Вы находитесь на странице: 1из 43

Практическое занятие 1.

Наблюдение интерференционной картины

Цель работы – изучить явление интерференции и условия необходимые


для образования интерференционных картин, экспериментально получить и
зарегистрировать систему интерференционных колец или полос.

Краткие теоретические сведения

Интерференция света весьма тонкое физическое явление, которое


редко наблюдается в обыденной жизни. Так, из опыта хорошо известно, что
если комната освещается двумя лампочками, то освещенность в любой точке
равна сумме освещенностей, создаваемых каждой лампочкой отдельно. Этот
экспериментальный факт, который можно назвать законом сложения
интенсивностей, имеет место для независимых источников света (ламп,
свечей и т. п.). Однако при определенных условиях наложение световых
пучков дает распределение интенсивности в виде чередующихся темных и
светлых полос – так называемой интерференционной картины.
Первым интерференцию в оптике наблюдал Т. Юнг (1801 г). Схема
опыта показана на рисунке 1. Свет от источника S проходил через маленькое
отверстие в экране Q1, затем падал на экран Q2 с двумя малыми отверстиями,
разнесенными на некоторое расстояние. Прошедший через них свет падал на
экран Q3, где и наблюдалась интерференционная картина [1].

Рисунок 1 – Схема опыта Юнга и фрагмент наблюдаемой


интерференционной картины

1
Интерференцией волн (световых, акустических и др.) называют такое
их взаимодействие, при котором происходит перераспределение суммарной
энергии волн в пространстве с образованием интерференционных
максимумов и минимумов объемной плотности энергии.
Простейший случай – интерференция двух монохроматических
световых волн, которые одинаковы по частоте, поляризации и направлению
распространения (рисунок 2), сводится к сложению комплексных амплитуд в
заданной точке пространства:
𝑈 = 𝑈1 + 𝑈2 ,
где 𝑈1 = 𝐴1 exp(𝑖𝜑1 ); 𝑈2 = 𝐴2 exp(𝑖𝜑2 ).

Рисунок 2 – Векторная диаграмма сложения двух колебаний

Вещественную амплитуду и начальную фазу результата


интерференции находят известным приемом умножения на величину,
комплексно сопряженную комплексной амплитуде:
𝐴2 = 𝐴12 + 𝐴22 + 2𝐴1 𝐴2 cos(𝜑2 − 𝜑1 ); (1)
tg 𝜑 = (𝐴1 sin 𝜑1 + 𝐴2 sin 𝜑2 )/(𝐴1 cos 𝜑1 + 𝐴2 cos 𝜑2 ).
Из формулы (1) следует, что амплитуда 𝐴, а, следовательно, и
интенсивность I результата интерференции зависят от разности фаз
𝜑2 − 𝜑1 = 𝛿𝜑:
𝐼 = 𝐼1 + 𝐼2 + 2√𝐼1 𝐼2 cos 𝛿𝜑. (2)
Экстремальные значения результирующей интенсивности получаются
следующими:

2
2
𝐼𝑚𝑎𝑥 = (√𝐼1 + √𝐼2 ) при 𝛿𝜑 = 2𝜋𝑚;
2
𝐼𝑚𝑖𝑛 = (√𝐼1 − √𝐼2 ) при 𝛿𝜑 = 𝜋(2𝑚 + 1),
где т – целое число (т = 0, ±1, ±2, ± ...).
Если 𝐼1 = 𝐼2 , то 𝐼𝑚𝑎𝑥 = 4𝐼1 , 𝐼𝑚𝑖𝑛 = 0 (рисунок 3).

Рисунок 3 – Изменение интенсивности света в случае интерференции


двух одинаковых монохроматических волн

Для оценки формы и ширины полос рассмотрим интерференционную


схему для двух идеальных источников И1 и И2 являющихся точечными и
монохроматическими (рисунок 4). Если источники расположены в однородной
среде, например в вакууме (𝑛=1), и начальная разность фаз их колебаний
𝛿𝜑=0, то разность фаз в некоторой точке 𝑀, зависящая от оптической
разности хода ∆= 𝑠2 − 𝑠1 , определится соотношением 𝛿𝜑 = 2𝜋∆/𝜆. Если ∆=
𝑚𝜆, то получается светлая полоса, а при ∆= (2𝑚 + 1)𝜆/2 – темная полоса.
Целое число т, выражающее оптическую разность хода в длинах волн,
называют порядком интерференции. Условию 𝑠2 − 𝑠1 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡,
определяющему изофазные поверхности в пространстве, соответствуют
двухполостные гиперболоиды вращения, фокусами которых служат точки И1
и И2 источников. Поэтому возможна различная форма интерференционных
полос в зависимости от расположения экрана. Так, на экране Э, расположенном
на достаточно большом удалении от источников и параллельно прямой,
соединяющей их, возможно получение прямолинейных и равноотстоящих
полос; на экране Э' полосы искривляются по мере возрастания угла 𝛾 и
приобретают форму концентрических колец на экране Э".

3
Рисунок 4 – Форма интерференционных полос
на различно расположенных экранах

Шириной интерференционных полос d называют расстояние между


двумя соседними максимумами или минимумами. Для малых отрезков у и
углов 𝛼 между интерферирующими лучами можно использовать простую
формулу
𝑑 = 𝜆/𝛼. (3)
В общем случае формула имеет вид
𝜆
𝑑= . (4)
2 sin(𝛼/2)

Из формул (3) и (4) видно, что ширина полос тем больше, чем меньше
угол между интерферирующими лучами.
Качество интерференционной картины оценивают контрастом, для
количественной характеристики которого используется функция вида
𝐾 = (𝐼𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝑚𝑖𝑛 )/(𝐼𝑚𝑎𝑥 + 𝐼𝑚𝑖𝑛 ), (5)
которую часто называют видимостью. Максимальный контраст (𝐾𝑚𝑎𝑥 =1)
можно получить лишь при равенстве интенсивностей интерферирующих
пучков. Кроме неравенства интенсивностей к причинам, снижающим контраст
интерференционной картины, следует отнести фоновую засветку экрана,
различия в поляризации световых пучков, а также конечный спектральный
интервал и протяженность реальных источников. Способность к интерференции
характеризует когерентность источников, т. е. наличие корреляции между
колебаниями в различных точках пространства в разные моменты времени.

4
Рассмотрим два точечных, но квазимонохроматических источника,
обладающих одинаковыми равноинтенсивными спектральными интервалами
(∆𝜆 = 𝜆2 − 𝜆1 ≪ 𝜆, 𝜆 ≈ 𝜆1 ≈ 𝜆2 ). Очевидно, что по мере удаления от
центральной точки экрана О (рисунок 5), соответствующей нулевой разности
хода, интерференционные максимумы одинаковых порядков для 𝜆1 и 𝜆2
будут смещаться друг относительно друга. Когда это смещение достигнет
ширины интерференционной полосы, произойдет размытие полос, так как
максимумы для промежуточных длин волн, входящих в спектральный
интервал, полностью перекроют провал интенсивности между соседними
максимумами. Соответствующая этому условию оптическая разность хода
называется критической ∆кр = (𝑚кр + 1) 𝜆 = (𝜆 + ∆𝜆)𝑚кр . Из последнего
выражения получим
𝜆
𝑚кр = ; ∆кр = 𝜆2 /∆𝜆. (6)
∆𝜆

Из формул (6) видно, что чем уже спектральный интервал, тем выше
порядок интерференции и больше оптическая разность хода, при которой
можно наблюдать интерференционную картину.
В случае, когда квазимонохроматический источник содержит только
две узкие спектральные линии, размытие интерференционных полос будет
происходить периодически для разностей хода, определяемых выражением
(2𝑝+1)𝜆2
∆кр = , где р – целые числа, определяющие периодичность размытия.
2∆𝜆

Интерференционная картина, наблюдаемая в белом свете, содержит


контрастную полосу нулевого порядка, от которой в обе стороны видно лишь
несколько окрашенных полос.
Перейдем к рассмотрению источников, имеющих конечные размеры. В
обычном (не лазерном) источнике каждый элемент его поверхности излучает
независимо от других. Взаимодействие пучков от двух протяженных
источников не приводит к стационарной интерференционной картине
вследствие малой длительности отдельных цугов колебаний и хаотичности
каждого акта излучения. Для получения интерференции от протяженных

5
источников приходится создавать два изображения исходного источника.
Тогда для световых волн, исходящих от соответствующих точек изображений
источника, сохраняется постоянство разности фаз, позволяющее получать
стационарную интерференционную картину. В любой интерференционной
схеме необходимо осуществить разделение исходного пучка на несколько
пучков с последующим сведением их в плоскость наблюдательного экрана.
Различают три способа разделения пучков: по амплитуде (интерференция
Ньютона), по фронту волны (интерференция Френеля) и по поляризации.
Двухлучевая интерференционная схема с исходным источником И,
имеющим линейную протяженность 𝑙, представлена на рисунке 4. Полученные
от исходного источника так называемые вторичные источники И1 и И2
примем равноинтенсивными и равнопротяженными исходному: 𝑙1 = 𝑙2 = 𝑙.
Возможны два случая взаимного расположения вторичных источников:
а) прямое; б) перевернутое. В первом случае каждая пара соответствующих
точек (например, А1–А2, C1–C2, B1–B2 и т. д.) приводит к получению
интерференционных полос одинаковой ширины, но соответственно
смещенных на экране. Когда это смещение станет равным ширине полосы,
произойдет полное размытие интерференционной картины. Соответствующую
длину вторичных источников называют критической 𝑙кр = 𝑑. При переходе к
исходному источнику необходимое условие получения интерференционной
картины означает, что разность хода лучей от крайних точек А и В по
направлениям обеих ветвей I и II схемы должна быть меньше длины волны:
∆= ∆𝐼 + ∆𝐼𝐼 = 2𝑙 sin 𝜎/2 < 𝜆 или для малых углов 𝑙𝜎 < 𝜆.

Рисунок 4 – К выводу формулы для допустимой длины


протяженного источника

6
При перевернутом положении вторичных источников наибольший
контраст получается для интерференционной полосы в центре экрана, для
которой нулевая разность хода имеет место для всех соответствующих точек
вторичных источников. По мере удаления от нулевой интерференционной
полосы контраст постепенно снижается вследствие перекрытия полос, что
обусловлено их неодинаковой шириной [2].
Различают два основных типа интерференционных полос – полосы
равного наклона и полосы равной толщины. Рассмотрим особенности полос
каждого типа на примере работы интерферометра Майкельсона, схема
которого показана на рисунке 5. Прибор работает следующим образом. Пучок
света от монохроматического источника направляется на светоделительную
пластину, где делится на два пучка – прошедший и отраженный – примерно
одинаковой интенсивности. Пройдя некоторые расстояния, эти пучки
попадают на зеркала, отражаются ими в обратных направлениях и вновь
падают на делительную пластину. Пластина снова частично отражает и
частично пропускает свет, в результате чего образуется пучок света,
представляющий собой смесь пучков, прошедших через разные плечи
интерферометра. Этот пучок света наблюдается на экране. Двигая одно из
зеркал интерферометра в направлении падающего на него светового пучка,
можно изменять оптическую разность хода лучей и наблюдать изменение
интерференционной картины.

Рисунок 5 – Схема интерферометра Майкельсона

7
На рисунке 6 показана эквивалентная схема интерферометра
Майкельсона, в которой вместо одного из зеркал введена так называемая
«референтная плоскость», занимающая место изображения этого зеркала в
делительной пластинке. Для анализа работы интерферометра достаточно
рассмотреть интерференцию волн, отраженных референтной плоскостью R и
зеркалом 𝑀2 . Иначе говоря, возникает задача об интерференции волн,
отраженных гранями плоскопараллельной пластинки.

Рисунок 6 – Эквивалентная схема интерферометра Майкельсона.


Пунктиром показано положение референтной плоскости

Пусть плоская монохроматическая световая волна падает на


плоскопараллельную пластинку, обе грани которой частично отражают свет
(рисунок 7). Подсчитаем оптическую разность хода лучей ∆, отраженных
передней и задней гранями пластинки.

Рисунок 7 – Интерференция света на плоскопараллельной пластинке

Обозначим толщину пластинки ℎ, угол падения света 𝛼, угол


преломления 𝛽, показатель преломления материала пластинки 𝑛. В силу
закона Снеллиуса
sin 𝛼 = 𝑛 sin 𝛽. (7)

8
Так как фазовый набег световой волны в среде пропорционален показателю
преломления 𝑛, искомая разность хода лучей есть
∆= 2𝐴𝐵𝑛 − 𝐴𝐷. (8)
Из рисунка 7 видно, что
𝐴𝐷 = 𝐴𝐶 sin 𝛼, 𝐴𝐶 = 2𝐴𝐵 sin 𝛽, 𝐴𝐵 = ℎ/ cos 𝛽. (9)
Из (7)–(9) получаем
∆= 2ℎ𝑛 𝑐𝑜𝑠 𝛽. (10)
Формулы (7), (10) показывают, что разность хода лучей, отраженных
гранями плоскопараллельной пластинки, зависит от угла падения света на
пластинку («угла наклона»). Поэтому при падении на пластинку расходящегося
светового пучка образуется интерференционная картина, называемая «полосы
равного наклона». В частности, в случае осесимметричного лазерного пучка
интерференционная картина в интерферометре Майкельсона имеет вид
системы концентрических колец. Смещение какого-либо из зеркал приводит
к изменению диаметра колец.
Если одно из зеркал в интерферометре Майкельсона слегка отклонено
так, что плоскости зеркал не являются взаимно перпендикулярными, то
референтная плоскость R и зеркало 𝑀2 (рисунок 6) будут не параллельны
друг другу, образуя как бы грани клиновидной пластинки. Разность хода
лучей в этом случае приближенно описывается той же формулой (10), где h –
толщина пластинки в том месте, где происходит отражение света. Так как
величина h меняется вдоль клиновидной пластинки, получающаяся
интерференционная картина получила название «полосы равной толщины».
При изменении разности хода лучей ∆ полосы сдвигаются в
перпендикулярном к ним направлении [1].

Описание лабораторной установки

Схема установки представлена на рисунке 1. Она включает источник


излучения (He-Ne лазер) 1, плоскопараллельную пластину 2, экран 3.

9
Рисунок 8 – Схема экспериментальной установки для наблюдения
интерференционной картины

Порядок выполнения работы

1. Собрать на оптическом столе схему согласно рисунку 1, добиться


совмещения оси оптического элемента с осью оптической системы.
2. Регулируя микрометрические винты юстировочного узла, получить
на экране интерференционную картину и сфотографировать ее.
3. Определить количество интерференционных полос (или колец)
на фотографии и измерить расстояние между ними.

Контрольные вопросы

1. Каким образом могут взаимодействовать световые пучки? Что


позволило Т. Юнгу впервые наблюдать интерференцию?
2. Дайте определение интерференции. Опишите взаимодействие двух
одинаковых по характеристикам монохроматических волн.
3. Интерференционные полосы какой формы можно наблюдать?
Выведите формулы, определяющие ширину полос.
4. Какой количественной характеристикой оценивают качество
интерференционной картины? Назовите причины снижения контраста.
5. Каким образом спектр излучения источников влияет на качество
интерференционной картины? Приведите рассуждения для излучения в
интервале длин волн, на отдельных частотах и в белом свете.

10
6. Какой прием используется в оптических схемах для получения
интерференции? Приведите примеры оптических схем с разделением пучков
по фронту волны и по амплитуде.
7. Чем определяется критическая длина протяженного источника
в случае прямого расположения вторичных источников? Как меняется ситуация
при перевернутом расположении вторичных источников?
8. Приведите схему интерферометра Майкельсона и опишите его
работу. В чем заключается смысл введения референтной плоскости?
9. Выведите формулу для оптической разности хода лучей,
отраженных передней и задней гранями плоскопараллельной пластинки.
10. Какие типы интерференционных полос различают и почему?
Можно ли получить полосы равной толщины в интерферометре Майкельсона
за счет небольшого отклонения делительной пластинки?

11
Практическое занятие 2. Наблюдение дифракции

Цель работы – теоретически и экспериментально изучить явление


дифракции; получить дифракционную картину, используя источник
когерентного монохроматичного излучения.

Краткие теоретические сведения

Наблюдение является одним из методов эмпирического познания. Это


особый, целостный способ изучения явлений и процессов, в котором они
предоставлены естественному ходу событий. С теоретических позиций
структура эксперимента и наблюдения одна и та же: изучаемое явление –
прибор – экспериментатор (наблюдатель). Поэтому осмысление наблюдения
мало чем отличается от осмысления эксперимента. Наблюдение вполне
можно считать своеобразным случаем эксперимента.
Многие наблюдаемые нами явления говорят о том, что свет
распространяется прямолинейно. Солнечный луч, луч прожектора, луч лазера
ассоциируются в нашем сознании с прямыми линиями. Прямолинейность
распространения – одно из главных и наиболее очевидных свойств света.
Между тем, некоторые весьма тонкие оптические явления и эксперименты
указывают на нарушение закона прямолинейного распространения света.
Так, солнечный луч или луч лазера всегда обладает пусть малой, но конечной
расходимостью. Граница светового пучка, граница между светом и тенью
никогда не бывает резкой, а всегда имеет конечную ширину.
В некоторых случаях свет распространяется вовсе не прямолинейно.
Проходя через маленькое отверстие, пучок света приобретает большую
угловую расходимость – тем большую, чем меньше размер отверстия. В
центре геометрической тени, создаваемой круглым непрозрачным диском,
существует маленькое светлое пятно. Лазерный луч, падающий на
дифракционную решетку, образует широкий расходящийся «веер» лучей.

12
Все перечисленные факты можно объяснить, если допустить, что свет –
это волна. Прямолинейность распространения света не противоречит его
волновой природе, так как длина световой волны очень мала – менее 1 мкм.
Сильных волновых эффектов можно ожидать в случае, если поперечный
размер светового пучка становится соизмеримым с длиной волны.
Понятие «дифракция» в оптике связывается с нарушением
прямолинейности распространения света. А. Зоммерфельд определил
дифракцию как «отклонение распространения света от прямолинейного, не
связанное с отражением и преломлением». В более узком смысле
дифракцией называются явления огибания волной препятствия. В оптике
этому соответствует проникновение света в область геометрической тени.
Используя понятие интерференции света, можно сказать, что дифракция –
это интерференция в ограниченных световых пучках.
Принципиальное значение дифракции состоит в том, что она
доказывает волновую природу света. Дифракция имеет большое
практическое значение, поскольку ограничивает возможности концентрации
света в пространстве, кладет предел разрешающей способности оптических
приборов, влияет на формирование оптического изображения и т. п.
Первое сообщение о наблюдении дифракции света было сделано
Гримальди (1665 г.). Он проводил свои опыты на установке, схема которой
показана на рисунке 1, а. Источник света освещает отверстие в непрозрачном
экране, а в плоскости, расположенной на некотором расстоянии позади
экрана, измеряется освещенность. Гримальди установил, что переход от
света к тени происходит постепенно, а не резко (рисунок 1, б).
Понимание природы дифракционных явлений связано с развитием
представлений о свете как о волне. Первый шаг на этом пути сделал в конце
XVII в. голландский ученый Христиан Гюйгенс. Гюйгенс полагал, что на
фронте светового возмущения каждая точка есть источник вторичной
сферической волны, и положение волнового фронта в следующий момент
времени определяется огибающей вторичных волн.

13
а б
Рисунок 1 – Схема наблюдения дифракции света (а) и освещенность
в плоскости наблюдения (б) вблизи границы области геометрической
тени (некогерентное освещение)

Принцип Гюйгенса иллюстрирует рисунок 2, на котором показаны


волновой фронт светового возмущения, элементарные вторичные волны и
огибающие вторичных волн для случаев распространения светового пучка
параллельных лучей (рисунок 2, а) и распространения света от точечного
источника (рисунок 2, б).

а б
Рисунок 2 – Объяснение прямолинейности распространения света по
Гюйгенсу. Распространение через отверстие параллельного пучка света (а)
и распространение расходящегося пучка от точечного источника (б)

В начале XIX в. идеи Гюйгенса получили развитие в работах


французского ученого Огюстена Жана Френеля. Френель дополнил принцип
Гюйгенса представлением о том, что вторичные световые волны могут как
усиливать, так и ослаблять друг друга, т. е. интерферировать. Световое поле
есть результат интерференции элементарных вторичных волн, испускаемых
каждым элементом некоторой волновой поверхности – это утверждение

14
составляет содержание принципа Гюйгенса–Френеля. Френель предложил
приближенный способ расчета дифракционных картин, основанный на
представлении о так называемых полуволновых зонах или зонах Френеля.
Рассмотрим действие световой волны, испущенной из точки 𝑆, в какой-
либо точке наблюдения 𝑃 (рисунок 3). Согласно принципу Гюйгенса–
Френеля заменим действие источника 𝑆 действием воображаемых
источников, расположенных на вспомогательной поверхности Σ.

Рисунок 3 – Зоны Френеля

В качестве такой вспомогательной поверхности Σ выберем поверхность


фронта волны, идущей из 𝑆 (поверхность сферы с центром 𝑆, рисунок 3).
Вычисление результата интерференции вторичных волн значительно
упрощается, если применить следующий указанный Френелем прием: для
вычисления действия в точке 𝑃 соединяем 𝑆 с 𝑃 и разбиваем поверхность Σ
на зоны так, чтобы расстояния от краев зоны до 𝑃 отличались на 𝜆⁄2, т. е.
𝑀0 𝑃 − 𝑂𝑃 = 𝑀1 𝑃 − 𝑀0 𝑃 = 𝑀2 𝑃 − 𝑀1 𝑃 = ⋯ = 𝜆⁄2,
где λ – длина световой волны. Оценить радиусы зон можно, пользуясь
формулой, приведенной в [1]. Так, радиус n-ой зоны
𝜆𝑎𝑏
𝑟𝑛 = √(𝑛 + 1) . (1)
𝑎+𝑏

где 𝑎 – радиус сферы Σ, 𝑏 – кратчайшее расстояние от точки 𝑃 до сферы.

15
Нетрудно вычислить и размеры полученных таким образом зон. На
основании рассуждений, приведенных в [3], заключаем, что построение
Френеля разбивает поверхность сферической волны на равновеликие зоны,
𝑎𝑏
каждая из которых имеет площадь 𝜋 𝜆. Но действие отдельных зон в
𝑎+𝑏

точке 𝑃 постепенно убывает от центральной зоны к периферическим.


Пусть действие центральной зоны в точке 𝑃 выражается возбуждением
колебания с амплитудой 𝐴1 , действие соседней зоны – колебанием с
амплитудой 𝐴2 , следующей – с амплитудой 𝐴3 и т. д. Поскольку действие зон
постепенно (хотя и медленно) убывает от центра к периферии, так что 𝐴1 >
𝐴2 > 𝐴3 > 𝐴4 и т. д.; действие n-ой зоны 𝐴𝑛 может быть очень малым, если 𝑛
достаточно велико. Кроме того, благодаря выбранному способу разбивки на
зоны легко видеть, что действия соседних зон ослабляют друг друга.
Действительно, так как
𝑀0 𝑃 − 𝑂𝑃 = 𝜆⁄2 и 𝑀1 𝑃 − 𝑀0 𝑃 = 𝜆⁄2,
то воображаемые источники зоны 𝑂𝑀0 расположены на 𝜆⁄2 ближе к 𝑃, чем
соответственные источники зоны 𝑀0 𝑀1 , так что посылаемые колебания
дойдут до 𝑃 в противоположных фазах. Таким образом, для точки 𝑃 действие
центральной зоны ослабится действием соседней зоны и т. д. Продолжая эти
рассуждения, найдем, что окончательное значение амплитуды колебания,
возбужденного в точке 𝑃 всей совокупностью зон, т. е. всей световой волной,
будет равно:
𝐴 = 𝐴1 − 𝐴2 + 𝐴3 − 𝐴4 + 𝐴5 − 𝐴6 + ⋯ =
= 𝐴1 − (𝐴2 − 𝐴3 ) − (𝐴4 − 𝐴5 ) − (𝐴6 − 𝐴7 ) − ⋯ (2)
Из условия 𝐴1 > 𝐴2 > 𝐴3 > 𝐴4 … следует, что все выражения в скобках
положительны, так что 𝐴 < 𝐴1 – амплитуда результирующего колебания в
точке 𝑃 вследствие интерференции света, идущего от различных участков
сферической волны меньше амплитуды, создаваемой действием одной
центральной зоны. Освещенность 𝐸 в этой точке пропорциональна квадрату
результирующей амплитуды колебаний. Следовательно, 𝐸~𝐴2 < 𝐴12 .

16
Рассмотрим частные случаи дифракции монохроматической волны,
имеющие наиболее важное практическое значение. В целях упрощения
анализ будем проводить на примере плоской волны.
Дифракция на круглом отверстии. Пусть волна встречает на пути
экран с круглым отверстием (рисунок 4). Исследуем явление в точке 𝑃,
находящейся на расстоянии 𝑧 от отверстия.

Рисунок 4 – Схема дифракции плоской волны на круглом отверстии

Вспомогательная поверхность в этом случае совпадет с плоскостью


экрана. Разбивка на зоны Френеля покажет, что в отверстии уложится
большее или меньшее число зон. При небольшом размере отверстия можно
учитывать лишь ограниченное число действующих зон.
Легко видеть, что если отверстие открывает всего лишь одну зону или
небольшое нечетное число зон, то освещенность в точке 𝑃 будет больше, чем
в отсутствие экрана. Максимум освещенности соответствует размеру
отверстия в одну зону. Если же отверстие открывает четное число зон, то
световое возбуждение в точке 𝑃 будет меньше, чем при свободной волне.
Наименьшая освещенность соответствует двум открытым зонам.
Аналогичная картина будет наблюдаться для любой точки, лежащей на
оси отверстия. Вследствие симметрии расположения зон вокруг оси
распределение света в перпендикулярных к ней плоскостях симметрично.
Области концентрических максимумов и минимумов освещенности плавно
переходят друг в друга, располагаясь кольцеобразно около точки 𝑃.
17
Для дифракции плоской световой волны на круглом отверстии, полагая
в формуле (1) 𝑎 → ∞ и 𝑏 = 𝑧, имеем
𝑟𝑛 = √(𝑛 + 1)𝜆𝑧. (3)
Например, если 𝜆=0,5 мкм, а 𝑧=100 см, то получаем 𝑟0 =0,7 мм, 𝑟1 = 𝑟0 √2=1 мм
и т. д. Таким образом, заметных дифракционных эффектов можно ожидать
при радиусе отверстия порядка радиуса нулевой зоны Френеля, в данном
случае, при 𝑟 ≈1 мм. Из (3) следует, что зоны Френеля имеют одинаковые
площади, определяемые формулой,
2 )
𝑆𝑛 = 𝜋(𝑟𝑛2 − 𝑟𝑛−1 = 𝜋𝜆𝑧. (4)
Дифракция на круглом экране. Для точки 𝑃, лежащей на нормали к
центру экрана (рисунок 5), построение Френеля дает первую зону от центра
экрана до линии пересечения поверхности волны с конусом, образующая
которого равна 𝑧 + 𝜆⁄2, вторую зону – до конуса с образующей 𝑧 + 𝜆, и т. д.
Амплитуда световых колебаний в точке 𝑃 равна половине амплитуды,
обусловленной первой открытой зоной. Если размер экрана охватывает
малое количество зон, то действие первой открытой зоны практически не
отличается от действия центральной зоны волнового фронта.

Рисунок 5 – Схема дифракции света на диске

Освещенность в точке 𝑃 (равно как и в других точках на нормали,


достаточно удаленных от экрана) будет такой же, как и в отсутствии экрана.
Вследствие симметрии светлая точка в 𝑃, называемая «пятном Пуассона» –
по имени автора идеи эксперимента, будет окружена кольцевыми зонами

18
чередующихся тени и света (вне границ геометрической тени). По мере
удаления от 𝑃 в направлении, перпендикулярном нормали, кольца становятся
все менее резкими, и освещенность приближается к равномерной.
Дифракция на краю экрана. Предположим, что световая волна
распространяется по нормали к полубесконечному экрану с прямолинейной
границей, находящемуся на расстоянии 𝑙 от него (рисунок 6).

Рисунок 6 – Схема дифракции на краю экрана

В качестве поверхности, излучающей вторичные волны, выберем


полуплоскость, являющуюся продолжением экрана и совпадающую с
фронтом волны. Введем френелевские зоны для точки 𝑀, лежащей в
плоскости наблюдения точно под краем экрана (рисунок 6). В данном случае
они имеют вид плоских полос, параллельных краю экрана.
Повторяя рассуждения, приведенные в [1], можно получить, что
площади зон Френеля и, как следствие, их вклад в общую картину
уменьшаются с ростом номера зоны 𝑛:
𝑆𝑛 ~ 1⁄√𝑛. (5)
В данном случае вблизи границы геометрической тени наблюдается
чередование темных и светлых линий, параллельных краю экрана.

19
Описание лабораторной установки

Схема установки представлена на рисунке 7. Она включает источник


излучения (лазер) 1, экран с отверстием 2, плоскость наблюдения 3. Схема
собирается на оптическом столе. Оптимальная высота оптической оси над
поверхностью стола составляет 10 см.

Рисунок 7 – Схема экспериментальной установки для наблюдения дифракции

Порядок выполнения работы

1. Изготовить экран с отверстием: отверстие выполнить на


миллиметровой бумаге иглой.
2. Собрать на оптическом столе схему установки (рисунок 7).
3. Регулируя расстояние 𝑧 от экрана до плоскости наблюдения,
найти границы области, в которой наблюдается дифракционная картина.
4. Зарегистрировать систему концентрических колец в месте, где
резкость картины максимальна (получить фотографии).
5. По фотографиям определить радиусы колец.
6. Используя формулу (3), найти радиусы колец расчетным путем.
7. Сравнить результаты расчета и наблюдения, сделать выводы.
8. Оформить отчет, обязательно содержащий: схему установки;
фотографию, на которой видны размеры колец; результаты расчета радиусов
колец, выводы по работе.
9. Ответить на контрольные вопросы (устно).

20
Контрольные вопросы

1. Что такое наблюдение, какова его структура?


2. Какие явления и эксперименты указывают на нарушение закона
прямолинейного распространения света?
3. Противоречит ли прямолинейность распространения света его
волновой природе? Почему?
4. Дайте определение дифракции.
5. В чем состоит принципиальное значение дифракции? Какое
практическое значение имеет дифракция?
6. Расскажите о вкладе ученых в изучение дифракции? Как принцип
Гюйгенса позволяет объяснить прямолинейность распространения света?
7. Сформулируйте содержание принципа Гюйгенса–Френеля.
8. В чем состоит приближенный способ расчета дифракционных
картин, предложенный Френелем?
9. В чем заключается смысл разбиения вспомогательной
поверхности на полуволновые зоны?
10. С помощью метода зон Френеля объясните на качественном
уровне дифракцию плоской волны на круглом отверстии.
11. С помощью метода зон Френеля объясните на качественном
уровне дифракцию плоской волны на диске (круглом экране).
12. С помощью метода зон Френеля объясните на качественном
уровне дифракцию плоской волны на краю экрана.

21
Практическое занятие 3. Измерение электрического сопротивления
образца нанотрубок

Цель работы – научиться проводить обработку результатов прямых


многократных измерений, измерить значение электрического сопротивления
образца нанотрубок, химически осажденных на кремниевой подложке.

Краткие теоретические сведения

Уже более 30 лет публикации Н.В. Крото, Р.Ф. Керл и Р.Е. Смоли в
одном из самых престижных журналов – Nature, в которой описывается
метод и результаты целенаправленного синтеза новых углеродных структур –
устойчивых малоатомных кластеров, содержащих 60 и 70 атомов углерода.
Очень быстро было выявлено, что эти образования являются
индивидуальными молекулами со сфероидной топологией. В честь
американского архитектора Р.Б. Фуллера, запатентовавшего еще в 1954 г. и
впоследствии построившего купола, состоящие из набора одинаковых шести-
и пятиугольников, они были названы фуллеренами. Открытие и исследование
структуры и свойств фуллеренов было отмечено Нобелевской премией по
химии в 1996 г. К этому времени было осознано, что фуллерены, их
производные и родственные структуры (нанотрубки, нанолуковицы и др.)
могут стать основой материалов XXI века, и начался настоящий бум в
разработке методов получения фуллереноподобных структур в промышленных
количествах, их исследовании и поиске областей применения.
Чем же они отличаются от других широко известных аллотропных
форм углерода – графита и алмаза, которые часто приводят в качестве
классического примера влияния структуры на свойства материалов,
состоящих из одних и тех же атомов?
Действительно, графит – мягкий, непрозрачный материал, хорошо
проводящий электрический ток, а прозрачный алмаз – самый твердый минерал,

22
являющийся диэлектриком. Как известно, атомная структура графита состоит
из слабо связанных слоев гексагональных сеток атомов углерода, а алмаз
имеет кубическую решетку. Молекула наиболее изученного фуллерена C60
состоит из 20 шестиугольников и 12 пятиугольников, в вершинах которых
находятся атомы углерода (рисунок 1, а). Все они эквивалентны между собой
и связаны с тремя соседними одной короткой (0,1391 нм) и двумя длинными
(0,1455 нм) связями. В результате молекула фуллерена C60 имеет
эквивалентный диаметр 0,7 нм и напоминает по форме покрышку
футбольного мяча, также состоящего из шести- и пятигранных фасеток. В
центре молекулы C60 имеется незанятая электронами полость диаметром
около 0,1 нм, в которой могут находиться чужеродные атомы. Такие комплексы
называют эндоэдральными. Их обозначают формулой Mm @Cn , где M –
инкапсулированный атом, а нижние индексы m и n указывают на число
атомов внутри фуллерена и в его оболочке соответственно. Атом, заключенный
в фуллереновую клетку, практически теряет свои индивидуальные
химические свойства. В эндометаллофуллеренах размер внедренного иона
обычно меньше внутренней полости, поэтому он смещается относительно
центра молекулы и придает ей постоянный дипольный момент (до 3–4 Д).
Это может быть использовано для создания материалов с
сегнетоэлектрическими свойствами различных применений в электронике.

а б в
Рисунок 1 – Схема строения некоторых фуллеритовых структур:
а) фуллерит C60, б) фуллерит C70, в) однослойная нанотрубка
с закрытым торцом

23
В молекуле фуллерена все связи насыщены (т. е. задействованы для
образования оболочки) и охвачены sp2 -гибридизацией. Это предопределяет
ее химические и физические свойства. Однако за счет слабых Ван-дер-
ваальсовых сил фуллереновые молекулы могут конденсироваться в
молекулярные кристаллы, называемые фуллеритами. При комнатной
температуре фуллерит C60 имеет ГЦК решетку, а при температуре ниже
225 K – простую кубическую. Фуллерит с ГЦК решеткой является
полупроводником с шириной запрещенной зоны 1,5–1,8 эВ. Как и в обычных
полупроводниках (Si, Ge), свойства фуллерита можно менять в больших
пределах с помощью легирования. В частности, можно обеспечивать
проводимость n- и p-типа, добиться перехода в сверхпроводящее состояние
при нескольких десятках кельвинов и т. п.
Помимо эндоэдрических комплексов фуллерены могут образовывать
химические соединения с атомами, присоединяющимися снаружи оболочки.
При этом остов C60 может сохранять свою форму или расширяться.
Возможности создания фуллереновых производных с самыми различными
физическими и химическими свойствами привлекают большое количество
ученых и фирм к исследованиям и их приложениям во многих областях
техники. Еще более разнообразные свойства имеют молекулы C70, форма
которых напоминает дыню (рисунок 1, б). Их также можно модифицировать,
помещая атомы или молекулы внутри или «пришивая» их снаружи.
Еще больше подстегнуло интерес к карбоновым наноструктурам
обнаружение в 1991 г. нанотрубок в продуктах электродугового испарения
графита. Наиболее просты и интересны, как для исследований, так и
для приложений, одностенные нанотрубки (ОНТ) (рисунок 1, в). Их
существование и свойства также предсказывались задолго до фактического
получения в количествах, достаточных для исследований. Чисто
умозрительно можно представить их структуру путем сворачивания
графенового листа (слой графита моноатомной толщины) вдоль той или иной
кристаллографической оси (рисунок 2).

24
Электронные и колебательные свойства ОНТ существенным образом
зависят от взаимного направления базисного вектора гексагональной решетки
и оси трубки, которое задает так называемую «хиральность», т. е.
скученность графенового листа в структуре ОНТ. В частности, изменяя
хиральность, можно менять ширину запрещенной зоны и получить
квазиодномерные проволки с металлическим или полупроводниковым типом
проводимости. Обычно диаметр ОНТ составляет 1–2 нм, а длина колеблется
от единиц до сотен мкм.

а б
Рисунок 2 – Модель образования нанотрубок с различной хиральностью
при свертывании в цилиндр гексагональной сетки графита (а) и картины
атомного разрешения отдельных однослойных углеродных нанотрубок (б),
полученные в сканирующем туннельном микроскопе

Двуслойные нанотрубки тоже обладают очень интересными


свойствами, причем они предсказываются даже лучше, чем для однослойных
и многослойных. Специальными катализаторами можно добиться выхода
двуслойных трубок более чем 95 % от массы получаемого продукта.
Разработаны методы синтеза не только углеродных, но и нанотрубок из
других атомов с полезными свойствами. Так, в двуслойных BN нанотрубках
был обнаружен гигантский эффект Штарка (расщепление спектральных
линий во внешнем электрическом поле). Используя этот эффект, можно
уменьшить или даже устранить в электронном спектре запрещенную зону и

25
превратить трубку из диэлектрической – в металлическую. Фактически это
дает возможность сконструировать качественный полевой транзистор в
объеме несколько нм3.
Многостенные трубки, в отличие от одностенных, обладают более
сложной структурой и обычно содержат больше различных дефектов. Их
внешний диаметр может варьироваться в диапазоне от единиц до десятков
нм, а длина – от долей до единиц мкм. Внутренний диаметр, как правило,
составляет 1–2 нм. Различают открытые на концах и закрытые (половинками
сфероидных фуллеренов) нанотрубки. И те, и другие обладают ценностью
для разных приложений [4].
Настоящая работа посвящена измерению электрического сопротивления
образца нанотрубок, химически осажденных на кремниевой подложке.
Измерение – процесс (совокупность операций) нахождения значения
физической величины опытным путем с помощью специальных технических
средств с определенной точностью и в определенных условиях.
Измерения классифицируются по следующим признакам:
1) по способу получения результатов измерений;
2) точности результатов измерений;
3) числу измерений;
4) скорости изменения измеряемой величины во времени;
5) степени вариабельности измеряемой величины при проведении
многократных измерений.
По способу получения результатов измерения делятся на прямые,
косвенные, совместные и совокупные.
Прямые измерения – искомое значение находят из опытных данных
путем непосредственного наблюдения того или иного проявления измеряемой
величины.
Косвенные измерения – искомое значение 𝐴 находят расчетным путем
на основании известной функциональной зависимости между измеряемой
величиной и другими, предварительно измеренными величинами 𝐵1 , 𝐵2 , …, 𝐵𝑚 :

26
𝐴 = 𝐹(𝐵1 , 𝐵2 , … , 𝐵𝑚 ).
Совместные измерения – одновременные измерения нескольких
неодноименных величин для установления зависимости между ними.
Совокупные измерения – одновременные измерения нескольких
одноименных величин, когда искомые значения находят решением системы
уравнений, составленных из результатов прямых измерений различных
сочетаний этих величин.
По точности результатов измерения делятся на равноточные и
неравноточные.
Равноточные – измерения физической величины, выполненные
одинаковыми по точности средствами измерений и в одних и тех же условиях.
Неравноточные – измерения физической величины, выполненные
различными по точности средствами измерений и (или) в различных условиях.
По числу измерений различают одно- и многократные измерения.
Однократные – измерения, выполненные один раз.
Многократные – ряд следующих друг за другом измерений одной и
той же физической величины. Если ряд включает четыре измерения и более,
то полученные результаты, согласно требованиям математической статистики,
пригодны для обработки.
По скорости изменения измеряемой величины различают статические и
динамические измерения.
Статические – измерения неизменных на протяжении времени
измерения физических величин.
Динамические – измерения изменяющихся во времени величин.
Результатами динамических измерений являются одно- или многомерные
(чаще двумерные) реализации исследуемых процессов, в общем случае,
пространственно-временных физических полей. Полученные реализации
могут быть представлены либо в виде таблиц, либо в виде кривых.
Необходимо отметить, что чаще всего именно динамические измерения
доставляют максимум информации о состоянии исследуемого объекта.

27
По степени вариабельности измеряемой величины необходимо
различать измерения параметров детерминированных, квазидетерминиро-
ванных и случайных процессов. Детерминированный – это процесс с вполне
определенным законом изменения во времени характеризующих его
параметров, квазидетерминированный – это процесс с нечетко определенным
законом изменения параметров, случайный – это процесс с неопределенным
законом изменения во времени характеризующих его параметров [5].
Каждое измерение характеризуется погрешностью. Погрешность
результата измерения – это разность между результатом измерения 𝑎 и
истинным (или действительным) значением 𝐴 измеряемой величины:
Δ = 𝑎 − 𝐴. (1)
Отметим, что истинное значение измеряемой величины – это
значение, наилучшим образом отражающее свойства исследуемого объекта
на количественном и качественном уровнях.
Действительное значение – это значение, найденное эксперимен-
тально и являющееся наиболее близким к истинному. Поскольку истинное
значение всегда остается неизвестным, то вместо него, как правило,
используется действительное значение.
Погрешности классифицируются по следующим признакам:
1) характеру проявления погрешности;
2) способу выражения погрешности;
3) месту возникновения погрешности;
4) влиянию характера изменения измеряемой величины;
5) влиянию значения измеряемой величины;
6) влиянию внешних условий.
По характеру проявления погрешности могут быть систематическими
(постоянными и переменными), случайными и грубыми.
Постоянная систематическая погрешность – составляющая
погрешности измерения, остающаяся постоянной или закономерно
изменяющаяся при повторных измерениях одной и той же физической

28
величины. Данная погрешность может быть предсказана, выявлена и благодаря
этому почти полностью устранена путем введения соответствующей поправки.
Переменная (дрейфовая) систематическая погрешность – это
непредсказуемая, медленно меняющаяся во времени погрешность. Данная
погрешность может быть скорректирована поправками только в данный
момент времени, а далее она вновь непредсказуемо меняется.
Случайная погрешность – составляющая погрешности измерения,
изменяющаяся по знаку и значению случайным образом при проведении
многократных измерений одной и той же физической величины одними и
теми же средствами измерений в одних и тех же условиях. Случайные
погрешности проявляются в виде некоторого разброса результатов измерений
без какой-либо определенной закономерности. Они всегда неизбежно
присутствуют в результатах измерений, а их описание возможно только с
помощью теории случайных процессов и математической статистики.
Данные погрешности не могут быть исключены из результатов измерений
путем введения поправок. Их влияние может быть уменьшено путем
увеличения числа измерений с последующей математической обработкой.
Грубая погрешность – это случайная погрешность результата
отдельного измерения, входящего в ряд измерений. Она проявляется в
отличии результата отдельного измерения ото всех остальных результатов
ряда. Грубую погрешность выявляют с помощью специальных критериев в
процессе математической обработки.
По способу выражения погрешности делятся на абсолютные,
относительные и приведенные.
Абсолютная погрешность – вычисляется согласно соотношению (1) и
выражается в единицах измеряемой величины.
Относительная погрешность – это отношение абсолютной
погрешности измерения к истинному значению измеряемой величины:
Δ Δ
𝛿= , или 𝛿 = 100 %. (2)
𝐴 𝐴

29
Приведенная погрешность – это отношение абсолютной погрешности
к некоторому нормирующему значению 𝐴н , постоянному в диапазоне
измерений:
Δ Δ
𝛾= , или 𝛾= 100 %. (3)
𝐴н 𝐴н

Часто за 𝐴н принимают верхний предел для данного средства


измерения. Понятие приведенной погрешности используется применительно
к средствам измерений.
По месту возникновения погрешности делятся на инструментальные,
методические и субъективные.
Инструментальная погрешность – это погрешность средства
измерения.
Методическая погрешность возникает:
 при некотором несоответствии модели, описывающей
измеряемые свойства физических процессов и полей, истинным свойствам,
адекватным состояниям исследуемого объекта;
 за счет влияния средства измерения на полученное значение
измеряемой величины;
 из-за влияния алгоритмов вычисления результатов измерений.
Субъективная – погрешность отсчета, допущенная оператором при
снятии показаний со шкалы средства измерения.
По влиянию характера изменения измеряемой величины погрешности
делятся на статические и динамические.
Статическая – погрешность средства измерения, возникающая при
измерении неизменной во времени физической величины.
Динамическая – погрешность средства измерения, возникающая при
измерении переменной физической величины, обусловленная некоторым
несоответствием реакции средства измерения на скорость изменения
измеряемой величины.

30
По влиянию значения измеряемой величины погрешности делятся на
аддитивные, мультипликативные и нелинейные.
Аддитивная – погрешность, не зависящая от значения измеряемой
величины.
Мультипликативная – погрешность, прямо пропорционально
зависящая от значения измеряемой величины.
Нелинейная – погрешность, нелинейно зависящая от значения
измеряемой величины.
По влиянию внешних условий погрешности делятся на основные и
дополнительные.
Основная – погрешность средства измерения, возникающая при
нормальных условиях его эксплуатации.
Дополнительная – погрешность средства измерения, возникающая
при отклонении условий эксплуатации от нормальных.
Порядок обработки результатов прямых равноточных многократных
измерений в предположении нормального закона распределения результатов
и погрешностей измерений:
1. Выявить постоянные систематические погрешности.
2. Выявить переменные систематические погрешности.
3. Исключить выявленные систематические погрешности из
результатов измерений.
4. Определить доверительные границы неисключенных
систематических погрешностей.
Неисключенные систематические погрешности (НСП) – это, как
правило, погрешности калибровки средств измерений. Граничные значения
НСП определяют согласно его классу точности 𝛾:
∆Снсп = ±𝛾𝐴н .
Полагая, что НСП в пределах указанных границ изменяются
нерегулярным образом, будем рассматривать их как случайные,
подчиняющиеся закону равномерного распределения. При таком

31
квазистатистическом подходе доверительные границы систематической
погрешности находят в общем случае по формуле

∆𝑐 (𝑃) = 𝑘(𝑃)√∑𝑚 2
𝑙=1 ∆𝑙 ,

где 𝑘(𝑃) – коэффициент, зависящий от доверительной вероятности и числа


составляющих 𝑚; 𝑚 – число составляющих данной погрешности; 𝑙 – номер
составляющей данной погрешности.
Для наиболее употребительных значений 𝑃, равных 0,90 и 0,95,
зависимость коэффициента 𝑘(𝑃) от числа слагаемых незначительна, поэтому
рекомендуется принимать
𝑘(0,90)=0,95; 𝑘(0,95)=1,1.
5. Определить среднее арифметическое и среднее квадратическое
отклонение результатов измерений:
∑𝑖 𝑎𝑖 ∑𝑖(𝑎𝑖 −𝑎̅)
𝑎̅ = , 𝜎=√ , 𝑖 = ̅̅̅̅̅
1, 𝑛.
𝑛 𝑛−1

6. Выявить и устранить грубые погрешности.


7. Определить оценку истинного значения измеряемой величины 𝑎
и ее среднее квадратическое отклонение:
𝜎𝑎̅ = 𝜎/√𝑛.
8. Определить доверительные границы случайной погрешности
𝜀(𝑃) = ±𝑡𝜎𝑎̅ .
При задании доверительной вероятности 𝑃 и вычисленном σa̅ значение
коэффициента 𝑡 определяется законом распределения. В случае нормального
распределения (𝑛>20) коэффициент 𝑡 выбирается по таблице функций
Лапласа (для 𝑃=0,90, 𝑡 = 𝑡𝑝 =1,64; 𝑃=0,95, 𝑡𝑝 =1,96).
Если число измерений 𝑛<20, то коэффициент 𝑡 является коэффициентом
распределения Стьюдента, зависящим от значения 𝑃 и числа измерений 𝑛
𝑡 = 𝑡(𝑃; 𝑛).
9. Оценить границы суммарной погрешности. После того как
получены границы систематической и случайной погрешности порознь,

32
необходимо их просуммировать, т. е. найти границы суммарной
погрешности. Однако предварительно необходимо сравнить эти погрешности
между собой, т. е. определить, есть ли пренебрежимая малость одной из них.
Критерий сравнения
∆𝑐 (𝑃)
𝑟= .
𝜎𝑎̅

Если 𝑟<0,8, то систематической погрешностью пренебрегают и в


качестве границы погрешности принимают доверительную границу
случайной составляющей 𝜀(𝑃).
Если 𝑟>8, то пренебрегают случайной погрешностью и принимают в
качестве границы доверительную границу неисключенной систематической
составляющей ∆𝑐 (𝑃).
Если 0,8≤𝑟≤8, то необходимо учитывать обе составляющие. В этом
случае суммарную погрешность находят по формуле
𝜃(𝑃) = 𝐺[∆𝑐 (𝑃) + 𝜀(𝑃)],
где 𝐺 – коэффициент, зависящий в общем случае от доверительной
вероятности 𝑃 и критерия 𝑟.
В большинстве случаев достаточно использовать значение 𝐺=0,8.
10. Запись окончательного результата
𝐴 = 𝑎̅ ± 𝜃(𝑃); 𝑃; 𝑛.

Описание лабораторной установки

В данной работе студентам предлагается провести измерение


электрического сопротивления образца нанотрубок, химически осажденных
на кремниевой подложке, с помощью мультиметра MASTECH MY-62.
Образец помещается в компактное фиксирующее устройство (рисунок 3), в
котором к нему жестко прижимаются пружинные контакты. Щупы
мультиметра зажимами подключаются к выводам устройства.

33
а б
Рисунок 3 – Схема для измерения электрического сопротивления (а):
1 – образец нанотрубок, 2 – мультиметр. Компактное фиксирующее
устройство с прижимными пружинными контактами (б)

Контрольные вопросы

1. Что такое фуллерены? Почему их открытие и исследование


структуры и свойств было отмечено Нобелевской премией по химии?
2. На примере графита, алмаза и фуллеренов (фуллеритов)
расскажите о влиянии структуры на свойства материала.
3. Расскажите о влиянии структуры на свойства одностенных и
многостенных нанотрубок.
4. Дайте определение понятия «измерение». Приведите признаки,
по которым классифицируются измерения.
5. Как классифицируются измерения по способу получения
результатов? Дайте определения прямых и косвенных измерений.
6. Какие бывают измерения по точности результатов измерения и
числу измерений? Дайте соответствующие определения.
7. Как классифицируются измерения по скорости изменения и
вариабельности измеряемой величины? Дайте определения.
8. Дайте определение понятия «погрешность результата
измерения». По каким признакам классифицируются погрешности?

34
9. Чем отличается истинное значение измеряемой величины от
действительного?
10. Какими бывают погрешности по характеру проявления? Дайте
соответствующие определения и краткое описание этих погрешностей.
11. Как классифицируются погрешности по способу выражения
результатов? Приведите определения.
12. Какие различают погрешности по месту возникновения? Дайте
соответствующие определения.
13. Дайте определения погрешностей: аддитивной, мультипликативной
и нелинейной.
14. Дайте определения погрешностей: статической, динамической,
основной и дополнительной.
15. Расскажите о порядке обработки результатов при прямых
равноточных измерениях.

Порядок выполнения работы

1. Собрать измерительную схему согласно рисунку 1 и выполнить


30 измерений электрического сопротивления образца нанотрубок.
2. Провести обработку результатов измерений согласно методике,
изложенной в [6] либо [7], считая измерения равноточными.
3. По результатам обработки оформить отчет, в котором привести
полную процедуру получения результата измерений.

35
Практическое занятие 4. Измерение площади поверхностного дефекта
дифракционного оптического элемента (ДОЭ)

Цель работы – научиться проводить обработку результатов косвенных


измерений на примере определения площади дефекта поверхности элемента
микрооптики методом растровой электронной микроскопии (РЭМ).

Краткие теоретические сведения

Развитие лазерной техники и областей ее применения выдвинуло на


передний план необходимость разработки различных средств управления
излучением. Под управлением понимается изменение направления лазерного
пучка со временем и его фокусировка. Одним из способов управления
лазерным излучением является применение дифракционных оптических
элементов (ДОЭ) [12], которые являются искусственными двумерными
структурами, изменяющими в каждой точке своей поверхности фазу и
амплитуду падающей на них электромагнитной волны и позволяющими
сформировать пучки с заранее заданными свойствами. Внешне ДОЭ
представляет собой пропускающую или отражающую пластинку с тонким
фазовым микрорельефом, рассчитанным в рамках теории дифракции [13].
Микрорельеф ДОЭ рассчитывается на основе решения обратных задач
теории дифракции и реализуется с помощью разных технологических
устройств записи. Помимо заложенных расчетных параметров, острота и
глубина фокусировки, а также энергетическая эффективность в различных
порядках дифракции зависят от качества изготовления оптического элемента.
В связи с этим возникает потребность в диагностике микрорельефа ДОЭ, в
частности, измерения площади характерных дефектов поверхности.
Контролировать качество изготовления ДОЭ можно, проверяя
соблюдение ширины отдельных зон Френеля, геометрии их границ и
размеры микродефектов на поверхности. Если размеры наблюдаемых

36
дефектов сравнимы с длиной волны освещающего пучка, то на этих участках
могут происходить значительные искажения волнового фронта. Однако при
незначительной общей площади зарегистрированных дефектов по сравнению
с площадью оптической поверхности, их наличие не приводит к существенному
ухудшению параметров формируемого пучка.
Традиционным методом визуализации объектов микро- и
наноразмерных масштабов является сканирующая электронная микроскопия.
Физической основой электронной микроскопии является возможность
электронно-оптического управления ходом электронного луча.
Современный электронный микроскоп – это один из сложнейших
физических приборов. Его детали изготавливаются из специальных
материалов с исключительной точностью. Колонна прибора должна быть
виброустойчива, для высоковольтных приборов создают специальные
фундаменты и системы подвески. Необходима высокая стабильность
ускоряющего напряжения (~10-6), тока питания линз. Прямое электронно-
оптическое увеличение достигает величин свыше одного миллиона.
В сканирующих (растровых) электронных микроскопах электронный
луч, сформированный магнитными линзами в тонкий (1–10 нм) зонд,
сканирует поверхность образца, формируя на ней растр из нескольких тысяч
параллельных линий. Возникающие при электронной бомбардировке
поверхности вторичные излучения регистрируются различными детекторами,
преобразуются в видеосигналы и выводятся на монитор прибора.
Выбор регистрируемого вторичного излучения обусловлен задачей
исследования. Основной режим работы сканирующего электронного
микроскопа – регистрация вторичных электронов. Интенсивность их эмиссии
сильно зависит от угла падения электронного луча на поверхность образца.
Получаемое изображение очень похоже на обычное макроскопическое
изображение рельефа объекта, освещаемого со всех сторон рассеянным
светом (т. е. формируется так называемый топографический контраст).
Эмиссия вторичных электронов наиболее интенсивна по сравнению с

37
другими вторичными излучениями. Именно в этом режиме достигается
максимальное разрешение сканирующего электронного микроскопа.
Для изучения структуры поверхности методом сканирующей электрон-
ной микроскопии к образцу предъявляется ряд требований. Прежде всего, его
поверхность должна быть электропроводящей, чтобы исключить помехи за
счет накопления поверхностного заряда при сканировании. Кроме того,
необходимо повышать отношение сигнал/шум, которое наряду с параметрами
оптической системы определяет разрешение.
Для эффективной интерпретации изображений, полученных на
сканирующем электронном микроскопе, сложных, полифазных объектов
широко применяется компьютерная обработка, позволяющая проводить
количественный морфологический анализ, включающий в себя расчет
размеров и формы структурных элементов, их ориентацию, анализ порового
пространства и скелетного компонента структуры и т. п. [14].

Описание лабораторной установки

Работа выполняется на имеющемся в НОЦ нанотехнологий РЭМ


«Quanta 200».
Растровый электронный микроскоп «Quanta 200» позволяет получать
изображения различных объектов с увеличением, превышающим 100 000 крат,
с большим числом элементов разложения (пикселей). Прибор предназначен
для выполнения различных исследований с минимальными затратами
времени на препарирование объектов, обеспечивая их наблюдение с
исключительной глубиной резкости.
Общий вид РЭМ «Quanta 200» представлен на рисунке 13. Основная
часть прибора, в которой происходит генерация электронного пучка и его
взаимодействие с образцом, состоит из колонны прибора 1 и камеры
объектов 2. В дверцу камеры встроены приводы столика объектов 3 –
аппаратные средства управления столиком. Вакуумные магистрали 4

38
соединяют колонну прибора и камеру объектов с насосами:
турбомолекулярным (не показан на рисунке) и форвакуумным 5. Вторичное
излучение от объекта регистрируется детектором Эверхарта-Торнли (ЭТД) 6.
Управление микроскопом осуществляется программно с помощью
компьютера 7 через электронный блок управления 8.

Рисунок 13 – Общий вид РЭМ «Quanta 200»: 1 – колонна прибора,


2 – камера объектов, 3 – приводы столика объектов, 4 – вакуумные
магистрали, 5 – форвакуумный насос, 6 – детектор Эверхарта-Торнли,
7 – персональный компьютер, 8 – электронный блок управления

Во избежание столкновений электронов с молекулами газа их пролет


от пушки до объекта должен проходить в условиях высокого вакуума.
Откачка производится из колонны прибора 1 и камеры объектов 2. Высокий
вакуум создается и поддерживается в обеих секциях. Встроенные блокировки
гарантируют защиту вакуумной системы от ошибок оператора.
Многокоординатный столик, управляемый компьютером, обеспечивает
прецизионное позиционирование объектов в любой пространственной
ориентации. Положение столика может быть сориентировано программно по
пяти осям: X, Y, Z, поворот и наклон. Изображение, получаемое с помощью

39
инфракрасной камеры, помогает при ориентации образца. Для освещения
внутренностей вакуумной камеры используются светодиоды [15].

Порядок выполнения работы

1. Выполнить измерения размеров дефекта эллиптической формы


на поверхности ДОЭ.
Важные для проведения измерений моменты при работе с растровым
электронным микроскопом «Quanta 200» указаны ниже.
Образцы, предназначенные для исследования методом растровой
электронной микроскопии, должны выдерживать условия высокого вакуума
и бомбардировку электронами без выделения газа, быть чистыми и
проводящими. Исследуемым образцом в данной работе является бинарная
цилиндрическая линза, вытравленная на кремниевой подложке. Перед
началом работы она загружается в камеру пинцетом и закрепляется на
координатном столике с помощью двусторонней проводящей клеящей ленты.
Схематично фиксируется ее расположение на столике.
Работа на установке выполняется в три этапа: включение микроскопа,
исследование образцов и выключение РЭМ.
Первый этап включает в себя: включение компьютера и питания
системы с последующим автоматическим тестированием компонентов РЭМ,
проведение откачки до высокого вакуума, подъем координатного столика в
рабочее положение и включение высокого напряжения.
Второй этап содержит следующие операции: проведение грубой
фокусировки электронного луча, поиск и фиксацию положения требуемого
фрагмента, получение и оптимизацию изображения, измерение размеров
дефекта покрытия с использованием графических средств и сохранение
полученного изображения в файл.
Операции третьего этапа: выключение сканирования и высокого
напряжения, перемещение координатного столика в исходное положение,

40
напуск воздуха в вакуумную камеру до атмосферного давления, закрытие
программ, выключение компьютера и установки.
2. Получить выборку из 30 измерений осей эллиптического дефекта
для последующего расчета его площади.
3. Провести обработку результатов прямых измерений согласно
методике, изложенной в [10] либо [11], считая измерения равноточными.
4. Провести обработку результатов косвенных измерений согласно
методике, изложенной в [6] либо [11], считая измерения равноточными.
5. По результатам обработки оформить отчет, в котором привести
полную процедуру получения результата измерений.

41
ЛИТЕРАТУРА
[1] Физическая оптика: Учебник. 2-е изд./C.А. Ахманов, C.Ю.
Никитин. – М.: Изд-во МГУ; Наука, 2004. – 656 с.
[2] Прикладная оптика: Учебное пособие/Под ред. Н.П. Заказнова.
2-е изд., стер. – СПб.: Издательство «Лань», 2007. – 320 с.
[3] Ландсберг Г.С. Оптика. Учеб. пособие: Для вузов. – 6-е изд.,
стереот. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2003. – 848 с.
[4] Перспективные материалы. Структура и методы исследования
[Текст]: Учеб. пособие/Под ред. Д.Л. Мерсона. – ТГУ, МИСиС, 2006. – 536 с.
[5] Общая теория измерений: Учебное пособие/Под ред. Н.Н.
Евтихиева. – М: Горячая линия–Телеком, 2007. – 176 с.
[6] ГОСТ 8.736–2011. Измерения прямые многократные. Методы
обработки результатов измерений. Основные положения [Текст]. – Введ.
2013-01-01. – М.: Стандартинформ, 2013. – 24 с.
[7] Стандарт организации. Комплексная система управления
качеством деятельности вуза. СТО СГАУ 02068410-009-2007. Обработка и
оформление результатов измерений [Электронный ресурс]. – Файл формата
*.pdf (416 Кб). – Самара: 2007.
[8] Дифракционная компьютерная оптика: учебник [Текст]/Под ред.
В.А. Сойфера. – М.: «Физматлит», 2007. – 736 с.
[9] Методы компьютерной оптики: учебник [Текст]/Под ред. В.А.
Сойфера. – М.: «Физматлит», 2003. – 688 с.
[10] Минько, Н.И. Методы получения и свойства нанообъектов
[Текст]: учеб. пособие/Н.И. Минько, В.В. Строкова, И.В. Жерновский, В.М.
Нарцев. – М.: Флинта: Наука, 2009. – 168 с.
[11] Дуфек, М. Quanta 200, 400, 600. Руководство пользователя [Текст].
Изд. 2-е, перев./М. Дуфек, С. Клепиков. – FEI Company, 2004. – 282 с.
[12] Анциферов, С.С. Общая теория измерений: Учебное пособие
[Текст] / С.С. Анциферов, Б.И. Голубь. // Под ред. академика РАН Н.Н.
Евтихиева.– М: Горячая линия–Телеком, 2007. – 176 с.

42
[8] Радкевич Я.М. Метрология, стандартизация и сертификация
[Текст]: учебник для вузов/Я.М. Радкевич, А.Г. Схиртладзе, Б.И. Лактионов.
– М.: Высш. шк., 2004. – 767 с.

43