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ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

INDICES DE MILLER

Estos se utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de
deslizar unos átomos sobre otros átomos en la celda cristalina.

Para poder identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos se les

asigna un juego de tres números que reciben el nombre de índices de Miller.

Los índices de Miller son números enteros, que pueden ser negativos o positivos,
y son primos entre sí. El signo negativo de un índice de Miller debe ser colocado
sobre dicho número.

Ejes y celdas unitarias:

Se utilizan los tres ejes conocidos normalmente, el eje X positivo se usa saliendo
del papel, el eje Y positivo hacia la derecha y finalmente el eje Z positivo hacia la
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parte superior; en sentidos opuestos se encuentran sus respectivas zonas y

cuadrantes negativos

Se utilizan celdas unitarias para situar

tanto puntos, como planos. Dichas celdas unitarias son cubos los cuales se
encuentran situados sobre el sistema de coordenadas X, Y, Z. Generalmente se
asume un origen, el cual está ubicado en la arista inferior izquierda posterior.
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Puntos de Coordinación o de Red

Son las posiciones de los átomos en la red o celda unitaria construyendo el

sistema coordenado ortonormal. La distancia se mide en términos del numero de
para metros de red que deben moverse en cada uno de las coordenadas X, Y y Z
para obtenerla del origen al punto en cuestión.

http://www.academia.edu/7821221/32_de_78_1.2_1._Estructura_cristalina_Redes
_espaciales_y_celdas_unitarias

Direcciones en la celda unitaria:

Existen direcciones y posiciones en una celda unitaria de gran interés, dichas

direcciones son los denominados Índices De Miller y son particularmente las
posiciones o lugares por donde es más susceptible un elemento en sufrir
dislocaciones y movimientos en su interior cristalino.
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Para hallar los Índices De Miller de las direcciones se procede de la siguiente

manera:

1. Usar un sistema de ejes coordenados completamente definidos (zonas

positivas y zonas negativas).
2. Restar las coordenadas de los puntos a direccionar (cabeza menos cola),
generando de esta manera el vector dirección y la cantidad de parámetros
de red recorridos
3. Eliminar o reducir de la resta de puntos las fracciones hasta su mínima
expresión
4. Encerrar los números resultantes entre corchetes , sin comas, si el
resultado es negativo en cualquier eje (X, Y, Z) debe situarse una barra o
raya encima de dicho numero, o números.

Ejemplo:

Determinar los índices de Miller de las direcciones A, B y C.

Dirección A

1. Dos puntos son: 1,0,0 y 0,0,0

2. Se restan ambos puntos, situando en primer lugar el punto que se desea
tener como dirección y sentido (cabeza del vector) 1,0,0 – 0,0,0 = 1,0,0
3. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [ 100 ]

Dirección B
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Dos puntos son: 1,1,1 y 0,0,0

1. Se procede de igual manera, se restan ambos puntos 1,1,1 - 0,0,0 = 1,1,1

2. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir
3. [ 111 ]

Dirección C

1. Dos puntos son: 0,0,1 y ½,-1,0

2. Se procede de igual manera, se restan ambos puntos 0,0,1 - ½,-1,0 =
- ½,-1, 1
3. Esta vez el resultado debemos llevarlo a una conversión de enteros.
4. 2(- ½,-1, 1)=-1,-2,2
5. Como el resultado es negativo en las direcciones de los ejes X y Y, se
sitúan con una barra en la parte superior los valores para dichos ejes.

6.

Usos de las direcciones cristalográficas

1.- Orientación de un monocristal o material policristalino

2.- Deformación ( átomos en mayor contacto en las direcciones)

3.- Propiedades magnéticas del fierro y otras materias magnéticas

4.- Se realizan planos cristalográficos

SITIOS INTERSTICIALES

Son pequeños orificios entre los átomos en los que pueden colocarse átomos más
pequeños.

Cuando u átomo se coloca dentro de un sitio intersticial, toca dos o más átomos
en la red.
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Los átomos o iones intersticiales cuyos radios son ligeramente mayores que el
radio del sitio intersticial pueden entrar en ese sitio, separando de manera ligera
los átomos circundantes.

No. de coordinación y razón de los radios

No. de Localización del Razón de los Representación

coordinación intersticio radios
2 lineal 0 – 0.155 Línea recta
3 Centro del triangulo 0.155 – 0.225 Triángulo
4 Centro del tetraedro 0.225 – 0.414 Tetraedro
6 Centro del octaedro 0.414 – 0.732 CCCa
8 Centro del cubo 0.732 – 1.000 CCCu

Ejemplo

Para el KCl:

1.- Verifique que el compuesto tiene estructura CCCu

De tablas: Apéndice B

Radio del ión potasio = 1.33 Å

Radio del ión cloro = 1.81 Å

Radio ión potasio / radio ión cloro = 1.33 / 1.81 = 0.735

Este valor esta entre los valores de la tabla:

0.732 -------- 1.000

Por lo que le corresponde una estructura CCCu

2.- Calcule el factor de empaquetamiento

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Por tener una estructura CCCu: No. de átomos = 1 de cloro y 1 de potasio

a=4R/√3 de donde a =[ 2 radio ión potasio + 2 radio ión cloro] / √3

a = [ 2 * 1.33 + 2 * 1.81 ] / √3 a = 3.63 Å

F. E. = [ ( 1 ) *[4/3 Π ( 1.88)] + ( 1 )* [4/3 Π ( 1.33)] ] / (3.63)3

F. E. = 0.73

IMPERFECCIONES EN LAS REDES CRISTALINAS:

Las imperfecciones se encuentran dentro de la zona de ordenamiento de largo

alcance (grano) y se clasifican de la siguiente manera:

DEFECTOS PUNTUALES (puntos defectuosos): Son discontinuidades de la red

que involucran uno o quizá varios átomos. Estos defectos o imperfecciones,
pueden ser generados en el material mediante el movimiento de los átomos al
ganar energía por calentamiento; durante el procesamiento del material; mediante
la introducción de impurezas; o intencionalmente a través de las aleaciones.

Huecos: Un Hueco se produce cuando falta un átomo en un sitio normal. Las

vacancias se crean en el cristal durante la solidificación a altas temperaturas o
como consecuencia de daños por radiación. A temperatura ambiente aparecen
muy pocas vacancias, pero éstas se incrementan de manera exponencial
conforme se aumenta la temperatura.

Defectos intersticiales: Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un

átomo adicional en una posición normalmente desocupada dentro de la estructura
cristalina. Los átomos intersticiales, aunque mucho más pequeños que los átomos
localizados en los puntos de la red, aún así son mayores que los sitios
intersticiales que ocupan; en consecuencia, la red circundante aparece
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comprimida y distorsionada. Los átomos intersticiales como el hidrógeno a

menudo están presentes en forma de impurezas; los átomos de carbono se
agregan al hierro para producir acero. Una vez dentro del material, el número de
átomos intersticiales en la estructura se mantiene casi constante, incluso al
cambiar la temperatura.

Defectos sustitucionales: Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza

un átomo por otro de un tipo distinto. El átomo sustitucional permanece en la
posición original. Cuando estos átomos son mayores que los normales de la red,
los átomos circundantes se comprimen; si son más pequeños, los átomos
circundantes quedan en tensión. En cualquier caso, el defecto sustitucional
distorsiona la red circundante. Igualmente, se puede encontrar el defecto
sustitucional como una impureza o como un elemento aleante agregado
deliberadamente y, una vez introducido, el número de defectos es relativamente
independiente de la temperatura.

IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS PUNTUALES: Los defectos puntuales

alteran el arreglo perfecto de los átomos circundantes, distorsionando la red a lo
largo de quizás cientos de espaciamientos atómicos, a partir del defecto. Una
dislocación que se mueva a través de las cercanías generales de un defecto
puntual encuentra una red en la cual los átomos no están en sus posiciones de
equilibrio. Esta alteración requiere que se aplique un esfuerzo más alto para
obligar a que la dislocación venza al defecto, incrementándose así la resistencia
del material.

DEFECTOS LINEALES (dislocaciones) : Son imperfecciones lineales en una red

que de otra forma sería perfecta. Generalmente se introducen en la red durante el
proceso de solidificación del material o al deformarlo. Aunque en todos los
materiales hay dislocaciones presentes, incluyendo los materiales cerámicos y los
polímeros, son de particular utilidad para explicar la deformación y el
endurecimiento de los metales. Podemos identificar dos tipos de dislocaciones: la
dislocación de tornillo y la dislocación de borde.

Dislocación de tornillo:

La dislocación de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un

cristal perfecto, torciéndolo y desplazando un lado del corte sobre el otro la
distancia de un átomo.

Dislocaciones de borde:

Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de

un cristal perfecto, separándolo y rellenando parcialmente el corte con un plano de
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átomos adicional. El borde inferior de este plano adicional representa la

dislocación de borde.

Dislocaciones mixtas:

Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de borde como de tornillo, con
una región de transición entre ambas. El vector de Burgers, sin embargo, se
conserva igual para todas las porciones de la dislocación mixta.

DEFECTOS DE SUPERFICIE:

Los defectos de superficie son las fronteras o planos que separan un material en
regiones de la misma estructura cristalina pero con orientaciones cristalográficas
distintas, y la superficie externa de un material. En las superficies externas del
material la red termina de manera abrupta. Cada átomo de la superficie ya no
tiene el mismo número de coordinación y se altera el enlace atómico. Asimismo, la
superficie puede ser muy áspera, contener pequeñas muescas y quizá ser mucho
más reactiva que el interior del material.

LIMITES DE GRANO:

La microestructura de la mayor parte de los materiales está formada por muchos

granos. Un grano es una porción del material dentro del cual el arreglo atómico es
idéntico. Sin embargo, la orientación del arreglo atómico, o de la estructura
cristalina, es distinta para cada grano. En la figura se muestran de manera
esquemática tres granos; la red de cada uno de ellos es idéntica pero están
orientados de manera distinta. La frontera de grano, que es la superficie que
separa los granos, es una zona estrecha en la cual los átomos no están
correctamente espaciados. Esto quiere decir que, en algunos sitios, los átomos
están tan cerca unos de otros en la frontera de grano que crean una región de
compresión y en otras áreas están tan alejados que crean una región de tensión.
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Un método para controlar las propiedades de un material es controlando el tamaño

de los granos. Reduciendo el tamaño de éstos se incrementa su número y, por
tanto, aumenta la cantidad de fronteras de grano. Cualquier dislocación se moverá
solamente una distancia corta antes de encontrar una frontera de grano,
incrementando así la resistencia del metal. Se puede relacionar el tamaño de
grano con el tensión de fluencia del material. Los limites de grano tienen una
influencia importante sobre las propiedades del metal, su número y tamaño esta
en función de la tasa de nucleación y los índices de crecimiento de este. Una vez
que el metal se ha solidificado, se puede modificar el tamaño y numero de granos,
ya sea por deformación o tratamiento térmico, lo cual permitirá que sus
propiedades mecánicas varíen considerablemente.
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Los índices de Miller, en cristalografía, son un juego de tres números que permiten
identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos. Los índices de
Miller son números enteros, negativos o positivos, y son primos entre sí. Estos se
utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de deslizar
unos átomos sobre otros átomos en la celda cristalina.

En cualquiera de las estructuras cristalinas que han sido analizadas

existen pequeños huecos entre los átomos de la red en los cuales se pueden
colocar átomos más pequeños a estos espacios se les llama vacancia.

En todos los materiales, los arreglos de los átomos contienen imperfecciones que
tienen un efecto importante en el comportamiento de los materiales.

Con el control de estas imperfecciones se logra crear metales y aleaciones más

resistentes, imanes más poderosos, transistores y celdas solares de mejor
desempeño, vidrios y cristales de colores extraordinarios y muchos otros
materiales de importancia práctica.

Defectos puntuales: Son discontinuidades de la red que involucran uno o quizás

varios átomos, estos defectos o imperfecciones pueden ser generados en el
material mediante el movimiento de los átomos al ganar energía por calentamiento
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durante el procesamiento del material, mediante la introducción de impurezas; o

intencionalmente a través de las aleaciones.

Vacancia, Átomos intersticiales y Átomos sustitucionales.

Defectos lineales o dislocaciones

Las dislocaciones, son imperfecciones lineales en una red cristalina, generalmente

se introduce en la red durante el proceso de solidificación del material o al
deformarlo. En todos los materiales hay dislocaciones presentes y es de utilidad
para explicar la deformación y el endurecimiento de los materiales.

Defectos de superficie

Los defectos de superficie son las fronteras o planos que separan un material en
regiones de la misma estructura cristalina, pero con orientaciones cristalográficas
distintas, y la superficie externa de un material. En las superficies externas del
material la red termina de manera abrupta.