CEA, curso 2011-12

Tema 7. Fotodiodos (PDs)

(recortado)

1. Principio de funcionamiento
2. Materiales y estructuras

3. Eficiencia y respuesta espectral

4.(*) Circuitos básicos y respuesta en frecuencia

(*): no dio tiempo a darlo y, por tanto, no entra

¿ Por qué fotodiodos?

Fotodiodos: luz  n  Iph y/o Vph

Vph
+ -


P iph N
Como batería... Como detector:   iph
Células fotovoltaicas Fotodiodos
i·v < 0
 rápidos, sensibles, IR-UV, muy lineales, baratos, pequeños,
fiables, muy fáciles de acondicionar, posible matrices, tecnología
electrónica  ideales para comunicaciones

1
 Absorción banda a banda
1. Principio de funcionamiento Fotocorriente en uniones PN
Circuito equivalente

Absorción (banda a banda)

Otros procesos de
absorción:
por impurezas, intrabanda,
fonones ...

dPopt/dx = -Popt  Popt (x) = Popt(0)·exp(-x)

 = coeficiente de absorción
longitud de penetración = 1/

Características I(V)
+ -


P Iph N

• I(V;Popt) = I(V;0) - Iph(Popt)

• I(V;0) ≈ I0[exp(V/VT)-1], con VT=kBT/q
V depende de Eg
• Iph= ·Popt (=“responsividad”)
•  dependerá de  (=0 para  > g)
Circuito equivalente y quizá de V (ya que la anchura de la ZCE puede
depender de V).

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 Características I(V)
Punto de funcionamiento dependiendo del circuito

v=0  i = - iph Popt i=0  v  vT·ln(iph/i0)

Para un fotoconductor…
I

V
=0

i = - (i0 + iph) >0

Análisis del circuito equivalente: Linealidad

Para Iph·RL<VF+VR   -I  Iph= ·Popt  lineal

Para Iph·RL VF+VR  saturación de la linealidad
Voc  V

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 2. Materiales y estructuras
Coeficiente de absorción
10-2

Longitud de penetración (m)

1

102

• Semic. directos: borde de absorción abrupto

• Semic. indirectos: variación gradual de 1/()
• Importantes: Silicio y GaInAs (con a=a(InP))

Fotodiodos P+N de silicio

Vbi - Vapl

• Estructura p+-n-n+
• Difusión desde la zona n
• W  [ ·(VR + Vbi )]½

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 Estructura de fotodiodo PIN

 alta eficiencia
 predominio del arrastre  rapidez
  Id ( W)

Fotogeneración en un PD de silicio

Popt,in·(1-R)

Popt(x) = Popt,in·(1-R)e-x

G(x) = ·(Popt(x)/ h)/A

ZCE: G arrastre
x n:G difusión arrastre
p:G difusión arrastre
recomb.

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 Fotodiodos de heterounión GaInAs/InP

 « fuera de la ZCE
 posible: iluminación por detrás
 sólo arrastre  rapidez (Eg > h)
 no recomb. superficial OJO: ajuste parámetros de red

Fototransistores (de silicio)

(B)

 Amplificación: (+1)·Iph   veces más lento

 menos lineal

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 3. Eficiencia cuántica y dependencia espectral
• Eficiencia cuántica ()

nº de pares e-h fotogenerados que contribuyen a la corriente

 = _________________________________________________
nº de fotones incidentes

 = Iph / Popt
  [A/W  = · (m)/ 1.24
Iph = q··(Popt / h )

•   (1 - R)·[1- exp (-d)]· 

• Para semic./aire: R≈30%  sin capas AR:  < 70%

Respuesta espectral de PDs de Si

•  largas:  pequeño (L grande)
(1 - e-W ) > 85%  W  2/
(m) Wmin(m)
rojo 0.66m  5m
IRED 0.9m  40m
YAG 1.064m  2000m
pasivado W
 Si hay reflexión basta con Wmin/2
 Para P+N : W( , VR)

•  cortas:  muy grande (L <100 nm)

 absorción cerca de la superficie
 recomb. no radiativa    exp(- xp)
Soluciónes: Pasivar la superficie
NA creciente hacia la superficie
( barrera de difusión)

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 Respuesta espectral de PD de GaInAs/InP
1 < g,InP < 2 < g,GaInAs < 3

InP P

GaInAs I

InP N

• (1):  < g,InP ≈ 0.9 m

absorción en el InP superior 
 recombinación en superficie  ≈0

• (2): g,InP <  < g,GaInAs ≈ 1.7 m

absorción en el GaInAs
 ≈(1 - R)·[1- exp (-W)] ≈ 1 - R 1 2 3 
• (3): g,GaInAs <   no absorción   = 0

Ejemplos de respuesta espectral

•   ·
• directos vs. indirectos

•  de interés:
visible: 0.4-0.7 m
Si
GaAs-IRED:0.9m
Nd:YAG: 1.064 m
FO: 1.3, 1.55m  GaInAs

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 4. Circuitos básicos

Con amplificador
de transimpedancia

Con resistencia de carga

en polarización inversa

Respuesta temporal y respuesta en frecuencia

tiempo de carga tiempo de tránsito componente

RC = RLC trans ≈ (W/ 2) / vsat de difusión
C ≈  A/W para  larga en PDs de Si

PN: C  [(VR+Vbi )]-1/2

PIN: C ≈ cte con VR
RL (típ.) = 50  - 1 K

2 ≈ RC2 + trans2 + dif2

tr (tiempo de subida 10%  90% ) = 2.2·

(f-3dB)=(100KHz)/2
f-3dB = (2)-1