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FÍÍS
SIIC
CAAD
DEEL
LEES
STTA
ADDO
OSSÓ
ÓLLIID
DOO
CAPÍTULO
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
3
Semiconductores extrínsecos.-
• Semiconductor de tipo N.
+4 * +4 * +4
Si Si Si
* * -q* Electrón de Conduccion
+4 * +5 * +4
Si Si Si
+4 +4 +4
Si Si Si
0.044ev (P)
EC
+ + + +
Ed +
1.12 ev
Ei
Ev
T=0K T = 100 K T = 300 K
En la fig. # 2, para el caso del fósforo el nivel energético ED está muy próximo a
la banda de conducción, cuando mayor sea la temperatura de la muestra
(semiconductor + impurezas), mayor será la energía conseguida por efecto
térmico y mayor será el número de electrones que accederán a la banda de
conducción.
puede formar el átomo trivalente provoca que sea aceptado un electrón de los
enlaces covalente de los átomos de Si. Formándose en consecuencia hueco en
la banda de valencia. El semiconductor dopado con sustancias triviales se llama
de tipo P y dichas sutancias (B, Al, Ga) se denominan aceptores.
+4 +4 +4
Si * Si * Si
* * * * * *
+4 * +3 * +4
Si * B * Si
* *
+q Hueco
+4 º +4
Si * Si * Si
EC
Ei
0.045ev (B)
Ea
Eg
_ _ _ _
_
EN
T=0K T = 100 K
( EC − E F )
−
n = Nd = NC ⋅ e k BT
… (1)
EC EC
Ed
Iones clonores
Ei Ei
Iones aceptores
EV Ea
EV
N
E C − E F = k B T ln c … (2)
Nd
( E F − EV )
−
p = N a = NV ⋅ e k BT
… (3)
N
E F − EV = k B T ln V … (4)
Na
Concertaciones extrínsecas.-
( EC − E F ) ( EC − Ei ) ( E F − Ei ) ( E F − Ei )
−
n = NC ⋅ e k BT
= NC ⋅ e k BT
e k BT
= ni e k BT
…(5)
( EF − EV ) ( EV − E i ) ( Ei − E F ) ( Ei − E F )
−
y p = NV ⋅ e k BT
= NV ⋅ e k BT
e k BT
= ni e k BT
…(6)
3
2 ∞
1 2me∗ ( E − EC )
1
∫
⋅dE
n= 2
2
… (7)
2π 2
( E − EF )
η EC e k BT
+1
E − EF
Se define n= … (8)
k BT
E F − EC
nF = … (9)
k BT
3
2∞
1 2me∗ k BT 1
∫
⋅dn
n= n 2
2π 2 η2 e ( n − nF )
+1 … (10)
0
∞ 1
2
n= N C ⋅ F1 (n F ) … (12)
π 2
3
E F − EC
2
4
nF > 3 ⇒ F1 ≅ … (13)
2
3 π k BT
3
E − EC
2
3
m∗k T 2
3
m∗ T 2
[ ]
2 3
N C (T ) = 2.512 × 10 de
19
cm
−3
… (16)
e
m 300
3
2m ∗ 2
N h ( E ) = 4π 2h (EV − E ) 2
1
… (17)
η
Ev
p= ∫N
−∞
h ( E ) ⋅ f h ( E ) ⋅ dE = N V ⋅ F1 (n h )
2
… (18)
3
m∗ k T 2
NV = 2 h B 2 … (19)
2 ⋅π ⋅ η
EV − E F
nh = … (20)
k BT
3
2m∗
2
N e ( E ) = 4π 2 e (E − EC ) 2
1
… (21)
η
3
2mh∗
2
N h ( E ) = 4π 2 (EV − E ) 2
1
… (22)
η
EF − EC
F1 ( )
2 k BT
EF − EC
Se reduce a una función exponencial F1 = exp. ( )
2 k BT
E F − EC
n = NCe k BT
… (23)
EV − E F
p = NV e k BT
… (24)
4 E F − EC 2
F1 ≅ … (25)
2 3 π k BT
( )
2
EF − EC = η 3π 2 ⋅ n
3
2
… (26)
∗
2mdos e
e (E F − EC )
3
2mdos
∗
2
1
n≅ 2 … (27)
3π η
2
4 EV − E F
2
F1 ≅ … (28)
2 3 π k BT
( )
2
EV − EF = η 3π 2 ⋅ p
3
2
… (29)
∗
2mdos h
h (EV − E F )
3
2mdos
∗
2
1
p≅ 2 … (30)
3π η
2
Neutralidad de la carga.-
n − ni + n d = N d … (31)
p − pi + pa = N a …(32)
n − p + nd − pa = N d − N a
n + nd = ( N d − N a ) + p + pa …(33)
Donde:
n + Na = p + Nd …(34)
n ⋅ p = ni2 …(35)
nn + N a = pn + N d …(37)
ni2
nn + N a = + N d ⇒ nn2 + nn N a = ni2 + nn N d
nn
nn =
1
2
[
( N d − N a ) + ( N d − N a ) 2 + 4ni2 ] …(38)
np + Na = p p + Nd …(40)
ni2
+ N a = p p + N d ⇒ ni2 + p p N a = p 2p + p p N d
pp
p 2p − p p ( N a − N d ) + ni2 = 0
pp =
1
2
[
( N a − N d ) + ( N a − N d ) 2 + 4ni2 ] …(41)
nn pn = ni2 …(42)
ni. << Na = pp ≅ Na
n p p p = ni2 …(43)
nd 1
= …(44)
Nd 1 E − EF
exp d + 1
2 k BT
El factor ½ surge esencialmente del hecho de que hay dos estados que un
electrón puede ocupar en un sitio de donador correspondiente a los estados de
Spin.
pa 1
= …(45)
Na 1 E − Ea
exp F + 1
4 k BT
El factor ¼ se debe a la presencia de las dos bandas, hueco ligero, hueco pesado
y los dos estados de spin.
Nd E − EF
nd = = 2 N d exp − d …(46)
1 E − EF k BT
exp d
2 k BT
E − EF
n = N c exp − c …(47)
k BT
(E − EF )
2 N d exp − d
nd k BT
=
n + nd Ec − EF E − EF
N c exp − + 2 N d exp − d
k BT k BT
nd 1
= …(48)
n + nd Nc E − Ed
exp − c +1
2Nd k BT
nd
≅1
A bajas temperaturas, la relación n + nd (se aproxima a la unidad), de modo
4 Na (E − Ea )
pa = ≅ 4 N a exp − F
k BT
…(49)
EF − Ea
exp + 1
k BT
E − EF
p = N v exp v …(50)
k BT
(E − Ea )
4 N a exp − F
pa k BT
=
p + pa Ev − EF E − Ea
N v exp − + 4 N a exp − F
k BT k BT
pa 1
= …(51)
p + pa Nv E − Ev
exp − a +1
4 Na k BT
Ec + Ev 3 m* e
EFi = + k BT ln dos
*
…(52)
2 4 mdos h
ε 0 me me e 4
Ec − Ed = * …(53)
ε s me 32π ε 0 η
2 2 2
2
ε me*
Ec − Ed (eV ) = 13.6 0
εs me
4πε 0η2 me ε s
aBeff = …(54)
e 2 me me* ε 0
m ε
aBeff ( A°) = 0.52917 e* s
me ε 0
E (k , k0 ) = E (k0 ) + η
(ki − k0i )2
2
∑
i = x, y, z mi
∗ …(2)
κ 2 2
E (k ) = Ec + η ∗ …(3)
2me
2
κ 2
κ 2 2
E (k ) = Ec + η ∗l + η ∗t …(4)
2ml 2mt
1 1 2Ρcv2
∗
= + …(5)
me me E g
2Ρcv2
= 20[ev] …(6)
me
1 1 ∂2E
∗
= …(7)
η ∂κ
2 2 2
me
N (E) =
( )∗
2 mdos
3/ 2
E1 / 2 …(8)
π 2η2
∗
mdos = me∗ (masa efectiva ) …(9)
∗
= (m1.m2 .m3 )
1/ 3
mdos …(10)
Donde m1, m2 y m3 son las masas efectivas en las tres direcciones principales
para el silicio.
m*e = m1, m *t = m 2 = m 3
N ( E )( Si ) =
∗
6 2 mdos ( ) 3/ 2
E1 / 2 …(11)
π 2η2
∗
mdos
3/ 2
(
= mlh∗
3/ 2 ∗
+ mhh
3/ 2
) …(12)
∑k i = 0 ⇒ ∑ ki + ke
…(13)
ki ≠ ke
Este resultado es apenas una indicación de que hay tantos estados k positivos
ocupados como negativos. Ahora, en la situación donde un electrón con vector
de onda k, se pierde, el vector de onda total es:
∑k i = −ke
…(14)
ki ≠ k e
ρ ρ ρ
∂kh ρ v
η = e ξ + h × B …(15)
∂t c
CAPÍTULO
Fenómeno de transporte de
4 portadores
INTRODUCCIÓN
3
K = kT …(1)
2
Los electrones en un semiconductor tiene tres grados de libertad ya que pueden
moverse en un espacio tridimensional. Por lo tanto, la energía cinética de los
electrones es:
1 * 2 3
mnVth = kT …(2)
2 2
Donde mn* = masa efectiva de los electrones y Vth = velocidad térmica. A
temperatura ambiente (T= 300 oK) Vth = 107[m/s] para Si y GaAs.
3kT
Vth = …(3)
mn*
ρ
velocidad de arrastre Vr . Esta velocidad es, en la mayor parte de los dispositivos,
mucho más pequeña que la velocidad térmica, por lo que la velocidad de arrastré
puede considerarse como una perturbación de la velocidad térmica. La acción
combinada de la velocidad de arrastré puede considerarse como una
perturbación de la velocidad Térmica. La acción combinada de la velocidad
térmica y la de arrastré da lugar a un movimiento neto de los electrones en
sentido contrario al capo eléctrico aplicado.
Suponiendo que todos los portadores en el semiconductor se mueven con al
misma velocidad, entonces la corriente debe expresarse como la fuerza total en
un semiductor por el tiempo necesario para viajar de un electrodo a otro.
Q = Q = Q vr
i= …(5)
τ r λ/ vr λ
Donde • r es el tiempo de tránsito de una partícula, que viajan con una velocidad
Vr.
La densidad de corriente se puede escribir como una función de cualquiera de
densidad de carga • o densidad de portadores n en el semiconductor:
Q vr = ζ
J= vr = e n vr …(6)
Aλ
Ahora, analizaremos el movimiento de portadores considerado solamente la
velocidad promedio Vr de los portadores. En virtud de la segunda ley de Newton:
ρ ρ ∂vρ
F = ma = m …(7)
∂t
La fuerza consiste de la diferencia entre la fuerza electrostática y la fuerza de
dispersión al momento en el tiempo de dispersión. Esta fuerza de dispersión es
igual al momento dividido por el tiempo promedio entre eventos de dispersión.
m*v
F = −e ε − n r …(8)
τr
eτ r
vr = − ε …(10)
m n*
v rn = − µ n ε …(11)
e τ r v rn
µn = = …(12)
m n* ε
eτ
µ p = *r …(14)
mh
J p = enµ p ε …(16)
1 ∂E Fi
ε= …(18)
e ∂x
La caída de tensión entre dos puntos se define como la energía empleada para
mover una carga positiva unidad desde uno al otro terminales.
Para mover una carga positiva desde un punto a otro entre los cuales existe una
diferencia de potencial V y realiza un trabajo y la energía empleada es Eo=eV,
cuando la carga llega a su destino gana una energía potencial Eo=eV. Para el
electrón, se lleva desde B hasta con una diferencia de potencial V, el electrón
pierde una energía potencial Eo=-eV.
Variación de la energia potencial ∆E p = −eV
J = e(nµ n + pµ p )ε …(21)
Podemos considerar en una región del espacio una trayectoria libre media • a
cada lado de xo, de la que los electrones pueden provenir a través de la frontera
x=xo en el tiempo de dispersión • disp. Los electrones de regiones adicionales
aparte sufrirán colisiones que cambiarán en forma aleatoria sus direcciones.
En las dos regiones denominadas n1 y n2 las regiones se mueven de manera
aleatoria, la mitad de los electrones en la región n1 irán a través de x=xo hacia la
derecha y la otra mitad irán hacia al izquierda en le tiempo de dispersión • disp. El
flujo hacia la derecha es entonces
(n1 − n 2 )λ
φ n ( x, t ) = …(25)
2τ disp
2
∂n( x, t ) ∂n ( x , t )
φ n ( x, t ) = − λ = − Dn …(27)
2τ disp ∂x ∂x
λ = v th τ disp …(28)
dp( x , t )
J p = eµ p p( x )ε ( x ) − eD p … (33)
dx
n( x ) = ni exp −[ EF − EF ( x )
k BT
] … (38)
dn( x) n( x) dE F i dE F
=− − … (39)
dx k B T dx dx
En equilibrio, el nivel de nivel de Fermi no puede variar espacialmente de otro
modo la probabilidad de hallar electrones a lo largo de una posición de energía
constante variará a lo largo del semiconductor. Puesto que no está permitido por
difusión de las condiciones de equilibrio, el nivel de Fermi tiene que ser constante
en equilibrio.
dE F
=0 … (40)
dx
dE F i
El campo eléctrico está definido en función de
dx
1 dE F i
ε =− …(41)
e dx
dn( x) n( x) dE F i
Si =−
dx k BT dx
Luego, con la ecuación (37)
dn( x) n( x) e Dn 1 dn( x, t ) e Dn dn( x, t ) dn( x) e Dn
= = 1 − =0
dx k B T µ n n( x) dx µ n k B T dx dx µ n k B T
dn( x) e Dn
⇒ ≠ 0 ∨ 1=
dx µ n k BT
k B T Dn
= … (43)
e µn
Por el mismo procedimiento se obtiene:
k BT D p
= … (44)
e µp
del campo magnético ejercerá una fuerza ascendente (en la dirección y) sobre los
huecos que juegan en el eje x. Como consecuencia de esta fuerza, la velocidad
de los huecos presentará una componente en el eje y.
El resultado será una acumulación de cargas positivas en la parte superior de la
muestra y negativos en la parte inferior de la misma. Esta acumulación de cargas
creará ahora otro campo eléctrico en la dirección y orientado hacia abajo ε y .
por este capo, se llama voltaje de Hall vH. Luego la velocidad VX es la velocidad
de arrastre de huecos, la densidad de los huecos:
Jp
J p = e p vp ⇒ vx = v p =
ep
En consecuencia:
Jp
ε y = vx ⋅ Bz = B z = RH J p Bz
ep
1
Donde: R H = coeficiente de Hall ( R H > 0 )
ep
El campo eléctrico de Hall es proporcional al producto de la densidad de corriente
y el campo magnético. El coeficiente de proporcionalidad de RH es llamado
coeficiente Hall.
Para los electrones en un semiconductor de tipo N:
Jn
v x = vn = − ⇒ J n = −e n v n
en
Jn
ε y = vx ⋅ Bz = − Bz = RH J n Bz
en
1
Donde: R H = − coeficiente de Hall ( R H < 0 )
en
1 J B
n= = n z
e RH eεy
dp n
= G − R = G L + Gth − R
dt
Existe un proceso de variación de dicha concentración con el tiempo hasta
llegar al caso estacionario se estabiliza en un valor constante (dicho valor
constante será superior al equilibrio térmico p n 0 , ya que se ha inyectado
u = β (n n 0 + ∆n )( p n 0 + ∆p ) − β n n 0 p n 0 ∆p∆n = 0
u = β [n n 0 p n 0 + n n 0 ∆p + ∆np n 0 + ∆n∆p − n n 0 p n 0 ] = β (n n 0 ∆p + p n 0 ∆n )
p n − p n0 p n − p n0
u = β n n 0 ∆p = β n n 0 ( p n − p n 0 ) = =
1 τp
β nn0
El significado físico del tiempo de vida media puede ser comprendido analizando
la respuesta del dispositivo cuando se retira súbitamente cuando se retira la
fuente de luz.
Consideremos una muestra del semiconductor de tipo N, que esta iluminada y en
la cual los pares electrón – hueco son generados de forma uniforme en toda la
muestra con una velocidad de generación G L .
dp n
= G − R = G L + Gth − R = 0 ⇒ G L = R − Gth = u
dt
p − p n0
GL = n p n = p n 0 + τ pG L
τp
t=0 ⇒ p n (t = 0) = p n 0 + τ p G L
t →∞ ⇒ p n (t → ∞) = p n 0
(La concentración de huecos tiende a la concentración de huecos en equilibrio
térmico).
− t
τp
La solución será: pn (t ) = p n 0 + τ p GL ⋅ e
1
F( E ) =
1 + e ( Et − E F ) / k B T
E t : nivel de energía del centro.
E F : nivel de Fermi.
Ra = K a nN t (1 − F ) (velocidad de captura de electrones)
n = n i e ( E F − Et ) / k BT
1− F
= e ( Et − E F ) / k BT
F
K b = K a n i e ( Et − E F ) / k B T
Esta última expresión significa que si el nivel del centro E esta cerca de la banda
de conducción (Et – Ei aumenta), la emisión de electrones desde los centros
aumenta la probabilidad.
La velocidad de captura de un hueco por parte de un cuerpo será proporcional a
la concentración de electrones presentes en los centros:
Rc = K c pN t F (velocidad de captura de un hueco por parte del centro)
K d = K c n i e ( E F − Et ) / k B T
La probabilidad de emisión de un electrón de la B.V. aumenta a medida que el
nivel del centro esté más cercano a la banda de valencia.
G L = R a − Rb = Rc − R d
El tiempo de vida media para los electrones y los huecos. El caso considerado, el
tiempo de vida media para los huecos en el semiconductor de tipo N es:
1
τp =
K c Nt