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EXPERIENCIA N°2

CONFIGURACIÓN EN DARLINGTON

I. OBJETIVOS

 Determinar las características de operación de un amplificador de

corriente transistorizado.

II. MARCO TEÓRICO

El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que consiste en

la unión de dos transistores bipolares unidos en configuración cascada. Se

caracteriza por tener alta ganancia de corriente y al estar todo integrado ocupa

menos espacio que dos transistores bipolares.

También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que

un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La

tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones

base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un

transistor o par darlington se halla multiplicando las de los transistores

individuales. La intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la

base por la beta total.


Los transistores Darlington se utilizan ampliamente en circuitos en donde

es necesario controlar cargas grandes (corrientes grandes) con corrientes muy

pequeñas.

Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de la tensión de

saturación, el transistor de salida no puede saturarse ya que ahora su tensión

colector-emisor es ahora la suma de su propia tensión colector- emisor y la del

primer transistor. Por lo tanto, la tensión de saturación de un transistor Darlington

es más alto que la tensión de saturación de un solo transistor.

Sin embargo, el circuito posee una alta impedancia de entrada, baja

impedancia de salida y una alta ganancia de corriente.

1. Mencionar aplicaciones de la configuración Darlington y algunos


códigos de su versión de circuito integrado.

Un ejemplo puede ser un circuito conformado por un motor. Necesitamos


que el transistor Darlington amplifique la corriente para poder hacer girar al
motor.
Cuando el pulsador permanece sin accionar la tensión en la base del
Darlington es cero y por lo tanto está en corte, no circulan corrientes y el motor
permanece parado.
Si se acciona el pulsador, la tensión en la base aumenta y se pasa a
saturación, en este momento, el Darlington permite el paso de corriente y el
motor se pone en marcha.
Como la ganancia de corriente es de 1000 aproximadamente, si se
hace circular una corriente de 1 mA por la base por el colector circulará una
corriente de 1000 mA es decir de un Amperio. La resistencia R2 limita la corriente
que entra por la base.

Otras aplicaciones para el circuito Darlington:

 En la interfase para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la


interfase consta de dos integrados Darlington ULN2803 que sirven
para incrementar la intensidad de las señales TTL que les llegan, y
otros elementos más.

 Para alimentar una carga como un pequeño motor de corriente


continua.

 Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide


impulsada y luces intermitentes en las máquinas de pinball
electromecánico. Una señal de la lógica de unos pocos miliamperios
de un microprocesador, amplificada por un transistor de Darlington,
fácilmente cambia un amperio o más a 50 V en una escala de tiempo
medido en milisegundos, según sea necesario para el accionamiento
de un solenoide o una lámpara de tungsteno

 En resumen, se utilizan ampliamente en circuitos en donde es


necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeñas.
Códigos:
Algunos códigos del circuito integrado Darlington son: NTE2077,
NTE2078, NTE2084, NTE2079, NTE2082, NTE2083, NTE2087 y NTE2088.

2. En el circuito de la figura 2.1 calcular los puntos de reposo

Analizando en DC:

Aplicando Divisor de tensión:

12𝑥15 180
𝑉𝑏 = = = 9.23 𝑉
12 + 7.5 19.5
Hallando 𝑅𝑇𝐻
12𝑥7.5
𝑅𝑇𝐻 = = 4.615 𝐾Ω
12 + 7.5
𝑅𝐵 = 4.615𝐾 + 100𝐾 = 104.615 𝐾Ω
Aplicando mallas:

𝑉𝑏 = 𝐼𝐵1 104.615𝐾 + 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸2 + 1.5𝐾𝐼𝐸2

9.23 = 𝐼𝐵1 104.615𝐾 + 0.7 + 0.7 + 1.5𝐾𝐼𝐸2


Sabemos: 𝐼𝐸2 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵2 = (𝛽 + 1)𝐼𝐸2 = (𝛽 + 1)(𝛽 + 1)𝐼𝐵1

Haciendo 𝛽 = 100, tenemos:


𝐼𝐸2 = 101𝑥101𝑥𝐼𝐵1
𝐼𝐸2 = 10201𝑥𝐼𝐵1
Reemplazando:
9.23 = 𝐼𝐵1 104.615𝐾 + 0.7 + 0.7 + 1.5𝐾𝑥10201𝐼𝐵1
7.83 = 𝐼𝐵1 104.615𝐾 + 1.5𝐾𝑥10201𝐼𝐵1
7.83 = 15406.115𝑘𝐼𝐵1
𝐼𝐵1 = 508.239 𝑛𝐴
Entonces:
𝐼𝐶1 = 𝛽𝐼𝐵1 = 100𝑥508.392 𝑛𝐴
𝐼𝐶1 = 50.839 𝑢𝐴
𝐼𝐸1 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵1 = 101𝑥508.392 𝑛𝐴
𝐼𝐸1 = 51.348 𝑢𝐴 = 𝐼𝐵2
Entonces:
𝐼𝐶2 = 𝛽𝐼𝐵2 = 100𝑥51.348 𝑢𝐴
𝐼𝐶2 = 5.134 𝑚𝐴
𝐼𝐸2 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵2 = 101𝑥51.348 𝑢𝐴
𝐼𝐸2 = 5.186 𝑚𝐴

Hallando 𝑉𝐶𝐸1 :
15 = 𝑉𝐶𝐸1 + 0.7 + 1.5𝐾𝑥𝐼𝐸2 = 𝑉𝐶𝐸1 + 0.7 + 7.779
𝑉𝐶𝐸1 = 6.521 𝑉
Hallando 𝑉𝐶𝐸2 :
15 = 𝑉𝐶𝐸2 + 1.5𝑘𝑥𝐼𝐸2 = 𝑉𝐶𝐸1 + 7.779
𝑉𝐶𝐸2 = 7.221 𝑉

Hallando punto Q1:

1
15 = 𝑉𝐶𝐸1 + 0.7 + 1.5𝐾𝑥𝐼𝐸2 = 𝑉𝐶𝐸1 + 0.7 + 1.5𝐾𝑥(𝛽 + 1)(𝛽 + 1) 𝐼𝐶1
𝛽
Cuando 𝐼𝐶1 → 0, 𝑉𝐶𝐸2= 14.3
Cuando 𝑉𝐶𝐸1 → 0, 𝐼𝐶2 = 0.093 𝑚𝐴
Hallando punto Q2:
(𝛽 + 1)
15 = 𝑉𝐶𝐸2 + 1.5𝑘𝑥 𝐼𝐶2
𝛽
Cuando 𝐼𝐶2 → 0, 𝑉𝐶𝐸2= 15
Cuando 𝑉𝐶𝐸2 → 0, 𝐼𝐶2 = 9.9 𝑚𝐴

3. Calcular la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancia de


entrada e impedancia de salida.

Analizando el circuito en AC tenemos:


Donde: ℎ𝑖𝑒1 = 𝑟𝑒1 𝛽1 , ℎ𝑓𝑒1 𝐼𝑏1 = 𝛽1 𝐼𝑏1

ℎ𝑖𝑒2 = 𝑟𝑒2 𝛽2 ℎ𝑓𝑒2 𝐼𝑏2 = 𝛽2 𝐼𝑏2

𝑖𝑒1 = 𝑖𝑏1 + 𝑖𝑐1 = 𝑖𝑐1 + 𝐵𝑖𝑏1 (𝐵 + 1)𝑖𝑏1

𝑖𝑒1 ≅ 𝑖𝑐1 ≅ 𝐵𝑖𝑏1

𝑖𝑒2 ≅ 𝑖𝑐2 ≅ 𝐵𝑖𝑏2

𝑟𝑒1 𝑦 𝑟𝑒2 Serán:

26𝑚𝑣 26𝑚𝑣
𝑟𝑒1 = = 𝐵2
𝑖𝑐1 𝑖𝑐2

𝑟𝑒1 = 𝐵𝑟𝑒2 = 520Ω ==> 𝑟𝑒2 = 5Ω

Encontrando la relación 𝐼3 α 𝐼𝑏1

i3 .R3  ib1 .re1 . 1  ib 2 .re 2 . 2


i3 .R3  ib1 . 2.re 2 . 1  ib 2 .re 2 . 2
i3 .R3  2.ib1 . 2. 1.re 2
2.ib1 . 2. 1.re 2
 i3 
R3

Hallando 𝑖𝑖 = 𝑖𝑓
i f  i 3  ib1
2.ib1 . 2. 1.re 2
if   ib1
R3
 2.i . 2. 1.re 2 
i f  ib1  b1  1
 R3 
 2.r 1 
 i f  ib1 . 1. 2. e 2  
 R3  1. 2 

También:

2.ib1 . 2. 1.re 2


i3  ic 2    2.ib 2
R3
2.i . 2. 1.re 2
i3  i c 2  b1   2. 1.ib1
R3
 2.r 
 i3  i c 2   2. 1.ib1 . e 2  1
 R3 

Voltaje de entrada 𝑉𝑔

Vg  i f .R f  ib1.re1. 1  ib 2 .re 2 . 2  (i3  ic 2 ).R 2 || R1 || RE || RL 


Vg  i f .R f  ib1.re 2 . 2. 1  ib1 1.re 2 . 2  (i3  ic 2 ).R 2 || R1 || RE || RL 
  2.r 1    2.r 
Vg   ib1. 1. 2. e 2   .R f  2.ib1.re 2 . 1. 2    2. 1.ib1. e 2  1 .R 2 || R1 || RE || RL 
  R3  1. 2     R3 
 2.r 1   2.r  
 Vg  ib1.  1. 2. e 2  .R f  2.re 2   e 2  1.R 2 || R1 || RE || RL 
 R3  1. 2   R3  

𝑉𝑔
𝑍𝑓 =
𝐼𝑓

𝑍𝑓 =

𝑍𝑓 = 155.15𝐾Ω
Hallando la impedancia de salida

1 1
𝐼𝑜 1 1 1 1 +
𝑅3 𝐵1
Zo= = + + − + 1 1 1 =0.7Ω
𝑉𝑜 𝑅1||𝑅2||𝑅𝐸 𝑟𝑒2 𝑅3 2𝑟𝑒2.𝐵1 + + )
𝑅𝐹 𝑅3 2𝑟𝑒2.𝐵2.𝐵1

Hallando Io

Io=0.455𝑚𝐴

Hallando Vo:

V0  i0 .RL
 2.re 2 
 2. 1.ib1.  1.R 2 || R1 || RE || RL 
V0   R 3  .RL
RL .( R1  R 2  RE )
 2.re 2 
 2. 1.ib1.  1.R 2 || R1 || RE || RL 
V0   R3 
R1  R 2  RE

Vo=5.462v
Hallando la ganancia de voltaje:

 2.re 2 
 2. 1.ib1 .  1.R 2 || R1 || R E || R L 
 R3 
V0 R1  R 2  R E
AV  
Vg  2.r 1   2.r  
ib1.  1. 2. e 2  .R f  2.re 2   e 2  1.R 2 || R1 || R E || R L 
 R3  1. 2   R3  
 1 1 
  .R 2 || R1 || R E || R L 
 R3 2.re 2 
R1  R 2  R E
AV 
 1   1 1 
.R 2 || R1 || R E || R L 
1
  .R f  1   
 R 3 2.re2 . 1. 2   R 3 2 .re2 

1
 AV   0.99
  1 1  
   .R f  1 
  R 3 2 .r . 1.  2 
R1  R 2  R E .  1
e2

 1 1  
   .R 2 || R1 || R E || R L  
  R3 2.re 2  

Hallando la ganancia de corriente

 2.re 2 
 2. 1.ib1.   1 .  R 2 || R1|| RE || RL 
 R3 
i0 RL .( R1  R 2  RE )
Ai  
if  2.r 1 
ib1. 1. 2.  e 2  
 R3  1. 2 

 2.re 2 
  1 .  R 2 || R1|| RE || RL 
 Ai   R3   598.7
 2.re 2 1 
RL .( R1  R 2  RE ).   
 R3  1. 2 

4. Indique el objetivo de utilizar la red constituida por 𝑹𝟏 , 𝑹𝟐 , 𝑹𝟑 y 𝑪𝟐 , en el


circuito de la figura 2.1

 La presencia de resistencia y de condensadores es para poder


polarizar los transistores y de esta manera poder trabajar en pequeñas
señales para hacer el amplificador.
 La función del condensador es de retroalimentar el amplificador
Darlington además el objetivo de implementar en el circuito Darlington
el R1, R2, R3 es para aumentar la impedancia de entrada y obtener
mayor ganancia de corriente. A pesar que la ganancia de voltaje tiende
a disminuir

III. PROCEDIMIENTO

1. Realice la simulación del circuito de la figura 2.1 con el fin de


hallar el punto de reposo Q así como 𝑨𝑽 ,𝑨𝒊 , 𝒁𝒊 Y 𝒁𝒐

3.555
𝐴𝑉 = = 0.711
4.999
3.355
𝐴𝑖 = = 104.844
0.032
4.999
𝑍𝑖 = = 156.218 𝐾Ω
0.032𝑚𝐴
3.355
𝑍𝑜 = = 1𝐾Ω
3.355𝑚𝐴
Tabla 2.1
𝑽𝑪𝑬𝟏 (𝑽) 𝑽𝑪𝑬𝟐 (𝑽) 𝑰𝑪𝟏 (𝒎𝑨) 𝑰𝑪𝟐 (𝒎𝑨) 𝑨𝑽 𝑨𝒊 𝒁𝒊 𝒁𝒐
Valor 6.521 7.221 0.05 5.134 0.99 598.7 155.15K 0.7K
Calculado
Valor 6.319 6.987 0.027 5.313 0.711 104.844 156.218K 1K
simulado
Valor 6.280 6.93 0.0276 5.42 1.00 170.611 1932.777K 11.33K
medido

2. Mediante simulación halle 𝒇𝑳 , 𝒇𝑯 Y BW. Llene las celdas


correspondientes de la tabla 2.1
La frecuencia de corte va a ser el 70% de la amplitud máxima.

2.4 𝑥 1.41 𝑥 0.7 = 2.36 𝑉𝑝

Frecuencia de corte: 7.5 MHz

3. Implemente el circuito de la figura 2.1


4. Mida los puntos de reposo y llene los campos correspondientes
de la tabla 2.1
Tabla 2.1
𝑽𝑪𝑬𝟏 (𝑽) 𝑽𝑪𝑬𝟐 (𝑽) 𝑰𝑪𝟏 (𝒎𝑨) 𝑰𝑪𝟐 (𝒎𝑨) 𝑨𝑽 𝑨𝒊 𝒁𝒊 𝒁𝒐
Valor 6.521 7.221 0.05 5.134 0.99 598.7 155.15K 0.7K
Calculado
Valor 6.319 6.987 0.027 5.313 0.711 104.844 156.218K 1K
simulado
Valor 6.280 6.93 0.0276 5.42 1.00 170.611 1932.777K 11.33K
medido

5. Aplicar una señal sinusoidal de 1KHz de frecuencia en la entrada


del amplificador. Varíe la amplitud de a señal hasta que se
obtenga en la salida del amplificador la señal de mayor amplitud,
no distorsionada.

𝑉𝑔 = 2.4 𝑉𝑟𝑚𝑠 = 4.80 𝑉𝑝


Experimentalmente:
𝑉𝑔 = 4.91 𝑉𝑝

6. Determine 𝒁𝒊 , 𝑨𝑽 y 𝑨𝒊 colóquelos en la tabla 2.1

7. Determine experimentalmente el ancho debanda. Para ello


determine las frecuencias de corte inferior, 𝒇𝑳 , y superior, 𝒇𝑯 .
𝒇𝑳 = 𝟔𝟎 𝑯𝒛
𝒇𝑯 = 𝟐𝟔 𝑲𝑯𝒛
𝑩𝑾 = 𝟐𝟓𝟒𝟎 𝑯𝒛
IV. RESULTADOS

Tabla 2.1
𝑽𝑪𝑬𝟏 (𝑽) 𝑽𝑪𝑬𝟐 (𝑽) 𝑰𝑪𝟏 (𝒎𝑨) 𝑰𝑪𝟐 (𝒎𝑨) 𝑨𝑽 𝑨𝒊 𝒁𝒊 𝒁𝒐
Valor 6.521 7.221 0.05 5.134 0.99 598.7 155.15K 0.7K
Calculado
Valor 6.319 6.987 0.027 5.313 0.711 104.844 156.218K 1K
simulado
Valor 6.280 6.93 0.0276 5.42 1.00 170.611 1932.777K 11.33K
medido

V. CUESTIONARIO

1. Compare sus datos teóricos con los obtenidos en la experiencia.

Los valores calculados y simulados del punto Q de los transistores están

muy próximos, y con esta polarización Se puede lograr una alta ganancia

de corriente. Teniendo casi ninguna ganancia de voltaje.

2. Dibuje algunos esquemas prácticos en donde se encuentra la

configuración en Darlington.
El siguiente circuito representa un circuito sensor de luz donde se ha

empleado transistores en configuración Darlington.

Se trata de un sistema que puede activar un solenoide o relé a partir del

corte de la luz que incide en el LDR. El solenoide o relé, puede tener

bobinas con corrientes relativamente altas (hasta 2A), lo que significa la

posibilidad de control de cargas elevadas para el caso del relé o la acción

mecánica intensa para el solenoide.

El potenciómetro de 100k permite que se ajuste el punto de disparo del

circuito en función de la intensidad de luz incidente.

Con la inversión de posición (LDR x Potenciómetro) pasamos a tener un

circuito con acción inversa, o sea, que activa la carga con la incidencia de

la luz en el LDR.

Para mayor diretividade, en ambos casos el LDR debe montarse en un

tubo opaco dirigido para el lado de donde viene la luz. Una lente

convergente puede mejorar 1a acción del sistema.

Dentro de las aplicaciones industriales posibles, podemos citar la

activación de dispositivos mecánicos, a través del solenoide, por el

pasaje de un objeto en una línea de montaje o una marca (agujero) en

un volante en determinada posición.

3. ¿Qué modificaciones realizaría al circuito experimentado? ¿Por

qué?

Se le puede colocar una resistencia a fin de disminuir el ruido de la señal

de entrada.

4. De acuerdo al experimento, cuáles son sus conclusiones


 Se pudo observar que la polarización en Darlington tiene una alta

ganancia de corriente.

 El parámetro beta del transistor Darlington es el producto de las

betas de los transistores de los que está compuesto.

 La polarización Darlington es útil cuando se necesita controlar

grandes cargas con corrientes pequeñas.

5. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

 https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_Darlington

 http://www.monografias.com/trabajos82/configuracion-

darlington/configuracion-darlington.shtml

 https://unicrom.com/transistor-darlington/

 http://electronica-teoriaypractica.com/transistor-darlington/

 https://issuu.com/solperez25/docs/contenido_revista_en_pdf

 http://usuaris.tinet.cat/fbd/electronica/Darlinton/darlington-aplicacion.html

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