Amplificador de potencia de clase B

En este tipo de amplificador el punto de operación se ubica en la zona de corte, tanto

para el BJT como para el FET. La señal circula durante 180° de su período. Cuando
esto sucede, se dice que el amplificador trabaja en clase B.
Para amplificar la onda completa es necesario usar dos de estos amplificadores.
Cuando el punto de operación se ubica antes de la zona de corte, de manera que la
señal circule más de 180° y menos de 360° de su período, se dice que el amplificador
trabaja en clase AB. Esto se hace para evitar la distorsión de cruce, que se verá más
adelante. Sin embargo, como el punto de operación normalmente sigue cerca de la zona
de corte, se le puede seguir tratando como un amplificador clase B
A continuación estudiaremos las configuraciones más conocidas.

Clase B en simetría complementaria

Este tipo de amplificador es uno de los más utilizados y emplea dos transistores
complementarios (uno NPN y otro PNP) de manera que uno amplifica el semiciclo
positivo de la señal y el otro el semiciclo negativo. Tal amplificador es llamado
AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA.

VCC

Q1

Q2 PARLANTE

Vin

V2 = VCC / 2

V1 = VCC / 2

DISTORSION DE CRUCE: Debido a que las características de entrada base-emisor de

los transistores reales es tal que para tensiones pequeñas base-emisor, el transistor
prácticamente no conduce. Recién éste comienza a hacerlo cuando se supera la tensión
de codo o tensión umbral (Vγ), que es aproximadamente 0.2V para transistores de
Germanio y de 0.6V para los de Silicio.
 -9
x 10 CURVA CARACTERISTICA DE LA JUNTURA BASE-EMISOR
5

4.5

3.5

3
I (amperios)

2.5

1.5

0.5

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V (voltios)

La tensión de salida tiene la forma que se observa en la figura 1.42:

6.300 V
VL

6.100 V

5.900 V

5.700 V
0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms

Esta distorsión se evita polarizando directamente las junturas base-emisor de Q1 y Q2

de modo que exista entre ellas una tensión igual a la tensión de codo (Vγ).

VDD VCC

R4
R

Q1

+ IL1
R1
Vrd
E
Ca1 RD RL
- E
Q2
+ Ird
Vin Parlante
- Q3
C2

R2

ESTABILIZACIÓN DE LA POLARIZACION CONTRA VARIACIONES DE

TEMPERATURA

Para obtener mejor regulación y compensación de temperatura con la red resistiva, se

conecta uno o dos diodos entre las bases de ambos transistores. Estos diodos deben
elegirse cuidadosamente para permitir la exacta caída de voltaje necesaria. Pero, si
esta polarización cambia con la edad del equipo, la polarización también sufrirá
cambios
La figura 1.45 muestra 4 formas típicas de polarización. En la figura 1.45a se coloca una
resistencia en paralelo con el termistor con el fin de aproximar el coeficiente de
temperatura equivalente al del diodo base-emisor.
Las figuras 1.45b y c muestran la polarización por diodo, estos trabajan polarizados en
sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura que el
correspondiente a los diodos base-emisor de los transistores. En 1.45b, Rd ayuda a
conseguir la necesaria polarización de base-emisor y en 1.45c, Rd1 y Rd2 sirven como
divisores de tensión cuando VD es mayor que la necesaria, para polarizar las junturas
base-emisor.
Se aumenta mucho más la estabilidad contra variaciones de temperatura colocando
resistores en los emisores de los transistores (figura 1.45d).
Las combinaciones de los casos a, b, c y d ofrecen una gran estabilidad de la corriente
de colector de los transistores contra variaciones de temperatura (Pueden usarse varios
de estos métodos a la vez)

VCC

VCC VCC VCC

Q1

Q1 Q1 Rd2
+
Vd D Q1 Re
- +
Rd Vd
NTC -
t Q2
Rd Rd1
Re
Q2
Q2

Q2

(a) (b) (c) (e)

Los problemas anteriores son eliminados en forma más efectiva cuando se emplea un
transistor regulador. Dado que el punto de operación, extremadamente crítico, es difícil
de mantener, podemos usar un transistor regulador de voltaje y lograr controlar
fácilmente al punto de operación mediante un potenciómetro.
+ VCC

R1
C
Q1

Entrada
P Q3
C RL
Q2

R2

- VCC
AMPLIFICADOR PUSH PULL CLASE B
Este es otro tipo muy conocido de amplificador clase B. A pesar de haber sido superado
por los amplificadores de simetría complementaria y cuasi complementaria (que se verá
más adelante) aún es muy usado, por ejemplo, en amplificadores de perifoneo debido a
que permite el acoplo de la carga y también elevar la tensión para reducir las pérdidas
en los conductores cuando los parlantes están alejados (como sucede en los edificios y
plantas industriales)
Vemos que en los transformadores están marcados los puntos de igual polaridad
Cuando Vin es positiva, el terminal 2 del transformador de entrada tendrá polaridad
positiva respecto al terminal 11.

T1
T2
1:1
2 8 Q1 n:1
8 2

5 VCC
Vin 7 5
7 RL

11 6
Q2 6 11
1:1
n:1

COMPARACIÓN ENTRE PUSH-PULL Y SIMETRÍA COMPLEMENTARIA.

a) Una ventaja en el uso de los transformadores en push-pull es el poder acoplar
impedancias fácilmente, pero tiene un gran número de desventajas como:
 Bajo rendimiento: Es muy difícil conseguir un transformador de potencia con
eficiencia mayor de 80%.
 La rotación de fase introducida por los transformadores dificulta el empleo de
técnicas de realimentación negativa (para disminuir la distorsión) ya que corre el
riesgo de aparición de oscilaciones para algunas frecuencias.
 El peso de los núcleos utilizados aumenta considerablemente el peso total de
los equipos.
 El tamaño de los transformadores evita poder construir equipos compactos.
b) Una de las ventajas del amplificador de simetría complementaria es que estando la
etapa excitadora acoplada directamente, la respuesta en frecuencia mejora.
c) Una dificultad del amplificador en simetría complementaria consiste en lograr obtener
dos transistores apareados (machados) npn y pnp. Esto se hace más difícil conforme
aumenta la potencia requerida, de modo tal que prácticamente estos amplificadores en
simetría complementaria sólo se usan para potencias menores a 20W. Por arriba de
estas potencias se utilizan los amplificadores cuasi complementarios, los cuales utilizan
el mismo principio, pero evitan el empleo de un par machado en la etapa de salida.
AMPLIFICADORES CUASI COMPLEMENTARIOS
El inconveniente principal del amplificador de simetría complementaria es la necesidad
de dos transistores complementarios (NPN y PNP). Estos transistores deben tener
características eléctricas idénticas. Esto hace difícil conseguir transistores que cumplan
dichos requisitos (par machado o matched pair) para potencias de salida mayores de
30W.
Los amplificadores de simetría cuasi-complementaria resuelven este problema al
permitir que los transistores de potencia sean del mismo tipo.
Estas etapas se denominan así por el hecho de estar constituidas por un par pnp o npn
de salida, excitados por otro par del tipo complementario pnp o npn, como podemos ver
en el siguiente circuito. (Figura 1.65)
VCC

Q1

Q3
RL

Q2
Vin
Q4
V2 = VCC/ 2

V1 = VCC/ 2

En general un circuito cuasi complementario es menos estable que uno de simetría

complementaria, pero con transistores de silicio no presenta problemas.
Los resistores de drenaje (Rd) de la figura 1.68 proveen las siguientes ventajas:

Q1

Q3

Rd
Re

Q2

Q4

Rd Re

Figura 1.68

1. Mejora de la respuesta en alta frecuencia

2. Mejora de la estabilidad del transistor de salida ya que se provee de una
derivación para la corriente de fuga ICBO.
3. Se aumenta el BVCEO poniendo al transistor en el modo VCER, que en los
transistores de silicio de potencia para una Rd igual a 100 ohmios en general
produce un aumento de 10V.
En el circuito de la figura 1.68, se observan también los resistores puestos en emisor de
los transistores de salida (Re) que sirven para estabilizar el punto de operación con
respecto a la temperatura, en algunos circuitos se pone un diodo para evitar las pérdidas
producidas en Rd y proveer mayor estabilidad, ya que este diodo está acoplado
mecánicamente al mismo disipador del transistor de salida, mejorando así la estabilidad
por realimentación térmica.