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UNIVERSIDADE DO ESTADO DE SANTA CATARINA

CENTRO DE CIÊNCIAS TECNOLÓGICAS


DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

EPO – Eletrônica de Potência

COMPONENTES SEMICONDUTORES EM
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
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INTRODUÇÃO

 Introdução
 Classificação dos semicondutores  Tiristores
 Diodos  Características estáticas reais
 Idealizações
 Características estáticas reais
 Características dinâmicas reais
 Idealizações
 Idealizações
 Características dinâmicas reais  Classificação dos diodos
 Idealizações  Cálculo de perdas
 Classificação dos diodos
 Cálculo de perdas
 Exemplo
 Cálculo térmico

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INTRODUÇÃO
Eletrônica de Potência:

“Ciência dedicada ao estudo de conversores estáticos.”

“É uma ciência aplicada que aborda a conversão e o controle de fluxo


de energia elétrica entre dois ou mais sistemas distintos, através de
conversores estáticos de potência”

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INTRODUÇÃO

Conversor Estático:

◦ Composto por elementos passivos (R, L, C) e interruptores


(semicondutores), combinados de tal maneira a realizar o tratamento ou
transformação de energia elétrica.

◦ Adicionado à carga e/ou fonte forma(m) um sistema.

◦ Basicamente, utiliza semicondutores operando na região de corte ou


saturação, evitando perdas excessivas.

◦ Dispositivos que “controlam” o fluxo de potência: semicondutores

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INTRODUÇÃO Retificador

Aplicações: cc-cc ca-ca


 Controle de motores
 Fontes de alimentação
(telecomunicações, computadores) Inversor
 No-breaks, UPS
cc-cc
 Energia fotovoltaica, eólica, fontes
Indireta
alternativas
 Condicionadores de energia
 ...

ca-ca
Indireta 5
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Classificação dos semicondutores (interruptores) em EP

 Não controláveis: diodos (entrada em condução e bloqueio


espontâneo dependentes do circuito)

 Semi-controláveis: tiristores (entrada em condução controlada,


bloqueio espontâneo que depende do circuito)

 Controláveis: GTO, BJT, MOSFET, IGBT, IGCT (entrada em


condução e bloqueio controlados)

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DIODOS – Característica estática real

Em condução (diretamente polarizado), possui


baixa queda de tensão.
Bloqueado (inversamente polarizado), circula
somente corrente de fuga, até atingir
VRRM.

Modelo durante condução

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DIODOS – Idealizações

Em condução (diretamente Interruptor fechado, baixa


polarizado), possui baixa queda de
resistência.
tensão.
Bloqueado (inversamente
polarizado), circula somente Interruptor aberto, alta resistência
corrente de fuga, até atingir VRRM. (MΩ)

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DIODOS – Idealizações

VF>0, resistência nula (s/ perdas condução)

VF<0, resistência infinita (corrente nula)


Lembrar:

 Entra em condução quando polarizado pela


tensão

 Bloqueia-se espontaneamente quando a


corrente passa por zero

 Pode haver corrente negativa durante o


bloqueio devido a recuperação reversa
(dinâmica)
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DIODOS – Características dinâmicas


Entrada em condução: recuperação
direta, elevada derivada de corrente
pode provocar sobretensão.
Normalmente este fenômeno pode ser
desconsiderado. Tempo de
recuperação direta.
Bloqueio: a corrente se torna negativa por
um tempo antes de o diodo se bloquear
(Silício). Durante esse tempo, os
portadores de carga são armazenados
na junção são removidos. Tempo de
recuperação reversa – tr, trr.
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Fonte: Williams, 2006
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DIODOS – Classificação quanto a velocidade


Convencionais: comumente utilizados em retificadores, frequências de
comutação típicas: 16.66Hz, 50 Hz, 60 Hz. Tempo de recuperação reversa
não especificado, trr: 400ns em 60 A, 1600V.
Rápidos e ultra-rápidos: tempo de recuperação direta muitas vezes não
especificado, tempo de recuperação reversa e carga armazenada
normalmente encontrado nos datasheets, trr: 8,5-70ns em 60 A, 400-600V
Diodos tipo Schottky: tempo de recuperação reversa e carga armazenada
quase nula, queda de tensão direta baixa, tensão de bloqueio baixa (~100V),
trr: 20 ns em 60 A, 45V

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DIODOS – Perdas

Perdas podem ser separadas em:

 Perdas de condução

 Perdas de comutação

◦ Bloqueio

◦ Entrada em condução

Perdas de condução

𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑 = 𝑉𝑇0 ⋅ 𝐼𝐴𝑉𝐺 + 𝐼𝑅𝑀𝑆 2 ⋅ 𝑟𝑇

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DIODOS – Perdas
Perdas de comutação:
𝑃𝑐𝑜𝑚 = 𝑃𝑜𝑛 + 𝑃𝑜𝑓𝑓
Bloqueio (idealizado):
1
𝑃𝑜𝑓𝑓 = 𝑄𝑟𝑟 ⋅ 𝐸 ⋅ 𝑓𝑠 𝑃𝑜𝑓𝑓 = 𝑉𝑅𝑅𝑀 ⋅ 𝑖𝑅𝑅𝑀 ⋅ 𝑡𝑟𝑖 ⋅ 𝑓𝑠
2

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DIODOS – Perdas
Perdas de comutação
Entrada em condução
1
𝑃𝑜𝑛 = 𝑉𝐹𝑃 − 𝑉𝐹 ⋅ 𝐼𝑜 ⋅ 𝑡𝑟𝑓 ⋅ 𝑓𝑠
2

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DIODOS – Perdas
Perdas totais
𝑃𝑡𝑜𝑡 = 𝑃𝑐𝑜𝑚 + 𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑

Considerações de acordo com a frequência de operação

 Retificadores 50 , 60Hz

◦ tipicamente considera-se somente as perdas por condução

 Conversores em geral, (fs > 400 Hz) :

◦ No cálculo de perdas em condução pode-se muitas vezes desprezar rT

◦ Cálculo de perdas de comutação pode-se geralmente desprezar


entrada em condução (fs < 1 kHz)
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DIODOS – Exercício
Retificador meia onda, a 60 Hz (220 RMS, R=10 Ohms)
𝑖𝐷𝑚𝑒𝑑 = 10𝐴

𝑖𝐷𝑒𝑓 = 15,5𝐴

Diodo SKN20/04

𝑉𝑇0 = 0,85𝑉
𝑟𝑇 = 11𝑚Ω

Calcule a potência dissipada no diodo, considerando-se as


perdas de maior relevância (condução).

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TIRISTORES – Característica estática real

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TIRISTORES – Característica estática real

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TIRISTORES – Idealização da característica estática

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TIRISTORES – Características dinâmicas

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TIRISTORES – Características dinâmicas


Bloqueio

tq: mínimo intervalo de tempo em que a


tensão deva ser mantida reversa sobre o
tiristor garantindo assim o bloqueio 21
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TIRISTORES – Datasheet (folha de dados)

Fonte: Prof. Leandro Michels - UFSM


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TIRISTORES – Datasheet (folha de dados)


Latching current (IL) ou corrente de retenção: para que o tiristor permaneça
no estado de condução depois que o sinal de gatilho é removido, é
necessário que a corrente principal (anodo) esteja acima do valor de IL
determinado pelo fabricante.
Holding current (IH) ou corrente de manutenção: para que o tiristor possa
bloquear, a corrente principal deve estar abaixo do valor da corrente de
Latching (IL). O nível de corrente em que o tiristor bloqueia é chamado
Holding current. Este nível de corrente é afetado pela temperatura e
impedância de gate.
Valores negativos de tensão de gate aumentam significativamente os valores
de IL e IH
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TIRISTORES – Perdas
Perdas podem ser separadas em:
 Perdas de condução

 Perdas de comutação

◦ Bloqueio

◦ Entrada em condução

Perdas de condução

𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑 = 𝑉𝑇0 ⋅ 𝐼𝐴𝑉𝐺 + 𝐼𝑅𝑀𝑆 2 ⋅ 𝑟𝑇

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TIRISTORES – Perdas

Assim como para os diodos, em conversores comutados


pela linha (50-60 Hz), as perdas de comutação podem ser
desprezadas.

Nos casos em que as perdas de comutação devam ser


consideradas, as equações são as mesmas obtidas para os
diodos de silício.

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Cálculo térmico
A corrente que circula no componente provoca perdas que
geram calor. O calor gerado deve ser transferido para o
ambiente. A temperatura de junção não pode se elevar acima
dos limites máximo permitidos pois provocaria a inutilização do
componente.

Por isso a determinação correta das perdas e o


dimensionamento do dissipador de calor são de importância
prática fundamental.
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Cálculo térmico
Exemplos de encapsulamentos

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Cálculo térmico
Modelo para regime permanente

Fonte: Heldwein, 2009


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Cálculo térmico
Procedimento:

1. Calcular as perdas (P) através das características do componente e do


circuito no qual está inserido.

2. Tj – máximo valor é fornecido pelo fabricante do componente.

3. Ta – valor adotado pelo projetista.

4. Calcular Rja.

5. Determinar a resistência térmica do dissipador.

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Cálculo térmico
Exercício:
A partir das perdas de condução calculadas no exercício anterior e utilizando-se
dos parâmetros abaixo informados, calcular a temperatura na junção
considerando-se a utilização de um dissipador comercial com resistência
térmica de 8 0C/W. 𝑇𝑎 = 40𝑜 𝐶
𝑅𝑡ℎ𝑑𝑎 = 80 𝐶 Τ𝑊
𝑅𝑡ℎ𝑗𝑐 = 20 𝐶 Τ𝑊
𝑅𝑡ℎ𝑐𝑑 = 10 𝐶 Τ𝑊

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Cálculo térmico
Exercício:
Considere um sistema de resfriamento com dois componentes distintos
montados sobre o mesmo dissipador de calor. Calcule a máxima resistência
térmica do dissipador a fim de manter a temperatura na junção em ambos
componentes dentro de valores aceitáveis. Considere a temperatura
ambiente Ta = 40 oC.

Componente 1 Componente 2
𝑃1 = 10𝑊 𝑃2 = 14𝑊
𝑅𝑡ℎ𝑗𝑐 = 10 𝐶 𝑅𝑡ℎ𝑗𝑐 = 1,50 𝐶
𝑅𝑡ℎ𝑐𝑑 = 0,50 𝐶 𝑅𝑡ℎ𝑐𝑑 = 0,50 𝐶
𝑇𝑗𝑚𝑎𝑥 = 1500 𝐶 𝑇𝑗𝑚𝑎𝑥 = 1250 𝐶

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Referências
Algumas das figuras/texto têm como fonte as seguintes referências:
• Barbi, I.do autor, E. (Ed.), 2001. Projetos de Fontes Chaveadas.

• Barbi, I., 2006. Eletrônica de Potência, 6 ed.. Edição do Autor.


Heldwein, M. L. (2009). Apresentação em powerpoint (parte de
minicurso COBEP2009).

• Michels, L. Apresentação em powerpoint da disciplina EPO I


(UDESC).

• Rech, C. Apresentação em powerpoint da disciplina EPO II


(UDESC).

• Williams, B. W.Williams, B. W. (Ed.), 2006. Principles and Elements


of Power Electronics. Barry W. Williams, ISBN 978-0-9553384-0-3.
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