Definición

 JFET=Transistor de Efecto de Campo de Juntura

 Es un dispositivo de 3 terminales: Drenador-Fuente-
Compuerta
 Transistor Unipolar (Un solo tipo de corriente-electrones o
huecos)
 Corriente IDS controlada por VGS

Símbolo circuital

Dispositivos Electrónicos-FACET 2
 Estructura del JFET
D

P+
L
G W
2a

3
Estructura (JFET Canal N)

W: Profundidad del Canal

L: Largo del Canal
2a: Ancho Metalúrgico del Canal
ND: Concentración Zona N canal
NA: Concentración Zona P Compuertas
NA >>ND => P+N

Dispositivos Electrónicos-FACET 4
Principio de Funcionamiento (1)
D

RDS
P+ 2a P+
1 L
RDS 
b  A
1 L
RDS 
xn0 xn0 qnND Wb
b  2 a  2 xn 0

Dispositivos Electrónicos-FACET 5
 Principio de Funcionamiento (2)
D

G
P+ P+ RDS
2a

VGS b = 2a - 2 xn
xn xn

xn0 xn0 b=0→

RDS → ∞

S
Dispositivos Electrónicos-FACET 6 6
Cuando b = 0 no existe canal y RDS → ∞
La tensión VGS para la que b = 0 se define como
TENSION DE ESTRANGULAMIENTO (VP)

VP es un parámetro del dispositivo

Depende de la fabricación
1
 2
1
 2ε   2ε 
 *Vjo  VGS 2  jo  VGS 2
1 1 2 1
xn   xn    * V
 qND  ND    qND 
 1  
 NA  

1
 2ε 
xn  K 1*Vjo  V 
1 2
GS 2 K1    K1  Constante que depende de la Fabricación
 qND 

2
 a 
a  K 1Vjo  V  a  K 1V 
1 1
p 2 suponiendo Vjo Vp p 2  Vp   
 K1 

qND
Vp  a 2
2 7
 Principio de Funcionamiento (3)
D

G RDS
P+ 2a P+

VGS RDS → f (VGS)

xn b xn

xn0 xn0

S
8
Dispositivos Electrónicos-FACET
 1 L 1 L
RDS  RDS  b  2a  2 xn
 A q n ND W . b

1
  2
1
 2ε   2ε 
*Vjo  VGS 2 *Vjo  VGS 2
1 1 2 1
xn    xn   
 qND 1  N D   qND 
  
 N A 

1
 2ε 
xn  K 1*Vjo  V 
1 2
GS 2 K1   
 qND 

K1  Constante que depende de la Fabricación

 K1 1

b  2a  K1Vjo  VGS 
1
2 b  2a 1  (Vjo  VGS ) 2 
 a 

 Vjo  VGS 12   VGS 12 

b  2a 1  ( )  Vjo VGS b  2a 1  ( ) 
 V P   V P 

b  f VGS   RDS  f VGS 

9
 L 1
RDS  VGS  Vp  RDS  
qnNDW 2a  VGS 12 
1  ( V ) 
 P 
VGS  0  RDS  RDSON
L
RDSON   RDSON es un parámetro del dispositivo
2aqnNDW y depende de la fabricación

1
RDS  RDSON
 VGS 2 
1

1  ( ) 
 VP 

1  VGS 2 
1
VDS Relación V-I del JFET para VDS ≈ 0
IDS   IDS  1  ( ) VDS
RDS RDSON  VP 

Dispositivos Electrónicos-FACET 10
CARACTERISTICA V-I PARA ZONA OHMICA

La tensión Vgs controla la geometría del canal :

Este control provoca la variación del área del
resistor entre drenador y fuente.

Resistencia Drenador-Fuente->f(VGS)

1
RDS  RDSON
 VGS 2 
1

1  ( ) 
 VP 

Dispositivos Electrónicos-FACET 11
• Cuando VGS = VP la zona de transición de la juntura P-N
invade toda la región N, impidiéndose totalmente la
conducción.
• (Corte del canal)

Dispositivos Electrónicos-FACET 13
 Zona Óhmica (Control de Compuerta)

•La RDS va aumentando a medida que se estrecha el canal, a

consecuencia de la polarización inversa producida por VGS

Dispositivos Electrónicos-FACET 14
 Principio de Funcionamiento (4)
y
D

G
P+ xn b(y) xn P+

VDS
2a

xn0 N xn0

S
Dispositivos Electrónicos-FACET 15
  VDS comienza a aumentar hasta alcanzar el valor de Vp.
 En ese punto, el canal se estrangula en la zona de drenador.
 Cuando se estrangula, IDS no puede aumentar más y
alcanza su máximo valor IDSS
 IDSS Corriente D-S con VGS = 0 y VDS ≥ VP
 IDSS es un parámetro del dispositivo.

𝐼𝐷𝑆
𝐽𝐷𝑆 𝑦 = 𝜎𝐸𝐷𝑆 𝑦 𝐽𝐷𝑆 (𝑦) =
𝑏(𝑦) × 𝑊

Cuando VDS  b(y)   JDS  y para mantener la igualdad E(y) 

• Como JDS (y) ↑ es tan grande E(y) crece hasta alcanzar el valor para el
cual se deja de cumplir la ley de Ohm.
• La velocidad de deriva vd satura y la movilidad deja de ser constante.
• vd = μ E
Dispositivos Electrónicos-FACET 16
 CARACTERISTICA V- I PARA VGS = 0

IDS

VGS= 0
IDSS

VP VDS

Dispositivos Electrónicos-FACET 17
 Principio de Funcionamiento (5)
D

G
P+ 2a P+

VDS
VGS xn
xn b
xn0 xn0
N

S
Dispositivos Electrónicos-FACET 18
 CARACTERISTICA V- I

IDS VDS – VGS > |VP|

IDSS VGS= 0 SATURACION

2
|𝑉𝐺𝑆 |
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
|𝑉𝑃 |

VGS= - VP VDS
VP
1
1 |𝑉𝐺𝑆 | 2
VDS – VGS < |VP| OHMICO 𝐼𝐷𝑆 = 1− 𝑉𝐷𝑆
𝑅𝐷𝑆𝑜𝑛 |𝑉𝑃 |
 POLARIZACION DEL JFET

𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 > |𝑉𝑃 | SATURACION

IDS
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑆 × 𝑅𝑆 − 𝐼𝐷𝑆 × 𝑅𝐷
D
G 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷𝑆 × 𝑅𝑆 + 𝐼𝐺 × 𝑅𝐺 = 0

IG S 𝐼𝐺 ≈ 0 ⇒ 𝐼𝐺 × 𝑅𝐺 = 0 𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷𝑆 × 𝑅𝑆

𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑆 × 𝑅𝐷 > 𝑉𝑃

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑃
𝑅𝐷 < → 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛
𝐼𝐷𝑆

0 ≤ 𝐼𝐷𝑆 ≤ 𝐼𝐷𝑆𝑆 → 𝑅𝑎𝑛𝑔𝑜 𝑑𝑒 𝐼𝐷𝑆 𝑉𝑃 ≤ 𝑉𝐷𝐷 ≤ 𝑉𝐷𝑆𝑀𝐴𝑋 → 𝑅𝑎𝑛𝑔𝑜 𝑑𝑒 𝑉𝐷𝐷

Dispositivos Electrónicos-FACET 21
Modulación del Largo del Canal
2
|𝑉𝐺𝑆 |
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 + 𝜆 𝑉𝐷𝑆 1−
|𝑉𝑃 |

Dispositivos Electrónicos-FACET 22
Modelo del JFET en zona de
saturación

VDS – VGS > VP

2
|𝑉𝐺𝑆 |
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 + 𝜆 𝑉𝐷𝑆 1−
|𝑉𝑃 |

Dispositivos Electrónicos 23
 Si el JFET esta polarizado en
SATURACION

2
|𝑉𝐺𝑆 |
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 + 𝜆 𝑉𝐷𝑆 1−
|𝑉𝑃 |

𝑑𝐼𝐷𝑆 𝑑𝑉𝐷𝑆
𝑔𝑚 = 𝑟0 =
𝑑𝑉𝐺𝑆 𝑄 𝑑𝐼𝐷𝑆 𝑄

En el punto de polarización (Q)

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆𝑃 𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑃 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆𝑃

24
 2 𝐼𝐷𝑆𝑆 |𝑉𝐺𝑆 | 1
𝑔𝑚 = − 1− 𝑟0 =
𝑉𝑃 |𝑉𝑃 | 𝑄 𝜆 𝐼𝐷𝑆𝑃 𝑄

𝐶𝑔𝑠0
𝐶𝑔𝑠 =
𝑉𝐺𝑆
1−
𝑉𝑗0
Dispositivos Electrónicos 25
Dispositivos Electrónicos-FACET 26
Dispositivos Electrónicos-FACET 27
Dispositivos Electrónicos-FACET 28
Dispositivos Electrónicos-FACET 29
Dispositivos Electrónicos-FACET 30
Dispositivos Electrónicos-FACET 31
Dispositivos Electrónicos-FACET 32
Dispositivos Electrónicos-FACET 33
Dispositivos Electrónicos-FACET 34