1. Antecedentes de la electrónica de potencia.

2. Terminología y principios de operación de la familia de los tiristores de potencia.

3. Clasificación y características tensión contra corriente de los tiristores de potencia.
4. Métodos de activación del tiristor SCR.
5. Métodos de desactivación del tiristor SCR.
6. Métodos de activación del tiristor TRIAC.
7. Métodos de desactivación del tiristor TRIAC.

1. Características de Tensión Contra Corriente delos tiristores de baja potencia (UJT,

PUT, SUS, SBC, DIAC).
2. Circuitos de disparo con aislamiento y acoplamiento óptico y magnético.
3. Circuitos de disparo con dispositivos digitales.
1. Regulador cargador de baterías.
2. Switch táctil o detector de
proximidad.
3. Sistema de iluminación de
emergencia de una sola fuente.
4. Flasher de corriente alterna.
5. Sensor de luz Y sensor de ausencia de luz.
6. Control de fase de onda completa.
7. Intermitente secuencial.
8. Control de velocidad para motores universales
activado con switch unilateral de silicón.

1. Control de fase monofásico de media onda (análisis y diseño).

2. Control de fase monofásico de onda completa (análisis y diseño).

1. Rectificación polifásica no controlada.

2. Rectificación trifásica semi-controlada.
3. Rectificación trifásica controlada.
1. Principios de operación de un inversor.
2. Inversor monofásico de medio puente.
3. Inversor monofásico de puente completo.
4. Parámetros de rendimiento.
5. Inversor trifásico.

1. Características y principios de operación de operación.

2. Clasificación por modulación y operación de cuadrantes, configuración y modulador de
ancho de pulso.
3. Modulador de ancho de pulso.
4. Control de motores de CD.
5. Fuentes conmutadas.
1. Principios del control abrir y cerrar.
2. Principio del control de fase.
3. Ciclo convertidor monofásico y trifásico.
Observación Unidad 1 Unidad 2 Unidad 3 Unidad 4 Unidad 5 Unidad 6 Unidad 7 Unidad 8 Unidad 9
Examen 50% 70% 50% 70% 50% 50% 50% 50% -
Practica e
50% 30% 50% 30% 50% - - - 100%
Investigación
Exposición - - - - - 50% 50% 50% -
Total 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100%
Con la aparición del transistor en 1948 empieza la era de los semiconductores,
que en muy pocos años revoluciona completamente todos los dominios de la
electrónica. Los minúsculos dispositivos a base de germanio, silicio y arseniuro
de galio, no solo reemplazan con ventaja a las válvulas y tubos de vacío o de
gas, sino que además vienen a abrir nuevas aplicaciones a nuestra técnica.

El tiristor obtenido en los Estados Unidos por la firma General Electric hacia
1957, abordó el mercado europeo hacia 1959-1960. Su nombre se incluye
entre los de esos nuevos componentes que han revolucionado el desarrollo de
la electrónica desde que en 1948 se encontró ese elemento extraordinario
llamado transistor.
1902 Patente del Rectificador de Vapor de Mercurio (P. Cooper-Hewitt)
1904 Diodo Termoiónico (J.A. Fleming)
1907 Triodo (Lee de Forest)
1911 Mutador: Rectificadores de Cátodo de Hg y Cubeta Metálica (Harfrnann & Braun, B Schãfer).
1912 Amplificador Magnético (GE, E. F. W. Alexanderson)
1922 Principio de Cicloconvertidor (Meyer-Hazeltine)
1924 Principio de Chopper (Burnstein)
1926 Tiratrón (I. Langmuir-Hull)
1948 Transistor de Punta de Contacto (Bell Labs, J. Bardeen – W.H. Brattain - W. Schockley)
1951 Transistor de Union (W. Schockley)
1957 Rectificador Controlado de Silicio (Bell Labs)
1958 Tiristor (GE)
1960 GTO: Gate Turn-Off Tiristor (GE, H. Ligten - D. Navon)
1964 TRIAC (GE, Gentry et al)
1969 CI MOS
1983 IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor (B.J, Baliga)
Se llama tiratrón a un tipo de válvula termoiónica, generalmente
con configuración de triodo, cuyo interior se encuentra relleno de
gas. Se utiliza para el control de grandes potencias y corrientes,
lo que en un dispositivo de vacío es muy difícil debido al número
limitado de electrones que puede producir un cátodo
termoiónico. Añadiendo un gas inerte que se ioniza, inicialmente
por medio de los electrones termoiónicos, se tiene un número
mucho mayor de portadores de corriente que en el triodo.

A diferencia del triodo, la corriente de ánodo no es proporcional a la tensión

de rejilla, sino que cuando se dispara, se produce la ionización del gas que
lleva al dispositivo a su resistencia mínima. El primer tiratrón comercial
apareció hacia 1928.
Una válvula de vapor de mercurio o de vapor de
mercurio o rectificador de arco de mercurio es
un tipo de rectificador eléctrico usado para la
conversión de alta tensión o de alta corriente de
CA en CD. Se trata de un tipo de tubo de
descarga de gas de cátodo frío, pero es inusual
en que el cátodo, en lugar de ser sólido, está
hecho de mercurio líquido y por lo tanto es de
auto-restauración. Como resultado, las válvulas
de arco de mercurio eran mucho más robusta,
de larga duración y podrían llevar a corrientes
mucho más altos que la mayoría de los otros
tipos de tubo de descarga de gas.
Son chapas de aluminio recubiertas de Selenio que
hacían de diodo. Se usaron mucho en todas las
aplicaciones donde se debía rectificar.
Primero en los albores del siglo 20 se hacían de cobre
y se oxidaba superficialmente, con lo que se convertía
en rectificador. Alguno de los viejos aficionados habrá
luchado con las interferencias de audio en las radios
causadas por las uniones retorcidas de los cables de
cobre de las instalaciones domiciliarias. Pues bien, al
oxidarse, se transformaban en diodos y rectificaban
las ondas de radio que por la línea se introducían en
las radios que tenían alta impedancia en los circuitos
de sintonía.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres
capas que consta de dos capas de material tipo n y una
de material tipo p o bien dos capas de material tipo p y
una de material tipo n. El primero se llama transistor npn
y el segundo transistor pnp. Este dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para entregar una señal de
salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término “transistor” es la contracción en
inglés de transfer resistor (resistor de transferencia).
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de
uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
Las principales aplicaciones de los convertidores electrónicos de potencia son
las siguientes:
 Fuentes de alimentación: En la actualidad han cobrado gran importancia un
subtipo de fuentes de alimentación electrónicas, denominadas fuentes de
alimentación conmutadas. Estas fuentes se caracterizan por su elevado
rendimiento y reducción de volumen necesario. El ejemplo más claro de
aplicación se encuentra en la fuente de alimentación de los ordenadores.
 Control de motores eléctricos: La utilización de convertidores electrónicos
permite controlar parámetros tales como la posición, velocidad o par
suministrado por un motor. Este tipo de control se utiliza en la actualidad en
los sistemas de aire acondicionado. Esta técnica, denominada comercialmente
como “inverter” sustituye el antiguo control encendido/apagado por una
regulación de velocidad que permite ahorrar energía.
 Calentamiento por inducción: Consiste en el calentamiento de un material
conductor a través del campo generado por un inductor. La alimentación del
inductor se realiza a alta frecuencia, generalmente en el rango de los kHz, de
manera que se hacen necesarios convertidores electrónicos de frecuencia.
La aplicación más vistosa se encuentra en las cocinas de inducción actuales.
 Otras: Como se ha comentado anteriormente son innumerables las
aplicaciones de la electrónica de potencia. Además de las ya comentadas
destacan: sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de control del
factor de potencia, balastos electrónicos para iluminación a alta frecuencia,
interfase entre fuentes de energía renovables y la red eléctrica, etc.
Las líneas de investigación actuales buscan la integración de dispositivos de
potencia y control en un único chip, reduciendo costes y multiplicando sus
potenciales aplicaciones. No obstante existen dificultades a salvar como el
aislamiento entre zonas trabajando a altas tensiones y circuitería de control, así
como la disipación de la potencia perdida.
 6 8
2
TRIAC, RCT
SCR
GTO
5
SITH
MCT

7 1
Diodo
3 BJT,
MOSFET,
IGBT

SIT 9
4
 A = Ánodo 𝑨 +
K = Cátodo
𝑨 +
G = Compuerta
IB = IC1 + 𝐼𝐺
+++
𝑑1 → 𝑃𝐷
𝑮 𝑰 𝑩𝟏 +++
𝑰 𝑪𝟏
𝑇1
IC1 = β1 IB1 𝑑2 → 𝑃𝐼
𝑑3 → 𝑃𝐷
---
IC 2 = β2 IB 2
𝐼𝐴
𝑲 − +++
IC 1
𝑮
---
IC 2 = β1 β2 IB 2
𝑰𝑮 + + +
𝑮
𝑇2 𝑰 𝑪𝟐
---
𝑰𝑩𝟐
𝑻𝟏 : 𝑵𝑷𝑵
𝑻𝟐 : 𝑷𝑵𝑷
1. Polarización ---
directa.
𝑲 −
2. Aplicar un pulso
en la compuerta.
 𝑰𝑨
1. Región de bloqueo de directa
𝟓
(Estado off).
2. Punto de amarre (Latch,
punto de ruptura de directa).
𝟒
𝟑 3. Región de resistencia negativa.
𝟐 4. Punto de mantenimiento o
𝟔 𝟏
sostenimiento (Hold).
𝑽𝑨𝑲 − 𝟕 𝑽𝑨𝑲 + 5. Región de trabajo (Estado on).
6. Región de bloqueo de inversa
(Estado off).
7. Punto de ruptura de inversa.
8. Región de avalancha.
𝟖
 Aplicacndo grandes voltajes de directa.
 Aplicando pulso en la compuerta.
 Luz “LASCR”.
𝑑𝑣
 (No deseado).
𝑑𝑡
 Calor (No deseado).
 Clase A
“Auto conmutación por circuito serie
resonante”
Conmutación
Natural
Clase B
Métodos De “Auto conmutación por circuito
Desactivación paralelo resonante”
Del SCR

Conmutación
Clase C
Forzada “Conmutación por tiristor auxiliar”

Clase D
“Conmutación por pulso externo”
 𝑰𝑪

𝐼𝐴 𝑳
𝐼𝐴
+
+
𝑽𝑭 𝑪
𝑽𝑭
−
𝑳 −
𝑰𝑪 𝑹

𝑪 𝑹

𝑰𝑪 > 𝑰𝑨
𝑰𝑪 > 𝑰𝑨 ∴ 𝑺𝒆 𝒂𝒑𝒂𝒈𝒂
 𝑹𝟏 𝑹𝟐 −
𝐼𝐴 𝐼𝐶 𝑽𝑪𝑪
+ +
+ 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩
𝑽𝑭
𝑽𝑭
− + − −
𝑪 𝑬 𝑪
𝑩
𝑹
𝑻𝟏 𝑻𝟐 𝑰𝑩

𝑰𝑪 > 𝑰𝑨

 𝑻𝟏 − 𝑻𝒊𝒓𝒊𝒔𝒕𝒐𝒓 𝑨𝒖𝒙𝒊𝒍𝒊𝒂𝒓
 𝑻𝟐 − 𝑻𝒊𝒓𝒊𝒔𝒕𝒐𝒓 𝑷𝒓𝒊𝒏𝒄𝒊𝒑𝒂𝒍
 𝒗𝒂𝒄

0 𝜋 3𝜋 4𝜋
𝑡
2𝜋

𝑽𝑻

0 𝜋 3𝜋 4𝜋
𝑡
𝑹 2𝜋
− +
𝒗𝒂𝒄
+ 𝑽𝑹
+ −
𝑜𝑠𝑐
−
0 𝜋 3𝜋 4𝜋
𝑡
2𝜋
 𝑹 −
𝟏 𝒌𝛀 𝑷𝑩𝟏 𝑽𝑪𝑪 𝟓𝑽

𝑷𝑩𝟏 𝑷𝑩𝟐 + +
+ 𝟏 𝝁F 𝟏𝟐 𝑽 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩
𝑽𝑭
𝑽𝑭 𝟏𝟐 𝑽 𝑻𝑰𝑷 𝟒𝟏
+ − −
− 𝑹𝑮𝟏 = 𝟒𝟕𝟎 𝛀 𝑬 𝑪
𝑪
𝑩
𝑷𝑩𝟐
𝑻𝟏 𝑻𝟐 𝑰𝑩
𝑹𝑮𝟏 = 𝟒𝟕𝟎 𝛀 𝑹𝑮𝟐 = 𝟒𝟕𝟎 𝛀
𝑰𝑪 > 𝑰𝑨 𝑹𝑩 = 𝟏 𝒌𝛀
 𝑻𝟐
𝑻𝟐

1) 𝑻𝟐 + 𝑻𝟏 − 𝑮 ⊓ ⇓𝑰
𝑻𝟏 𝑺𝑪𝑹𝟏 2) 𝑻𝟐 + 𝑻𝟏 − 𝑮 ⊔ ⇓𝑰
𝑺𝑪𝑹𝟐 3) 𝑻𝟐 − 𝑻𝟏 + 𝑮 ⊓ ⇑𝑰
𝑮
𝑮 4) 𝑻𝟐 − 𝑻𝟏 + 𝑮 ⊔ ⇑𝑰
𝑻𝟏 = 𝑻𝒆𝒓𝒎𝒊𝒏𝒂𝒍 𝟏
𝑻𝟐 = 𝑻𝒆𝒓𝒎𝒊𝒏𝒂𝒍 𝟐
𝑮 = 𝑪𝒐𝒎𝒑𝒖𝒆𝒓𝒕𝒂 𝑻𝟏
 𝑰𝑨

𝟓 1. Región de bloqueo de directa (Estado off).

2. Voltaje de ruptura de directa.
3. Región de resistencia negativa.
𝟒
𝟑 4. Punto de mantenimiento de directa.
𝟐 5. Región de trabajo de directa (Estado on).
𝟔 𝟏 6. Región de bloqueo de inversa (Estado off).
𝑽𝑻𝟏 𝑻𝟐 − 𝟕 𝟖
𝑽𝑻𝟏 𝑻𝟐 + 7. Punto de ruptura de inversa.
𝟗 8. Región de resistencia negativa.
9. Punto de mantenimiento de inversa.
10. Región de trabajo de inversa (Estado on).

𝟏𝟎
 𝒗𝒆

0° 230° 540° 720°

490°
𝑡
50° 180° 360° 410°

𝑽𝑻𝟐 𝑻𝟏
𝑹𝑳
0° 230° 540° 720°
− + 50° 180° 360° 410° 490° 𝑡
𝒗𝒆
𝑻𝟐 +
+ − 𝑽𝑳
𝑜𝑠𝑐
𝑻𝟏 −

0° 180° 360° 720°

50° 230° 410° 540° 490°
𝑡
 Tiristores

Control Y
Potencia Disparo

DIODO 4
SCR TRIAC MCT IBGT UJT PUT SUS SBS DIAC SCS CAPAS
 𝑩𝟏
+𝑽𝑩𝑩

𝑩𝟏 𝑬 𝑹𝑩𝟐
𝑷 𝑵
𝑬
𝑩𝟐 𝑬
𝑩𝟐
𝐼𝐸 𝑹𝑩𝟐
𝑬 = 𝑬𝒎𝒊𝒔𝒐𝒓
𝑩𝟏 = 𝑩𝒂𝒔𝒆 𝟏 𝑩𝟏
𝑩𝟐 = 𝑩𝒂𝒔𝒆 𝟐
𝑬
𝑩𝟐
 𝑽𝑬
UJT
𝑽𝑷
𝑹𝑹𝑵
𝑽𝑷 Voltaje de pico
𝑰𝑷 Corriente de pico
𝑽𝑽
𝑽𝑽 Voltaje de valle
𝑰𝑽 Corriente de valle
𝑰𝑬 𝑹𝑹𝑵 Región de resistencia negativa
𝑰𝑷 𝑰𝑽
𝜼 Razón Intrínseca de apagado
 +𝑽𝑩𝑩
1
𝑹𝟏 𝑓𝑜 =
1
𝑅𝐸 𝐶𝐸 ln 1 − 𝜂
𝑹𝑬 Característica UJT 2N2646
𝑷 𝑹𝑩𝟐
𝑉𝑃 = 𝜂𝑉𝐵𝐵 + 0.7𝑉 𝜂 0.56 − 0.75
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑉 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑃 𝑅𝐵𝐵 4.7 − 9.1 𝑘Ω
≤ 𝑅𝐸 ≤
𝐼𝑉 𝐼𝑃 𝐼𝑃𝑀á𝑥 5 𝜇𝐴
0.28𝑅𝐵𝐵 𝐼𝑉 4 𝑚𝐴
𝑅𝐵2 =
𝑪𝑬 𝜂𝑉𝐵𝐵 𝑉𝑉 1𝑉
𝑹𝑩𝟏
0.2𝑅𝐵𝐵 𝑚í𝑛
𝑅𝐵1 =
𝑉𝐵𝐵
 Datos - 2N2646
𝒇𝒐 𝟑. 𝟐 𝒌𝑯𝒛 𝑰𝑷 𝟑 𝝁𝑨
𝜼 𝟎. 𝟔𝟓 𝑰𝑽 𝟕 𝒎𝑨
𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟑 𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟒
𝑹𝑩𝑩 𝟕 𝒌𝛀 𝑽𝑽 𝟏𝑽 0.2𝑅𝐵𝐵 𝑚í𝑛
1 𝑅𝐵1 =
𝑹𝑩𝑩 𝒎í𝒏 𝟒. 𝟕 𝒌𝛀 𝑽𝑩𝑩 𝟏𝟓 𝑽 𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐵
1
𝑅𝐸 𝑓𝑜 ln 1 − 𝜂 0.2(4.7 × 103 Ω)
𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟏 𝑅𝐵1 =
15𝑉
𝑉𝑃 = 𝜂𝑉𝐵𝐵 + 0.7𝑉 1
𝐶𝐸 = 𝑅𝐵1 = 62.7 Ω
𝑉𝑃 = (0.65)(15 𝑉) + 0.7𝑉 1
(150 × 103 Ω)(3.2 × 103 𝐻𝑧) ln
1 − 0.65
𝑉𝑃 = 10.45 𝑉
𝐶𝐸 = 1.98𝑛𝐹 ⇒ 𝟐. 𝟐𝒏𝑭 56 𝛺 68 𝛺
𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟐
0.28𝑅𝐵𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑉 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑃 Recálculo con 𝐶𝐸 = 2.2𝑛𝐹: 𝑅𝐵2 =
≤ 𝑅𝐸 ≤ 𝜂𝑉𝐵𝐵
𝐼𝑉 𝐼𝑃 1
𝑅𝐸 = 0.28(7 × 103 Ω)
1 𝑅𝐵2 =
15𝑉 − 1𝑉 15𝑉 − 10.45𝑉 (2.2 × 10−9 𝐹)(3.2 × 103 𝐻𝑧) ln
≤ 𝑅 ≤ 1 − 0.65 0.65 15𝑉
𝐸
7 × 10−3 𝐴 3 × 10−6 𝐴
𝑅𝐸 = 135 𝑘Ω 𝑅𝐵2 = 201 Ω
2 𝑘Ω ≤ 𝑅𝐸 ≤ 1.52 𝑀Ω
𝑅𝐸 = 𝑹𝟏 + 𝑷
𝑆𝑖 𝑅𝐸 = 150 kΩ 𝟏𝟐𝟎 𝒌𝜴 𝟓𝟎 𝒌𝜴 180 𝛺 220 𝛺
 𝑨 +

𝑨 + 𝑨 +
A = Ánodo
K = Cátodo 𝑮𝑨
G = Compuerta
𝑮𝑨
𝑇1 𝑮𝑨

𝑲 − 𝑇2

𝑲 −
𝑲 −
 𝑽𝑬
UJT
𝑽𝑷
𝑹𝑹𝑵
𝑽𝑷 Voltaje de pico
𝑰𝑷 Corriente de pico
𝑽𝑽
𝑽𝑽 Voltaje de valle
𝑰𝑽 Corriente de valle
𝑰𝑬 𝑹𝑹𝑵 Región de resistencia negativa
𝑰𝑷 𝑰𝑽
𝜼 Razón Intrínseca de apagado
 +𝑽

𝑹𝟏 1
𝑓𝑜 =
𝑉
𝑹𝑨 𝑅𝐴 𝐶𝐴 ln
𝑉 − 𝑉𝑃 Característica PUT 2N6028
𝑷 𝑹𝑮𝟐
𝑉𝐴 = 𝑉𝑃 = 𝜂𝑉 + 0.7𝑉 𝜂 (0.56 − 0.75)
𝑉 − 𝑉𝑉 𝑉 − 𝑉𝑃 𝑅𝐺𝐺 10 𝑘Ω
≤ 𝑅𝐴 ≤
𝑨 𝑮 𝐼𝑉 𝐼𝑃 0.7 − 1 𝑚𝐴
𝐼𝑃 𝐼𝑃𝑀í𝑛 𝐼𝑃𝑇𝑖𝑝
𝑅𝐺𝐺 = 𝑅𝐺1 + 𝑅𝐺2
𝑪𝑨 𝑲 𝑹𝑮𝟏 25 − 150 𝜇𝐴
𝑅𝑘 = 0.1 − 1 𝑘Ω
𝑹𝑲 𝐼𝑉 𝐼𝑉𝑀í𝑛 𝐼𝑉𝑇𝑖𝑝
𝑅𝐺1 = 𝜂𝑅𝐺𝐺

𝑉𝐺 = 𝜂𝑉 𝑉𝑉 1𝑉
 Datos - 2N6028
𝒇𝒐 𝟏. 𝟓 𝒌𝑯𝒛 𝑽𝑽 𝟏𝑽
𝑹𝑮𝑮 𝟏𝟎 𝒌𝛀 𝑰𝑽 𝟏𝟓𝟎 𝝁𝑨
𝑽 𝟏𝟐 𝑽 𝑰𝑷 𝟎. 𝟕 𝝁𝑨 𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟑 𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟒
1 𝑅𝐺1 = 𝜂𝑅𝐺𝐺
𝐶𝐴 =
𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟏 𝑉 𝑅𝐺1 = 0.75 (10 𝑘Ω)
𝑅𝐴 𝑓𝑜 ln 𝑉 − 𝑉
Si 𝜂 = 0.75 𝑃
𝑅𝐺1 = 7.5 𝑘Ω
𝑉𝑃 = 𝜂𝑉 + 0.7𝑉 1
𝐶𝐴 =
12 𝑉
𝑉𝑃 = (0.75)(12 𝑉) + 0.7𝑉 (250 × 103 Ω)(1.5 × 103 𝐻𝑧) ln 12 𝑉 − 9.7 𝑉 7.2 𝑘𝛺 8.6 𝑘𝛺
𝑉𝑃 = 9.7 𝑉 2.2 𝑛𝐹
𝐶𝐴 = 1.61𝑛𝐹 𝑅𝐺2 = 𝑅𝐺1 − 𝑅𝐺𝐺
𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟐 1.5 𝑛𝐹
Recálculo con 𝐶𝐴 = 1.5 𝑛𝐹: 𝑅𝐺2 = 10 𝑘Ω − 7.5 𝑘Ω
𝑉 − 𝑉𝑉 𝑉 − 𝑉𝑃 1 𝑅𝐺2 = 2.5 𝑘Ω
≤ 𝑅𝐴 ≤ 𝑅𝐴 =
𝐼𝑉 𝐼𝑃 12 𝑉
(1.5 × 10−9 𝐹)(1.5 × 103 𝐻𝑧) ln 12 𝑉 − 9.7 𝑉
12𝑉 − 1𝑉 12𝑉 − 9.7𝑉 2.2 𝑘𝛺 2.7 𝑘𝛺
≤ 𝑅𝐴 ≤ 𝑅𝐴 = 269 𝑘Ω
150 × 10−6 𝐴 0.7 × 10−6 𝐴 𝑅𝑘 = 0.1 − 1 𝑘Ω
73.3 𝑘Ω ≤ 𝑅𝐴 ≤ 3.28 𝑀Ω 𝑅𝐴 = 𝑹𝟏 + 𝑷
𝑅𝑘 = 560 𝛺
𝟐𝟐𝟎 𝒌𝜴 𝟏𝟎𝟎 𝒌𝜴
Si 𝑅𝐴 = 250 𝑘Ω
 𝑨 +

A = Ánodo 𝑨 +
K = Cátodo 𝑮
G = Compuerta

𝑲 − 𝑲 −
 𝑰

SUS
𝑹𝑹𝑵 𝑽𝑺 Voltaje de conmutación
𝑰𝑯 𝑰𝑺 Corriente de conmutación
𝑰𝑺
𝑽𝑨𝑲 − 𝑽𝑨𝑲 + 𝑽𝑯 Voltaje de mantenimiento
𝑽𝑩𝑹𝑹
𝑽𝑯 𝑽𝑺 𝑰𝑯 Corriente de mantenimiento
𝑽𝑩𝑹𝑹 Voltaje de ruptura inversa
 1
𝑹𝟏 𝑓𝑜 =
𝑉
𝑅𝐶 ln 𝑉 − 𝑉
𝑆
𝑹
𝑷 𝑉 − 𝑉𝐻 𝑉 − 𝑉𝑆 Característica SUS 2N4990
≤𝑅≤
𝐼𝐻 𝐼𝑆 𝑉𝑆 7−9 𝑉
𝑽 𝑮 𝑮 𝑽𝒐 𝑅𝑆 = 0.1 − 1 𝑘Ω 𝐼𝑆𝑀á𝑥 200 𝜇𝐴
𝑲 𝑨
𝐼𝐻𝑀á𝑥 0.75 𝑚𝐴
𝑹𝒐 𝑉𝐻 1𝑉
𝑪
 SBS 𝑰
𝑽𝑺 Voltaje de conmutación
𝑰𝑺 Corriente de conmutación
𝑽𝑯 Voltaje de mantenimiento
𝑹𝑹𝑵
𝑰𝑯 Corriente de mantenimiento
𝑰𝑯
𝑰𝑺
−𝑽𝑺 −𝑽𝑯 𝑽𝑻𝟏 𝑻𝟐 +
𝑻𝟏 𝑽𝑻𝟏 𝑻𝟐 − 𝑽𝑯 𝑽𝑺
−𝑰𝑺
−𝑰𝑯
𝑮
𝑹𝑹𝑵

A = Ánodo
K = Cátodo
G = Compuerta 𝑻𝟐
 1
𝑹𝟏 𝑓𝑜 =
𝑉𝑚
𝑅𝐶 ln 𝑉 −
𝑚 𝑉𝑆
𝑹
𝑷 𝑉𝑚 − 𝑉𝐻 𝑉𝑚 − 𝑉𝑆 Característica SBS 2N4991
𝑽𝒎 ≤𝑅≤
+ 𝑮 𝐼𝐻 𝐼𝑆 𝑉𝑆 ± 6 − 10 𝑉
− 𝒗𝒐 𝑅𝑜 = 0.1 − 1 𝑘Ω 𝐼𝑆𝑀á𝑥 ±500 𝜇𝐴
−𝑽𝒎
𝑻𝟏 𝑻𝟐 𝐼𝐻𝑀á𝑥 ±1.5 𝑚𝐴
𝑹𝒐 𝑉𝐻 ±1 𝑉
𝑪
 Datos - 2N4991 𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟐
1
𝒇𝒐 𝟐 𝒌𝑯𝒛 𝒗𝒆 𝟏𝟐𝟎 𝑽𝒓𝒎𝒔 𝐶=
𝑉𝑚
𝑽𝑺 ±𝟖 𝑽 𝑽𝑯 ±𝟏 𝑽 𝑅𝑓𝑜 ln 𝑉 −
𝑚 𝑉𝑆
𝑰𝑺 𝟑𝟎𝟎 𝝁𝑨 𝑰𝑯 𝟏 𝒎𝑨 1
𝐶=
170 𝑉
𝑉𝑚 (300 × 103 Ω)(2 × 103 𝐻𝑧) ln 170 𝑉 − 8 𝑉
𝑣𝑒 = 120 𝑉𝑟𝑚𝑠 =
2 47 𝑛𝐹
𝑉𝑚 = 120 𝑉 2 ≈ 170 𝑉 𝐶 = 34.57 𝑛𝐹
33 𝑛𝐹
𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟏 𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟑
𝑉𝑚 − 𝑉𝐻 𝑉𝑚 − 𝑉𝑆 Recálculo con 𝐶 = 33 𝑛𝐹:
≤𝑅≤ 1
𝐼𝐻 𝐼𝑆 𝑅=
170 𝑉
(33 × 10−9 𝐹)(2 × 103 𝐻𝑧) ln 170 𝑉 − 8 𝑉
170𝑉 − 1𝑉 170𝑉 − 8𝑉
≤𝑅≤
1 × 10−3 𝐴 300 × 10−6 𝐴
𝑅 = 314.33 𝑘Ω = 𝑹𝟏 + 𝑷
169 𝑘Ω ≤ 𝑅 ≤ 540 𝑘Ω 𝟐𝟕𝟎 𝒌𝜴 𝟓𝟎 𝒌𝜴

Si 𝑅 = 300 𝑘Ω 𝑅𝑜 = 560 𝛺
 𝑻𝟏 𝑻𝟏

𝑻𝟐 𝑻𝟐
𝑻𝟏 = Terminal 1
𝑻𝟐 = Terminal 2
 𝑰

𝑰𝑯

𝑰𝑩𝒐
−𝑽𝑩𝒐 −𝑽𝑯 𝑽𝑻𝟏 𝑻𝟐 +
SBS 𝑽𝑯 𝑽𝑩𝒐
𝑽𝑻𝟏 𝑻𝟐 − −𝑰𝑩𝒐
𝑽𝑩𝒐 Voltaje de ruptura
𝑰𝑩𝒐 Corriente de ruptura
−𝑰𝑯
𝑽𝑯 Voltaje de mantenimiento
𝑰𝑯 Corriente de mantenimiento
 1
𝑓𝑜 =
𝑹𝟏 𝑉
𝑅𝐶 ln 𝑉 −𝑚𝑉
𝑹 𝑚 𝐵𝑜

𝑷 Característica DIAC NTE6407

𝑽𝒎 𝑉𝑚 − 𝑉𝐻 𝑉𝑚 − 𝑉𝐵𝑜
≤𝑅≤ 𝑉𝐵𝑜 ± 24 − 32 𝑉
+ 𝐼𝐻 𝐼𝐵𝑜
− 𝒗𝒐 𝐼𝐵𝑜 ±25 𝜇𝐴
−𝑽𝒎 𝑅𝑜 = 0.1 − 1 𝑘Ω 𝑀á𝑥
𝑻𝟏 𝑻𝟐
𝐼𝐻𝑀á𝑥 ±10 𝑚𝐴
𝑹𝒐 𝑉𝐻 𝑉𝐵𝑜 − 7 𝑉
𝑪
En la siguiente diapositiva se ilustra un medio de bajo coste para utilizar el SCR como regulador cargador
de baterías, eliminando así los problemas inherentes en relés de tensión electromecánicos (contacto
pegado, quemado, desgaste, etc). Tal como se muestra el circuito es capaz de cargar una batería de 12 V
hasta un rango de 6 A. Cuando el voltaje de la batería alcanza completamente su nivel de carga, el SCR
de carga se apaga y una muy pequeña carga determinada por el valor de 𝑅1 y 𝑅2 continúa fluyendo. 𝐷1 y
𝐷2 suministran corriente directa (rectificado de onda completa) a 𝑆𝐶𝑅1 en serie con la batería a cargar. Con
un voltaje de la batería bajo, 𝑆𝐶𝑅1 es activado cada semiciclo a través de la resistencia 𝑅6 y el diodo 𝐷4 .
Bajo estas condiciones el voltaje recolectado 𝑉𝑅 en el cursor del potenciómetro 𝑅4 es menor que la tensión
de ruptura del diodo Zener 𝐷𝑍 y el 𝑆𝐶𝑅2 no se puede disparar.
Cuando la batería se acerca a la carga completa, su voltaje de terminal aumenta, la magnitud de 𝑉𝑅 es
igual a 𝑉𝑍 (más la tensión de puerta requerida para activar 𝑆𝐶𝑅2 ), y 𝑆𝐶𝑅2 se comienza a activar cada
semiciclo. Al principio 𝑆𝐶𝑅2 dispara a 𝜋 2 radianes (90°) después del inicio de cada semiciclo, coincidiendo
con el voltaje máximo de suministro, la corriente de carga máxima y el voltaje máximo de la batería. A
medida que el voltaje de la batería aumenta aún más mientras que la carga continúa, el ángulo de disparo
de 𝑆𝐶𝑅2 avanza cada semiciclo hasta que eventualmente 𝑆𝐶𝑅2 se dispara antes de que la onda sinusoidal
de entrada tenga suficiente magnitud para activar 𝑆𝐶𝑅1 . Con 𝑆𝐶𝑅2 en primer lugar en un semiciclo, la
acción del divisor de voltaje de 𝑅6 y 𝑅7 mantiene a 𝐷4 en polarización inversa, y 𝑆𝐶𝑅1 es incapaz de
dispararse, así la sobrecarga cesa. El diodo 𝐷3 y las resistencias 𝑅1 y 𝑅2 pueden añadirse, si se desea,
para cargar mínimamente la batería durante los periodos normales de "apagado". La sobrecarga se
reiniciará automáticamente cuando 𝑉𝑅 caiga por debajo de 𝑉𝑍 y 𝑆𝐶𝑅2 deje de activarse cada ciclo.
 𝑫𝟏

𝑭𝟏𝟐𝑪𝟐𝟎𝑪 𝑭𝟏𝟐𝑪𝟐𝟎𝑪 𝑵𝑻𝑬𝟓𝟒𝟗𝟐

𝑫𝟑 𝟒𝟕 𝛀 𝑹𝟔
𝟏𝟐𝟎𝒗𝒓𝒎𝒔 𝑺𝑪𝑹𝟏 𝟐𝑾
𝑫𝟒
𝑭𝟏𝟐𝑪𝟐𝟎𝑪

𝟒𝟕𝟎 𝛀 𝟓 𝑾
𝟏𝟎: 𝟏 𝑫𝟐 𝑹𝟏 𝑭𝟏𝟐𝑪𝟐𝟎𝑪
𝑹𝟕
𝟒𝟕 𝛀
𝟐𝑾
𝑹𝟐 𝑹𝟑
𝑪𝟏𝟎𝟔𝑫𝑮
𝟐𝟓𝟎 𝛀 𝟓 𝑾 𝟒𝟕 𝛀 𝟎. 𝟓 𝑾
𝑺𝑪𝑹𝟐
𝑫𝒁
𝑹𝟒
Batería
a cargar 𝟏 𝑴𝛀 +
𝑽𝑹 𝟏𝑵𝟓𝟑𝟒𝟖𝑩
− 𝑹𝟓
𝑪 𝟏 𝒌𝛀 𝟎. 𝟓 𝑾
𝟒𝟕𝝁𝑭
𝟑𝟓𝑽
El circuito mostrado en la siguiente diapositiva es accionado por un aumento en la capacitancia
entre un electrodo de detección y el lado de tierra de la línea. La sensibilidad se puede ajustar
para cambiar cuando un cuerpo humano está a unas pulgadas de la placa aislada utilizada
como electrodo de detección. Así, este circuito se puede utilizar como un interruptor táctil
aislado eléctricamente, o como un detector de proximidad en circuitos de alarma.

El PUT 2N6027, se pondrá en "ON" cuando el voltaje del ánodo supere al voltaje de la
compuerta en una cantidad conocida como voltaje de disparo (aproximadamente 0,5 V). Esta
tensión del ánodo se sujeta a la tensión "ON" del diac. A medida que la capacitancia entre el
electrodo de detección y la tierra aumenta (debido a un cuerpo que se aproxima), el ángulo de
desfase entre las tensiones de ánodo y puerta del PUT aumenta hasta que el diferencial de
tensión en algún momento es lo suficientemente grande para disparar este PUT. Debido a que
el voltaje del ánodo está sujeto, es más grande sólo al principio del ciclo; Por lo tanto, la
conmutación debe ocurrir a inicio del ciclo.
La sensibilidad se ajusta con el potenciómetro de 1 𝑀Ω que determina el nivel de voltaje del
ánodo antes de la sujeción. Esta sensibilidad será proporcional al área de las superficies que
se oponen entre sí.
 𝟒. 𝟕 𝒌𝛀 𝟏𝟎 𝑴𝛀
Buzzer
𝟏 𝑴𝛀
𝑵𝑻𝑬𝟔𝟒𝟎𝟕
𝑨𝒍 𝑬𝒍𝒆𝒄𝒕𝒓𝒐𝒅𝒐
120 𝑣𝑎𝑐 𝟏 𝑴𝛀 𝟐𝑵𝟔𝟎𝟐𝟕
60 𝐻𝑧 𝑺𝒆𝒏𝒔𝒊𝒃𝒍𝒆
𝑪𝟏𝟎𝟔𝑫𝑮

𝟏 𝒌𝛀
Todas las
resistencias a 1 W.
El circuito mostrado en la siguiente diapositiva muestra un sistema de
iluminación de emergencia que mantiene una batería de 6 V a plena carga y
conmuta automáticamente desde el suministro de corriente alterna a la batería.

El transformador y los diodos 𝐷1 y 𝐷2 suministran voltaje CD para la lámpara

de 6 V. El 𝑆𝐶𝑅 y 𝑅1 suministran corriente de carga a la batería, que se puede
variar con 𝑅1 . El ánodo y la compuerta del 𝑆𝐶𝑅 se mantienen al voltaje de la
batería, mientras que el cátodo del 𝑆𝐶𝑅 se mantiene a un potencial más alto
que el de 𝐶. Si el voltaje en el cátodo del 𝑆𝐶𝑅 cae por debajo del voltaje de la
batería debido a la interrupción de la entrada de corriente alterna, el 𝑆𝐶𝑅 se
disparará y suministrará a la lámpara con energía de la batería. Cuando vuelva
a aparecer la corriente alterna, el 𝑆𝐶𝑅 se apagará automáticamente y la batería
se volverá a cargar.
 𝑫𝟑 𝑹𝟏
𝟏𝟎𝟎 𝛀
𝑭𝟏𝟐𝑪𝟐𝟎𝑪 𝟏𝑾
𝑫𝟏 𝑪𝟏𝟎𝟔𝑫𝑮

𝟔𝑽 𝟏𝑵𝟓𝟒𝟎𝟕 𝑺𝑪𝑹
𝟏𝟎𝟎 𝝁𝑭
𝟏𝟐𝟎 𝒗𝒂𝒄 𝟏𝟎 𝑽
𝑪
𝟔𝑽 𝟏𝑵𝟓𝟒𝟎𝟕

𝟔𝑽
𝑹𝟑
𝑫𝟐 𝟏 𝒌𝛀
𝟏𝑾
𝟏𝟓𝟎 𝛀 𝟔𝑽
𝑹𝟐 𝟏𝑾
Para requerimientos muy altos de la carga, los circuitos intermitentes de corriente
directa tienen la desventaja de requerir un condensador de conmutación muy grande.
En tales aplicaciones, el uso de circuitos intermitentes de AC termina siendo más
económico. El circuito de la siguiente diapositiva ilustra un circuito flip-flop intermitente
de potencia que puede manejar dos cargas independientes de hasta 2.5 KW cada una.
El transformador, los diodos rectificadores, la resistencia 𝑅1 y el capacitor 𝐶1
proporcionan el suministro de corriente continua al oscilador monounión de
funcionamiento libre y a los transistores T1 y T2 del flip-flop. El voltaje de interbase para
el UJT se toma directamente desde el lado positivo del rectificador por puente de diodos
para sincronizar el oscilador monounión de funcionamiento libre con la frecuencia de la
alimentación. Los impulsos de salida negativos desarrollados a través de 𝑅4 activan los
transistores del flip-flop que alternadamente activan y desactivan los TRIAC. La
velocidad de parpadeo se determina por la constante de tiempo de 𝑅2 , 𝑅3 y 𝐶2 .

𝑻𝑹𝑰𝑨𝑪𝟏 , 𝑻𝑹𝑰𝑨𝑪𝟐 : 𝑴𝑨𝑪𝟏𝟓𝑨𝟖𝑮 𝑻𝟏 , 𝑻𝟐 : 𝟐𝑺𝑨𝟏𝟎𝟏 𝑹𝟐 : 𝟐 𝑴𝛀 𝑹𝟕 , 𝑹𝟖 , 𝑹𝟗 : 𝟓𝟔𝟎 𝛀

𝑫𝟏 , 𝑫𝟐 , 𝑫𝟑 , 𝑫𝟒 : 𝟏𝑵𝟓𝟒𝟎𝟕 𝑪𝟏 : 𝟓𝟎𝟎 𝝁𝑭 𝟐𝟓𝑽 𝑹𝟑 : 𝟏 𝑴𝛀 𝑹𝟏𝟎 , 𝑹𝟏𝟏 , 𝑹𝟏𝟐 , 𝑹𝟏𝟑 : 𝟏𝟎 𝒌𝛀
𝑫𝟓 , 𝑫𝟔 : 𝟏𝑵𝟓𝟑𝟗𝟗 𝑪𝟐 : 𝟎. 𝟐 𝝁𝑭 𝑹𝟒 : 𝟏𝟎𝟎 𝛀
𝑼𝑱𝑻: 𝟐𝑵𝟐𝟔𝟒𝟔 𝑪𝟑 , 𝑪𝟒 : 𝟎. 𝟎𝟓 𝝁𝑭 𝑹𝟓 , 𝑹𝟔 : 𝟑𝟑 𝛀 Todas las
resistencias a 10 W.
 𝟏𝟎: 𝟏

120 𝑣𝑎𝑐

𝑻𝑹𝑰𝑨𝑪𝟏 𝑻𝑹𝑰𝑨𝑪𝟐

𝑹𝟐 𝑹𝟓
𝑹𝟏 𝑹𝟔

𝑹𝟑
𝑹𝟗
𝑫𝟏 𝑫𝟐 𝑹𝟕 𝑹𝟏𝟎 𝑹𝟖
𝑪𝟏 𝑹𝟏𝟏
𝑫𝟓 𝑫𝟔

𝑪𝟐 𝑻𝟏 𝑻𝟐
𝑼𝑱𝑻
𝑫𝟑 𝑫𝟒 𝑪𝟑 𝑹𝟏𝟑
𝑹𝟏𝟐 𝑪𝟒
𝑹𝟒
Un fototransistor y un transistor monojuntura en
combinación permiten detectar niveles mucho más bajos de
luz. Para el primer circuito de la siguiente diapositiva,
cuando el fototransistor tiene luz incidente sobre ella, el
transistor monojuntura oscilará como un oscilador de
relajación. Puesto que su frecuencia es considerablemente
más alta que 60 Hz, el 𝑆𝐶𝑅 se enciende a inicios de la mitad
positiva de cada ciclo. El segundo circuito de la siguiente
diapositiva energiza la carga cuando se retira la luz del
fototransistor. En este circuito, cuando el fototransistor está
en la oscuridad, el transistor monojuntura funciona como un
oscilador de relajación y energiza la carga en los semiciclos
positivos.
 𝟑𝟑 𝒌𝛀

𝑷𝑻𝟏𝟑𝟎𝟎 𝟐𝟐𝟎 𝛀 𝟏𝟎𝟎 𝒌𝛀 𝟐𝟐𝟎 𝛀

20 𝑽
20 𝑽
+ 𝟏𝟐𝟎 𝒗𝒂𝒄 + 𝟏𝟐𝟎 𝒗𝒂𝒄
− 𝟔𝟎 𝑯𝒛 − 𝟔𝟎 𝑯𝒛
𝟐𝑵𝟐𝟔𝟒𝟔 𝑪𝟏𝟎𝟔𝑫𝑮 𝑷𝑻𝟏𝟑𝟎𝟎 𝟐𝑵𝟐𝟔𝟒𝟔 𝑪𝟏𝟎𝟔𝑫𝑮

𝟓 𝑴𝛀 𝟐𝟐 𝒏𝑭 𝟐𝟐 𝒏𝑭
𝟐𝟐 𝛀 𝟐𝟐 𝛀

Detector De Presencia De Luz Detector De Ausencia De Luz

Todas las
resistencias a 1 W.
La forma más elemental de control de fase de onda completa es el simple circuito
DIAC/TRIAC de la siguiente diapositiva. La forma de onda del voltaje del
condensador, 𝑉𝐶 , es bastante similar al caso de media onda, con la excepción
principal de que el voltaje residual del condensador, 𝑉𝑜 , al comienzo de cada
semiciclo es opuesta en polaridad al siguiente voltaje de conmutación, 𝑉𝑆 , que
debe ser alcanzado. Si la resistencia 𝑅1 se incrementa ligeramente, al comienzo
de este ciclo, 𝑉𝑜 es el mismo que el estado estacionario puesto que el DIAC había
conmutado en el semiciclo precedente. Al final del primer semiciclo, sin embargo,
el voltaje del condensador está justo por debajo de Vs, y el DIAC permanece
inactivo. Esto cambia 𝑉𝑜 a +𝑉𝑆 al comienzo del segundo semiciclo. Por lo tanto, el
voltaje máximo del condensador en el semiciclo negativo está considerablemente
por debajo de 𝑉𝑆 . En todos los ciclos posteriores 𝑉𝑜 = 𝑉𝐶𝑝 y el valor de pico de 𝑉𝐶
permanecerá por debajo de 𝑉𝑆 hasta que el valor de 𝑅1 se reduzca.
𝑑𝑣
Así, el ramal derecho es este supresor requerido.
𝑑𝑖
 𝑴
Motor Universal
(Onda Completa) 𝟐𝟓𝟎 𝛀

𝑹𝟏 𝑹𝟐
𝑻𝑹𝑰𝑨𝑪 𝟏𝟎𝟎 𝛀
𝑵𝑻𝑬𝟔𝟒𝟎𝟕

120 𝑣𝑎𝑐 𝑴𝑨𝑪𝟏𝟓𝑨𝟖𝑮

60 𝐻𝑧

𝑫𝑰𝑨𝑪
𝑪𝟏 𝑪𝟐
𝟎. 𝟏 𝝁𝑭 𝟎. 𝟏 𝝁𝑭

Todas las
resistencias a 1 W.
En el circuito de la siguiente diapositiva se muestra un
intermitente secuencial tal como se utiliza en las señales de
cambio automotrices.
Cuando el interruptor de señal de giro 𝑆 está cerrado, la lámpara
𝐿1 se activará y el condensador 𝐶1 se cargará al voltaje de
disparo de 𝑃𝑈𝑇1 . Tan pronto como el voltaje del ánodo del 𝑃𝑈𝑇1
supere su voltaje de puerta en 0.5 V, 𝑃𝑈𝑇1 cambiará al modo de
baja resistencia, activando de este modo el 𝑆𝐶𝑅1 para activar la
lámpara 𝐿2 y el segundo circuito de temporización. Después de
que 𝑃𝑈𝑇2 cambie al estado de baja resistencia, el 𝑆𝐶𝑅2 , se
activará para activar la lámpara 𝐿3 .
Cuando el intermitente mecánico interrumpe la corriente a las
tres lámparas, 𝑆𝐶𝑅1 y 𝑆𝐶𝑅2 se conmutan y el circuito está listo
para otro ciclo.
 𝑻𝒆𝒎𝒑𝒐𝒓𝒊𝒛𝒂𝒅𝒐𝒓𝟏 𝑻𝒆𝒎𝒑𝒐𝒓𝒊𝒛𝒂𝒅𝒐𝒓𝟐
𝑶𝑓𝑓

𝑺 𝑶𝑛 𝑨

𝑹𝟐 𝑹𝟏 𝟏𝟎 𝒌𝛀 𝟏 𝑴𝛀
𝟏𝟎 𝒌𝛀 𝟏 𝑴𝛀

𝑪𝟏𝟏𝟔𝑫

𝑷𝑼𝑻𝟏 𝑺𝑪𝑹𝟏 𝑪𝟏𝟏𝟔𝑫 𝑷𝑼𝑻𝟐 𝑺𝑪𝑹𝟐

𝟐𝑵𝟔𝟎𝟐𝟕 𝟐𝑵𝟔𝟎𝟐𝟕
20 𝑽 𝑳𝟏 𝑹𝟑 𝟏𝟎𝟎 𝒌𝛀
𝟏𝟎𝟎 𝒌𝛀
𝑹𝟒
𝟏𝟎𝟎 𝒌𝛀 𝑪𝟏 𝟏𝟎𝟎 𝒌𝛀 𝑪𝟐
𝟎. 𝟓 𝝁𝑭 𝟎. 𝟓 𝝁𝑭

𝑳𝟐 𝑳𝟑

𝑩
En muchos casos, una correcta operación a baja velocidad sin ninguna especificación
restrictiva sobre la corriente de compuerta para el disparo requeriría una red de baja
impedancia tal que las clasificaciones de potencia de las resistencias y el tamaño del
condensador resultarían difíciles y costosas. En tales casos, un dispositivo de disparo de
baja tensión tal como un SUS puede actuar como un amplificador de compuerta como en el
circuito de la siguiente diapositiva. El uso del 𝑆𝑈𝑆 en este circuito permite utilizar una red de
impedancia mucho más alta para 𝑅1 , 𝑅2 y 𝐶1 , permitiendo así componentes de menor
tamaño y de menor coste. En este circuito el voltaje de referencia 𝑉1 debe superar la fuerza
electromotriz inducida 𝑉2 por al menos el voltaje de ruptura del 𝑆𝑈𝑆 que es de usualmente
de entre 8 V a 10 V. Cuando el 𝑆𝑈𝑆 se activa, descarga a 𝐶2 en la compuerta, suministrando
un fuerte pulso de corriente para activar al 𝑆𝐶𝑅. Esto elimina cualquier necesidad de
seleccionar un 𝑆𝐶𝑅 adecuado para la corriente de disparo de compuerta y elimina cualquier
dependencia del circuito con la corriente de disparo del 𝑆𝐶𝑅 particular utilizado.
 𝟑𝟗 𝒌𝛀 𝑺𝑪𝑹
𝑹𝟏 𝟏𝑾
𝑪𝟏𝟐𝟐𝑫𝟏
𝟏𝟎 𝒌𝛀 𝑹𝑳𝟐𝟎𝟔
𝑺𝑼𝑺 𝑮
𝟐𝒏𝟒𝟗𝟗𝟎
𝑪𝟏 𝑹𝟐
𝟎. 𝟓 𝝁𝑭 𝑫𝟏
120 𝑣𝑎𝑐 𝟏𝟎𝟎 𝑽 𝑪𝟐
60 𝐻𝑧
𝟎. 𝟎𝟓 𝝁𝑭
𝟓𝟎 𝑽
𝑽𝟏
𝑽𝟐
𝑹𝑳𝟐𝟎𝟔
𝑫𝟐 Motor Universal
𝑴
El control de fase es un circuito construido a base de
tiristores que controlan la potencia en la carga al ser
disparados sincrónicamente por un generador de pulsos a
tiempo determinado.
La corriente que circula por la carga depende del ángulo de
disparo del tiristor. La conmutación del dispositivo se de
forma natural (al invertirse la señal de alimentación).
Este método de control de potencia es muy eficaz; sin
embargo, el número de armónicos aumenta en algunas
aplicaciones por lo que habrá que filtrarlas. Es muy utilizado
en el control de motores de corriente directa y universales,
en el control de iluminación, de temperatura, etc.
 𝑣𝑒
a) Control De Fase De Media
Onda Para Carga De CD
𝑡

𝑣𝑇
∡𝐷𝑖𝑠𝑝𝑎𝑟𝑜 = 0° ⇒ ∡𝐶𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑐𝑖ó𝑛 = 180°
𝑇
1
𝑉𝑃𝑟𝑜𝑚 = 𝑓 𝑡 𝑑𝑡
𝑇 0 𝑡
𝟏𝟐𝟎 𝒗𝒂𝒄
+
Para un rectificador monofásico
−
𝑉𝑃𝑟𝑜𝑚 = 0.318𝑉𝑚 = 0.318 170 𝑉
𝑉𝑃𝑟𝑜𝑚 = 54𝑉𝐷𝐶 𝑣𝐿

Si
∡𝐷𝑖𝑠𝑝𝑎𝑟𝑜 = 180° ⇒ ∡𝐶𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑐𝑖ó𝑛 = 0°
𝑡
𝑉𝑃𝑟𝑜𝑚 = 0 𝑉𝐷𝐶
 b) Control De Fase De Media Onda
para carga de CA
𝑣𝑒

𝑣𝑇

𝟏𝟐𝟎 𝒗𝒂𝒄
+ 𝑡
−

𝑣𝐿

𝑡
c) Control De Fase De Onda 𝑣𝑒
Completa Para carga de
AC
𝑡

𝑣𝑇

𝑡
𝟏𝟐𝟎 𝒗𝒂𝒄
+
− 𝑣𝐿

𝑡
 𝑣𝑒
d) Control De Fase De
Onda Completa
para carga de CA
𝑡
𝑣𝑇1

𝑻𝟏
𝑫𝟏
𝟏𝟐𝟎 𝒗𝒂𝒄 𝑡
+ 𝑣𝑇2
−

𝑻𝟐 𝑫𝟐
𝑡
𝑣𝐿

𝑡
 𝑣𝑒
e) Control De Fase De Onda Completa Para
Carga De CA (𝑳𝟏 ) O CD (𝑳𝟐 ).
𝑡
𝑣𝑇

𝑡
𝟏𝟐𝟎 𝒗𝒂𝒄 𝑣𝐿1
+
−

𝑣𝐿2

𝑡
 𝑽𝑿

𝑹𝒁
𝑽𝒁

𝑹𝟏
𝑹𝑬
𝑹𝑩𝟐
𝟏𝟐𝟎 𝒗𝒂𝒄 𝑷
+
−
𝑫𝒁
𝑩𝟐 𝑽𝑬
𝑬
𝑩𝟏

𝑪𝑬
𝑹𝑩𝟏
 • Diseñar un control de fase monofásico que regule un ángulo de disparo de 30° a
160° grados eléctricos, con UJT y un diodo Zener de 15V.
Calcular: ∡𝐿 = 20° − 150° 𝑼𝑱𝑻 𝟐𝑵𝟐𝟔𝟒𝟔 𝑓 = 60 𝐻𝑧
• 𝑅𝑍 ∡𝐷 = 30° − 160° 𝐼𝑉 = 8 𝑚𝐴
𝑣𝑒 = 120 𝑣𝑟𝑚𝑠
• 𝑊𝑅𝑍 𝐼𝑃 = 2 𝜇𝐴
𝑉𝑚 ≈ 170 𝑉
• 𝑊𝐷𝑍 Zener 𝑉𝑉 = 1𝑉
• 𝑅𝐵1 1 1
𝐷𝑍 = 15𝑉/? 𝑊 𝑅𝐵𝐵 = 4.7 𝑘Ω − 9.1 𝑘Ω ⟶ 7 𝑘𝛺 𝑇= = = 16. 666 𝑚𝑠
• 𝑅𝐵2 𝑓 60 𝐻𝑧
• 𝑅𝐸 𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 = 15 𝑚𝐴 𝜂 = 0.65

𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟏
Para ∡𝐷 = 30° Para ∡𝐷 = 160°
360° − 16.666 𝑚𝑠 360° − 16.666 𝑚𝑠
30° − 𝑡1 160° − 𝑡2

30° 16. 666 𝑚𝑠 160° 16. 666 𝑚𝑠

𝑡1 = = 1.38𝑚𝑠 𝑡2 = = 7.4 𝑚𝑠
360° 360°

1 1 1 1
𝑓1 = = = 720 𝐻𝑧 𝑓2 = = = 135 𝐻𝑧
𝑡1 1.38 𝑚𝑠 𝑡2 7.4 𝑚𝑠
 𝑷𝒂𝒔𝒐 2
𝑉𝑃 = 𝜂𝑉𝑍 + 0.7𝑉 𝑆𝑖 𝑓2 = 135 𝑘𝐻𝑧
𝑉𝑃 = (0.65)(15𝑉) + 0.7𝑉 1
𝑉𝑃 = 10.45 𝑉 𝐶𝐸 2 =
1
(135 𝐻𝑧) 180 × 103 Ω ln
𝑷𝒂𝒔𝒐 3 1 − 0.65
𝐶𝐸 2 = 39 𝑛𝐹
𝑉𝑍 − 𝑉𝑉 𝑉𝑍 − 𝑉𝑃
≤ 𝑅𝐸 ≤ 𝑷𝒂𝒔𝒐 5
𝐼𝑉 𝐼𝑃
15𝑉 − 1𝑉 15𝑉 − 10.45𝑉 𝑆𝑖 𝐶𝐸 = 22 𝑛𝐹
≤ 𝑅 𝐸 ≤ 1
8 × 10−3 𝐴 2 × 10−6 𝐴 𝑅𝐸 1 =
1.75 𝑘Ω ≤ 𝑅𝐸 ≤ 2.275 𝑀Ω 1
22 × 10−9 𝐹 720 𝐻𝑧 ln
1 − 0.65
𝑷𝒂𝒔𝒐 4 𝑅𝐸 1 = 60.13 𝑘Ω
1 1
𝐶𝐸 = 𝑅𝐸 2 =
1 1
𝑓𝑅𝐸 ln 1 − 𝜂 22 × 10−9 𝐹 135.7 𝐻𝑧 ln
1 − 0.65
𝑆𝑖 𝑅𝐸 = 180 𝑘Ω 𝑅𝐸 2 = 319 𝑘Ω
𝑆𝑖 𝑓1 = 720 𝑘𝐻𝑧 𝑅𝐸 = 170 𝑘Ω
1 𝑅𝐸 = 𝑹𝟏 + 𝑷
𝐶𝐸 1 =
1 𝟐𝟓𝟎 𝒌𝜴
(720 𝐻𝑧) 180 × 103 Ω ln 𝟓𝟔 𝒌𝜴
1 − 0.65
𝐶𝐸 1 = 7.35 𝑛𝐹
𝑷𝒂𝒔𝒐 6
0.28𝑅𝐵𝐵𝑀í𝑛 0.28𝑅𝐵𝐵
𝑅𝐵 1 = 𝑅𝐵 2 =
𝑉𝑍 𝜂𝑉𝑍

3
0.2(4.7 × 10 Ω) 0.28(7 × 103 Ω)
𝑅𝐵 1 = 𝑅𝐵 2 =
15𝑉 0.65 15𝑉 𝟐𝟐𝟎 𝛀
6𝟖 𝛀
𝑅𝐵 2 = 201 Ω 𝑷𝒂𝒔𝒐 8
𝑅𝐵 1 = 62.6 Ω 6𝟖𝟎 𝛀
𝟏𝟖𝟎 𝛀 𝑉𝑋 − 𝑉𝑍 54𝑉 − 15𝑉
𝟓𝟔 𝛀 𝑅𝑍 = = = 563Ω
𝐼 69.26 × 10−3 𝐴
𝟒𝟕𝟎 𝛀
𝑷𝒂𝒔𝒐 7 𝑷𝒂𝒔𝒐 9
Cálculo del regulador: Recálculo con 𝑅𝑍 = 470Ω:

𝐼 = 𝐼𝑧 + 𝐼1 = 54.26 × 10−3 + 15 × 10−3 𝐴 = 69.26 𝑚𝐴 𝑉𝑋 − 𝑉𝑍 54𝑉 − 15𝑉

𝐼= = = 83 𝑚𝐴
𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼3 = 54 × 10−3 + 267 × 10−6 𝐴 = 54.26𝑚𝐴 𝑅𝑍 470Ω
𝜔𝑅𝑧 = 𝐼 2 𝑅𝑍 = 83 × 10−3 𝐴 2
470Ω = 3.23 𝑊
𝑉𝑍 15𝑉
𝐼2 = = = 267𝜇𝐴
𝑅1 56 × 103 Ω 𝜔𝐷𝑧 = 𝑉𝑍 𝐼 = (15𝑉) 83 × 10−3 𝐴 = 1.245 𝑊

𝑉𝑍 15𝑉 𝑹𝒁 = 𝟒𝟕𝟎𝛀 / 𝟓𝑾
𝐼3 = = = 54 𝑚𝐴
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 56Ω + 220Ω 𝑫𝒁 = 𝟏𝟓𝑽 / 𝟓𝑾
 𝑽𝑿

𝑹𝒁
𝑽𝒁

𝑹𝟏
𝑹𝑬
𝟏𝟐𝟎 𝒗𝒂𝒄 𝑷
𝑹𝑩𝟐
+
−
𝑫𝒁
𝑩𝟐 𝑽𝑬
𝑬
𝑩𝟏

𝑪𝑬
𝑹𝑩𝟏
 • Diseñar un circuito de control de fase monofásico de onda completa que regule un
ángulo en la carga de 50° a 170° grados eléctricos, con UJT y un diodo zener de 18V.
Calcular: ∡𝐿 = 50° − 170° 𝑼𝑱𝑻 𝟐𝑵𝟐𝟔𝟒𝟔 𝑓 = 120 𝐻𝑧
• 𝑅𝑍 ∡𝐷 = 10° − 130° 𝐼𝑉 = 6 𝑚𝐴
𝑣𝑒 = 120 𝑣𝑟𝑚𝑠
• 𝑊𝑅𝑍 𝐶 = 33 𝑛𝐹 𝐼𝑃 = 3 𝜇𝐴
𝑉𝑚 ≈ 170 𝑉
• 𝑊𝐷𝑍 Zener 𝑉𝑉 = 1𝑉
• 𝑅𝐵1 1 1
𝐷𝑍 = 18𝑉/? 𝑊 𝑅𝐵𝐵 = 4.7 𝑘Ω − 9.1 𝑘Ω ⟶ 7 𝑘𝛺 𝑇= = = 8. 333 𝑚𝑠
• 𝑅𝐵2 𝑓 120 𝐻𝑧
• 𝑅𝐸 𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 = 10 𝑚𝐴 𝜂 = 0.65

𝑷𝒂𝒔𝒐 𝟏
Para ∡𝐷 = 10° Para ∡𝐷 = 130°
180° − 8.33 𝑚𝑠 180° − 8.33 𝑚𝑠
10° − 𝑡1 130° − 𝑡2

10° 8. 33 𝑚𝑠 130° 8. 33 𝑚𝑠
𝑡1 = = 0.46𝑚𝑠 𝑡2 = = 6.016 𝑚𝑠
180° 180°

1 1 1 1
𝑓1 = = = 2.17 𝑘𝐻𝑧 𝑓2 = = = 166.2 𝐻𝑧
𝑡1 0.46 𝑚𝑠 𝑡2 6.016 𝑚𝑠
 𝑷𝒂𝒔𝒐 2
𝑆𝑖 𝐶𝐸 = 33 𝑛𝐹
𝑉𝑃 = 𝜂𝑉𝑍 + 0.7𝑉
𝑉𝑃 = (0.65)(18𝑉) + 0.7𝑉 𝑆𝑖 𝑓2 = 166.2 𝐻𝑧
𝑉𝑃 = 12.4 𝑉 1
𝑅𝐸 2 =
1
𝑷𝒂𝒔𝒐 3 (166.2 𝐻𝑧) (33 × 10−9 𝑛𝐹) ln
1 − 0.65
𝑉𝑍 − 𝑉𝑉 𝑉𝑍 − 𝑉𝑃
≤ 𝑅𝐸 ≤ 𝑅𝐸 2 = 173.6 𝑘Ω
𝐼𝑉 𝐼𝑃
18𝑉 − 1𝑉 18𝑉 − 12.4𝑉 𝑅𝐸 = 173.6 𝑘Ω
≤ 𝑅 𝐸 ≤ 𝑅𝐸 = 𝑹𝟏 + 𝑷
6 × 10−3 𝐴 3 × 10−6 𝐴
𝟏𝟐 𝒌𝜴 𝟐𝟎𝟎 𝒌𝜴
2.83 𝑘Ω ≤ 𝑅𝐸 ≤ 1.86 𝑀Ω
0.28𝑅𝐵𝐵𝑀í𝑛 0.28𝑅𝐵𝐵
𝑷𝒂𝒔𝒐 4 𝑅𝐵 1 = 𝑅𝐵 2 =
1 𝑉𝑍 𝜂𝑉𝑍
𝑅𝐸 =
1 0.28(7 × 103 Ω)
𝑓 × 𝐶𝐸 × ln 1 − 𝜂 0.2(4.7 × 103 Ω)
𝑅𝐵 1 = 𝑅𝐵 2 =
𝑆𝑖 𝐶𝐸 = 33 𝑛𝐹 18𝑉 0.65 18𝑉 1𝟖𝟎 𝛀
56 𝛀
𝑆𝑖 𝑓1 = 2.17 𝑘𝐻𝑧 𝑅𝐵 2 = 167.52 Ω
1 𝑅𝐵 1 = 52.2 Ω
𝑅𝐸 1 = 𝟏𝟓𝟎 𝛀
1 𝟒𝟕 𝛀
(2.17 × 103𝐻𝑧) (33 × 10−9 𝑛𝐹) ln
1 − 0.65
𝑅𝐸 1 = 13.3 𝑘Ω
𝑷𝒂𝒔𝒐 5 𝑷𝒂𝒔𝒐 6
Cálculo del regulador: Recálculo con 𝑅𝑍 = 860Ω:
𝐼 = 𝐼𝑧 + 𝐼1 = 80.8 × 10−3 + 10 × 10−3 𝐴 = 90.8 𝑚𝐴 𝑉𝑋 − 𝑉𝑍 0.636 170 𝑉 − 18𝑉
𝐼= = = 104.8 𝑚𝐴
𝑅𝑍 860 Ω
𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼3 = 1.5 × 10−3 + 79.3 × 10−3 𝐴 = 80.8 𝑚𝐴 𝜔𝑅𝑧 = 𝐼 2 𝑅𝑍 = 104.8 × 10−3 𝐴 2 860 Ω = 9.44 𝑊
𝑉𝑍 18 𝜔𝐷𝑧 = 18 𝑉 104.8 × 10−3 𝐴 = 1.9 𝑊
𝐼2 = = = 1.5 𝑚𝐴
𝑅1 12 × 103 𝑹𝒁 = 𝟖𝟔𝟎𝛀 / 𝟐𝟓𝑾
𝑉𝑍 18𝑉 𝑫𝒁 = 𝟏𝟖𝑽 / 𝟓𝑾
𝐼3 = = = 79.3 𝑚𝐴
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 47 𝑘Ω + 180 𝑘Ω

𝑉𝑋 − 𝑉𝑍 (0.636 × 𝑉𝑚) − 18
𝑅𝑍 = = = 992.5Ω ⟶ 𝟖𝟔𝟎𝜴
𝐼 90.8𝑥10−3
+𝑉𝑐𝑐
 𝑣𝑒

𝑣𝑐

𝑉𝐼

𝑉𝑅𝑒𝑓

𝑡
𝑉𝐴

𝑡
𝑉𝑜
𝑡
 𝑣𝐼 𝑉𝑁 𝑉𝐴 𝑉𝑜

𝑉𝑅𝑒𝑓

+𝑉𝑐𝑐

𝑣𝑐
𝑣𝑒
 𝑣𝑒

𝑡
𝑣𝐼
La onda es invertida
puesto que el integrador
𝑉𝑅𝑒𝑓 tiene ganancia negativa.

𝑉𝑁
𝑡
𝑉𝐶

𝑉𝐴
𝑡
𝑉𝑜
𝑡
Es el proceso de convertir estáticamente la corriente alterna directa a alta o a
baja tensión y a alta o a baja intensidad de corriente. Esto es debido a que en
gran parte la energía eléctrica es utilizada en forma de corriente continua.

Tiristores.

Diodos y tiristores.

Diodos.
 Tiene referencia a tierra, solo es posible conexión de devanados a
punto neutro, utilizan igual numero de diodos al numero de fases, la
tensión rectificada es siempre la de fase, no duplican la frecuencia.

No requiere referencia, se pueden conectar en estrella (punto

neutro) o polígono sus devanados, duplica el número de diodos por
fase, puede utilizar la tensión de línea o fase, duplica la frecuencia
en ciertas configuraciones.

Es el encargado de suministrar las tensiones con su adecuado desfasamiento.

Generalmente implementado con dispositivos semiconductores, caracterizados

por su no linealidad, como los diodos y los tiristores.
 Nos sirve para la reducción del factor de ondulación de la tensión rectificada.

En sistemas de rectificados Se coloca un filtro para reducir el factor de rizado, en

sistemas rectificadores de alta potencia se opta por sistemas polifásico debido a su
menor ondulación de salida y elevado rendimiento

La reducción polifásica suministra una onda de salida con un factor de

forma que se acerca a la unidad cuanto mayor sea el numero de fases por lo
tanto, tenemos la ventaja de eliminar el empleo de filtros a la salida.

En la mayoría de las aplicaciones regulación de velocidad de motores se

requiere una tensión de salida variable aquí se utilizan los rectificadores.
 1.- De la naturaleza y necesidades de la carga.
2.- De la potencia requerida.
3.- De las especificaciones de los dispositivos rectificadores.
4.- De su protección requerida.
5.- Rendimiento.
6.- Costo.

A) Instalaciones electroquímicas.
B) Tracción eléctrica.
C) Regulación de velocidad de motores de CC.
D) Equipos de soldadura.
E) Equipos de calentamiento inductivo y capacitivo.
F) Equipo para cargar baterías, etc.

En lo que respecta a la carga esta será normalmente resistiva o bien resistiva-inductiva

y en raras ocasiones capacitiva (equipos de soladura).
 𝒗𝟐
𝑽𝑶 𝑽𝟐
𝑹𝑳
𝜋 2𝜋 𝑡
𝑇 = 2𝜋

𝑰𝑫
(0 − 𝜋) (𝜋 − 2𝜋) 𝑰𝑫𝒎

𝑓 𝑡 = 𝑉𝐿𝑚 𝑆𝑒𝑛 𝑡 𝑑𝑡 𝑓 𝑡 =0
𝑡
𝑡 𝜋 2𝜋
1 1 1
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = 𝑓(𝑡)𝑑𝑡 = 𝑉𝐿𝑚 𝑆𝑒𝑛 𝑡 𝑑𝑡 + 0 𝑑𝑡 𝒗𝑳
𝑡 0 2𝜋 0 2𝜋 𝜋

𝑡
−𝑉𝐿𝑚
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = 𝑐𝑜𝑠 𝜋 − 𝑐𝑜𝑠 0 = 0.318𝑉𝐿𝑚
2𝜋 −𝑽𝑳𝒎
 𝑽𝑳
𝑽𝟏
𝑹𝑳
45° 180° 360° 𝑡
𝑇 = 2𝜋

𝑇 𝜋
𝜋 2𝜋
1 4 1 1
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = 𝑓(𝑡)𝑑𝑡 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = 0 𝑑𝑡 + 𝑉𝐿𝑚 𝑆𝑒𝑛 𝑡 𝑑𝑡 + 0 𝑑𝑡
0 2𝜋 0 2𝜋 𝜋 2𝜋 𝜋
4
𝜋
0− 𝑓 𝑡 =0 𝑉𝐿𝑚 𝜋 𝑉𝐿 2
4 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = − cos 𝜋 − cos = − 𝑚 −1 −
2𝜋 4 2𝜋 2
𝜋
−𝜋 𝑓 𝑡 = 𝑉𝐿𝑚 𝑆𝑒𝑛 𝑡
4 2+ 2
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = 𝑉𝐿𝑚 ≈ 0.271𝑉𝐿𝑚
𝜋−2𝜋 𝑓 𝑡 =0 4𝜋
 𝝅
𝑻
𝟏 𝟏 𝒎 𝒎𝑽𝒎 𝝅 𝝅 𝒎𝑽𝒎 𝝅 𝝅
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝒇 𝒕 𝒅𝒕 = 𝑽𝒎 𝑪𝒐𝒔 𝒕 𝒅𝒕 = 𝑺𝒆𝒏 − 𝑺𝒆𝒏 − = 𝑺𝒆𝒏 + 𝑺𝒆𝒏
𝑻 𝟎
𝟐𝝅 −𝝅 𝟐𝝅 𝒎 𝒎 𝟐𝝅 𝒎 𝒎
𝒎 𝒎

𝒎𝑽𝒎 𝝅
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝑺𝒆𝒏
𝝅 𝒎
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎
m
𝑻
𝝅 𝝅 𝑽𝒎 𝑽𝒆𝒇
𝟏 𝟏 𝒎 𝒎𝑽𝟐𝒎 𝒎 𝟏 𝟏
𝑽𝒆𝒇 = 𝒇 𝒕 𝟐 𝒅𝒕 = 𝑽𝟐𝒎 𝑪𝒐𝒔 𝒕 𝟐 𝒅𝒕 = + 𝑪𝒐𝒔 𝟐𝒕 𝒅𝒕 2 0.637 0.900
𝑻 𝟎
𝟐𝝅 −𝝅 𝟐𝝅 −𝝅 𝟐 𝟐
𝒎 𝒎 𝒎
3 0.827 0.984
𝝅 𝝅 𝝅 6 0.955 0.999
𝒎𝑽𝟐𝒎 𝒎 + 𝟏 𝑺𝒆𝒏 𝟐 𝝅 − − 𝒎 + 𝟏 𝑺𝒆𝒏 𝟐 − 𝝅 𝒎 𝒎 𝟏 𝝅
𝑽𝒆𝒇 = = 𝑽𝒎 + 𝑺𝒆𝒏 𝟐 12 0.989 0.999
𝟐𝝅 𝟐 𝟒 𝒎 𝟐 𝟒 𝒎 𝝅 𝟐 𝟒 𝒎
24 0.997 0.999
𝟏 𝒎 𝟐𝝅
𝑽𝒆𝒇 = 𝑽𝒎 + 𝑺𝒆𝒏 48 0.999 1
𝟐 𝟒𝝅 𝒎
 𝑫𝟏
2π
= ángulo de conducción
𝑫𝟐 m
m = Número de fases
𝑫𝟑

𝑉1 = 𝑉𝐷1 + 𝑉𝑅
𝑉𝐷1 = 0
𝟏 𝟐 𝟑 𝒎 𝑫𝒎 𝑉1 = 𝑉𝑅
+
𝑽𝑹 𝑹

−
 𝑻𝟏
𝝅
𝑻 +𝝋
𝑻𝟐 𝟏 𝟏 𝒎
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝒇 𝒕 𝒅𝒕 = 𝑽𝒎 𝑪𝒐𝒔 𝒕 𝒅𝒕
𝑻 𝟎
𝟐𝝅 −𝝅
𝒎 𝒎 +𝝋
𝑻𝟑
𝒎𝑽𝒎 𝝅 𝝅
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝑺𝒆𝒏 + 𝝋 − 𝑺𝒆𝒏 − + 𝝋
𝟐𝝅 𝒎 𝒎

𝑻𝒎 𝒎𝑽𝒎 𝝅 𝝅
𝟏 𝟐 𝟑 𝒎 𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝑺𝒆𝒏 + 𝝋 + 𝑺𝒆𝒏 −𝝋
+ 𝟐𝝅 𝒎 𝒎
𝑽𝑹 𝑹 𝒎𝑽𝒎 𝝅
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝟐 𝑺𝒆𝒏 𝑪𝒐𝒔 𝝋
𝟐𝝅 𝒎
−
𝒎𝑽𝒎 𝝅
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝑺𝒆𝒏 𝑪𝒐𝒔 𝝋
𝝅 𝒎
A. Rectificadores de media onda: Emplean un número de diodos igual al número
de fases, de tal manera que en cada instante solo conduce un diodo y la
corriente en cada secundario del transformador es alterna. El ángulo de
2𝜋
conducción de cada diodo es .
𝑚

B. Rectificadores de onda completa: Utilizan un número de diodos igual al doble

del número de fases. En cada instante conducen 2 diodos, la corriente en cada
secundario del transformador es alterna. El ángulo de conducción de cada
2𝜋
diodo es de si 𝑚 ≠ 1.
𝑚

C. Rectificadores de media onda monofásica: Es un circuito de bajo costo, alto

factor de ondulación, (se requiere de filtro, bajo voltaje promedio de salida y
mala utilización del transformador).
 𝑉1

𝑉𝑚

+ + 𝑉𝑅
𝑽𝑹 𝑹
𝑽𝟏 𝑉𝑚
− −
𝑡

𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = 0.318𝑉𝑚
𝑉𝐷

−𝑉𝑚
 𝑣
𝑉𝑚
𝒗𝟏 𝒗𝟐
D. Rectificador bifásico de media onda: Utiliza
𝜋 2𝜋
una transformación con Tap central que 𝑡
proporciona dos fases en oposición. Presenta
−𝑉𝑚
un factor de ondulación elevado, un aceptable
𝑇 = 2𝜋
voltaje promedio de salida, utilización media 𝑣𝑜
𝒗𝟏 𝒗𝟐
del transformador y una elevada tensión 𝑉𝑚

inversa de pico aplicado a los diodos.

𝜋 2𝜋
𝑇=𝜋
𝑡
𝑫𝟏
𝑣𝐷1
𝑡
𝑹
−𝑉𝑚
𝑣𝐷2
𝑉𝑚

𝑫𝟐
𝑡
E. Rectificación trifásica de media onda: En este circuito el primario se conecta
en delta y el secundario en y con un punto neutro. Presenta un factor de
ondulación reactivamente bajo, un voltaje promedio de salida moderadamente
bueno, buen aprovechamiento del transformador y una tensión inversa
máxima aplicada a los diodos moderadamente elevada.

𝑫𝟏
𝑨 𝟏

𝑩 𝑫𝟐
𝟐

𝑪 𝑫𝟑
𝟑

𝑽𝑹
+ −
 𝒗
𝒗𝟑
𝒗𝟏
0 𝜋 2𝜋 3𝜋 4𝜋
𝑡
2𝜋 2𝜋
𝑇= = = 120° 𝒗𝟐
𝑚 3

𝒗𝑹 𝑇
𝒗𝒎

0 𝜋 2𝜋 3𝜋 4𝜋
𝑡

Ángulo coordenadas de
cada diodo:
𝐷1 = 30° − 150°
𝐷2 = 150° − 270°
𝐷3 = 270° − 360° 𝑦 360° − 30°
F. Rectificación hexafásico de media onda: este circuito requiere de un
sistema de alimentación que suministre 6 tensiones desfasadas 𝜋/3 o 60°.
Puede obtenerse a partir de una red trifásica conectando dos sistemas
trifásicos en oposición de fase. Se tiene bajo factor de rizado, un buen valor
promedio de la tensión de salida, un bajo aprovechamiento del
transformador y un voltaje inverso máximo aplicado a los diodos igual al
rectificador de media onda trifásico.
− 𝑽𝟒 + − 𝑽𝟏 +
𝟒 𝟏
− 𝑽𝟔 + − 𝑽𝟑 +
𝟔 𝟑
𝑨
− 𝑽𝟐 + − 𝑽𝟓 +
𝟐 𝟓
𝑩

𝑪
+
𝑫𝟒 𝑫𝟔 𝑫𝟐 𝑫𝟓 𝑫𝟑 𝑫𝟏
𝑽𝑹 𝑹
−
 𝒗
𝒗𝟏 𝒗𝟐 𝒗𝟑 𝒗𝟒 𝒗𝟓 𝒗𝟔

𝟐𝝅 𝟐𝝅 𝝅
𝑻= = =
𝒎 𝟔 𝟑 𝑡
𝟎° 𝟑𝟎° 𝟔𝟎° 𝟗𝟎° 𝟏𝟐𝟎° 𝟏𝟓𝟎° 𝟏𝟖𝟎° 𝟐𝟏𝟎° 𝟐𝟒𝟎° 𝟐𝟕𝟎° 𝟑𝟎𝟎° 𝟑𝟑𝟎° 𝟑𝟔𝟎°
𝑻 = 𝟔𝟎°

𝒎𝑽𝒎 𝝅 𝒗𝑹
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝑺𝒆𝒏 𝒗𝒎
𝝅 𝒎
𝟔 𝝅
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝑽𝒎 𝑺𝒆𝒏
𝝅 𝟔
𝑡
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝟎. 𝟗𝟓𝟓𝑽𝒎 𝑫𝟏 𝑫𝟐 𝑫𝟑 𝑫𝟒 𝑫𝟓 𝑫𝟔
Cada diodo conduce 𝟔𝟎°
Los rectificadores se evalúan normalmente con los siguientes parámetros:
VCD = Valor promedio del voltaje de salida
ICD = Valor promedio de la corriente de salida
PCD = Potencia promedio de salida
𝑃𝐶𝐷 = 𝑉𝐶𝐷 ∙ 𝐼𝐶𝐷

Vrms = Valor de la raíz cuadrada media del voltaje de salida

Irms = Valor promedio de la corriente de salida
Pca = Potencia de salida en ca
𝑃𝑐𝑎 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 ∙ 𝐼𝑟𝑚𝑠
𝑃𝐶𝐷
La eficiencia (o razón de rectificación): 𝜂=
𝑃𝑐𝑎
 El voltaje de salida esta formado por dos componentes:
1) Valor de CD
2) Valor de componente de ca
𝑽𝑪𝑫

𝑽𝑪𝑫
𝒗𝒐 𝒕
𝒗𝑪𝑨
0 𝜔𝑡
𝑽𝑪𝑫 = 𝑽𝒂𝒍𝒐𝒓 𝑷𝒓𝒐𝒎𝒆𝒅𝒊𝒐

𝑽𝑪𝑫
𝒗𝒄𝒂
0 𝜔𝑡
2 = 𝑣2 + 𝑉2
𝑉𝑟𝑚𝑠 0 𝜔𝑡
𝑐𝑎 𝐶𝐷

2 2
𝑣𝑐𝑎 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 − 𝑉𝐶𝐷
 𝑽𝑪𝑫
𝑰𝑪𝑫 = 𝑰𝒓𝒎𝒔 =
𝑹 Factor de forma: Es una medida de la
forma del voltaje de salida
+ 𝑽𝒓𝒎𝒔
𝑽𝑪𝑫 = 𝑽𝒓𝒎𝒔 𝑭𝑭 =
𝑽𝑪𝑫 𝑹 𝑽𝑪𝑫
−
Factor de rizo: Es una medida del
𝑷𝒄𝒂 = 𝑽𝒓𝒎𝒔 ∙ 𝑰𝒓𝒎𝒔 = 𝑷𝑪𝑫 = 𝑽𝑪𝑫 ∙ 𝑰𝑪𝑫
contenido de alterna residual
𝑽𝒄𝒂
𝒗𝒄𝒂 = 𝟎 𝒔𝒊𝒏 𝒓𝒊𝒛𝒐 𝑹𝑭 =
𝑽𝑪𝑫
𝑽𝒓𝒎𝒔 = 𝑽𝑪𝑫

2
2 2
𝑉𝑟𝑚𝑠
𝑣𝑐𝑎 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝑉𝐶𝐷 𝑅𝐹 = −1
2 2 = − 𝑉𝐶𝐷
𝑣𝑐𝑎 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 − 𝑉𝐶𝐷 𝑉𝐶𝐷 𝑉𝐶𝐷 𝑉𝐶𝐷
𝑅𝐹 𝐹𝐹 1
𝑅𝐹 = 𝐹𝐹 2 − 1
Factor de utilización del transformador
Se define como:
𝑃𝐶𝐷
𝑇𝑈𝐹 =
𝑉𝐴 𝑇𝑜𝑡
𝒗𝒆
𝑉𝐴 𝑇𝑜𝑡 ∶ volt-amperios 𝑫𝒏
totales del transformador
de alimentación (según
sea monofásico, trifásico
o hexafásico, etc.).

𝑰𝑺 𝑰𝑺

+ + +
𝑽𝑺
− 𝑷𝑺 = 𝟐𝑽𝑺 𝑰𝑺 𝑽𝑺
𝑽𝑺 𝑷𝑺 = 𝑽𝑺 𝑰𝑺 − 𝑷𝑺 = 𝟑𝑽𝑺 𝑰𝑺
−
− 𝑽𝑺
+
A los circuitos rectificadores no controlados se les puede sustituir total
o parcialmente los diodos con tiristores a fin de obtener sistemas de
rectificación controlada que permitan la regulación del valor promedio
del voltaje en la carga en función del ángulo de disparo de estos.
Normalmente se utilizan montajes mixtos de tiristor y diodo por
razones de economía y simplicidad de las etapas de disparo, por lo
tanto se sustituirán por tiristores todos los diodos que tienen un
electrodo común (ánodo o cátodo).
En algunos casos cuando no se desea una regulación completa
desde cero a un voltaje promedio de salida se utiliza la conexión de
tiristores con cátodo común, ya que permite el disparo de estos
mediante un solo circuito de disparo o generador de pulsos.
 + 𝑽𝑻 − 𝑣2

+ +
+ Si
𝑡 𝜑𝐷 = 0° ⟹ 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 ≈ 0.318𝑉𝑚
𝑹 𝑽𝑹
𝑽𝟏 𝑽𝟐 𝜋 2𝜋
− 𝜑𝐷 = 90° ⟹ 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 ≈ 0.159𝑉𝑚
− − 𝑣𝑇 𝜑𝐷 = 180° ⟹ 𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = 0

𝑻
𝜋 𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝒇(𝒕)𝒅𝒕
1 2 1 𝜋
1 2𝜋 𝑡 𝟎
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = 0 𝑑𝑡 + 𝑉 𝑆𝑒𝑛 𝑡 𝑑𝑡 + 0 𝑑𝑡 𝜋
2𝜋 0 2𝜋 𝜋 𝑚 2𝜋 𝜋 0− 𝑓 𝑡 =0
2 2
𝑉𝑚 𝜋 𝑉𝑚 𝑣𝑅 𝜋
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = − cos 𝜋 − cos =− −1 − 0 −𝜋 𝑓 𝑡 = 𝑉𝑚 𝑆𝑒𝑛 𝑡 𝑑𝑡
2𝜋 2 2𝜋 2
𝑉𝑚 𝜋−2𝜋 𝑓 𝑡 =0
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = ≈ 0.159𝑉𝑚
2𝜋 𝑡
 𝑣
𝒗𝟏 𝒗𝟐
𝑉𝑚

𝜋 2𝜋
𝑡

𝑣𝑅
𝑽𝑻𝟏 𝑽𝑻 Si 𝝋𝑫 = 𝟎° 𝒗𝟏 𝒗𝟐
+ − 𝑉𝑚
𝒎𝑽𝒎 𝝅
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝑺𝒆𝒏
𝒗𝟏 𝑻𝟏 𝑹𝑳 𝝅 𝒎
𝟐𝑽𝒎 𝝅 𝜋 𝜋 3𝜋 2𝜋 𝑡
𝒗𝒆 𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝑺𝒆𝒏 2 2
𝒗𝟐 𝑽𝑻𝟐 𝝅 𝟐 𝑣𝑇1
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 ≈ 𝟎. 𝟔𝟑𝟔𝑽𝒎
𝑻𝟐 𝑡
𝝅
𝝅 𝟐𝝅
𝟐 𝟐 𝟏 𝟏
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝟎 𝒅𝒕 + 𝑽𝒎 𝑺𝒆𝒏 𝒕 𝒅𝒕 + 𝟎 𝒅𝒕
𝟐𝝅 𝟎 𝝅 𝝅 𝝅 𝝅 𝑣𝑇2
𝟐
𝑽𝒎 𝝅 𝑽𝒎
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = − 𝒄𝒐𝒔 𝝅 − 𝒄𝒐𝒔 =− −𝟏 − 𝟎
𝝅 𝟐 𝝅 𝑡
𝑽𝒎
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = ≈ 𝟎. 𝟑𝟏𝟖𝑽𝒎
𝝅
 𝑻𝟏
𝑨 𝟏

𝑩 𝑻𝟐
𝟐

𝑪 𝑻𝟑
𝟑

𝑽𝑹
− +
 𝒗
Si 𝝋𝑫 = 𝟎° 𝒗𝟑 𝒗𝟏 𝒗𝟐
𝒎𝑽𝒎 𝝅
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝑺𝒆𝒏
𝝅 𝒎 𝑡
0 60° 180° 300° 360°
𝟑𝑽𝒎 𝝅
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 = 𝑺𝒆𝒏
𝝅 𝟑
𝑽𝒑𝒓𝒐𝒎 ≈ 𝟎. 𝟖𝟐𝟕𝑽𝒎
𝒗𝑹

Ángulo de disparo = 𝟑𝟎°

𝑡
𝒗𝑹 60° 180° 300° 360°

Ángulo de disparo = 𝟗𝟎°

𝑡
60° 120° 180° 240° 300° 360°
𝒗𝑹

Ángulo de disparo = 𝟏𝟓°

𝑡
45° 180° 300° 360°
 𝑫𝟏 𝑫𝟐 𝑫𝟑
𝑨 𝟏

𝑩 𝟐 𝑽𝟏𝟐
+
𝑽𝟐𝟑 𝑽𝑹
𝑪 𝟑 𝑽𝟐𝟑 𝑹
−

𝑻𝟏 𝑻𝟐 𝑻𝟑
 𝒗 𝒗𝟑𝟐 𝒗𝟏𝟐 𝒗𝟏𝟑 𝒗𝟐𝟑 𝒗𝟐𝟏 𝒗𝟑𝟏

𝑡
0 60° 180° 300° 360°

𝒗𝑹

Ángulo de disparo = 𝟔𝟎°

𝑡
60° 180° 300° 360°
𝒗𝑹

Ángulo de disparo = 𝟑𝟎°

𝑡
30° 60° 150° 180° 270° 300° 360°
𝑻𝟑 𝑻𝟏 𝑻𝟏 𝑻𝟐 𝑻𝟐 𝑻𝟑
𝑫𝟐 𝑫𝟐 𝑫𝟑 𝑫𝟑 𝑫𝟏 𝑫𝟏
Pueden ser alimentadas
en estrella o en polígono
en la cual la fase debe
ser mayor o igual a tres.
𝑫𝟏 𝑫𝟑 𝑫𝟓

𝑹 𝑽𝑹
−

𝑫𝟐 𝑫𝟒 𝑫𝟔
Características:
 La tensión de salida será igual al valor absoluto de la suma de las tensiones
positivas o bien a la suma de las tensiones negativas.
 La frecuencia de salida se duplica para un polígono con m impar.
 La tensión de pico inverso será igual a 𝑉𝑚 .
 Cada diodo conduce 120°.
 Sus características dependen del número de fases de la entrada.
 Solo puede existir a partir de tres fases.
 Solo puede construirse en puente.
 𝑫𝟏 𝑫𝟐 𝑫𝟑

𝒆𝟏 𝒆𝟐 𝑹 𝑽𝑹
−

𝒆𝟑
𝑫′𝟏 𝑫′𝟐 𝑫′𝟑
𝒗
𝒂 𝒃 𝒄
𝒆𝟑
Análisis De Tensión:
𝒆𝟏
𝑡
0 60° 180° 300° 360° 𝒕𝟎 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟏
𝒆𝟏 + 𝒆𝟑 = −𝒆𝟐
𝒕𝟑 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟒
𝒆𝟐

𝒕𝟎 𝒕𝟏 𝒕𝟐 𝒕𝟑 𝒕𝟒 𝒕𝟓 𝒕𝟔 𝒕𝟏 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟐
𝒆𝟐 + 𝒆𝟑 = −𝒆𝟏
𝑫′𝟏 𝑫′𝟐 𝑫′𝟑 𝒕𝟒 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟓

𝑫𝟐 𝑫𝟑 𝑫𝟏 𝑫𝟐 𝒕𝟐 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟑
𝒆𝟏 + 𝒆𝟐 = −𝒆𝟑
𝒕𝟓 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟔
T = tiempo de conducción
 Tiempo Tensión de alimentación R. P. (diodos) R. N. (diodos)
𝒕𝟎 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟏 𝒆𝟏 + 𝒆𝟑 = −𝒆𝟐 𝑫𝟐 𝑫′𝟏
𝒕𝟏 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟐 𝒆𝟐 + 𝒆𝟑 = −𝒆𝟏 𝑫𝟑 𝑫′𝟏
𝒕𝟐 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟑 𝒆𝟏 + 𝒆𝟐 = −𝒆𝟑 𝑫𝟑 𝑫′𝟐
𝒕𝟑 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟒 𝒆𝟏 + 𝒆𝟑 = −𝒆𝟐 𝑫𝟏 𝑫′𝟐
𝒕𝟒 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟓 𝒆𝟐 + 𝒆𝟑 = −𝒆𝟏 𝑫𝟏 𝑫′𝟑
𝒕𝟓 ≤ 𝒕 ≤ 𝒕𝟔 𝒆𝟏 + 𝒆𝟐 = −𝒆𝟑 𝑫𝟐 𝑫′𝟑

𝑅. 𝑃. = 𝑅𝑎𝑚𝑎𝑙 𝑃𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜
𝑅. 𝑁. = 𝑅𝑎𝑚𝑎𝑙 𝑁𝑒𝑔𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜
Este tipo de arreglos se realiza cuando se pretende ya sea elevar la
tensión o la corriente de salida o bien para disminuir las fluctuación en
la salida.

Se utiliza para elevar la tensión de salida al utilizar dos puente de

diferente tipo; siempre y cuando las tensiones máximas de cada uno
sean idénticas.
El desfasamiento de las señales hexafásico es de 30º por lo tanto la
señal de salida será el doble de la tensión máxima de uno de los
puentes con salida de frecuencia igual a doce veces la frecuencia de
entrada.
 +

𝑪𝒂𝒓𝒈𝒂
𝑽𝑳
−

Desfasada 𝟑𝟎°
con respecto a
la conexión en
estrella
𝒗 𝟏𝟐𝝋

𝒗𝟏 𝒗𝟐 𝒗𝟑

𝑡
𝟎° 𝟑𝟎° 𝟔𝟎° 𝟗𝟎° 𝟏𝟐𝟎° 𝟏𝟓𝟎° 𝟏𝟖𝟎° 𝟐𝟏𝟎° 𝟐𝟒𝟎° 𝟐𝟕𝟎° 𝟑𝟎𝟎° 𝟑𝟑𝟎° 𝟑𝟔𝟎° 𝟑𝟎°
Rectificación: AC – DC.
Inversor: DC – AC.
Convertidor: AC – AC.
Ciclo convertidor: AC (alta frecuencia) – AC (baja frecuencia).
Ciclo inversor: Combinación de inversor y ciclo convertidor.
Chopper: Inversor para transformar DC – DC o DC – AC.