có bộ phát và bộ thu đặt trong cùng một vỏ và ánh
sáng chiếu đến vật cần kiểm tra có khả năng làm cho ánh sáng tán xạ trở lại. Một số ví
dụ về ứng dụng và lắp đặt được mô tả trong các hình vẽ sau:
a) Kiểm tra vị trí đánh dấu chân 1 IC b) Kiểm tra nắp lọ
180
c) Kiểm tra Ren d) Phát hiện cuối cuộn

Hình 4.38: Một số ứng dụng
* Cảm biến quang sử dụng kỹ thuật phản xạ (dùng vật phản xạ).
Đó cũng là những cảm biến quang có bộ phát và bộ thu đặt trong cùng một vỏ
nhưng ánh sáng chiếu đến vật cần kiểm tra không có khả năng phản xạ trở lại ánh sáng
chỉ phản xạ trở lại khi gặp vật phản xạ đặt ở phía đối diện.
Một số ví dụ về ứng dụng và lắp đặt được mô tả trong các hình vẽ sau:
a) Phát hiện xe tại cổng bãi đỗ xe b) Đếm chai
c) Đếm hộp d) Đếm hộp Các tông
e) Đếm vật ở mọi vị trí trên băng f) Phát hiện người qua lại
Hình 4.39: Một số ứng dụng
181
c) Ứng dụng cảm biến quang đối xứng

Bộ cảm biến này có bộ phát và bộ thu tách rời nhau có khả năng làm việc với
khoảng cách lớn.
Một số ví dụ về ứng dụng và lắp đặt được mô tả trong các hình vẽ sau:
a) Đếm chân IC b) Kiểm tra chân ốc
c) Kiểm tra độ cao d) Kiểm tra hộp có hay không có

Hình 4.40: ứng dụng cảm biến quang đối xứng
4.5 Encoder
4.5.1 Nguyên lý cơ bản
Encoder là thiết bị mã hoá các đại lượng dịch chuyển có thể là chuyển động
thẳng hoặc chuyển động quay. Các đại lượng này được biến đổi thành các đại lượng
điện tương ứng, có thể là điện áp biến thiên liên tục hoặc xung điện áp. Trong khuôn
khổ tài liệu chúng ta chỉ nghiên cứu một loại Encoder mã hoá vòng quay thành các
xung điện áp. Cấu trúc cơ bản của một bộ Encoder được thể hiện trong hình 4.41.
§Üa m· hãa +5V +5V
§Üa m· hãa
T©m trôc c¬ khÝ

2,2 K
180
§-êng t©m
¸nh s¸ng
out
Phototranzito
LED
b)
a)
Hình 4.41: Bộ cảm biến tốc độ với đĩa mã hóa

a) Sơ đồ khối biến đổi tốc độ thành xung ánh sáng
b) Sơ đồ nguyên lý bộ biến đổi xung ánh sáng thành xung điện
182
Tuỳ theo mức độ yêu cầu về chính xác và chất lượng của tín hiện mã hoá được
tạo ra mà người ta thiết kế và chế tạo ra các loại Encoder khác nhau.
4.5.2 Cấu trúc của một Encoder
Hình 4.42: Cấu trúc của Encoder

Mã tín hiệu đầu ra của Encoder phụ thuộc vào cấu tạo của đĩa mã hoá, đĩa chỉ
có một loại khe sáng và đĩa có nhiều loại khe sáng. Đĩa có một loại khe sáng chỉ cho ta
nhiều nhất là 2 tín hiệu ra lệch pha nhau 90 o . Với loại có nhiều khe sáng có độ rộng
khe khác nhau sẽ cho ta nhiều chuỗi xung ra có độ rộng khác nhau.
* Loại có một loại khe sáng (có nhiều khe rộng bằng nhau)
Hình 4.43: Đĩa mã hoá có một loại khe sáng và dạng xung được tạo
* Loại có nhiều dạng khe sáng
Hình 4.44: Đĩa mã hoá có nhiều dạng khe sáng

183
Như trong hình 4.44 ta thấy đĩa mã hoá này có 10 loại khe sáng với kích thước
độ rộng khác nhau. Cúng được bố trí sao cho tạo thành một loại mã thông dụng, trong
trường hợp này ta thu được một mã Gray ví dụ được thể hiện trên hình vẽ 4.44 với 5
đầu ra tương ứng với 5 bít.
4.5.3 Lắp đặt
Hình 4.45: Các dạng liên kết truyền động

1) Biến đổi chuyển động thẳng thành chuyển động quay
2) Biến đổi chuyển động quay thành chuyển động thẳng
3) Đo độ dài hoặc tốc độ của đối tượng
4) Gắn trực tiếp với trục của động cơ
5) Nối trực tiếp trục để điều khiển xoay bàn
6) Gắn trực tiếp lên thang đo của máy
* Lưu ý khi sử dụng Encoder
Hình 4.46: Các chú ý khi sử dụng Encoder
184
4.5.4 Ứng dụng

Tính tốc độ quay của trục Encoder
Tần số xung:
Số vòng trên phút
Tần số xung ra = x Số khe hở trên đĩa
60
Tốc độ quay:
Tần số xung ra
Số vòng trên phút = x 60
Số khe hở trên đĩa
4.5 Cảm biến hoả điện hồng ngoại (Pyroelectric Infrared Sensors)
4.5.1 Cơ sở nguyên lý
4.5.2 Cấu trúc cơ bản
4.5.3 Ứng dụng
4.6 Vision sensor
4.6.1 Nguyên lý cơ bản
4.6.2 Ứng dụng
185
Bài 5:
GhÐp nèi c¶m biÕn víi m¹ch ®iÖn xö lý
5.1 Môc ®Ých
Mét tÝn hiÖu ph¶n håi chøa ®ùng th«ng tin vÒ tr¹ng th¸i t×nh tr¹ng cña hÖ thèng
th× lu«n cÇn thiÕt cho mét hÖ thèng ®iÒu khiÓn vµ ®iÒu chØnh tù ®éng. ChØ cã thiÕt bÞ
c¶m biÕn míi lµm ®-îc ®iÒu ®ã. Do ®ã thiÕt bÞ xö lý ®iÒu khiÓn hÖ thèng cÇn ph¶i cã
sù liªn kÕt víi çc c¶m biÕn. Nh-ng chóng ®-îc liªn kÕt víi nhau nh- thÕ nµo th× l¹i
phô thuéc vµo tÝnh chÊt yªu cÇu kü thuËt cña thiÕt bÞ xö lý, vµ kh¶ n¨ng ®¸p øng nh÷ng
yªu cÇu ®ã cña çc c¶m biÕn. V× vËy chóng ta sÏ lÇn l-ît xem xÐt tõng vÊn ®Ò cô thÓ
khi tiÕn hµnh kÕt nèi.
5.2 CÊu tróc hÖ thèng ®iÒu khiÓn tù ®éng c¬ b¶n
tÝn hiÖu rêi r¹c
HiÓn thÞ
M«I trõ¬ng cÇn
®iÒu khiÓn
Bé xö lý
trung t©m
C¶m
biÕn
ChuyÓn
tÝn hiÖu liªn tôc ®æi A/D Bµn
phÝm
giao
tiÕp
T¸c ®éng
C¬ cÊu
tÝn hiÖu ®iÒu khiÓn
chÊp hµnh
H×nh 5.1: CÊu tróc hÖ thèng ®iÒu khiÓn tù ®éng

5.3 Çc çch m¾c c¶m biÕn
5.3.1 M¾c nèi tiÕp
S1 S2 S3
PNP PNP PNP

BN
BU
BN
BU
BN
BU
BK
BK
BK
Vcc Out
GND GND
H×nh 5.2: S¬ ®å m¾c nèi tiÕp 3 c¶m biÕn lo¹i PNP
Nguyªn lý lµm viÖc ®-îc m« t¶ trong b¶ng tr¹ng th¸i nh- sau:
Quy -íc çc c¶m biÕn khi cã ®èi t-îng t¸c ®éng cã gi¸ trÞ 1, kh«ng cã ®èi t--
îng t¸c ®éng nhËn gi¸ trÞ 0 vµ ®Çu ra còng cã 2 tr¹ng th¸i t-¬ng øng.
186
B¶ng 5.1
TT S1 S2 S3 Q
0 0 0 0 0
1 0 0 1 0
2 0 1 0 0
3 0 1 1 0
4 1 0 0 0
5 1 0 1 0
6 1 1 0 0
7 1 1 1 1
Víi b¶ng tr¹ng th¸i trªn ta nhËn thÊy r»ng ®Çu ra Q chØ cã tÝn hiÖu khi tÊt çc
çc c¶m biÕn ®Çu cã ®èi t-îng t¸c ®éng.
5.3.2 M¾c song song

S1 S2 S3
PNP PNP PNP

BN
BU
BN
BU
BN
BU
BK
BK
Vcc BK
D1 D2 D3 Out
Q
GND GND
H×nh 5.3: S¬ ®å m¾c song song 3 c¶m biÕn lo¹i PNP
Nguyªn lý lµm viÖc ®-îc m« t¶ trong b¶ng tr¹ng th¸i nh- sau:
Quy -íc çc c¶m biÕn khi cã ®èi t-îng t¸c ®éng cã gi¸ trÞ 1, kh«ng cã ®èi t-
wîng t¸c ®éng nhËn gi¸ trÞ 0 vµ ®Çu ra còng cã 2 tr¹ng th¸i t-¬ng øng.
B¶ng 5.2
TT S1 S2 S3 Q
0 0 0 0 0
1 0 0 1 1
2 0 1 0 1
3 0 1 1 1
4 1 0 0 1
5 1 0 1 1
6 1 1 0 1
7 1 1 1 1
Víi b¶ng tr¹ng th¸i trªn ta nhËn thÊy r»ng chØ cÇn khi mét c¶m biÕn cã ®èi t --
îng t¸c ®éng th× ®Çu ra Q cã tÝn hiÖu. Trong s¬ ®å trªn çc ®iot ® -îc m¾c ®Ó b¶o vÖ
tr¸nh sù ¶nh h-ëng lÉn nhau gi÷a çc ®Çu ra cña c¶m biÕn.
187
5.4 Çc ph¬ng ph¸p ghÐp nèi.

C¨n cø vµo çc yªu cÇu kü thuËt:
- Nguån ®iÖn ¸p
- Møc ®iÖn ¸p tÝn hiÖu
- D¹ng tÝn hiÖu
5.4.1 GhÐp trùc tiÕp, gi¸n tiÕp.
a) GhÐp trùc tiÕp.
Khi mµ nguån ®iÖn ¸p cña thiÕt bÞ c¶m biÕn vµ thiÕt bÞ xö lý lµ t-¬ng ®-¬ng,
kh«ng cÇn çch ly vÒ m¸t, tÝn hiÖu ®iÒu khiÓn phï hîp.
VÝ dô ®èi víi thiÕt bÞ xö lµ bé ®iÒu khiÓn kh¶ lËp tr×nh PLC th× nguån ®iÖn ¸p sö
dông lµ 24V. ThiÕt bÞ ®iÒu khiÓn LOGO, EASY ®iÖn ¸p nguån lµ 12VDC. Cßn çc c¶m
biÕn cña chóng ta th-êng sö dông nguån ®iÖn ¸p n»m trong kho¶ng tõ 10 ®Õn 30VDC.
Do ®ã cã nh÷ng ®iÓm t-¬ng thÝch cho viÖc ghÐp nèi trùc tiÕp nh- sau:
- VÒ mÆt ®iÖn ¸p nguån lµ phï hîp.
- Møc ®iÖn ¸p tÝn hiÖu ra cña c¶m biÕn xÊp xØ 24V víi nguån sö dông lµ 24V, lµ
gÇn 12V víi nguån ®iÖn ¸p sö dông lµ 12V.
- D¹ng tÝn hiÖu ra lµ tÝn hiÖu d¹ng chuyÓn m¹ch rêi r¹c nªn còng phï hîp.
- Mét d¹ng tÝn hiÖu ra kh¸c cña c¶m biÕn lµ d¹ng biÕn thiªn liªn tôc ® -îc sö
dông cho çc ®Çu vµo t¬ng tù cña PLC, LOGO, EASY.
b) GhÐp gi¸n tiÕp
Khi cÇn cã sù çch ly vÒ m¸t, vµ møc tÝn hiÖu ®iÒu khiÓn kh«ng t -¬ng thÝch cã
thÓ qu¸ cao so víi møc quy ®Þnh, d¹ng tÝn hiÖu kh«ng phï hîp.
VÝ dô víi çc thiÕt bÞ xö lý sö dông c«ng nghÖ sè vµ kü thu Ët vi ®iÒu khiÓn. Møc
nguån ®iÖn ¸p sö dông ®èi víi çc thiÕt bÞ nµy th -êng rÊt thÊp kho¶ng 5V. Do ®ã çc
tÝn hiÖu ®iÒu khiÓn nã nhËn ®îc víi møc ®iÖn ¸p tèi ®a còng chØ kho¶ng 5V mµ th«i.
Tuú theo çc thiÕt bÞ ®iÒu khiÓn lµm viÖc víi sên xung tÝn hiÖu hay víi møc tÝn
hiÖu mµ chóng ta sö dông çc ph¬ng ph¸p ghÐp kh¸c nhau: GhÐp quang ®iÖn, ghÐp
biÕn ¸p (biÕn ¸p xung), çc bé ph©n ¸p, ghÐp A/D…
5.5.2 GhÐp th«ng qua chuyÓn ®æi A/D (Analog to Digital)
a) S¬ ®å cña bé chuyÓn ®æi A/D 8bit (ADC0804)
/CS 1 20 Vcc
/RD 2 19 CLK
/WR 3 18 D0
CLK 4 17 D1
/INTR 5 16 D2
ADC0804
+ IN 6 15 D3
- IN 7 14 D4
GND 8 13 D5
Vref/2 9 12 D6
GND 10 11 D7
H×nh 5.4: CÊu tróc ch©n cña ADC0804

188
b) Nguyªn lý lµm viÖc.

Chøc n¨ng çc ch©n:
- Ch©n 1: /CS (Chip Select) Chän chÝp, dïng ®Ó ®iÒu khiÓn lùa chän khi cã nhiÒu
IC cïng lµm viÖc 1 lóc.
- Ch©n 2: /RD (Read) ®iÒu khiÓn ®äc d÷ liÖu ë ®Çu vµo (ch©n 6 vµ 7)
- Ch©n 3: /WR (Write) ®iÒu khiÓn ghi d÷ liÖu vµo m¹ch ngoµi(XuÊt d÷ liÖu).
- Ch©n 4 vµ 19: T¹o xung nhÞp Clock. 640 KHz
- Ch©n 5: /INTR (Interup)Ch©n ®a tÝn hiÖu ng¾t vÒ m¹ch xö lý.
- Ch©n 6 vµ 7 lµ ®Çu vµo cña ®iÖn ¸p tÝn hiÖu Analog cÇn chuyÓn ®æi.
- Ch©n 8 vµ 10: GND nèi ®Êt (0V)
- Ch©n 9: Vref/2 t¹o ®iÖn ¸p so s¸nh.
- Ch©n 11 – 18: 8 bit d÷ liÖu ra kiÓu song song tõ D 0 ®Õn D7.
- Ch©n 20: Vcc Cung cÊp nguån ®iÖn ¸p 5V
Nguyªn lý: (§o l-êng vµ ®iÒu khiÓn b»ng m¸y tÝnh – Ng« Diªn TËp)
5.6 GhÐp nèi víi vi ®iÒu khiÓn.

a) S¬ ®å ch©n cña bé vi ®iÒu khiÓn AT89C51
P1.0 1 40 Vcc
P1.1 2 39 P0.0 (AD0)
P1.2 3 38 P0.1 (AD1)
P1.3 4 37 P0.2 (AD2)
P1.4 5 36 P0.3 (AD3)
P1.5 6 35 P0.4 (AD4)
AT89C51
P1.6 7 34 P0.5 (AD5)

P1.7 8 33 P0.6 (AD6)
RST 9 32 P0.7 (AD7)
(RxD) P3.0 10 31 /EA / Vpp
(TxD) P3.1 11 30 ALE/(PROG)
(/INT0) P3.2 12 29 /PSEN
(/INT1) P3.3 13 28 P2.7 (A15)
(T0) P3.4 14 27 P2.6 (A14)
(T1) P3.5 15 26 P2.5 (A13)
(/Wr) P3.6 16 25 P2.4 (A12)
(/Rd) P3.7 17 24 P2.3 (A11)
XTAL2 18 23 P2.2 (A10)
XTAL1 19 22 P2.1 (A9)
GND 20 21 P2.0 (A8)
H×nh 5.5: IC 80C51/AT89C51

Chøc n¨ng cña çc ch©n tÝn hiÖu nh- sau:
- P0.0 ®Õn P0.7 lµ çc ch©n cña cæng 0.
189
- P1.0 ®Õn P1.7 lµ çc ch©n cña cæng 1.

- P2.0 ®Õn P2.7 lµ çc ch©n cña cæng 2
- P3.0 ®Õn P3.7 lµ çc ch©n cña cæng 3
- RxD: NhËn tÝn hiÖu kiÓu nèi tiÕp.
- TxD: TruyÒn tÝn hiÖu kiÓu nèi tiÕp.
- /INT0: Ng¾t ngoµi 0.
- /INT1: Ng¾t ngoµi 1.
- T0: Ch©n vµo 0 cña bé Timer/Counter 0.
- T1: Ch©n vµo 1 cña bé Timer/Counter 1.
- /Wr: Ghi d÷ liÖu vµo bé nhí ngoµi.
- /Rd: §äc d÷ liÖu tõ bé nhí ngoµi.
- RST: Ch©n vµo Reset, tÝch cùc ë møc logic cao trong kho¶ng 2 chu kú m¸y.
- XTAL1: Ch©n vµo m¹ch khuyÕch ®¹i dao ®éng
- XTAL2: Ch©n ra tõ m¹ch khuyÕch ®¹i dao ®éng.
- /PSEN : Ch©n cho phÐp ®äc bé nhí ch¬ng tr×nh ngoµi (ROM ngoµi).
- ALE (/PROG): Ch©n tÝn hiÖu cho phÐp chèt ®Þa chØ ®Ó truy cËp bé nhí ngoµi, khi
On-chip xuÊt ra byte thÊp cña ®Þa chØ. TÝn hiÖu chèt ® îc kÝch ho¹t ë møc cao, tÇn sè
xung chèt = 1/6 tÇn sè dao ®éng cña bé V§K. Nã cã thÓ ®îc dïng cho çc bé Timer
ngoµi hoÆc cho môc ®Ých t¹o xung Clock. §©y còng lµ ch©n nhËn xung vµo ®Ó n¹p
ch¬ng tr×nh cho Flash (hoÆc EEPROM) bªn trong On-chip khi nã ë møc thÊp.
- /EA/Vpp: Cho phÐp On-chip truy cËp bé nhí ch¬ng tr×nh ngoµi khi /EA=0, nÕu
/EA=1 th× On-chip sÏ lµm viÖc víi bé nhí ch-¬ng tr×nh néi tró. Khi ch©n nµy ®-îc
cÊp nguån ®iÖn ¸p 12V (Vpp) th× On-chip ®¶m nhËn chøc n¨ng n¹p ch-¬ng tr×nh cho
Flash bªn trong nã.
- Vcc: Cung cÊp d-¬ng nguån cho On-chip (+ 5V).
- GND: nèi m¸t.
b) Ph¬ng ph¸p ghÐp nèi.
§Ó ghÐp nèi c¶m biÕn víi vi ®iÒu khiÓn cÇn ph¶i lùa chän çc c¶m biÕn cã møc
®iÖn ¸p tÝn hiÖu ®Çu ra cho phï hîp víi ®iÖn ¸p lµm viÖc cña vi ®iÒu khiÓn.
Víi tÝn hiÖu xung ®iÖn ¸p cña c¶m biÕn tõ møc 5VDC trë xuèng th× ta cã thÓ
ghÐp trùc tiÕp víi vi ®iÒu khiÓn, cßn nÕu ®iÖn ¸p xung tÝn hiÖu lín h¬n 5VDC th× chóng
ta ph¶i sö dông bé phèi ghÐp quang ®iÖn ®Ó ghÐp nèi víi vi ®iÒu khiÓn.
Víi c¶m biÕn mµ tÝn hiÖu ra cña nã biÕn ®æi t¬ng tù th× chóng ta ph¶i sö dông
bé chuyÓn ®æi ADC ®Ó ghÐp nèi víi vi ®iÒu khiÓn.
190
Tµi liÖu tham kh¶o:
I. S¸ch tham kh¶o:

1. §o l-êng çc ®¹i l-îng vËt lý – Ph¹m Th-îng Hµn.
2. Kü thuËt ®o – NguyÔn Ngäc T©n – NXB KH&KT
3. Gi¸o tr×nh c¶m biÕn – Phan Quèc Ph« §HBK HN – NXB KH&KT
4. C¶m biÕn vµ øng dông – D-¬ng Minh TrÝ – NXB KH&KT
5. Linh kiÖn quang ®iÖn tö – D-¬ng Minh TrÝ – NXB KH&KT
6. Çc bé c¶m biÕn trong KT§L vµ §K – Lª V¨n Doanh – NXBKH&KT
7. Sensoren Praxis – Guenther W.Schanz – Huenthig Verlag. Germany.
8. Sensorik fuer Praktiker – Kleger – AZ Verlag. Germany.
II. T¹p chÝ:
1. Tù ®éng ho¸ ngµy nay – Héi khoa häc c«ng nghÖ tù ®éng ViÖt nam.
2. §iÖn tö – Héi v« tuyÕn ®iÖn tö ViÖt nam.
3. Elektronik & Computertechnik – Elektor Verlag - Germany
III. §Üa CD
1. Sensors – Crystal Books Programme – GTZ - Germany.
2. Sensor V2.0 – OMRON
3. Elcis
IV. Catalog
1. Sensor solutions for the automation industry – Baumer electric.
2. Selection Guide - Autonics
VI. Internet
1. Component Sensor - http://users.pandora.be/educypedia/index.htm
2. Sensorik Festo - http://www.stern.oszimt.de/osz/sensoren
191

BG Do Luong Cam Bien

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

BG Do Luong Cam Bien

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT HƯNG YÊN

BÀI GIẢNG KỸ THUẬT ĐO LƯỜNG

CHƯƠNG 1: KỸ THUẬT ĐO LƯỜNG

BÀI 1: KHÁI NIỆM VỀ ĐO LƯỜNG – CÁC CƠ CẤU

ΔY, ΔV, ΔZ là các sai số hệ thống tương ứng khi đo Y, V, Z ; ΔX là sai số hệ

1.2. Đặc tính của thiết bị đo

so với sự biến thiên nhỏ ở đầu vào X. Y

1.2.2. Tốc độ đo.

1.2.4. Điện trở - công suất tiêu thụ.

1.3 Cơ cấu chỉ thị của dụng cụ đo tương tự

Sơ đồ khối dụng cụ cơ điện: hình 1.7

- Phương trình đặc tính thang đo:

kim lệch toàn thang). Giả sử Xm = I0 = 50mA;

➢ Nếu Y = fy(X) là tuyến tính thì dạng thang đo X cũng là của Y.

+. Quá trình đại lượng đo giảm,

2 trước khi về c. Phương trình cân bằng:

Trục quay Trụ quay

1.3.3. Cơ cấu từ điện.

a) Cấu tạo.(Hình 1.12)

a) Cấu tạo (hình 1-15)

- Phần động: gồm khung dây 2 đặt trong

b) Nguyên lý làm việc

M1,2 : là hỗ cảm giữa cuộn dây tĩnh và động

1.3.6. Cơ cấu chỉ thị cảm ứng

a) Cấu tạo: Hình 1.22

Thay vào trên và gộp các hệ số lại với nhau ta có:

1.3.7. Cơ cấu chỉ thị tĩnh điện

Cơ cấu chỉ thị tĩnh điện.

với C là điện dung giữa các điện cực.

quay điện cực động (phần động).

1.4. Thiết bị chỉ thị số

1.4.2. Cơ cấu chỉ thị bằng LED 7 thanh:

R0 nội trở ở t0C

a) M¾c nèi tiÕp b) M¾c song song

icl = 0 với: T/2  t  T

2) Dùng biến đổi nhiệt điện.

Nguyên lý làm việc của Ampemét nhiệt điện như sau:

2.3 Đo dòng điện nhỏ

2.4 Đo dòng điện lớn

r1 ri rn r’n r’i r’1

Id = I1+ I2 +... + Ii + ...+ In

U0 : điện áp rơi trên các sun

2.5 Ampemet điện tử đo dòng AC - DC.

2.6 ảnh hưởng của Ampemet đến mạch đo.

Cuén tÜnh Cuén ®éng

3.1.2 Đo điện áp xoay chiều

2. Vônmét điện động.

b) Chỉnh lưu hai nửa chu kỳ (Hình 3.8)

Mạch điện thế kế DC cổ điển (Hình 3.11).

U0 , điện trở điều chỉnh và Ampemét. Giữ giá trị IP

3.1.5 ảnh hưởng của Vonmét trên mạch đo điện áp

3.2 Volt mét điện tử đo điện áp DC + Ecc

Giả sử chọn transisto loại Si có : - Ecc

2. Voltmet điện tử tải Emitơ khắc phục sai số do UBE.

a. Xét trường hợp EX = 0 (ngắn mạch que đo – chưa đo)

3. Mạch đo dùng hai mối nối BJT – tải Emitơ.

Rt1 Rt2 + Ecc

1. Mạch đo không có khuếch đại điện áp (Hình 3.23):

2. Mạch đo có khuếch đại điện áp (Hình 3.24):

4. Mạch khuếch đại dạng vi sai:

Mạch ứng dụng hình 3.27:

3.3 Volt met điện tử đo điện áp xoay chiều (AC).

Dạng điện áp răng cưa: (Hình 3.34) u