МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ

ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО
ОБРАЗОВАНИЯ
«САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА»

Институт математики, информатики и электроники

Факультет электроники и приборостроения

Лабораторная работа №4 по теоретическим основам нанотехнологий

На тему “Термическая диффузия”

Выполнили: Юшкин А.Е.

Ремизов Н.В., Камповерде Ж-П.

Проверила: Козлова И.Н.

Самара 2017
Термическая диффузия

Термическая диффузия (термодиффузия, тепловая диффузия) —

диффузия, обусловленная влиянием в среде (растворе, смеси) градиента
температуры. При термической диффузии концентрация компонентов в
областях пониженной и повышенной температур различна. Если разность
температур поддерживается постоянной, то вследствие термической
диффузии в объеме смеси возникает градиент концентрации, что вызывает и
обычную диффузию.

Первый закон Фика

Предположим, что диффузия происходит только в направлении оси х (так

называемый линейный случай). Концентрация изменяется в направлении оси
х, а в плоскостях, перпендикулярных к направлению, диффузии постоянна.
Пусть далее диффузия концентрационно зависима и не осложнена наличием
особых, энергетически более выгодных областей концентрации. Температуру
предполагаем постоянной. Тогда концентрация будет функцией места и
времени: С=С(x,t). Представим себе теперь, что в какой-то точке х через
образец проведено сечение, перпендикулярное к направлению диффузии, и
определим плотность потока диффузанта, проходящего через это сечение.
Значение вектора плотности потока равно числу единиц массы,
диффундирующих в единицу времени через единицу поверхности нашей
плоскости. Тогда, как показал опыт, для не слишком больших перепадов
концентрации применим так называемый первый закон Фика, который
имеет следующий вид:
∂C
𝑗 = −𝐷𝑔𝑟𝑎𝑑𝐶 = −𝐷 (1)
∂𝑥

где j - плотность потока диффундирующего вещества.

Градиент концентрации направлен по нормали к изоконцентрационной

поверхности, причем за положительное направление этого вектора
принимается направление в сторону возрастания концентрации.

1
Второй закон Фика

Аналитическая теория диффузии основана на дифференциальном

уравнении Фика. Физический смысл его заключается в том, что им
связывается пространственное распределение концентрации с изменением ее
во времени. Вывод дифференциального уравнения диффузии основан на
применении закона сохранения энергии, сочетаемого с 1-ым законом Фика.

Второй закон Фика имеет следующий вид:

∂𝐶 ∂2 𝐶
=𝐷 (2)
∂t ∂𝑥2

Коэффициент диффузии

Коэффициент диффузии D - количественная характеристика скорости

диффузии, равная количеству вещества (в массовых единицах), проходящего
в единицу времени через участок единичной площади (например, 1 м²) при
градиенте концентрации, равном единице (соответствующем изменению 1
моль/л → 0 моль/л на единицу длины). Коэффициент диффузии определяется
свойствами среды и типом диффундирующих частиц.

Зависимость D(T) в простейшем случае выражается законом

Аррениуса:
𝐸𝑎
𝐷 = 𝐷0 exp (− ) (3)
𝑅𝑇
где D — коэффициент диффузии [м²/с]; Ea — энергия активации [Дж]; R —
универсальная газовая константа [Дж/К]; T — температура [K].

2
Легирование методом термической диффузии примесей

В подавляющем большинстве случаев легирующая примесь вводится в

монокристаллический кремний с целью изменения типа проводимости и
образования p-n-перехода на определенной глубине. Изменение типа
проводимости имеет место в случае, если максимальная концентрация
введенной примеси превышает концентрацию исходную (Nисх).

Рис. 1. Принцип образования p-n-перехода.

Образование p-n-перехода происходит на глубине Хn, где концентрация

введенной примеси оказывается равной исходной. При термической
диффузии (рис. 1) максимальная концентрация примеси всегда на
поверхности (N0) и монотонно убывает с глубиной.

Скорость процесса диффузии

С повышением температуры процесса коэффициент диффузии быстро

(экспоненциально) возрастает, т.к. возрастает энергия атомов легирующей
примеси. В плотной структуре оксидной маски (SiO2) коэффициент
диффузии существенно меньше, за счет чего и обеспечивается
избирательность легирования.

При высокой температуре процесса (порядка 1000° С) атомы как исходной,

так и вводимой примеси ионизированы и образуют электрическое поле,
всегда ускоряющее процесс диффузии.

3
Рабочая камера диффузионной печи

Рис. 2. Схема рабочей камеры диффузионной печи.

Собственно камера представляет собой кварцевую (или керамическую) трубу

1, снабженную резистивными нагревателями 2 (3 секции с независимым
регулированием температуры). Крайние секции поддерживают малый
градиент температуры, обеспечивающий средней секции рабочую
температуру до 1250°С с высокой точностью (до ±0,25°С). Именно в этой
части камеры на кварцевом (или керамическом) держателе 3 располагаются
обрабатываемые пластины 4, имеющие на рабочей поверхности оксидную
маску. При выполнении загонки примеси или одностадийного процесса
диффузии в камеру из внешнего источника непрерывно подается диффузант,
представляющий смесь легирующей примеси (акцептор бор или донор
фосфор) с транспортирующим газом (аргон).

При разгонке примеси в двухстадийном процессе в камеру непрерывно

подаётся только аргон, поддерживающий чистоту рабочей зоны. Побочные
продукты процесса на выходе собираются специальными сборниками.

Двухстадийный процесс
𝑋
𝑄 −( )2
2√𝜋𝐷𝑝 𝑡𝑝
𝑁= 𝑒 (4)
√𝜋𝐷𝑝 𝑡𝑝

Рассматривая Гауссово распределение (4) на поверхности (Х=0) и на дне

формируемого слоя (Х=Хn), можно получить выражение, связывающее
режимы процесса (произведение Dptp) c заданными параметрами слоя (Xn, N0,
Nисх):
𝑋𝑛2
𝐷𝑝 𝑡𝑝 = (5)
4ln(𝑁0 ⁄𝑁исх )

4
Порядок проектирования режимов двухстадийного процесса следующий:

1.По формуле (5) вычисляется произведение Dptp.

2.Задается поверхностная концентрация примеси для этапа загонки, N0< N<

Nпред. Для бора (акцептор) Nпред=2×1020 см-3, для фосфора (донор)
Nпред=8×1020 см-3.

3.Задается температура загонки t°p из диапазона 1000÷1200°С.

4.По графику зависимости D=f(t°, N03, Nисх) определяется Dp.

5.Вычисляется время разгонки tp по результату п.1.

6.По выражению (4) при Х=0 вычисляется необходимая доза легирования

𝑄 = 𝑁0 √𝜋𝐷𝑝 𝑡𝑝 (6)

7.Вычисляется произведение
√𝜋𝑄 2
𝐷3 𝑡3 = ( ) (7)
2𝑁03

8.Задается температура загонки t°3 из диапазона 800÷1000°С.

9.По графику зависимости D=f(t°, N03, Nисх) определяется D3.

10.Вычисляется время загонки t3 по результату п.7.

Итак, параметрами двухстадийного процесса являются N03, t°3, t3, t°р и tр.

5
Сравнение с ионной имплантацией

1.Скорость

2.Дефекты

3.Управление концентрацией

4.Профиль

5.Температуры т.п.

6.Глубина залегания

По сравнению с диффузией ИОН ИМП позволяет создавать слои с

субмикронными горизонтальными размерами толщиной менее 0,1 мкм с
высокой воспроизводимостью параметров.

Ионы элементов, используемых обычно для создания примесной

проводимости, внедряясь в кристалл полупроводника занимают в его
решетке положение атомов замещения и создают соответствующий тип
проводимости. Внедряя ионы III и V групп в монокристалл кремния, можно
получить p-n переход в любом месте и на любой площади кристалла.

Возможность легирования полупроводников из газовой фазы бором,

фосфором, мышьяком является важнейшей особенностью ионной
имплантации. Такой процесс легирования считается одним из наиболее
чистых методов легирования. Имплантированый ион создает в
полупроводнике заряд (дырку или электрон), меняя при этом его
проводимость, что позволяет создать на поверхности кремния, например,
изолирующую поверхность. Имплантированные ионы кислорода окисляют
кремний превращающих его в окись кремния, являющегося прекрасным
изолятором. (Для этого необходимо провести отжиг.