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1. La energía de la banda prohibida del germanio puro es Eg = 0.67 eV.

(a)
Calcular el número de electrones por unidad de volumen en la banda de
conducción a 250 K, 300 K, y a 350 K. (b) Hacer lo mismo para el
silicio suponiendo que Eg = 1.1 eV. La masa efectiva de los electrones
y huecos son en el germanio es 0.12 me y 0.23 me, y en el silicio
0.31 me y 0.38 me, donde me = 9.1·1031 Kg es la masa de electrón
libre. Solución.

2.

Germanio (m-3) Silicio (m-3)


T (k)
NC NV n NC NV n
250 0,79·1024 2,1·1024 0,023·1019 3,29·1024 4,4·1024 0,03·1016

300 1,04·1024 2,8·1024 0,40·1019 4,33·1024 5,9·1024 0,29·1016

350 1,31·1024 3,5·1024 3,24·1019 5,5·1024 7,4·1024 7,7·1016

2.Supóngase que la masa efectiva de los huecos en un material es 4 veces


la de los electrones. A que temperatura el nivel de Fermi estará un 10% por
encima del punto medio de la banda prohibida. Sea Eg = 1 eV. Sol: [557,6 K]
3. La banda de energía en el germanio es 0.67 eV. Las masa efectivas de
electrones y huecos son 0.12 me y 0.23 me, respectivamente,
donde me es la masa del electrón libre. Calcular (a) la energía de Fermi,
(b) la densidad de electrones en la banda de conducción, (c) la densidad
de huecos en la banda de valencia, a T = 300 K. Sol. [(a) EF=0,3476 eV;
(b) n = 4,05·1018 m-3 (c) p = 4,5·1018 m-3]

Apdo. (a)

Apdo. (b) y (c)

4.
4.-Los valores de la conductividad del germanio puro a las temperaturas
en K: (300, 350, 400, 450, 500) son respectivamente en  -1m-1:
(2,13,52,153,362). a) Hacer una gráfica de ln  frente a 1/T. b)
Determinar Eg para el germanio. Sol. [(a) Gráfica; (b) Eg = 0,67 eV]

ln  = [0,693; 2,56; 3,95; 5,03; 5,89]


1/T = [0,0033; 0,0029; 0,0025; 0,0022; 0,0020]

Sale una recta.

5.-En una muestra de Si tipo N, en equilibrio térmico y a 300K, se conoce la


resistividad,  =5 m,  n = 1600 cm2/Vs,  p = 600 cm2/Vs, ni =1.4·1010cm-
3
y la densidad efectiva de estados en la BC, NC= 1019cm-3. Con estos datos,
determinar: (a) la concentración de electrones y huecos a partir de las
expresiones de la conductividad y de la ley de acción de masas; (b) la
localización del nivel de Fermi a partir de la expresión: n = NC exp[(EF–
EC)/(kT)]; (c) la probabilidad de que un estado del nivel donador esté ocupado
y la probabilidad de que no lo esté, sabiendo que EC–ED = 0.05 eV.

Sol. [(a) n=0,8·1015m-3 p=2,45·105m-3; (b) 0,244 eV; (c) 0,058%]


Apdo.(a)

Apdo.(b)

Apdo.(c)

6.- Se desea dopar una barra de Si de longitud 30 mm y sección 5 mm2 de


forma que al ser sometida a una d.d.p. de 10 V sea circulada por una
intensidad de 2mA. Calcúlese la concentración de donadores, ND, con que
debe doparse la barra. Nota: despréciese la concentración de huecos en el
análisis y estímese el error cometido por este motivo en el valor de la
resistencia de la barra. Datos: ni = 1.45·1016m-3,  n= 1500 cm2/Vs y  p = 475
cm2/Vs.

Calculemos la resistividad que debe tener la barrita...