Determinación de presencia de blindaje en

estructuras de de-embedding a partir de

correlación de modelos
Eduardo Moctezuma Pascual, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica

Resumen: En este trabajo se presenta la metodología utilizada
para determinar si las estructuras de desencrustamiento (o
estructuras de de-embedding) del proceso CMOS “ADICT” se
encuentran blindadas con respecto al substrato (llamadas
shielded) o si es el caso en un arreglo convencional (unshielded).
Con base de modelos existentes se determina la condición en que
se encuentran, a través de la verificación de la correlación de
datos experimentales. Las estructuras usadas para este trabajo
son el corto (short) estructura de abierto (open) y una estructura
correspondiente a los pads. Con los resultados obtenidos se
concluye el tipo de blindaje del dispositivo bajo prueba (DUT).
Palabras clave—Shielded, unshielded, correlación con
modelos, mediciones de microondas en oblea, RF CMOS.
I. OBJETIVO
Determinar la forma estructural del DUT a través de la
correlación de modelos existentes con sus estructuras de de-
embedding a nivel oblea.
II. INTRODUCTION
N los procesos de fabricación existentes, es común que se
mascarillas (conocido como Layout). En caso de no tener esta
información, una posible solución se encuentra en realizar un
corte tipo FIB (por sus siglas en inglés Focused ion beam) con
un microscopio electrónico de barrido, con esto se tendría la
información de la composición estructural y elemental de las
capas que conforman al dispositivo.
El hacer un corte a la oblea no es sencillo ni barato, además de
que es muy rara vez se tiene la disponibilidad de las
herramientas necesarias. Aquí es donde se encuentra la
importancia del desarrollado de una metodología que a partir
de la correlación con modelos se garantice la presencia o
ausencia de aislamiento de substrato para esto se toman como
referencias los modelos presentados en [2-3]. Algunas de las
ventajas de esta metodología es que resulta en un análisis no
destructivo, una opción barato y rápida en comparación al
caso de un corte FIB.
III. DESARROLLO
Las estructuras de los datos experimentales usados para este
trabajo tienen una configuración ground-signal-ground (GSG)
como se muestra en la figura 1. La principal tarea de las

E agrega una capa metálica extra entre el substrato y los

dispositivos fabricados y que después se pretenden
estructuras de de-embedding es mover el plano de referencia
para de esta manera obtener las características del DUT, se
busca eliminar los efectos de los elementos adicionales usados
caracterizar para asegurar sus condiciones de operación. El
colocar esta capa metálica extra sirve para aislar a DUT y para acceder a sus terminales.
evitar corrientes de fuga hacia el substrato, esto sin embargo, a
su vez genera elementos parásitos extra a considerar a la hora
de realizar el de-embedding del comportamiento del
dispositivo de interés. El comportamiento de los elementos de
estructuras shielded son obtenidos a partir de un modelo donde
se asocian sus elementos a los fenómenos físicos presentes
dentro de este, esto se ha estudiado por varios autores que se
han basado en un modelo general reportado en [1].
Una de las ventajas más apreciada en las estructuras tipo
shielded, radica en que se tienen campos mejor confinados y
esto a su vez se traduce a evitar efectos de borde, estos son
efectos no deseados ya que afectan al comportamiento del
dispositivo con la aparición de nuevos elementos parásitos a
considerar para su correcto modelado.
La manera directa de conocer la configuración de los arreglos
de los pads, es con la descripción del apilamiento de las capas Figura 1 a) Disposición de los pads para conectar las puntas de pruebas y
usadas en el proceso (conocido como Stack-up) y de las realizar la medición del DUT b) fotografía de dispositivo tipo short.

.

Figura 2 Descripción del experimento para medir parámetros S de estructuras en
oblea usadas para el de-embedding.
La caracterización de las estructuras open, short y pads
consiste en la medición de. su comportamiento en un
determinado rango de frecuencias, esto con un analizador de
redes vectoriales (VNA por sus siglas en inglés) previamente
calibrado. Para las mediciones de estructuras en oblea se
necesita una estación de pruebas para evitar que vibraciones
afecten a las condiciones de las mediciones, un sistema de
sujeción por vacío y un microscopio con diferentes objetivos
para garantizar el correcto contacto de las puntas de prueba
con los pads, en la figura 2 se muestra el arreglo experimental
que se lleva a cabo para mediciones a nivel oblea para obtener
sus parámetros S.
En los trabajos de referencias se realizan un análisis de la
estructura física y a partir de esto se obtienen los circuitos que
los modelan, una vez definidos los elementos se determinan
los valores para cada uno de los elementos circuitales. Para el
modelo de la referencia [2] se utilizan las estructuras open,
short y pads mientras que en la referencia [3] se usan
estructuras open y short. Para las estructuras convencionales
se llegó al modelo expuestos en la figura 3.
A partir de los datos experimentales se obtienen los elementos
que conforman el modelo en forma de vectores en que
representan parámetros Y o parámetros Z según sea el caso del
Figura 3 a) Modelos genera para una estructura completa b) circuitos
equivalentes para estructuras de pads, short y open [2].
.
modelo. Se procede a obtener los valores para los circuitos
equivalentes, en la figura 4 se presentan los circuitos
equivalentes del modelo unshielded, estos circuitos dan mayor
sentido físico a los elementos de los modelos. Para obtener
estos valores se realizan una seria de regresiones, en ambas
referencias, y se dan las condiciones en que las regresiones
son válidas para cada metodología. Para análisis de los datos
experimentales y la aplicación de las metodologías de
referencia, se utiliza Matlab® donde se crean las rutinas para
obtener los valores de los circuitos equivalentes de los dos
modelos.
Figura 4 a) circuito simplificado para obtener los valores del modelo Yi,Yo y Yf b)
circuito simplificado para obtener Z1,Z2 y Z3 [2].
En la referencia [3] se hace un estudio exhaustivo del
modelado y consideraciones a .tomar en cuenta en estructuras
shielded, se llega a un circuito equivalente que se presenta en
la figura 5 junto a los modelos de los elementos de de-
embedding que se usaran para comparar con los datos
experimentales y el modelo que se tiene para estructuras
unshielded.
Figura 5 a) Modelos genera para una estructura completa b) circuitos
equivalentes para estructura open y c) circuito equivalente para el short [3].
IV. RESULTADOS
.
Una vez aplicadas las metodologías de referencia, se obtienen
los valores circuitales de los elementos que forman el modelo
para las estructuras shielded y unshielded, estos valores se
presentan en la tabla 1 y en la tabla 2.
Con el fin de comparar los datos experimentales y los
resultantes de los modelos, se realiza el montaje de los
circuitos obtenidos usando el software ADS® (por sus siglas
en inglés Advanced Design System), se realiza la simulación y
se obtienen los parámetros S como se aprecia en la figura 6.
Debido a que el objetivo de este trabajo es determinar el tipo
de estructura es la que tienen, la comparación de los
parámetros S de la simulación de los modelos con los
obtenidos experimentalmente es suficiente para apreciar la
tendencia. Se realiza la comparación de los parámetros S11,
S12, S21 y S22 de las estructuras open y short, se presenta los
resultados en las figuras 7 y 8. Observando los datos de las
estructuras short no se podría definir con cual modelo se
ajustan mejor datos experimentales, en el caso de correlación
de la estructura open, la tendencia es clara, se observan que los
datos experimentales se ajustan al modelo para estructuras
unshielded y con esto se concluye que se tienen estructuras
convencionales sin plano de blindaje.

Tabla 1 Valores del circuito equivalente para modelo unshielded

Rp1_Yi=690 Ω Rp1_Yo= 912 Ω Rp1_Yf=6240 Ω

Rp2_Yi=51.6 Ω Rp2_Yo= 64.4Ω Rp2_Yf=43.61 Ω
Cp1_Yi=33.7 fF Cp1_Yo=53 fF Cp1_Yf=4.83 fF
Cp2_Yi=17.5 fF Cp2_Yo=16.8 fF Cp2_Yf=7.39 fF
Rs1_Z1=1.97 Ω Rs1_Z2=4.07 Ω Rs1_Z3=7.48 Ω
Rs2_Z1=28.3 Ω Rs2_Z2=23.48 Ω Rs2_Z3=13.29 Ω
Ls1_Z1=42 pH Ls1_Z2=22 pH Ls1_Z3=13.8 pH
Ls2_Z1=42 pH Ls2_Z2=22.03 pH Ls2_Z3=13.8 pH
C1=11.32 fF C2=2.46 fF C3=1.96 fF

Tabla 2 Valores del circuito equivalente para modelo shielded

. Figura 7 Comparación de parámetros S para estructura open con valores de mediciones,
Ri=0.3 Ω Rpi_Yi=829.8 Ω Rpo_Yo=1163 Ω open de modelo unshielded y modelo shielded.
R0=0.6Ω Cpi_Yi=74.3 fF Cpo_Yo=79.3 fF
Lgnd=11.3 pH Rzo_Zo= 1718 Ω Rf_Zf= 23847 Ω .

Rzi_Zi= 1490 Ω Lo_Zo= 32 pH Cf_Zf= 6.84 fF

Li_Zi=32.4 pH Lf_Zf=10.47 pH

Figura 8 Comparación de parámetros S para estructura open con valores de mediciones,

open de modelo unshielded y modelo shielded.

Figura 6 Circuito equivalente simulado en ADS para estructura open a) modelo
unshielded b) modelos shielded
.
V. CONCLUSIONES
En este trabajo, se estudiaron y aplicaron los conceptos de
modelado en el rango de las microondas con estructuras de de-
embedding, con esto se demostró los elementos parásitos
inherentes a la realización de mediciones de estructuras RF.
Los modelos circuitales sirvieron para determinar la
conformación estructural de las estructuras de interés y con
esto quedo claro que estas técnicas, usadas para este fin, son
una alternativa muy ventajosa y con esta se llegó a la
conclusión de que las estructuras analizadas son
convencionales o unshielded y por consecuencia la estructura
del DUT tendrá estas condiciones.

.
Durante el desarrollo de este trabajo se vio que las mediciones
en RF no son tan sencillas en comparación con mediciones en
DC. Los procesos para la medición y el montaje experimental
son determinantes para tener una adecuada calibración y con
esto asegurar que los que se mide corresponde exclusivamente
a los efectos del DUT y no a discontinuidades con el cálculo
de los términos de error. A pesar de que los datos utilizados
para el análisis de los modelos, no fueron los obtenidos
durante la sección de mediciones correspondiente a la clase, se
observaron las consideraciones que se deben tomar en cuenta
para futuras mediciones.
Lo más importante de este trabajo fue demostrar que los
modelos existentes permiten hacer un análisis que garantiza la
presencia o ausencia de aislamiento de substrato.

REFERENCES
[1] Koolen, et. all,“An improved de-embedding technique for on-wafer
high-frequency characterization. In Proceedings of the 1991 Bipolar
Circuits and Technology Meeting. IEEE.
https://doi.org/10.1109/bipol.1991.160985
[2] Reydezel Torres-Torres, Roberto Murphy-Arteaga, and J. Apolinar
Reynoso-Hernández, “Analytical Model and Parameter Extraction to
Account for the Pad Parasitics in RF-CMOS”, IEEE TRANSACTIONS
ON ELECTRON DEVICES, VOL. 52, NO. 7, JULY 2005
[3] Emmanuel Torres-Rios, Reydezel Torres-Torres, Roberto Murphy-
Arteaga, and Edmundo A. Gutiérrez-d., “Analytical characterization and
modeling of shielded test structures FOR RF-CMOS”, International
Journal of High Speed Electronics and Systems Vol. 18, No. 4 (2008)
793–803