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M
Facultad de Ing. Electrónica, Eléctrica y
Telecomunicaciones
Curso Tema
Dispositivos
El transistor bipolar PNP. Características básicas
Electrónicos
Informe Fechas Nota
Previo Realización Entrega
Numero
06-06-18 20-06-18
6
Grupo Profesor
“L3”: Miercoles 2p.m.-4p.m. (2018-I) Ing. Luis Paretto Q.
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn)debido a que la unión
está en directa.
El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior no circule
por la base, sino que siga hacia el emisor (ICp).
Entre el colector y la base circula una corriente miń ima por estar polarizada en
inversa (ICn más una parte ínfima de ICp).
Por la base realmente circula una pequeña corriente del emisor, más otra de
colector, más la corriente de recombinación de base (IEn + ICn + IBr).
IE + IB + IC = 0 (1)
Cada una de las corrientes del transistor se puede poner en función de sus componentes
de la siguiente forma:
α = IC/IE (5)
β = IC/IB = α/ ( 1 – α) (6)
A partir de las ecuaciones anteriores se puede obtener una más que es útil cuando se
trabaja con pequeñas corrientes de polarización, en las que el efecto de la corriente inversa
que circula entre colector y base puede no ser despreciable:
2. De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares: 2N3906, BC557,
A5Y27, 2N6026, AC126, AC128, BD138, AF127, AF178, ASY26, TR50Y, BC556,
TR85.
Código
Tipo Ic (A) VCEO (V) Pd (W) hFE fT (MHz) Encapsulado Conexiones (123) Obs
TABLA 2
El transistor PNP 2N6026 está hecho de silicio, entonces su VBE= 0.7v y β=80.
Sabemos:
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐
22K × (−12)
56K × 22K V=
Req = (56 + 22)𝐾
(56 + 22)K
𝑽 = − 𝟑. 𝟑𝟖𝟒𝟔𝟏𝐯
𝐑𝐞𝐪 = 𝟏𝟓. 𝟕𝟗𝟒𝟖𝟕𝐤Ω
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
−3.384 + 0.7
Ib =
15.79487 × 103 + (80 + 1)330
Ib=-63.116µ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = −63.116µ A × 80
Ic=-5.049m A
También se sabe:
𝑽𝒆 = 𝑹𝒆 × 𝑰𝒄
Ve = 330 × (−5.049m )
Ve =-1.666 v
VCE =-5.2848 v
Valores
𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)
(R1=56kΩ)
Teóricos −5.049 −63.116 80 −5.28 0.7 −4.88
TABLA 3
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
−2.933v + 0.7
Ib =
16.6222 × 103 + (80 + 1)330
Ib=-51.508 µ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = −51.508 µA × 60
Ic=-3.090m A
También se sabe:
𝑽𝒆 = 𝑹𝒆 × 𝑰𝒄
Ve = 330 × (−3.090m A)
Ve =-1.019 v
TABLA 5
Sabemos:
(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹 𝟐
(68 + 100)K × 22K 22k × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 100 + 22)K (68 + 100 + 22)𝑘
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐛 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
−1.3894736 + 0.7
𝑰𝒃 =
19.452631 × 103 + (80 + 1)330
Ib=-14.919µ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = −14.919µ A × 80
Ic=-1.193m A
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪
VCE =-10.394 v
PARA: P1=250kΩ; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor PNP 2N6026.
Sabemos:
(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷 𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐
(68 + 250)K × 22K 22K × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 250 + 22)K (68 + 250 + 22)𝐾
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
−0.7764705 + 0.7
20.57647058 × 103 + (60 + 1)330
Ib=-43.64098µ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = −43.64098µ × 60
Ic=-0.2618459m
A
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪
VCE =-11.6517449
v
Para: P1=500kΩ; Re=330 Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor PNP 2N6026.
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄 (𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
−0.44745762 − 0.0
𝐼𝑏 =
21.17966101 × 103 + (80 + 1)330
Ib=- 9.331μ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = −9.331µ A × 80
Ic=- 0.746 mA
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪
VCE =-11.030 v
Para: P1=1M Ω; Re=330 Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor PNP 2N6026.
(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹 𝟐
(68 + 1000)K × 22K 22K × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 1000 + 22)K (68 + 1000 + 22)𝐾
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄 (𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)
𝑰𝒃 =
𝐑 𝒆𝒒 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
−0.242 + 0.0
𝐼𝑏 =
21.5559633 × 103 + (80 + 1)330
Ib=-5.011µ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = −5.011µ × 80
Ic= -0.400m A
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪
VCE =-11.468 v
Curso Tema
Dispositivos
El transistor bipolar NPN. Características básicas
Electrónicos
Informe Fechas Nota
Previo Realización Entrega
Numero
06-06-18 20-06-18
7
Grupo Profesor
“L3”: Miercoles 2p.m.-4p.m. (2018-I) Ing. Luis Paretto Q.
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
El transistor NPN está compuesto por tres capas de materiales semi-conductores, este
arreglo es como un pastel de tres capas, Capa N-P-N. Estos materiales son cristales de
silicio que se encuentran dopados de forma distinta.
Un transistor NPN, que también se llama BJT, puede ser usado para dos cosas. El
transistor puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un
amplificador con ganancia variable. El transistor es también la base para el desarrollo de
sistemas digitales como compuertas lógicas. Las compuertas lógicas son la base de los
sistemas embebidos. Entonces podemos plantear que el transistor es la base de la
tecnología digital actual. Regresando a las aplicaciones comunes, la más usada es el uso
del transistor NPN como interruptor electrónico, para este funcionamiento, el transistor
debe de operar en las zonas llamadas corte y saturación.
Existen dos tipos de transistores, los bipolares que se controlan mediante una entrada de
corriente y los de efecto de campo que son activados mediante una entrada de voltaje.
Para un amplificador electrónico se utiliza una pequeña corriente en la base del transistor
para controlar una corriente mayor entre el colector y el emisor.
Ic = hFE*Ib
Ic = Corriente de colector
Ib = Corriente en la base
Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y puede llegar a variar, es por
eso que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores electrónicos y se
recomienda mejor el uso de amplificadores operacionales. Por ejemplo, en el transistor
2N2222A, el cual es un transistor NPN bipolar, su Hfe puede valer desde 35 hasta 300
dependiendo de la corriente del colector y del voltaje colector-emisor. (VCE).
Para determinar la corriente en el emisor Ie, se puede usar la siguiente ecuación.
Ie = Ib + Ic = (1/hFE+1)*Ic
Comp.
NTE373 NPN 1.5 160 1 60 – 200 140 TO – 126 EBC
NTE374
C548B
NPN 0.1 30 0.5 125 – 300 300 TO - 92 CBE BC548
TABLA 2
Datos: P1=0Ω; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=56k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373.
El transistor NPN NTE 373 está hecho de silicio, entonces su VBE= 0.7v y β=10.
Sabemos:
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐
22K × (12)
56K × 22K V=
Req = (56 + 22)𝐾
(56 + 22)K
𝑽 = 𝟑. 𝟑𝟖𝟒𝐯
𝐑𝐞𝐪 = 𝟏𝟓. 𝟕𝟗𝟒𝐤Ω
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
3.384 − 0.7
Ib =
15.79487 × 103 + (10 + 1)330
Ib=138.173µ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = 138.173µ A × 10
Ic=1.381m A
También se sabe:
𝑽𝒆 = 𝑹𝒆 × 𝑰𝒄
Ve = 330 × (1.381m )
Ve =0.455 v
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪
VCE =10.164 v
Valores
𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)
(R1=56kΩ)
Teóricos 1.381 138.173 10 10.164 -0.7 9.469
TABLA 3
Para: P1=0Ω; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373.
Sabemos:
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
2.933 − 0.7
Ib =
16.6222 × 103 + (10 + 1)330
Ib=110.259 µ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = 110.256 µA × 10
Ic=1.102m A
También se sabe:
𝑽𝒆 = 𝑹𝒆 × 𝑰𝒄
Ve = 330 × (1.102m A)
Ve =363.66 v
VCE =10.544 v
TABLA 5
PARA: P1=100kΩ; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373
Sabemos:
(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹 𝟐
(68 + 100)K × 22K 22k × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 100 + 22)K (68 + 100 + 22)𝑘
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐛 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
1.389 − 0.7
𝑰𝒃 =
19.452631 × 103 + (10 + 1)330
Ib=29.849µ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = 29.849µ A × 10
Ic=0.298m A
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪
VCE = 11.604v
PARA: P1=250kΩ; Re=330Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373
Sabemos:
(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷 𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐
(68 + 250)K × 22K 22K × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 250 + 22)K (68 + 250 + 22)𝐾
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
0.7764705 − 0.7
20.57647058 × 103 + (10 + 1)330
Ib=3.156µ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = 3.156µ × 10
Ic=0.315m A
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪
Para: P1=500kΩ; Re=330 Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄 (𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)
𝑰𝒃 =
𝐑𝐞𝐪 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
0.447 − 0.0
𝐼𝑏 =
21.17966101 × 103 + (10 + 1)330
Ib=1.807μ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = 1.807µ A × 10
Ic=0.1807 mA
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪
Para: P1=1M Ω; Re=330 Ω; Rc=1K Ω; R1=68k Ω; R2=22k Ω y un transistor NPN NTE 373
(𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 ) × 𝑹𝟐 𝑹𝟐 × 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒆𝒒 = 𝑽=
𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑷𝟏 + 𝑹 𝟐
(68 + 1000)K × 22K 22K × (−12)
𝑅𝑒𝑞 = 𝑉=
(68 + 1000 + 22)K (68 + 1000 + 22)𝐾
Hallando Ib
𝐕 − 𝐕𝐁𝐄 (𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)
𝑰𝒃 =
𝐑 𝒆𝒒 + (𝛃 + 𝟏)𝐑𝐞
0.242 + 0.0
𝐼𝑏 =
21.5559633 × 103 + (10 + 1)330
Ib=9.608µ A
Se sabe que: 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝛃
𝐼𝑐 = 9.608µ × 10
Ic= 0.9608m
A
También se sabe:
𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝑪𝑪 − (𝑹𝒆 + 𝑹𝑪 )𝑰𝑪
VCE =11.88 v