UNMSM

Facultad de Ingeniería Electrónica,

Eléctrica y de Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres Nº de Matricula

López Lazo Bruno Eduardo 17190158

Curso Tema

Transistor bipolar NPN

Dispositivos Electrónicos I
BF494B

Informe Fechas Nota

Previo Realización Entrega

Número
24 de octubre del 31 de octubre del
2018 2018
7

Grupo Profesor

Ing. Luis Paretto Q.

 Transistor bipolar NPN

Transistor BC494B:

Codigo Descripcion Caso Diag. Maxima Colector Colector Emisor Disipaciion Frecuencia
de y Estilo N° corriente en el a emisor a Base a Base Hfe máxima (M Hz) ft
transistor aplicacion colector(Amp) (volts) (volts) (volts) β del
Ic BVceo BVcbo BVebo colector
(watts)
BC494B NPN-Si TO92 0.05 30 30 3 30 min 0.425 500

PROCEDIMIENTO:
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener el β (P1 = 0 Ω).
b) Medir los voltajes entre colector – emisor (Vce), entre base – emisor
(Vbe), y entre emisor – tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2
Tabla 2
Valores Ic (mA.) Ib (μA.) β Vce(v.) Vbe(v.) Ve(v.)
(R1= 56
KΩ)
Teoricos 3.69 123 30 7.498 0.6 0.8118

Datos:
R1= 56 KΩ
R2= 22 KΩ
Re= 0.22 k Ω
Rc= 1 KΩ
VBE= 0.6 v (Por ser silicio) +12v
P1= 0 KΩ
β = 60

Formulas a usar:

Vcc (R2 )
V=R1 + R2 + P1

R2 ( R1 + P1 ))
Rb= R1 + R2 + P1

V−Vbe
Ib=Rb+(β+1)Re

Ve=Ie.Re

Ic=Ib. β

Ie=Ic+Ib

Vce=-(Ic) (1+Re)+Vcc

Ve=Re(Ic)
Resolviendo:

(22k).(12)
V=56k + 22k+0k= 3.385 v

(22k)(56k)
Rb=56k + 22k+0k= 15.795 kΩ

3.385−(0.6)
Ib=15.795k+(1+30)220=0.123mA

Ic=0.123(30)=3.69mA

Ie=3.813mA

Vce=-(3.69mA)(1+0.22)+12=7.498v

Ve=(220)(3.69mA)=0.8118 v

d) Cambiar R1 a 68K Ω, repetir los pasos (a) y (b), anotar los datos
obtenidos en la Tabla 3 (por ajuste de P1).
Tabla 3
Valores Ic (mA.) Ib (μA.) β Vce(v.) Vbe(v.) Ve(v.)
(R1= 68
KΩ)
Teoricos 2.97 99 30 8.377 0.6 0.653

Resolviendo:

(22k).(12)
V=68k + 22k+0k= 2.933 v

(22k)(68k)
Rb=68k + 22k+0k= 16.622 kΩ

2.933−(0.6)
Ib=16.622k+(1+30)220=0.099mA

Ic=30(0.099)=2.97mA

Ie=3.069mA

Vce=-(2.97)(1+0.22)+12=8.377v

Ve=(220)(2.97mA)=0.653 v
 e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K Ω, 250K Ω, 500K Ω y 1M Ω.
Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce
(Usar Re=0). Llenar la Tabla 5.

P1 100KΩ 250K Ω 500KΩ 1MΩ

Ic(mA.) 1.38 0.299 - 0.203 - 0.48
Ib(uA.) 46 9.988 - 6.757 -16
Vce(v.) 10.316 11.635 12.248 12.586

- Para P1=100KΩ:

(22k).(12)
V=56k + 22k+100k= 1.483 v

(22k)(56k+100k)
Rb= 56k + 22k+100k = 19.281 kΩ

1.483−(0.6)
Ib= =0.046 mA
19.281k

Ic=30(0.046)=1.38 mA

Ie=1.426mA

Vce=-(1.38)(1+0.22)+12=10.316v

- Para P1=250KΩ:
(22k).(12)
V=56k + 22k+250k= 0.805v

(22k)(56k+250k)
Rb= 56k + 22k+250k = 20.524 kΩ

0.805−(0.6)
Ib= =9.988 µA
20.524

Ic=30(9.988uA)=0.299 mA

Ie=0.309mA

Vce=-(0.299)(1+0.22)+12=11.635v

- Para P1=500KΩ:
(22k).(12)
V=56k + 22k+500k= 0.457v

(22k)(56k+500k)
Rb= 56k + 22k+500k = 21.163 kΩ
 0.457−(0.6)
Ib= =- 6.757 uA
21.163k

Ic=30(-6.757uA)=- 0.203mA

Ie=-0.209mA

Vce=-(-0.203)(1+0.22)+12=12.248v

- Para P1=1000KΩ:
(22k).(12)
V=56k + 22k+1000k= 0.245v

(22k)(56k+1000k)
Rb= 56k + 22k+1000k = 21.551kΩ

0.245−(0.6)
Ib= =- -0.016 mA
21.551k

Ic=30(-0.016)=- 0.48mA

Ie=-0.496mA

Vce=-(-0.48)(1+0.22)+12=12.586v