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I. Introduction.
Le phototransistor bipolaire à hétérojonction (PTH) est un composant très prometteur pour la réception des
signaux optiques modulés en micro-ondes, puisqu'il réalise à la fois les fonctions de détection du signal optique et
d'amplification. Il remplace ainsi avantageusement la photodiode à avalanche, trop bruyante pour ce type de
fonction, et possède des caractéristiques comparables à l'ensemble diode PIN-FET ou diode PIN-TBH, tout en
étant plus aisément intégrable. Alors que les transistors HEMT ou FET éclairés voient des dégradations de leurs
caractéristiques fréquentielles, le PTH atteint des fréquences de coupure du gain optique pouvant aller jusqu'à 60
GHz [1]. De même, en raison des non-linéarités intrinsèques au transistor bipolaire, le phototransistor peut tout-à-
fait être utilisé dans le cadre d'un mélange optique-micro-onde. La modélisation du phototransistor en grand-
signal permet alors de prévoir son comportement en amplification comme en mélange.
Le phototransistor bipolaire à hétérojonction vertical conserve la structure classique du transistor (Figure 1). Une
fenêtre permettant l'éclairage de la jonction base-collecteur est laissée sur la base, à moins que celui-ci ne se fasse
latéralement. Les photons introduits dans la zone de déplétion de la jonction BC polarisée en inverse vont y créer
des paires électron-trou. Les trous sont attirés par la base et les électrons par le collecteur. Un photocourant ainsi
créé circule du collecteur vers la base. Il est possible de ne polariser le phototransistor qu'en mode 2-T, c'est-à-dire
en appliquant une tension entre collecteur et émetteur, ou bien en mode 3-T, en ajoutant un courant de base à la
polarisation induite par la partie constante de la puissance optique. Dans le deuxième cas, le gain et la fréquence
de coupure sont supérieurs, car le dispositif amplifie le courant de trous évacués de la base. Le phototransistor
étudié est réalisé par le CNET-OPTO+, sur substrat InP.
E Flux optique
B
Emetteur InP N
Base InGaAs P+
Collecteur InGaAs C B E C
N+
Sous-collecteur InGaAs N+
InP Lumière
Figure 2 : vue de dessus et coupe pour la
Figure 1 : coupe du phototransistor
simulation physique.
Une modélisation physique permettant de résoudre numériquement les équations de continuité des porteurs et les
équations des champs électriques en chacune des couches du phototransistor a été menée en utilisant le logiciel
ATLAS de SILVACO. Cette simulation a permis de mieux connaître le comportement du phototransistor
lorsqu’une porteuse optique est incidente.
Figure 3 : évolution du photocourant Figure 4 : évolution de la capacité BE en fonction
en fonction de la puissance optique. de la tension Vbe. A :10 GHz, B :20 GHz, C :30 GHz
On voit sur la figure 3 l’évolution linéaire du photocourant généré en fonction de la puissance optique incidente.
La pente de cette fonction donne la responsivité, ou sensibilité, en A/W. Elle permet de dire que la modélisation
du photocourant peut se faire en intégrant un générateur de courant. Il sera commandé par un autre générateur,
lequel traduira la puissance optique. Un des autres paramètres donnés par la simulation est la forme des capacités
de chacune des jonctions en fonction de leur tension appliquée. On voit par exemple l’importance de la capacité
de diffusion en figure 4 et son évolution en fréquence.
étant le potentiel interne de la jonction, et m un coefficient Le générateur de courant IAV permet de prendre en
compte les effets d'avalanche dans la jonction collecteur-base. Les composants sur substrat InP sont en effet
sensibles aux tensions trop élevées.
Les paramètres des diodes ont été extraits à partir des courbes de Gummel directes (Ic, Ib fonction de Vbe) et
inverses (Ie, Ib en fonction de Vbc), et les valeurs des résistances Rc et Re ont été extraites à partir de ces mêmes
courbes et de la pente de la courbe Ic-Vce dans la zone saturée. La résistance Rb et les valeurs des paramètres des
capacités ont été extraites à partir des mesures des paramètres S en électrique.
Iav RC
(1-X). Cj C
B Ict
Rb1 Rb2
Cj E
Ifid Ifni
RE
E
Figure 5 : Modèle grand-signal du phototransistor.
0.02 A
Ic
dB
(A)
-0.004
due à la modulation d’amplitude sera modélisée par une source de courant variable. Il sera ensuite introduit une
relation entre le courant Iopt et la puissance optique qui sera αC = 1 A/W. La relation entre le courant induit, dit
photocourant Iph et la puissance optique incidente est appelée responsivité. Elle est telle que Iph = α.Popt, α en
A/W.
Fibre
Entrée optique du PTH
a
I2
b
Iopt= αc.Popt α'.I2
50Ω 50 Ω
α = 1A/W
c
Ligne 50 Ω
La responsivité est donnée par la photoréponse, soit le rapport entre le courant de sortie sur le collecteur et la
puissance optique incidente. Elle est pour le transistor considéré de 0,4 A/W.
Le gain optique est donné par le rapport entre le courant de sortie en mode phototransistor et le courant de sortie
en mode diode (Vbe = 0). Il s’agit en fait du gain entre le courant de collecteur et le photocourant.
V. Utilisation du modèle grand-signal pour la conception.
2 0.65
1.5 S33* 1
1
0.5
θ 2 1/2
0 1/3
-0.5
1/5
-1
-1.5
-2
-2 -1 0 1 2 3