You are on page 1of 9

Joncţiunea PN.

Studiul materialelor semiconductoare mi s-a părut mereu ceva total inutil din punct de vedere practic. Această părere

mi s-a întărit în timp, observând că reuşeam să-mi dezvolt montajele electronice pe care mi le doream fără să am

niciodată nevoie de cunoştinţele despre fizica materialelor semiconductoare, despre joncţiunea PN etc. Totuşi, mi-am

dat seama că fără să înţeleg măcar în mare cum funcţionează toate componentele electronice cu care am de a face,

este mai greu să înţeleg ca lumea toate modurile în care le pot folosi. Fizica semiconductoarelor este un subiect greu

digerabil aşa că m-am hotărât ca prin acest articol să te ajut să o înţelegi mai uşor. Aşadar, astăzi vom vorbi despre:

Ce sunt materialele semiconductoare ?

Cum funcţionează materialele semiconductoare ?

Joncţiunea PN

Ce sunt materialele semiconductoare ?

Sunt materiale care au conductivitatea electrică undeva între cea a metalelor şi cea a materialelor izolatoare. Ce le

face însă cu adevărat importante în electronică este faptul că în anumite condiţii îşi pot schimba radical conductivitatea

electrică.

Cum funcţionează materialele semiconductoare ?

Pentru a putea înţelege mai uşor cum funcţionează şi cum se fabrică semiconductoarele, fie că ne place sau nu,

trebuie să înghiţim întâi puţină chimie.

Aşadar, chimia ne spune că electronii unui atom nu se rotesc în jurul lui aşa oricum, ci în nişte straturi sau orbite care se

află la distanţe precise faţă de centrul atomului. Altfel spus, un atom poate fi privit ca o ceapă: centrul acesteia este
echivalent cu nucleul atomului, iar foiţele cepei corespund cu straturile în care se plimbă electronii în jurul nucleului. În

fiecare din aceste straturi poate încape doar un număr limitat de electroni.

Aşezarea electronilor în straturi are loc la fel cum se aşează spectatorii în sala de spectacol. Dacă este vorba de un

spectacol la care vine puţină lume, vor fi pline doar locurile din primele două-trei rânduri, dacă este un spectactol la

care vine mai multă lume, se ocupă şi rândurile trei-patru şi tot aşa mai departe. Similar, dacă un atom are puţini

electroni, aceştia vor ocupa doar primele straturi, dacă atomul are mai mulţi electroni, se vor ocupa şi câteva din

straturile următoare şi aşa mai departe.

La fel ca şi în analogia cu sala de spectacol, în cazul multor elemente chimice, ultimul strat nu se completează 100% cu

electroni. În aceste cazuri, electronii de pe ultimul strat pot fi folosiţi de către atom pentru a forma legături chimice cu

alţi atomi.

Acum, după această scurtă lecţie de chimie, ştim destule pentru a putea înţelege funcţionarea materialelor

semiconductoare.

Materiile prime folosite la fabricarea materialelor semiconductoare sunt cristalele de diamant, germaniu şi mai ales

siliciu. Aceste materiale sunt speciale prin faptul că absolut toţi electronii de pe ultimul strat sunt folosiţi la crearea de

legături cu atomii vecini. În cazul lor, pe ultimul strat încap maxim 8 electroni.

Acest lucru se observă foarte bine în figura 1 (inspirată dintr-un document mai amplu). Sferele albastre reprezintă

electronii de pe ultimul strat (pe cei din straturile inferioare nu i-am mai pomenit pentru că practic nu au nici o influenţă).

Atomul de germaniu (simbolizat Ge) din centrul figurii 1 are doar 4 electroni pe ultimul strat şi visează să mai facă rost

de încă 4 pentru a-şi ocupa toate cele 8 locuri de pe ultimul strat. Fiind de aceeaşi natură, acelaşi lucru şi-l doresc şi

atomii vecini. Cum îşi rezolvă aceştia problema lipsei de electroni ? Simplu, electronii vecini îşi pun la comun câte un

electron la fel cum amicii pun bani mână de la mână pentru a-şi cumpăra lucruri pe care nu şi le pot permite singuri,

lucruri pe care apoi le folosesc împreună. Altfel spus, dacă doi atomi îşi pun la comun câte un electron, perechea
respectivă de electroni va fi folosită simultan de ambii atomi. Astfel, fiecare din cei doi atomi se va simţi ca şi cum ar

avea 5 electroni pe ultimul strat. În figura 1 se observă că fiecare atom de Ge îşi împarte toţi cei 4 electroni de pe

ultimul strat cu patru atomi învecinaţi, ceea ce îl face să se simtă ca şi cum nu ar avea nici un electron lipsă. În chimie,

această înţelegere poartă denumirea de legătură covalentă.

Figura 1. Reţeaua cristalină a unui cristal de germaniu

Această situaţie lasă materialul semiconductor fără electroni liberi. Fără prezenţa electronilor liberi, semiconductoarele

nu pot conduce curentul electric şi deci, teoretic, sunt materiale perfect izolatoare. De ce le-am vrea izolatoare ?

Pentru a le putea face să devină conductoare doar în modul în care dorim noi, nu haotic aşa cum ar putea-o face

diferitele impurităţi. Din acest motiv, puritatea materiilor prime semiconductoare trebuie să fie mai mare de 99,9999%.

Ultima etapă în fabricarea materialelor semiconductoare constă în transformarea lor din izolatori electrici în conductori

electrici. Această transformare se obţine prin doparea (amestecarea) semiconductoarelor cu nişte impurităţi speciale,

numite impurităţi de tip P sau impurităţi de tip N.

Impurităţile de tip P constau în cantităţi foarte mici de bor (B) sau galiu (Ga), atomi care în mod natural au pe ultimul

strat doar 3 electroni (din maximul de 8 care pot încape în acest strat). Acest fapt este reprezentat în figura 2 unde se

observă cum atomul de bor (căruia îi lipsesc 5 electroni de pe ultimul strat) pur şi simplu fură 1 electron de la un atom

de germaniu vecin pentru a putea stabili 4 legături covalente cu atomii vecini (3 legături cu electronii lui naturali şi una

cu electronul furat). La fel de bine se poate întâmpla ca atomul de bor să fie cinstit, să nu fure electroni de nicăieri, să

formeze doar 3 legături covalente şi să rămână cu un loc gol pe ultimul strat. În oricare din aceste situaţii ne-am afla,

vom avea mereu aceeaşi consecinţă: în semiconductorii dopaţi cu atomi de tip P, mereu vor exista locuri libere pentru

alţi electroni (proveniţi de undeva din exteriorul materialului. În literatura tehnică de specialitate, aceste locuri libere se
numesc goluri. Deoarece aceste goluri pot primi electroni de undeva din exterior, rezultă că în acest caz

semiconductorul poate conduce curentul electric.

Figura 2. Doparea unui cristal de germaniu (Ge) cu atomi de bor (B).

Nota: Te-ai putea gândi că după ce conectezi semiconductorul la o sursă de alimentare cu energie electrică, toate

golurile se vor umple cu electroni luaţi din borna negativă a sursei respective (care este doldora de electroni) şi că, în

cele din urmă, semiconductorul redevine izolator. Într-adevăr, golurile vor absorbi electronii făcuţi cadou de sursa

respectivă, însă nu-i vor putea înţepeni în legături covalente pentru că toate legăturile covalente posibile sunt deja

făcute încă din etapa de fabricaţie a semiconductorului. Asta înseamnă că electronii primiţi cadou de la sursa de

alimentare vor putea ocupa golurile, însă pentru că nu-i împiedică nici o legătură covalentă, la nevoie pot părăsi acele

goluri pentru a forma un curent electric.

Aşadar, semiconductorul rămâne conductor şi în acest caz.

Materialele semiconductoare dopate cu impurităţi de tip P se numesc materiale semiconductoare de tip P.

Impurităţile de tip N constau în cantităţi foarte mici de fosfor sau arsenic, atomi care în mod natural au pe ultimul strat

doar 5 electroni (din maximul de 8 care pot încape în acest strat). Situaţia este reprezentată în figura 3 unde se

observă cum funcţionează doparea cristalelor de germaniu cu atomi de arseniu (cărora de pe ultimul strat le lipsesc
doar 3 electroni). Cu toate că ar avea nevoie doar de 3 atomi, atomul de arseniu încearcă să se “integreze în

societate” şi formează 4 legături covalente cu 4 atomi de germaniu vecini. Astfel atomul de arseniu simte că s-a ales

cu 4 electroni, deci cu unul în plus faţă de cât ar avea nevoie pentru a-şi completa ultimul strat. Electronul care este în

plus nu este acceptat de nici unul din atomii vecini, pentru că aceştia au format deja toate legăturile covalente posibile.

Asta înseamnă că electronul rămas în plus este de fapt un electron liber, care poate ajuta oricând la formarea unui

curent electric.

Notă: presupun că în acest caz te-ai putea gândi că după ce conectezi semiconductorul la o sursă de alimentare cu

energie electrică, toţi electronii liberi din semiconductor ar putea fi absorbiţi de borna pozitivă a sursei respective (care

este mereu flămândă după electroni) şi că, în final, semiconductorul redevine izolator. Într-adevăr, electronii liberi vor fi

absorbiţi de borna pozitivă însă fără aceşti electroni o parte din atomii semiconductorului vor deveni ioni pozitivi,

care mereu vor fi dornici să primească electroni pentru a redeveni neutri. Altfel spus, absorbind electronii liberi, nu faci

decât să creezi nişte goluri de electroni în care se pot instala foarte bine nişte electroni veniţi de undeva din exteriorul

semiconductorului. Cum nici în acest caz nu se mai pot forma alte legături covalente, rezultă că electronii care ar ocupa

acele goluri ar putea-o lua oricând din loc pentru a forma un curent electric. În concluzie, şi în acest caz

semiconductorul rămâne conductor.

Materialele semiconductoare dopate cu impurităţi de tip N se numesc materiale semiconductoare de tip N.


Figura 3. Doparea unui cristal de germaniu (Ge) cu atomi de arseniu (As)

Joncţiunea PN

Din discuţiile de mai sus rezultă că atât semiconductoarele de tip P cât şi cele de tip N, luate separat, sunt materiale

conductoare. Când însă sunt puse în contact, electronii liberi din semiconductorul N se năpustesc să ocupe golurile de

electroni din semiconductorul P. Zona de contact dintre semiconductorul de tip N şi cel de tip P poartă numele

de joncţiunea PN (vezi figura 4). Pe măsură ce electronii liberi din N ocupă golurile din P se întâmplă următoarele

lucruri:

în semiconductorul P creşte numărul de electroni, fapt pentru care în acesta încep să apară ioni

negativi (punctele albastre din figura 4);

în semiconductorul N scade numărul de electroni, fapt pentru care în acesta încep să apară ioni

pozitivi (punctele roşii din figura 4).

Probabil mai ţii minte de la chimie că ionii negativi, având exces de electroni, tind să respingă electronii liberi de prin

apropiere. Asta înseamnă că neutralizarea golurilor din semiconductorul P cu electroni liberi din semiconductorul N,

continuă doar până când ionii negativi care apar în semiconductorul P ajung să fie atât de mulţi încât formează o

barieră care nu mai permite trecerea electronilor liberi prin joncţiunea PN. Această barieră se numeşte barieră de

potenţialsau zonă de golire (depletion zone). Primii electroni liberi şi primele goluri care se “mănâncă” reciproc sunt

cele din imediata vecinatate a joncţiunii PN şi de aceea mijlocul barierei de potenţial coincide cu zona de contact a

semiconductorului de tip N cu cel de tip P.

Figura 4. Joncţiunea PN
Ai putea spune, “nu mai înţeleg nimic, electronii liberi vor sau nu să ocupe toate golurile disponibile ?”. Asta m-a

bulversat şi pe mine până când am înţeles că este vorba de două fenomene care se petrec în acelaşi timp dar au

efecte contrare:

primul fenomen – am spus mai sus că în semiconductorul P, unii atomi din materialul de bază sunt deposedaţi de un

electron de către atomul de impuritate. Per total însă, numărul de electroni ai semiconductorului P rămâne constant. În

urma electronului “răpit” rămâne un gol care ţipă că vrea umplut înapoi. Drept consecinţă, zonele cu mai puţini

electroni din semiconductorul P, atrag prin joncţiunea PN electroni din semiconductorul N;

aldoileafenom – când un electron liber ajunge din semiconductorul N într-un gol din semiconductorul P, acesta rezolvă problema

golului însă în acelaşi timp reduce numărul de electroni din semiconductorul de tip N. Drept

consecinţă, semiconductorul N cere înapoi semiconductorului P electronii luaţi în cadrul primului fenomen.

Datorită apariţiei zonei de golire, în mod normal electronii liberi nu mai pot circula prin joncţiunea PN. Trecerea

curentului electric prin joncţiunea PN este totuşi posibilă dacă neutralizăm efectul barierei de potenţial aplicând o

tensiune electrică de aceeaşi valoare dar de sens contrar. Această tensiune electrică “de neutralizare” poartă

denumirea de tensiune de prag. Valoarea tensiunii de prag depinde de materialul de bază din care este construită

joncţiunea PN. De exemplu, pentru cele din siliciu este de cca. 0,65V, pentru cele cu germaniu este în jur de 0,15V şi aşa

mai departe

Cea mai importantă proprietate pe care o posedă joncţiunea PN este faptul că nu conduce curentul electric decât

într-un singur sens. În continuare vom vorbi puţin despre ce se întâmplă în joncţiunea PN atunci când o conectăm o

sursă de tensiune electrică, în fiecare din cele două sensuri posibile.

Joncţiunea PN polarizată în sens direct. În acest mod, electronilor din materialul N li se adaugă electroni trimişi de borna

– (minus) a sursei, iar numărul de goluri din materialul P este crescut de electronii absorbiţi de borna + (plus). În acest

mod, practic se măreşte numărul de electroni liberi din materialul N şi numărul de goluri din materialul P. Din acest
motiv, în sens direct, joncţiunea PN conduce curentul electric (bineînţeles, dacă la bornele ei aplicăm o tensiune

electrică cel puţin egală cu tensiunea de prag). Fenomenul este schiţat în figura 5 unde se observă că bariera de

potenţial are dimensiuni mai reduse la polarizarea în sens direct faţă de cazul din figura 4 în care joncţiunea PN nu este

conectată nicăieri.

Figura 5. Joncţiunea PN polarizată în sens direct

JoncţiueaPNpolariztăînseninvers. În acest caz, toţi electronii liberi din materialul N sunt înghiţiţi de borna + (plus) iar toate golurile din materialul P sunt

completate de electronii veniţi de la borna – (minus). În această situaţie, semiconductorul de tip N devine izolator

pentru că fără electroni liberi nu mai are cine conduce curentul electric. În acelaşi mod şi materialul P devine izolator

pentru că nemaiavând locuri libere, nu mai poate accepta electroni de nicăieri.

În altă ordine de idei:

în sensul direct, tensiunea aplicată pe joncţiunea PN reduce grosimea barierei de potenţial, putând-o chiar anula

dacă are o valoare mai mare decât tensiunea de prag;

în sensul indirect, tensiunea aplicată pe joncţiunea PN măreşte grosirea barierei de potenţial.

Fenomenul este schiţat în figura 6 unde se observă că bariera de potenţial are dimensiuni mult mai mari la polarizarea

în sens invers faţă de cazul din figura 4 în care joncţiunea PN nu este conectată nicăieri.

Figura 6. Joncţiunea PN polarizată în sens invers

După cum vezi, joncţiunea PN are o funcţionare destul de simplă (DACĂ stăpâneşti bine destul de multe noţiuni de

chimie şi fizică moleculară).