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• Temporal 𝑛 𝑡 𝑜 𝑝(𝑡)
• La variación puede ser
• Espacial 𝑛 𝑥 𝑜 𝑝(𝑥)
• Generación
• Fenómenos que afectan la
• Recombinación
concentración
• Corriente
1
A
pp0 - NA
Ip + dIp
Ip np0 – ni2/NA
Generac. Recomb
x
0 dx
Semiconductor tipo N con ND impurezas donadoras
𝑑𝑝𝑛
= Generación – Recombinación + Corriente entrante – Corriente saliente
𝑑𝑡
𝑑𝑛𝑝 𝑥, 𝑡 𝑛𝑝0 − 𝑛𝑝 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑛𝑝 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑛𝑝 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑛 − 𝐷𝑛
𝑑𝑡 𝜏𝑛 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2
2
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑2 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑝 + 𝐷𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2
APLICACIÓN DE LA ECUACION
1- Supongo un semiconductor tipo N con:
𝑑𝑝𝑛 𝑥
• Densidad espacial de portadores constante =0
𝑑𝑥
3
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑝 + 𝐷𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
=
𝑑𝑡 𝜏𝑝
SOLUCION
−𝑡 𝜏𝑝
𝑝𝑛 𝑡 = 𝑝𝑛 0 − 𝑝𝑛0 𝑒 + 𝑝𝑛0
Pn(0)
Pn(t)
Δ𝑝𝑛
pn0
t=0 t
4
2 - Supongo una barra de semiconductor tipo N con:
𝑑𝑝𝑛 𝑡
• Densidad temporal de portadores constante =0
𝑑𝑡
𝑝𝑛 0 𝑁𝐷
𝐽𝑝𝐷
huecos electrones
𝑝𝑛0
0 𝑊𝑁 𝑥
• Como es la distribución espacial 𝑝𝑛 𝑥 de los huecos en la barra
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑝 + 𝐷𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2
𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥 𝑑2 𝑝𝑛 𝑥
0= + 𝐷𝑝
𝜏𝑝 𝑑𝑥 2
𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥 𝑑2 𝑝𝑛 𝑥
= −𝐷𝑝
𝜏𝑝 𝑑𝑥 2
𝑑 2 𝑝𝑛 𝑥 𝑝𝑛 𝑥 − 𝑝𝑛0
2
=
𝑑𝑥 𝜏𝑝 𝐷𝑝
𝑑 2 𝑝′𝑛 𝑥 𝑝′𝑛 𝑥
=
𝑑𝑥 2 𝐿2𝑝
6
−𝑥 𝐿 𝑥
𝐿𝑝
Solución de la Ecuación diferencial → 𝑝′𝑛 𝑥 = 𝐾1 𝑒 𝑝 + 𝐾2 𝑒
• Como 𝑝′𝑛 𝑥 no puede ser ∞ para 𝑥 → ∞ 𝐾2 = 0
• Cuando 𝑥 = 0 → 𝑝′𝑛 𝑥 = 𝑝′𝑛 0 ⇒ 𝐾1 = 𝑝′𝑛 0
−𝑥 𝐿
𝑝′𝑛 𝑥 = 𝑝′𝑛 0 𝑒 𝑝
−𝑥 𝐿
𝑝𝑛 𝑥 = 𝑝𝑛 0 − 𝑝𝑛0 𝑒 𝑝 + 𝑝𝑛0
𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡.
𝑝𝑛 0 𝑁𝐷
𝐽𝑝𝐷
𝑝𝑛 𝑥
huecos 𝑝′𝑛 0 electrones
𝑝𝑛0
0 𝐿𝑝 𝑊𝑁 𝑥 7
• 𝐿𝑝 = 𝐷𝑝 𝜏𝑝 • 𝐿𝑝 → 𝐿𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑑𝑒 𝐷𝑖𝑓𝑢𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠
−𝑥 𝐿 𝑑𝑝′𝑛 𝑥 𝑝′𝑛 0 − 𝑥
𝐿𝑝
𝑝′𝑛 𝑥 = 𝑝′𝑛 0 𝑒 𝑝
=− 𝑒
𝑑𝑥 𝐿𝑝
𝑝′𝑛 0 − 𝑥
𝐿𝑝
𝐽𝐷𝑝 𝑥 = 𝑞𝐷𝑝 𝑒
𝐿𝑝
8
𝑝′𝑛 0 − 𝑥
𝐿𝑝
𝐽𝐷𝑝 𝑥 = 𝑞𝐷𝑝 𝑒
𝐿𝑝
𝑝′𝑛 0 𝐷𝑝
𝐽𝐷𝑝 0 = 𝑞𝐷𝑝 𝐽𝐷𝑝 0 =𝑞 𝑝𝑛 0 − 𝑝𝑛0
𝐿𝑝 𝐿𝑝
𝐽𝐷𝑝 0 = 𝐽𝜇𝑛 𝑊𝑁 𝐽𝜇𝑛 𝑊𝑁 = 𝑞 𝑛𝑛0 𝜇𝑛 𝐸
𝐽𝐷𝑝 0
𝐸 =
𝑞 𝑛𝑛0 𝜇𝑛
𝐽
𝐽𝐷𝑝 0 𝐽𝜇𝑛 𝑊𝑁
𝐽𝐷𝑝 𝐽𝜇𝑛
𝐽𝜇𝑛 𝑥
huecos 𝐽𝐷𝑝 𝑥 electrones
0 𝐿𝑝 𝑊𝑁 𝑥