Nanoestructuras Semiconductoras

María Camila Arrobo Fernández

Evelyn del Rocío Carrión Aguilar
Byron Javier Ordoñez Andrade
Roberto Gregorio Zambrano Vera
Universidad Nacional de Loja
Loja, Ecuador
mcarrobof@unl.edu.ec
ercarriona@unl.edu.ec
bjordoneza@unl.edu.ec
rgzambranov@unl.edu.ec

Resumen- El presente artículo nos habla acerca de la producción
de dispositivos de estructuras semiconductoras de tamaños muy
pequeños, es decir decenas nanométricas, produciendo diferentes
propiedades físicas del semiconductor apareciendo efectos cuanticos.
Abstract- This article talks about the production of semiconductor
structures of small sizes, that is, nanometric tens, producing different
physical properties of the semiconductor with quantum effects.
Palabras claves- nanoestructuras, semiconductors, Hall cuántico,
punto cuántico, hilos cuánticos.
I. INTRODUCCIÓN
La producción de dispositivos electrónicos está dirigida a la
fabricación de estructuras semiconductores de tamaños muy
pequeños a decenas nanométricas de una o dos de sus
dimensiones; lo que produce que las propiedades físicas del
semiconductor muestran efectos cuánticos que son a menudo la
base del funcionamiento de muchos dispositivos electrónicos de
última generación.
Las estructuras semiconductoras nanométricas se clasifican
según el número de dimensiones espaciales que tienen tamaños
reducidos en:
 Pozos cuánticos (2D): Si una de las tres dimensiones
es de tamaño nanométrico.
 Hilos cuánticos (1D): Aquellas estructuras con una
dimensión macroscópica.
 Punto cuántico (0D): Estructuras con las tres
dimensiones nanométricas
II. MARCO TEÓRICO
A. Física de los semiconductores de baja
dimensionalidad
Una de las estructuras más prácticas está constituida por una
placa de arseniuro de galio (GaAs) de anchura nanométrica,
rodeada a ambos lados por AlxGa1-xAs en el cual algunos de
los átomos de galio (alrededor del 30 por ciento) del GaAs han
sido sustituidos por aluminio. Este compuesto con x=0.3
presenta un gap semiconductor de alrededor de 2,0eV, bastante
superior al de GaAs que es de 1,4 eV. La preparación de este
tipo de estructuras se lleva a cabo mediante técnicas de
deposición por epitaxia de haces moleculares. Esta técnica
permite depositar capas cristalinas con un alto grado de
perfección de diferentes tipos de semiconductores con una
composición apropiada.
El diagrama de bandas del conjunto AlGaAs-GaAs-AlGaAs
es como el indicado en la figura 2 en la cual los electrones de la
banda de conducción del GaAs se encuentra limitados en su
movimiento por una barrera de 0.4eV. Del mismo modo, los
huecos de la banda de valencia son también limitados por una
barrera de 0.2eV. Evidentemente la suma de las alturas de estas
barreras debe ser igual a la diferencia entre los gaps del AlGaAs
y del GaAs. Conviene señalar que el fondo de la banda de
conducción y el tope de la banda de valencia representa la
energía potencial de los electrones y de los huecos, en el su
movimiento en el interior del semiconductor.

Figura 1: Estructuras cuánticas de baja dimensionalidad.

El funcionamiento de los dispositivos electrónicos

empleados en la nanotecnología, está basado uniones formadas
por dos semiconductores de diferente gap a lo que llamamos
heterouniones. La diferencia entre las energías de la banda
prohibida de cada uno de los semiconductores que forman la
heterounión permite llevar a cabo el confinamiento de electrones
en la intercara de la unión dando lugar a interesantes fenómenos
cuánticos. Figura 2: Estructura de bandas de pozos cuánticos de AlGaAs-GaAs-AlGaAs.
Fuente: [1]

Figura 3: En la parte izquierda se muestra los niveles de energía de los
electrones en el pozo cuánticos, en la parte derecha se observa las subbandas
de energía correspondientes a los niveles de energía. Fuente: [1]
Como consecuencia de la geometría de la estructura el
movimiento de los electrones y huecos en la dirección
perpendicular a las intercaras (eje z) no está permitido, ya que
tanto los electrones como los huecos se encuentran situados en
el interior de sendos pozos de potencial de anchura a y alturas
de 0.4 y 0.2 eV respectivamente. Por lo tanto, en las dos
direcciones espaciales de las intercaras (x,y) los portadores se
pueden mover libremente. Este tipo de estructuras constituye un
ejemplo de pozo de potencial.
El semiconductor AlGaAs al ser de tipo n produce una
temperatura ambiente genera una alta concentración de
electrones libres en la banda de conducción que pasan al interior
del pozo localizado en el GaAs, donde su energía potencial es
menor. Los electrones presentan una masa efectiva muy pequeña
lo que da genera una alta modalidad, en cambio los huecos
tienen masas efectivas altas por lo que su movilidad es menor.
Pongamos ahora nuestra atención en los electrones
localizados en el pozo de potencial y calculemos sus energías.
El problema de una partícula localizada en un pozo de potencial
cuadrada es muy fácil de resolver de forma exacta cuando las
paredes de potencial son de altura infinita. Aunque en nuestro
caso las paredes del pozo de potencial son de alrededor de 0.4eV,
la anchura del pozo en la dirección z es tan pequeña que permite
utilizar los resultados que se obtienen a partir de la resolución de
la ecuación de Schrödinger para una caja de paredes infinitas.
Resulta en este caso que la energía cinética de los electrones está
cuantificada en una serie de niveles, cuyo valor viene dado por
la ecuación:
ℏ2 𝜋 2 2
𝐸𝑛 = 𝑛 𝑛 = 1, 2 …
2𝑚𝑒 𝑎2
Donde 𝑚𝑒 es la masa efectiva de los electrones dentro del
material del pozo y a es la anchura del pozo. Como se aprecia en
la ecuación, los efectos cuánticos de tamaño son mayor cuanto
menor es la anchura del pozo y la masa efectiva de los
electrones. En este sentido, las nanoestructuras de GaAs son
muy convenientes ya que el valor de la masa efectiva de los
electrones es muy pequeño, tan sólo de 0.067𝑚𝑜 , donde 𝑚𝑜 es la
masa de los electrones en el interior del pozo.
Para describir el movimiento de los electrones en el interior
del pozo cuántico formado por GaAs, en la dirección z estos se
encuentran confinados y por otra parte pueden moverse
libremente en el plano (x,y) de la intercara. En la mecánica
cuántica se puede demostrar que la ecuación de Schrödinger para
la función de onda de los electrones es separable para en las tres
direcciones x, y, z, lo que hace posible obtener una expresión
aproximada para la energía cinética como suma de los ejes
espaciales x, y, z. Se puede escribir E como:
ℏ2
𝐸= (𝑘 2 + 𝑘𝑦2 )𝐸𝑛 (2)
2𝑚𝑒 𝑥
Las magnitudes 𝑘𝑥 y 𝑘𝑦 representan las componentes del
vector de onda k de los electrones en las direcciones x e y, cuyo
valor en función del momento cristalino bien dado por la
ecuación:
𝑝 = ℏ𝑘 (3)
Siendo ℏ es la constante de Planck, h, dividida por 2𝜋. En
la figura 3 se han representado los niveles permitidos de la
energía de los electrones correspondiente a la dirección del eje
z, dado por la ecuación. En el plano (x,y) los niveles no están
cuantificados y los electrones se mueven en una banda de
energía, de acuerdo con los primeros términos de la ecuación 2.
En efecto, para un valor fijo de n, la energía E varía de forma
continua en función de los valores 𝑘𝑥 o 𝑘𝑦 ; así mismo en la
figura se representa la variación de la energía para una dirección
cualquiera en el plano (x,y), en donde el eje horizontal puede ser
tanto 𝑘𝑥 como 𝑘𝑦 . Para cada valor fijo 𝐸𝑛 , que coincide con el
fondo de las parábolas, los valores de E en función de k forman
las denominadas subbandas de energía de los electrones en el
pozo de potencial.
B. Heterouniones moduladas en dopaje
Una heterounión está formada por la unión entre dos
semiconductores de distinto gap energético. Las heterouniones
de compuestos III-V son la base de los modernos transistores de
efecto campo con estructura modulada en dopaje o MODFET,
los cuales pueden funcionar a frecuencias muy elevadas.
En la figura 4 se observa una heterounión modulada en
dopaje donde el semiconductor de la izquierda es arseniuro de
galio dopado con aluminio mientras que el de la derecha es un
arseniuro de galio de tipo intrínseco. Se ha representado las
bandas de conducción y de valencia, así como el nivel de Fermi
de los semiconductores en cada lado, para el AlGaAs está cerca
(1)
de la banda por ser de tipo n, mientras que el GaAs se encuentra
cera de la mitad del gap; las bandas son planas porque los
materiales son neutros y tienen dopaje uniforme.
Cuando los semiconductores AlGaAs y GaAs entran en
contacto los electrones liberados por los átomos donadores del
material n cruzan la interfase y llegan al semiconductor
intrínseco GaAs hasta llegar a equilibrarse, lo que crea un campo
eléctrico interno dirigido desde los átomos donadores ionizados
del AlGaAs a las cargas electrónicas en el GaAs acumuladas en
la intercara, dando lugar a un doblamiento de las bandas de
energía.
 Una característica importante del diagrama de bandas de la
heterounión es la formación de un pozo cuántico para electrones
de forma aproximadamente triangular, con una anchura de unos
pocos nanómetros, limitado a la izquierda y a la derecha por las
barreras de potencial asociadas a la curvatura de las bandas en la
intercara, por lo tanto, en la dirección z que es perpendicular a
la intercara, los electrones están confinados en una
nanoestructura bidimensional 2D.
Figura 4: a) Diagrama de la banda de conducción en una heterounión
AlGaAs-GaAs, antes del trasvase de carga de un lado a otro de la intercara
entre los dos semiconductores. b) Situación una vez que se alcanza el
equilibrio. Fuente: [1].
C. Pozos cuánticos
En una estructura del tipo n-AlGaAs/GaAs/n-AlGaAs se
obtiene un pozo de potencial para las bandas de valencia y de
conducción con mínimos acusados en los bordes del GaAs, en la
figura 5 se puede ver que conforme la distancia entre las dos
heterouniones se hace menor, el fondo será prácticamente plano.
Los electrones se mueven en un canal libre de impurezas dentro
de este tipo de potencial y en presencia de un campo eléctrico
pueden alcanzar una altísima movilidad ya que se encuentran
confinados en el GaAs intrínseco.
Figura 5: a) Diagrama de bandas de energía de estructura de AlGaAs-GaAs-
AlGaAs cuando el espesor del GaAs es grande. b)Ídem. Para espesor del GaAs
de escala nanométrica. Fuente: [1]
Cuando se utilizan los pozos cuánticos en dispositivos
optoelectrónicos tales como fotodetectores de infrarrojo, la señal
provista por un único pozo no alcanza la suficiente magnitud.
Por lo que es necesario utilizar un conjunto de pozos cuánticos
en estructuras denominadas pozos cuánticos múltiples (PCM),
formados a por 50 pozos individuales y llegando a espesores
totales de 1µm; el espectro de niveles de energía del PCM es
similar al de un pozo individual, excepto por pe pequeñas
variaciones que surgen por dificultades en la fabricación.
D. Superredes
1. Efecto túnel de la mecánica cuántica
El efecto túnel es un fenómeno cuántico por el que una
partícula viola los principios de la mecánica clásica penetrando
una barrera de potencial o impedancia mayor que la energía
cinética de la propia partícula. Una barrera, en términos
cuánticos aplicados al efecto túnel, se trata de una cualidad
del estado energético de la materia análogo a una "colina" o
pendiente clásica, compuesta por crestas y flancos alternos, que
sugiere que el camino más corto de un móvil entre dos o más
flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia. Si
el objeto no dispone de energía mecánica suficiente como para
atravesar la barrera, la mecánica clásica afirma que nunca podrá
aparecer en un estado perteneciente al otro lado de la barrera.
Otro caso interesante es en donde existen dos barreras con
un pozo cuántico entre ellas, lo que se describe en la siguiente
imagen.
Figura 6: Pozo cuántico. Fuente: [1]
Una superred está constituida por múltiples pozos cuánticos
idénticos, colocados sucesivamente y separados por barreras de
potencial como se muestra en la figura siguiente.
Figura 7: Superred. Fuente: [1]
Si la anchura de la barrera de potencial entre los pozos es
muy pequeña, los estados energéticos de los electrones son
completamente diferentes esto se conoce como pozos cuánticos
múltiples. En el caso de la superred, las energías permitidas para
los electrones forman bandas de energía, si el espesor de la
barrera de potencial es suficientemente fino, los electrones
localizados en un pozo cuántico interaccionan con los electrones
de un pozo cuántico vecino, esta interaccione se debe al
solapamiento de las funciones de onda entre pozos
E. Puntos cuánticos e hilos cuánticos
En el mundo macroscópico, los puntos cuánticos pueden
tener el aspecto de una simple pastilla plana, o estar disueltos en
un líquido. Nadie sospecharía que esa sustancia ha sido
elaborada en el laboratorio partiendo de unos pocos átomos, con
técnicas que manipulan la materia a escalas de nanómetros. A
esas dimensiones el material se convierte en una matriz sobre la
que han crecido estructuras, como pirámides o montañas,
formadas por unos pocos cientos o miles de átomos. Esas
estructuras son los puntos cuánticos.
Los puntos cuánticos presentar algunas propiedades
similares a la de los átomos individuales por lo que a menudo se
los conoce como átomos artificiales
Un punto cuántico generalmente es
una nanoestructura semiconductora que confina el movimiento
en las tres direcciones espaciales de los electrones de la banda
de conducción y los huecos de la banda de
valencia o excitones (pares de enlaces de electrones de la banda
de conducción y huecos de la banda de valencia).
Figura 8: Emisión de soluciones dispersas de puntos cuánticos de Seleniuro de
Cadmio (CdSe).
Un hilo cuántico es un alambre conductor eléctrico en el
que los efectos cuánticos afectan las propiedades del transporte.
Debido al confinamiento de electrones de conducción en la
dirección transversal del alambre, su energía transversal
es cuantizada en una serie de valores discretos
F. Propiedades ópticas de nanoestructuras
Las propiedades ópticas de las nanoestructuras difieren
notablemente de las de los sólidos cristalinos, como es de
esperar, ya que los estados de energía de los electrones presentan
niveles y bandas d energía que vienen influenciados por la
dimensionalidad y tamaño de la nanoestructura. Considerando
como ejemplo Óxido de cinc ZnO cuya propiedad óptica de
absorción se dan en un amplio rango de energías, desde
transiciones cerca del band gap a otras de menor energía
relacionadas con las vibraciones de la red. Acá nos centraremos
en aquellas transiciones que se dan cerca del band gap (La banda
prohibida, brecha de bandas o brecha energética, en la física del
estado sólido y otros campos relacionados, es la diferencia de
energía entre la parte superior de la banda de valencia y la parte
inferior de la banda de conducción) del material semiconductor
a escala nanométrica, donde un fotón es adsorbido originando la
excitación de un electrón de un estado de menor energía en la
banda de valencia a otro de mayor energía en la banda de
conducción. Estas transiciones entre estados vienen descritas por
las siguientes condiciones.
𝐸𝐹 ± 𝐸𝐹𝑂 = 𝐸𝐵𝐺
∆𝑘 = 𝑘𝐹𝑂
Donde 𝐸𝐹 , 𝐸𝐹𝑂 𝑦 𝐸𝐵𝐺 son las energías del fotón y del band
gap respectivamente, y 𝑘𝐹𝑂 es el vector de ondas del fotón. La
primera expresión se refiere a la condición de conservación de
la energía, mientras que la segunda nos dice que si existe una
variación del vector de onda, esta tiene que ser igual al vector de
ondas del fotón emitido o adsorbido [2].
1. Transiciones debidas a la adsorción de un Fotón
a. Adsorción banda a banda: transiciones directas e
indirectas
Este tipo de transiciones se dan cuando un electrón de la
banda de valencia adsorbe un fotón con energía suficiente para
excitarlo hasta la banda de conducción, dejando un hueco en la
banda de valencia. Se entiende por transiciones directas aquellas
en las que no es necesaria la intervención de fotones y por tanto,
el momento inicial y final es el mismo (∆𝑘 = 0). Sin embargo,
en las transiciones indirectas el momento final e inicial del
electrón es diferente, siendo necesaria la emisión o absorción de
un fotón para que se cumpla la conservación del momento.
Figura 9: Esquema de los procesos de absorción en semiconductores de
nanoestructuras de bandgap directo (a) e indirecto (b). En este último caso es
necesaria la absorción o emisión de fotones. Fuente: [2].
En las transiciones directas, la dependencia de la energía
con el vector de onda en los procesos de absorción viene dada
por las siguientes expresiones:
ℎ2 𝑘 ′2
𝐸(𝑘 ′ ) = − (6)
2𝑚ℎ∗
ℎ2 𝑘 ′′2
𝐸(𝑘 ′′ ) = 𝐸𝐵𝐺 + (7)
2𝑚𝑒∗
Donde, 𝐸(𝑘 ′ ) y 𝐸(𝑘 ′ ′) son las energías de los estados inicial
y final, siendo el origen de energías el máximo de la banda de
valencia. Como en estas transiciones el momento se conserva,
𝑘 ′ y 𝑘 ′′ son prácticamente iguales. Por tanto, la energía del fotón
adsorbido vendrá dada por la diferencia entre las energías de los
estados inicial y final.
De acuerdo con esto las transiciones banda-banda en los
pozos cuánticos en un proceso de absorción presenta un
(4) coeficiente de absorción, para una transición de un estado de la
banda de valencia con energía 𝐸1 a un estado de la banda de
(5) conducción con energía 𝐸2 y está dada por:
2
2𝜋 𝑐𝐴
∝ (ℎ𝜔) = ℎ(𝑐/𝜂) ( 𝑚 𝑜 ) ∑1,2|𝑝12 |2 (𝑓1 − (8)
𝑜
𝑓2 )𝛿(𝐸12 − ℎ𝜔)
 Donde 𝑝12 = 〈1|exp(−𝑖𝑘𝜆 ∙ 𝑟)𝜀𝜆 ∙ 𝑝|2 〉, ŋ es el índice de
refracción, 𝑚0 es la masa del electrón y, 𝐴0 es una constante que
depende del material. 𝑓1 y 𝑓2 son las probabilidades de
ocupación para electrones en ambos estados respectivamente. A
continuación en la figura 10 se presenta una estructura de pozo
cuántico (2D) que referencia lo antes mencionado [2].
Figura 10: Transiciones ópticas en un pozo cuántico. Fuente: [1].
b. Absorción Excitónica
En nanoestructuras semiconductoras de muy alta pureza y
calidad cristalina los electrones y huecos libres pueden estar
ligados el uno al otro por interacciones colombianas formando
un conjunto denominado excitón. Cuando este conjunto
electrón- hueco se recombina entre si emitiendo un fotón de
energía inferior a la del bandgap del semiconductor. En el
espectro de absorción esta transición se observa como un pico
muy estrecho en energía. En la figura 3 se observa claramente
este tipo de transiciones excitónicas en el espectro de absorción
de muestras de ZnO. Si uno se fija atentamente en los espectros
a baja temperatura y a una temperatura ambiente, se puede
observar la absorción de los excitones relacionados con las
bandas A y B del ZnO [3].
Figura 11: Espectro de adsorción de nuestras de ZnO recocidas y sin recocer a
baja y temperatura ambiente. En los espectros se diferencia claramente, incluso
a temperatura ambiente, la absorción de los diferentes excitones (A, B y C).
Fuente: [2].
G. Propiedades de transporte en nanoestructuras
El comportamiento de los electrones en nanoestructuras 2D,
como los posos cuánticos formados en heteroestructuras,
depende de la dirección de movimiento. Así como cuando los
electrones se mueven por la acción de un campo eléctrico dentro
del plano de la estructura, es decir, paralelamente a las
intercaladas, los electrones se comportan prácticamente como si
fueran libres.
Figura 12: Pozo cuántico con y sin campo eléctrico. Fuente: [4].
2. Transporte eléctrico paralelo u horizontal
Cuando los electrones se mueven dentro de la estructura por
la acción de un campo eléctrico dentro del plano de la estructura
paralelamente a las intercaladas.
3. Características:
 Velocidad limitada por la interacción del electrón
con defectos de la red cristalina.
 La interacción da lugar al concepto de resistencia.
Transporte eléctrico vertical o perpendicular.- El electrón se
mueve perpendicularmente a las intercapas que lo confinan, el
fenómeno físico es completamente distinto ya que está basado
en el efecto túnel.
Los mecanismos de dispersión de los electrones se
producen por un lado a la interacción con los átomos de la red
cristalina como una interacción electrón-fonón (cuasi-particulas
energéticas que aparecen al cuantificar el campo de vibraciones
atómicas) y por otra parte a la interacción con las impurezas
semiconductoras.
H. Conductancia cuántica
En nanoestructuras durante la medición de la corriente en
función del voltaje se observan fenómenos físicos de
cuantificación innovadores y que no tienen una similitud clásica,
esto se conoce como la conductancia cuántica, el mismo que se
da cuando se pasa una corriente de electrones en un canal muy
estrecho y corto a la vez.
Un método para reducir la anchura del canal es en la
utilización de una puerta dividida mediante una separación de
dimensiones nanométricas.
 ℯ2
hablar en términos de resistencia, al cuanto le corresponde el
ℎ
valor de:
ℯ2
= 25812,8 Ω (𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠) (5)
ℎ

I. El efecto hall cuántico

En un sistema de electrones restringidos a moverse en dos

dimensiones y se enciende un campo magnético fuerte, se
observa un fenómeno interesante y visible experimentalmente,
la conductancia Hall toma valores cuantizados, el cual se
expresa en la siguiente ecuación:

ℯ2
𝜎= 𝑣 (6)
2𝜋ℎ

Figura 13:Constricción nanométrica en una heteroestructura a través del
estrechamiento producido por dos electrodos de puerta. Fuente: [1]
Al aplicar tensiones negativas en la puerta es posible
producir el estrangulamiento del canal que se produce en el
espacio entre los dos electrodos y esta anchura se la puede
regular con la variación de la tensión aplicada en la puerta por
encima del valor de estrangulamiento.
En la siguiente ecuación se puede observar que la
conductancia está cuantificada, modificando en pequeños saltos
al aumentar el voltaje negativo de la puerta.
2ℯ 2
𝐺= 𝑛 𝑛 = 1,2, … (4)
ℎ produce un voltaje 𝑉𝐻 en la dirección 𝑦.
En un inicio se consideraba que 𝜈 era un número entero y
esta explicación requería ideas de topología en sistemas
cuánticos de muchos cuerpos. Posteriormente se reveló que
también podía tomar valores racionales. Donde los más
dominantes son 𝜈 = 1/3 y son 𝜈 = 2/5, pero hay muchas más
fracciones que han sido vistas.
1. Efecto hall clásico
Se descubrió en 1879 por Edwin Hall.
En un campo magnético constante 𝑩 en la dirección 𝑧 y
electrones restringidos para moverse en el plano (𝑥,), aparece
una corriente 𝐼en la dirección 𝑥. El efecto Hall dice que esto

La ecuación del movimiento de los electrones es:

𝑑𝑣
𝑚 = −𝑒𝑣 × 𝑩 (7)
𝑑𝑡

En presencia de un campo magnético, la conductividad 𝜎 no

es un solo número sino una matriz, cuyos términos fuera de la
diagonal son los responsables del efecto Hall.

𝜎𝐷𝐶 1 −𝜔𝐵 𝜏
𝜎= ( ) (8)
1 + 𝜔𝐵2 𝜏 2 𝜔𝐵 𝜏 1

El campo eléctrico en la dirección 𝑦 cancela la curvatura

debida al campo magnético y los electrones viajan sólo en la
dirección 𝑥, lo cual produce el Voltaje de Hall.
Figura 14: Conductancia cuántica de la corriente a través del canal entre los 2. Efecto Hall Cuántico Entero
electrodos. Fuente: [1]

En 1980 se realizaron los primeros experimentos acerca del

La estructura de subbandas en pozos cuánticos da el origen
efecto Hall por Klaus von Klitzing, quien descubrió que la
al a cuantificación. Cuando se aumenta el voltaje, participaran
conductividad de Hall es exactamente cuantizada. Este
en la corriente electrones provenientes de un mayor número de
descubrimiento lo llevo a ganar el premio Nobel de 1985.
subbandas las cuales serán cada vez más energéticas por lo que
el valor de la conductancia (𝐺) aumentara en cantidades
2ℯ 2
La resistividad de Hall también está se encuentra cuantizada
constantes de , si no se tiene en cuenta la degeneración 2 del para valores de campo magnético. La cual toma los valores de:
ℎ
ℯ2
espin electrónico, los cuantos en conductancia valen . Al
ℎ
 2𝜋ℎ 1
𝜌𝑥𝑦 = ,𝑣 ∈ ℤ
𝑒2 𝑣
El valor de 𝜈 ha sido determinado como entero con tanta
precisión que incluso se utiliza para medir la relación entre las
2𝜋ℎ
constantes 2 , esta cantidad es conocida como el cuanto de
𝑒
resistividad.
Figura 15: Resistividad en el efecto Hall cuántico entero. Fuente: [5]
Las mesetas formadas por la resistividad se muestran en la
Figura 11. En el centro de cada una de estas mesetas ocurre
cuando el campo magnético toma el valor de:
2𝜋ℎ𝑁 𝑛
𝐵= = Φ0
𝑣𝑒 𝑣
2𝜋ℎ
Donde n es la densidad de electrones y Φ0 = es el
𝑒 La facilidad con la que se traslada un portador de carga por
cuanto de flujo. Las mesetas se originan con el indicio en los
datos experimentales, los cuales típicamente son sucios y tienen
impurezas el mismo que se conoce como desorden. En el efecto
Hall cuántico, a medida que se incrementa el desorden, las
mesetas se vuelven más prominentes y no menos, como uno
esperaría.
3. Efecto Hall cuántico fraccional
Este fenómeno fue descubierto en 1982 por Tsui y Störmer.
Y probo que cuando el desorden se reduce, las mesetas del
Efecto Hall entero se vuelven menos prominentes, pero otras
surgen para valores fraccionarios. Las resistividades se muestran
en la Figura 2. La resistividad tiene la misma forma que la del
efecto Hall entero, pero ahora 𝜈 ∈ ℚ.
Figura 16: Resistividad en el efecto Hall cuántico fraccional. Fuente: [5]
1 1 2
(9) No todas las fracciones aparecen, cuando 𝑣 = , , las
3 5 5
mesetas emergen más prominentes, sin embargo existen muchas
más y la mayoría de ellas tienen denominadores impares. Y
conforme el desorden se reduce las mesetas continúan
apareciendo.
Es admisible que en el límite de una muestra perfectamente
limpia se podría obtener un número infinito de mesetas, lo cual
nos regresa al caso clásico donde 𝜌𝑥𝑦 es una línea recta.
El efecto Hall cuántico entero se puede entender con el uso
de electrones libres, pero el fraccional requiere de interacciones
entre electrones. Por lo tanto, el problema se vuelve más
complejo.
Más recientemente se han observado ambos efectos en el
grafeno, un material de dos dimensiones.
III. CONCLUSIONES
Las heterouniones entre dos semiconductores de distinto
gap son la base para la fabricación de innovadores transistores
de efecto de campo que pueden trabajar a frecuencias elevadas.
Los puntos cuánticos están constituidos generalmente por
nanocristales, en los cuales sus tres dimensiones son
(10) nanométricasa mientras que los hilos cuánticos presentan dos
dimensiones nanométricas.
la acción de un campo eléctrico esta caracterizad por su
movilidad, definida como el cociente entre la velocidad de la
partícula y la magnitud del campo eléctrico.
La conductancia cuántica es un fenómeno físico que se
observa cuando se realizan mediciones de la corriente en función
del voltaje.
El efecto Hall cuántico entero fue descubierto originalmente
en un MOSFET de Silicio. Mientras el efecto Hall fraccional se
descubrió en una heteroestructura GaAsGaAlAs.
IV. REFERENCIAS
[1] J. . M. Albella Martin, J. M. Martinez Duart y F. Agullo
Rueda, Fundamentos de microelectrónica,
nanoelectrónica y fotonica, Pearson Educacion, 2005.
[2] M. López Ponce, «Propiedades ópticas y estructurales de
nanoestructuras,» Escuela Técnica de Ingenieros de
Telecomunicaciones de Madrid, Madrid, 2015.
[3] M. Ramírez López, «Influencia de portadores en las
propiedades ópticas de pozos cuanticos,» Centro de
Investigaciones y de Estudios Avanzados del Instituto
Politécnico Nacional, Ciudad de México, 2007.
[4] J. J. Riquelme Ballesta, «Propiedades mecánicas y
transporte electrónico en nanoestructuras métalicas a baja
temperaturas,» Universidad Autónoma de Madrid,
Madrid, 2008.

[5] K. Lozano Méndez, «Universidad Nacional Autónoma de

México,» 6 Junio 2017. [En línea]. Available:
http://bigbang.nucleares.unam.mx/~jimenez/FAMC/Trab
ajosFAMC2017/LozanoM%C3%A9ndezK_Hall.pdf.