UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

Integrantes: Materia: Electrónica Analógica

 Andy Navas
 Gabriela Montenegro
 Francys Carrillo
 Emilio Mayorga
 Jorge Cuadrado
Fecha: 16/11/2018
Cuestionario
1. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de
a) 0,3 V
b) 0,7 V
c) 1 V
d) 2 mV por ºC
La respuesta es la opción (b), ya que como se sabe el diodo de Silicio es un
semiconductor que en el campo eléctrico entre los iones es equivalente a una
diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 ºC funciona a (0.7
v).
2. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa, la
tensión aplicada debe superar
a) 0 v
b) 0.3 v
c) 0.7 v
d) 1 v
La respuesta es la opción (c), Cuando la tensión aplicada sea mayor que la barrera
de potencial habría una gran corriente continua en el circuito. En otras palabras, si
la fuente de tensión es mayor que 0,7 V, un diodo de silicio produce una corriente
continua en la dirección directa.
3. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente
a) Muy pequeña
b) Muy grande
c) Cero
d) En la región de ruptura
La respuesta es la opción (a), Ya que la corriente inversa total en un diodo es una
corriente de portadores minoritarios muy pequeña y dependiente de la temperatura
y una comente de fugas superficial muy pequeña y directamente proporcional a la
tensión aplicada. La principal idea a recordar es que la corriente es
aproximadamente cero en un diodo de silicio polarizado en inversa.
4. La corriente superficial de fugas es parte de
a) La corriente de polarización directa
b) La corriente de ruptura en polarización directa
c) La corriente inversa
d) La corriente de ruptura en polarización inversa
 La respuesta es la opción (c), Si, una pequeña corriente circula sobre la superficie
del cristal. Esta corriente se denomina corriente superficial de fugas, que es
causada por impurezas en la superficie del cristal e imperfecciones en su estructura
interna.
5. La tensión que provoca el fenómeno de avalancha es
a) La barrera de potencial
b) La zona de deplexión
c) La tensión de codo
d) La tensión de ruptura
La respuesta es la opción (d), Si se aumenta continuamente la tensión inversa,
llegara un momento en que se alcance la tensión de ruptura del diodo con esto se
concluye que como el fenómeno de avalancha hace referencia a tensiones inversas
la cual es producida por la tensión de ruptura.
6. La difusión de electrones libres a través de la unión de un diodo produce
a) Polarización directa
b) Polarización inversa
c) Ruptura
d) Zona de deplexión
La respuesta es la opción (d), Al haber una repulsión mutua, los electrones libres
en el lado n se dispersan en cualquier dirección. Las parejas de iones positivo
y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la región cerca de la unión se
vacía de portadores y se crea la llamada “Zona de deplexión".
7. Cuando la tensión inversa crece de 5 V a 10 V, la zona de deplexión
a) Se reduce
b) Crece
c) No le ocurre nada
d) Se rompe
La respuesta es la opción (b), El terminal negativo de la fuente atrae a los huecos y
el terminal positivo atrae a los electrones libres, así los huecos y los electrones libres
se alejan de la unión y la zona de deplexión se ensancha, produciendo así que, a
mayor la tensión inversa aplicada mayor será la zona de deplexión.
8. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinación de electrones libres y
huecos puede producir
a) Calor
b) Luz
c) Radiación
d) Todas las anteriores
La respuesta es la opción (a), Cuando el diodo está conduciendo, la temperatura
de la unión es más alta que la temperatura ambiente a causa del calor creado en la
recombinación.
9. Si aplicamos una tensión inversa de 20 V a un diodo, la tensión en la zona de
deplexión será de
a) 0 v
b) 0.7 v
c) 20 v
d) Ninguna de las anteriores
 La respuesta es la opción (d), Según aumenta la tensión inversa, la zona de
deplexión se hace más ancha. Mientras la zona de deplexión se ajusta a su nueva
anchura, en el circuito extremo. Circula una corriente. Esta corriente transitoria
vuelve a ser cero después de que la zona de deplexión ha dejado de crecer.

10. Cada grado de aumento de temperatura en la unión decrece la barrera de

potencial en
a) 1 mv
b) 2mv
c) 4mv
d) 10mv
La respuesta es la opción (b), La barrera de potencial depende de la temperatura
en la unión. Un incremento en la temperatura de la unión crea más electrones libres
y huecos en las regiones dopadas por lo tanto la barrera de potencial decrece 2 mv
por el incremento de cada grado.
11. La corriente inversa de saturación se duplica cuando la temperatura de la unión se
incrementa
a) 1 ºC
b) 2 ºC
c) 4 ºC
d) 10 ºC
La respuesta es la opción (d), Is (intensidad de saturación) se duplica por cada
aumento de 10 ºC de la temperatura, que se puede expresar como: Porcentaje
variación de Is= 100 % para un incremento de 10 ºC.
12. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensión inversa aumenta
a) 7 por 100
b) 100 por 100
c) 200 por 100
d) 2 mv
La respuesta es la opción (b), Cuanto mayor es la temperatura en la unión, mayor
es la corriente inversa de saturación. Por tanto, el cambio en la corriente de
saturación es del 100 por 100 por cada aumento de 10 OC en la temperatura.