UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA EQUINOCCIAL

SEDE SANTO DOMINGO

FACULTAD CIENCIAS DE LA INGENIERIA

CARRERA: INGENIERÍA AUTOMOTRIZ

INFORME:
SIMULACION DEL FUNCIONAMIENTO DE UNA MEMORIA RAM 6116
EN EL PROGRAMA PROTEUS

AUTOR:
AGUILAR MARCOS

MATERIA:
AUTOTRONICA

DOCENTE:
ING. ELVIS GUALOTUÑA

SEMESTRE:
6to

FECHA:
20/07/2018
 INFORME DE PRÁCTICAS
Formato
FR-FAC-PAC-GLB-018 Versión: 01 Fecha: 20/07/2018

ASIGNATURA: Autotronica Nivel: 6

TEMA: Simulacion del funcionamiento de una memoria ram Práctica Nº:
6116 en el programa proteus.

1. INTRODUCCIÓN:

A todo dispositivo que sirva para almacenar información se le asigna el nombre de

memoria, en una memoria debe existir la posibilidad de poder extraer la información
que fue previamente almacenada.
En un sistema la información se almacena en forma de datos y de instrucciones, de tal
manera que la memoria debe estar en condiciones de recibir palabras que son datos y
palabras que son instrucciones, en cualquier momento, o poder ceder dicha información
cuando así se requiera, para realizar esta función se necesita un sistema de control para
la transferencia de información, que se encuentra dentro de la memoria.

2. OBJETIVO GENERAL:

Desarrollar habilidades para la manipulación y uso de componentes electrónicos

simulando sus funciones en el programa proteus.

a. OBJETIVOS ESPECÍFICOS Nivel*

Familiarizar al estudiante sobre el funcionamiento de las memorias A
Determinar la utilidad de los componentes de estas.
*Alto(A), Medio (M), Bajo (B)

3. DEFINICIONES:

Memoria Ram 6116

El dispositivo 6116 es una memoria de acceso aleatorio, Random Acces Memory (RAM),
cuenta con una capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria estática
de alta velocidad, esta fabricada con la tecnología CMOS, opera con una fuente de
alimentación de +5.0 Volts y esta dispuesta en una pastilla de 24 terminales.

4. BASE CONCEPTUAL

Una vez que dicha información haya sido incluida dentro de la memoria de un sistema, cada
información, ya sea dato o instrucción puede alcanzarse únicamente a través de su dirección.
La memoria esta caracterizada por tres propiedades fundamentales;
* Capacidad de la memoria
* Tiempo de acceso
* Costos por bit

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CAPACIDAD DE LA MEMORIA

La capacidad de la memoria o capacidad de almacenamiento viene definida por el número de

bits de almacenamiento existente y el número de la longitud de palabras, la capacidad de la
memoria se indica en Kbytes, en un sistema la capacidad puede ampliarse indefinidamente,
sin que tengan que cambiarse las unidades de E/S ni la CPU, las etapas de ampliación pueden
ser;
1,024 Kbytes 2,048 Kbytes 4,096 Kbytes 8,192 Kbytes
16,384 Kbytes 32,768 Kbytes 65,536 Kbytes 131,072 Kbytes
262,144 Kbytes

TIEMPOS DE ACCESO

El tiempo de acceso es el tiempo que se necesita para localizar y leer una información
almacenada; el tiempo de acceso es una característica importante para determinar la
velocidad de resolución de un sistema, conociendo el tiempo de acceso se puede predecir el
tiempo necesario para procesar un trabajo, si algunas localidades de la memoria se alcanzan
más rápidamente que otras se suele tomar el valor promedio de todas ellas, se habla entonces
del tiempo de acceso promedio.

COSTOS POR BIT

Los costos por bit comprenden los gastos de adquisición de una memoria referidos
únicamente a un solo bit, si al adquirir una memoria se establece un límite de gastos que no
ha de ser sobrepasado, puede apreciarse que cuando más grande se elija la capacidad de la
memoria, mayor será el tiempo de acceso, en cambio sí se requiere una capacidad mínima los
costos disminuirán a medida que aumentan los tiempos de acceso.

CARACTERISTICAS DE LA MEMORIA RAM 6116

• Organización de la memoria: 2048 X 8

• Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
• Baja potencia en estado inactivo: 10 uW
• Baja potencia en estado activo: 160 mW
• RAM completamente estática: No requiere reloj para su funcionamiento
• Temperatura de operación: 0.75 grados centígrados
• Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centígrados.
• Potencia de disipación: 1 Watts
• Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnología TTL
• Es directamente compatible con las memorias de 16K estándar, tipo RAM 6132

DESCRIPCION DE LOS TERMINALES

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• A0-A10: Lineas de direcciones

• E/S0-E/S7: Entrada y Salida de datos
• CS Habilitador de la pastilla
• OE Habilitador de salidas
• WE Habilitador para la escritura
• Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts
• GND Terminal de tierra 0.0 Volts

OPERACIÓN DE LECTURA

Un dato será leído del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la aplicación de
un nivel alto en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la terminal
(OE)', con estas conexiones se dispone que se pueda leer la memoria RAM 6116, si se coloca
un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o (CS)' las lineas de E/S y/o la pastilla 6116 se ponen en
estado de alta impedancia, respectivamente.
(CS)' posee la función de controlar la activación de la pastilla, la cual puede ser usada por un
sistema con microprocesadores para la selección del dispositivo.
La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la cual puede
ser habilitada cada vez que el microprocesador requiera leer la memoria.

OPERACIÓN DE ESCRITURA

Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicación de un nivel bajo en la

terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la terminal (OE)'.
La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria RAM 6116 se
habiliten para aceptar la información, en estas condiciones la terminal (OE)' posee la opción
de ser colocada en estado de alto bajo, para realizar así la operación de escritura.

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5. MÉTODO/PROCEDIMIENTO
Para la simulación en el programa proteus se debe seguir los siguientes pasos:
 Primero buscamos la memoria ram 6116 y la colocamos

 Luego colocamos los “logicstate” que es donde pondremos la “dirección” para poder
encontrar y visualizar la información más adelante.

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 A continuación, colocamos los tribuffer.

 Mas adelante, colocamos los display en cual visualizaremos la información.

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 El siguiente paso el utilizar el “bus mode”que funciona como una red CAN, en el cual
viaja más rápido la información.

 Luego, configuramos las conexiones que van al “bus mode” para que la información
sepa por done pasar y a donde llegar.

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 Para que la memoria guarde información los valores deben ser CE=0 OE=1 WE=0.

 Finalmente para que la información sea leída los valores deben ser los siguientes: CE=0
OE=0 WE=1

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6. EQUIPOS Y MATERIALES:
Herramientas y equipos Materiales e insumos
 Laptop 
 Proteus instalado

7. CONDICIONES DE SEGURIDAD:
 Contar con la vestimenta y calzado según los dispuesto por el taller
 Tener cuidado con las piezas en movimiento
 Usar el equipo de protección personal.
 No jugar en el transcurso de la práctica.
 Mantener el orden y limpieza en todo momento
8. CONCLUSIONES

 Usamos búferes triestado para controlar las entradas “D0 – D7” durante el ciclo
de escritura.
 Esta práctica ayuda al estudiante a comprender bien el funcionamiento de las
memorias

9. EVALUACIÓN DEL APRENDIZAJE:

Resultados de Resultados de aprendizaje de la Nivel del

aprendizaje de la carrera asignatura aprendizaje
de la
práctica

Utilizar técnicas y Operar las diferentes herramientas y

herramientas de equipos de manera óptima en la
investigación aplicada localización de averías. MEDIO (M)
como fundamento para el
desarrollo de un proceso Diagnosticar las averías de los
de autoaprendizaje en la sistemas del vehículo, en base a los
explicación de equipos utilizados.
fenómenos físicos de
aplicación práctica en el
área automotriz
*Alto(A), Medio (M), Bajo (B)

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12.- BIBLIOGRAFÍA:
 http://espaciomicroelectronico.blogspot.com/
 Bosch, (2006), “Injecteurs. Injection d’essence”


Elaborado por: Revisado por: Aprobado por:

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_____________________ Ing. Arturo Falconi
Ing. Arturo Falconi Ing. Elvis Gualotuña
DOCENTE COORDINADOR DE
RESPONSABLE DE ÁREA CARRERA
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