18/10/2017

Eletrônica Analógica II

Polarização de FET

Circuitos de Polarização - FET

• JFET • MOSFET tipo Depleção

• Fixa • Autopolarização
• Autopolarização • Divisor de Tensão
• Divisor de Tensão
• Duas Fontes • MOSFET tipo Intensificação
• VGS = 0 • Realimentação
• RD = 0 • Divisor de Tensão

Robert Boylestad
©2004 by Pearson Education
Digital Electronics

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FET – Transistor de Efeito de Campo

Diferenças entre o FET e o TJB:

• Relação não linear entre a entrada (VGS) e a saída (ID)

• FET são controlados por tensão (VGS) enquanto que TJB

são controlados por corrente (IB)

Robert Boylestad
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Relações Gerais
Para todos os FET:
IG  0 A [Formula 6.1]

ID  IS [Formula 6.2]

Para JFET e MOSFET tipo Depleção:

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 V 
ID  I DSS 1 GS 
 [Formula 6.3]
 VP 

Para MOSFET tipo Intensificação:

I D  k (VGS VT ) 2 [Formula 6.4]

Robert Boylestad
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Resolução

• Solução Analítica VGS   I D RS

• Mais complexa e precisa

• Solução Gráfica
• Mais simples, porém traz imprecisão

JFET - Configuração com Polarização Fixa

VDS  VDD  I D RD
VS  0V
VD  VDS
VG  VGS
VGS  VGG

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JFET - Configuração com Autopolarização

Cálculos com Autopolarização

Para a malha indicada: VGS   I D RS [Formula 6.10]
• Para resolução a equação, selecione um ID < IDSS e use o valor do componente
para RS.
• Trace o ponto: ID e VGS e desenhe uma linha da origem até esse ponto.
• Trace a curva de transferência usando IDSS e VP (VP = VGSoff, conforme o
datasheet) e alguns pontos como ID = IDSS/4 e ID = IDSS/2.
O ponto onde a linha intercepta a curva de transferência é o ponto
quiescente (Q). Use o valor de ID no ponto quiescente (IDQ) para
resolução de outras tensões: VDS  VDD  I D ( RS  RD ) [Formula 6.11]
VS  I D RS [Formula 6.12]
VD  VDS VS  VDD VRD [Formula 6.14]

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Polarização com Divisor de Tensão

IG = 0A no FET. Diferentemente do TJB, onde o IB afeta IC;

no FET VGS é que controla ID.

Cálculos da Polarização com Divisor de Tensão

R2VDD
VG 
Usando a Lei de Kirchhoff: R1  R2 [Formula 6.15]
VG VGS VRS  0
Rearranjando e usando ID =IS: VGS VG  I D RS [Formula 6.16]

Novamente o ponto quiescente é estabelecido pela interseção da reta de carga e

a curva de transferência.

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Ponto Quiescente do Divisor de Tensão

1. Trace a linha entre os
pontos: VGS = VG, ID = 0
e ID = VG/RS, VGS = 0
2. Trace a curva de
transferência que passa
pelos pontos IDSS e VP e
os valores de ID
calculados.
3. O pontos em que as
linhas se interceptam é
o ponto quiescente (Q).

Cálculos da Polarização com Divisor de Tensão

Usando o valor de ID no ponto quiescente obtém-se os valores das
outras variáveis no circuito com divisor resistivo:

VDS  VDD  I D ( RD  RS )
VD  VDD  I D RD
VS  I D RS
VDD
IR1  IR2 
R1  R2

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MOSFET tipo Depleção

A polarização do
MOSFET tipo Depleção é
realizada por circuitos
semelhantes ao JFET.
A única diferença é que o
MOSFET tipo Depleção
pode operar com valores
positivos de VGS e com
valores de ID que 150 Ω

excedem IDSS.

MOSFET – tipo Depleção

PONTO QUIESCENTE: IQ < IDSS
1. Trace a linha para: VGS = VG, ID = 0 e ID =
VG/RS, VGS = 0
2. Trace a curva de transferência que passa
pelos pontos IDSS e VP e os valores de ID
calculados.
3. O pontos em que as linhas se interceptam
é o ponto quiescente (Q).
Use o ID no ponto quiescente para obter as
outras variáveis da polarização com divisor
de tensão. São os mesmos cálculos usados
no circuito do JFET.

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MOSFET – tipo Deplecão

PONTO QUIESCENTE: IQ > IDSS
1. Trace a linha para: VGS = VG, ID = 0 e ID
= VG/RS, VGS = 0
2. Trace a curva de transferência que
passa pelos pontos IDSS e VP e os
valores de ID calculados.
3. O pontos em que as linhas se
interceptam é o ponto quiescente
(Q).
Use o ID no ponto quiescente para obter
as outras variáveis da polarização com
divisor de tensão. São os mesmos
cálculos usados no circuito do JFET.

MOSFET de Intensificação
A característica
de transferência
do MOSFET tipo
Intensificação é
muito diferente
do JFET e do
MOSFET tipo
Depleção.

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Polarização com Realimentação

IG =0A, VRG = 0V
Entretanto VDS = VGS
O que faz VGS  VDD  I D RD [Formula 6.28]

Polarização com Divisor de Tensão

1. Trace a linha para: VGS = VG, ID = 0 e ID = VG/Rs, VGS = 0
2. Trace a curva de transferência que passa pelos pontos VGGSTh , ID = 0
e VGS(on) , ID (on) todos fornecidos nas especificações do datasheet.
3. O pontos em que as linhas se interceptam é o ponto quiescente (Q).
Use o ID no ponto quiescente para obter as outras variáveis da
polarização, com as seguintes equações:

VG R2VDD
RS VG 
R1  R2
VGS  VG  I D RS
VDS  VDD  I D ( RS  RD )

VG

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Curva Universal de Polarização para o JFET

JFET
ID
Curva Universal para
o J-FET

V GS

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 Curva Universal para Curva Universal para
o MOSFET Depleção o J-FET JFET

MOSFET DEPLEÇÃO
ID
ID

V GS
V GS
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MOSFET INTENSIFICAÇÃO
ID
Curva Universal para

Intensificação
o MOSFET

V GS

FET Canal-P

Para os FET Canal-P são utilizados os mesmos

cálculos e gráficos aos FET Canal-N, exceto que a
polaridade das tensões e as direções das
correntes são opostas. Os gráficos do FET Canal-
P serão espelhados em relação aos gráficos do
FET Canal-N.

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Aplicações Práticas

• Voltage-Controlled Resistor
• JFET Voltmeter
• Timer Network
• Fiber Optic Circuitry
• MOSFET Relay Driver

1) Para a configuração
com polarização fixa: 17) Para a configuração de
(a) Esboce a curva de autopolarização, determine:
transferência (a) IDQ e VGSQ
(b) Determine VGSQ e IDQ (b) VDS e VD
I. Graficamente IDSS=6mA
II. Analiticamente VP=-4V
IDSS=12mA IDSS=8mA
VP=-4V

14) Para o circuito,

VD = 9V. Determine: β=160
21) Para o circuito,
(a) IDQ e VGSQ determine:
VGS(TH)=3V (b) VDS e VS (a) VG
IDS(ON)=5mA IDSS=6mA (b) VGSQ e IDQ
VGS(ON)=6V VP=-6V
(c) IE
20) Para a configuração com (d) IB
divisor de tensão, determine: (e) VD
(a) VGSQ e IDQ (f) VC
(b) VD e VS

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