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M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES
CURSO TEMA
NUMERO
29 DE OCTUBRE 31 DE OCTUBRE
GRUPO 3 PROFESOR
TRANSISTOR BIPOLAR
Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en
contraposición. Físicamente, el transistor está constituido
por tres regiones semiconductoras denominadas emisor,
base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares,
los denominados PNP. A partir de este punto nos
centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN,
siendo el comportamiento de los transistores PNP
totalmente análogo.
CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando
el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra
polarizado en inversa. En esta situación gran parte de los electrones que fluyen del
emisor a la base consiguen atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil dopado,
y llegar al colector.
Re=330Ω
Rc=1kΩ
R1=56KΩ
R2= 22KΩ.
Vcc= -12v
Hacemos el
equivalente de
Thevenin del circuito:
(R1+P1)×R2
Rb = (R1+P1)+R2
R2×Vcc
V = (R1+P1)+R2
Con este nuevo circuito procedemos a realizar las operaciones de las siguientes tablas.
OBSERVACIÓN: El transistor PN2222A está hecho de SILICIO y es NPN, entonces su
VBE (activa) y su “β” es respectivamente:
(Para P1 = 0 Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el Rb: Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
R1×R2
Rb = R1+R2 Ic = (28.22 µA)(250)
56K×22K Ic = 7.06 mA
Rb = (56+22)K
Valores
IC(mA.) Ib(uA.) Β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K Ω)
Hallando el Rb:
R1×R2
Rb = R1++R2 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
Ic = (27.49 µA) (250)
68K×22K
Rb = (68+22)K
Ic = 5.87mA
Rb = 16.623k Ω
Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
Hallando el V: Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
R2×Vcc
V= VCE=Vcc – (Ic+Ib)Re-IcRc
R1+R2
2.934−0.6 VE = V - VBE
Ib=
16.623×103 +(250+1)330
VE = 2.934 – (0.2)
Ib = 23.46 µA
VE = 2.734 v
Valores
IC(mA.) Ib(uA.) β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 68K Ω)
Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(12)
V = (56+100+22)𝑘
V = 1.483 v
Hallando Ib:
V−VBE
Ib=Rb+(β+1)Re
1.483−(0.6)
Ib=19.280×103 +(250+1)330
Ib = 8.65 µA
Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(12)
V = (56+250+22)𝑘
V = 0.8048 v
Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re
0.804−(0.6)
Ib=20.524×103 +(250+1)330
Ib = 1.97 µA
VCE = 12 − (0.49𝑥10−3 +
1.97𝑥10−6 ) ∗ 330 − 0.49𝑥10−3 𝑥103
VCE = 11.35 v
(Para P1 = 500K Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el Rb:
(R1+P1)×R2
Rb = R1+P1+R2
556K×22K
Rb = (56+500+22)K
Rb = 21.162k Ω
Hallando Ib:
V−VBE
Ib=
Rb+(β+1)Re
0.4567−(0.2)
Ib=21.162×103 +(250+1)330
Ib = -1.38 µA
Hallando el V: Ic = -0.34 mA
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
22k×(12) Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
V = (56+500+22)𝑘
VCE = 12.45 v
(Para P1 = 1M Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(12)
V = (56+1000+22)𝑘
V = 0.245 v
Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re
0.245−0.6
Ib=21.551×103 +(250+1)330
Ib = -3.4 µA
Ic = -0.85 mA
Hallando Rb:
(R1+P1)×R2 Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
Rb = R1+P1+R2 Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
1056K×22K
Rb = (56+1000+22)K VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re
VCE = 13.13 v
Procedemos a llenar la tabla con los datos teóricos obtenidos: