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CUESTIONARIO:
1. Consultar:
Características y definición de Impedancia de Entrada e Impedancia de Salida en un
Amplificador Emisor Común.
Impedancia de entrada:
Es la resistencia que presenta el circuito para la fuente de entrada AC, en el caso de una
configuración en emisor común, la impedancia de entrada es relativamente alta con lo que al
conectar una fuente o un circuito en cascada deberíamos tener una transferencia de potencia
bastante aceptable, siempre y cuando la resistencia de salida sea baja.
Impedancia de salida:
Impedancia de entrada
Impedancia de salida
𝑉𝑜 𝑅𝐶 𝐼𝐶
𝑍𝑜 = =
𝐼𝑜 𝐼𝐶
𝒁𝒐 = 𝑹𝑪
2. En el siguiente circuito determinar Av en función de Rs y Zin, señalar que sucede si: Zin es
mucho menor que Rs, igual a Rs, y mucho mayor que Rs (Rs es la resistencia interna de la
fuente.)
Impedancia de entrada
𝑅1 ∥ 𝑅2
𝑉𝑖𝑛 𝑟𝑒 𝐼𝑒 + (𝑅1 ∥ 𝑅2 )𝐼𝐵 𝑟𝑒 𝐼𝐸 + (𝛽 + 1) 𝐼𝐸
𝑍𝑖𝑛𝑇 = = =
𝐼𝐸 𝐼𝐸 𝐼𝐸
𝑹𝟏 ∥ 𝑹𝟐
𝒓𝒆 𝑰𝑬 + 𝑰
(𝜷 + 𝟏) 𝑬
𝒁𝒊𝒏 = (𝑹𝑺 + 𝑹𝑬𝟐 ) ∥ (𝑹𝒆𝟏 + )
𝑰𝑬
Ganancia de voltaje
𝜷(𝑹𝑪 ∥ 𝑹𝑳 )
𝑨𝑽 = −
𝒁𝒊𝒏 + 𝑹𝑺
𝒁𝒊𝒏 ≪ 𝑹𝑺
(𝒁𝒊𝒏 + 𝑹𝑺 ) ≈ 𝑹𝑺
𝜷(𝑹𝑪 ∥ 𝑹𝑳 )
𝑨𝑽 = −
𝑹𝑺
𝒁𝒊𝒏 = 𝑹𝑺
(𝒁𝒊𝒏 + 𝑹𝑺 ) = 𝟐𝑹𝑺
𝜷(𝑹𝑪 ∥ 𝑹𝑳 )
𝑨𝑽 = −
𝟐𝑹𝑺
𝒁𝒊𝒏 ≫ 𝑹𝑺
(𝒁𝒊𝒏 + 𝑹𝑺 ) = 𝒁𝒊𝒏
𝜷(𝑹𝑪 ∥ 𝑹𝑳 )
𝑨𝑽 = −
𝒁𝒊𝒏
La ganancia de voltaje dependerá del valor de 𝑍𝑖𝑛 , es decir será similar al caso conocido del
amplificador en configuración emisor común, dependiendo exclusivamente de los
elementos resistivos del diseño.
(𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 ) ≥ 𝑿
𝑿
(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 ) ≥
51
𝑿
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ≥ |𝐴𝑉| 51
𝑅𝐶 ∗𝑉𝑜𝑝
𝑉𝑅𝐶 ≥ 𝑅𝐶 ∥𝑅𝐿
𝑉𝑅𝐶
𝐼𝐶 = 𝑅
𝐶
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = 𝐼
𝐸
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑜𝑝 + 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑖𝑛
Para el caso del Voltaje en Emisor, se usara la siguiente ecuación:
𝑉𝐸 ≥ 1 + 𝑉𝑖𝑛𝑝
Pero si sale un voltaje relativamente bajo, es preferible asumir un valor mayor debido a que
podría darse el caso de que afecte al valor de impedancia de entrada requerido.
Calculo de capacitores:
𝑍𝑖𝑛
o 𝐶𝐵 : 𝑋𝐶𝐵 = 10
o 𝐶𝐸 : 𝑋𝑐𝑒 ≪ 𝑍𝑖𝑛
o 𝐶𝐶 : 𝑋𝐶𝐶 ≪ 𝑅𝐿
4. Diseñar un amplificador con TBJ que cumpla con las siguientes condiciones:
𝑹𝑪 = 𝟏. 𝟖 [𝒌Ω]
𝑉𝑜 𝑉𝑜
𝐴𝑣 = − ; −14 = − ; 𝑉𝑜 = 2.1[𝑉]
𝑉𝑖𝑛 0.15
𝑅𝐶 ∗ 𝑉𝑜𝑝
𝑉𝑅𝐶 ≥
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝑽𝑹𝑪 = 𝟓. 𝟓 [𝑽]
𝟓
𝑰𝑪 = = 𝟑. 𝟎𝟓[𝒎𝑨] ; 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸
𝟏. 𝟔𝒌Ω
26𝑚𝑉
𝒓𝒆 = = 8.51 [𝛺]
3.13𝑚𝐴
1.8 ∥ 1.8
𝑅𝐸1 = − 𝑟𝑒 = 55.77[𝛺] ; 𝑅𝐸1 = 56Ω ; 𝑅𝐸1 = 51Ω
|−14|
𝑹𝑬𝟏 = 𝟓𝟔Ω
𝑨𝒍 𝒄𝒐𝒎𝒑𝒂𝒓𝒂𝒓 𝒓𝒆 𝒄𝒐𝒏 𝑹𝑬𝟏 𝒗𝒆𝒎𝒐𝒔 𝒒𝒖𝒆 𝒏𝒐 𝒄𝒖𝒎𝒑𝒍𝒆 𝒄𝒐𝒏 𝒓𝒆 ≪ 𝑹𝑬𝟏 𝒑𝒐𝒓 𝒍𝒐 𝒒𝒖𝒆 𝒂𝒔𝒖𝒎𝒊𝒎𝒐𝒔:
𝒓𝒆 = 𝟓 [𝜴]
26𝑚𝑉
𝑰𝑪 = = 𝟓. 𝟐[𝒎𝑨]
5
𝑽𝑹𝑪 = 𝟏𝟎[𝑽]
𝑉𝐶𝐸 ≥ 4.25
𝑽𝑪𝑬 = 𝟒. 𝟓[𝑽]
𝑉𝐸 ≥ 1 + 𝑉𝑖𝑛𝑝
𝑉𝐸 ≥ (1 + 0.15) →∗ (1.2)
𝑉𝐸 ≥ 1.38
𝑷𝒂𝒓𝒂 𝒄𝒖𝒎𝒑𝒍𝒊𝒓 𝒄𝒐𝒏 𝒆𝒍 𝒗𝒂𝒍𝒐𝒓 𝒅𝒆 𝒁𝒊𝒏 𝒂𝒔𝒖𝒎𝒊𝒎𝒐𝒔:
𝑽𝑬 = 𝟏𝟎 [𝑽]
𝑉𝐸
𝑅𝐸2 = − 𝑅𝐸1
𝐼𝐸
𝑹𝑬𝟐 = 𝟑. 𝟗 𝒌Ω
𝐼𝐶
𝑰𝑩 = = 𝟏𝟎𝟒[𝝁𝑨] ; 𝑰𝟐 = 10𝐼𝐵 = 𝟏. 𝟎𝟒[𝒎𝑨] ; 𝑰𝟏 = 𝐼𝐵 + 𝐼2 = 𝟏. 𝟏𝟒[𝒎𝑨]
𝛽
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵
𝑅1 =
𝐼1
24.5 − 10.7
𝑅1 =
𝐼1
𝑅1 = 12.1[𝐾𝛺] ; 𝑅1 = 15 𝑘Ω ; 𝑅1 = 12 𝑘Ω
𝑹𝟏 = 𝟏𝟓[𝑲𝜴]
1
𝑅2 ≥
1 1 1
𝑍𝑖𝑛 − (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 ) − 𝑅1
𝑅2 ≥ 18 [𝑘Ω]
𝑹𝟐 = 𝟐𝟕 [𝒌Ω]
Comprobando:
𝒁𝒊𝒏 = 𝟑. 𝟓 [𝒌Ω]
10 10 10
𝐶𝐵 = ; 𝐶𝐸 = ; 𝐶𝐶 =
2 ∗ 𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝑍𝑖𝑛 2 ∗ 𝜋 ∗ 𝑓 ∗ (𝑅𝐸1 + 𝑟𝑒 ) 2 ∗ 𝜋 ∗ 𝑓 ∗ (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
BIBLIOGRAFIA:
Robert L. Boylestad, Prentice Hall, 10ma Edición, Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos.
Sánchez A. Tarquino, Escuela Politécnica Nacional, 2ª edición, Electrónica: dispositivos y
aplicaciones.
Pérez, Pablo, UTN, Facultad Regional Mendoza, Medidas Electrónicas II.