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FACULTAD INGENIERIAS
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA
CIRCUITOS ELECTRONICOS III
Profesor: MSc. JAVIER A. MURILLO M.
CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS III
Primera Edición
Material de clase
Universidad Santiago de Cali
I. INTRODUCCIÓN
Este curso de Electrónica III, es la parte de la Electrónica que se encarga de estudiar los
dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el procesamiento, control y
conversión de la energía eléctrica.
Para esta definición podemos también considerar que la electrónica de potencia es una
rama de la Ingeniería Electrónica que se enfoca principalmente en la conversión y
control de la energía eléctrica para diferentes aplicaciones tales como el control de
alumbrado, procesos electroquímicos, suministros de energía regulada de CD y CA,
soldadoras eléctricas, filtrado activo, compensación de VAR´s, control del movimiento
de máquinas eléctricas y otras más.
Objetivos:
Aprender a identificar, seleccionar y manipular los diferentes dispositivos
semiconductores de potencia así como los diferentes componentes reactivos
utilizados en circuitos electrónicos de potencia.
Inducir al alumno en el análisis y diseño de los circuitos electrónicos de
potencia comenzando por una revisión de los dispositivos empleados, siguiendo
con el estudio de las configuraciones básicas y finalizando con el de las
aplicaciones industriales más importantes.
Desarrollar un proyecto práctico en el área de electrónica donde se apliquen los
conocimientos adquiridos en la carrera.
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II. PRECONCEPTOS
2.1. EL DIODO
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Los primeros diodos eran válvulas grandes en chips o tubos de vacío, también
llamadas válvulas termoiónicas constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en
un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las
lámparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904
por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi,
basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva
Edison.- Al igual que las lámparas incandescentes, los
tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a través del
que circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El
filamento está tratado con óxido de bario, de modo que al Sir John Ambrose Fleming
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Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de
la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial,
de agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
A (p) C ó K (n)
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Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo
está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.
Polarización directa
Para que un diodo esté polarizado directamente, tenemos que conectar el polo
positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas
condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
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Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es
atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega
hasta la batería.
Polarización inversa
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta
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llegar a la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los
átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en
el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial eléctrico que la batería.
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Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es
la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse
como cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy
dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de
3·105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
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Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los
Zener, se puede producir por ambos efectos.
siendo:
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2.2. EL AMPLIFICADOROPERACIONAL
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V+ = V-
I+ = I- = 0
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ubica una muesca entre los pines 1 y 8, siendo el numero 1 el pin que está a la
izquierda de una muesca cuando se pone integrado. La distribución de los
terminales del amplificador operacional integrado DIP de 8 pines es:
- Pin 2: entrada inversora (-)
- Pin 3: Entrada no inversora (+)
- Pin 6: Salida (out)
También existe otra presentación con 14 pines, en algunos casos no hay muesca,
pero hay un circuito pequeño cerca del Pin numero 1.
Esquema de la configuración interna del Amplificador Operacional:
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V0 = a Vd
a = infinito
Ri = Infinito
R0 = 0
BW (Ancho de banda) = infinito
V0 = 0 si Vd = 0
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Luego, en resumen:
APLICACIONES:
Amplificador Inversor
La configuración más sencilla es la inversora. Dada una señal analógica (por
ejemplo de audio) el amplificador inversor constituye el modo más simple de
amplificar o atenuar la señal (en el ejemplo propuesto modificar el volumen de la
señal)
Ejemplo:
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Tienes que recordar que la corriente que entra por cualquiera de las dos entradas del
operacional es cero, por lo tanto no circulará corriente por R1 y la tensión en la
entrada + será 0 (V=I*R1=0*R1=0). Es lo mismo que si conectáramos la entrada +
a masa directamente, pero se pone una resistencia porque el circuito trabaja mejor.
A continuación le ponemos la realimentación negativa mediante una resistencia R2:
Ya podemos decir que estamos ante un circuito con realimentación negativa, así que
podemos decir que la tensión en la entrada + es igual a la tensión de la entrada -, es
decir, 0.
Pero nos falta por poner la entrada del circuito, la entrada la pondremos mediante
R3 de la siguiente manera:
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Este es el amplificador inversor completo, y todo lo que hemos dicho hasta ahora se
cumple, así que pasemos a analizarlo. Para ello nos apoyaremos en el siguiente
gráfico, que muestra todas las corrientes y tensiones del circuito:
Todos los circuitos con operacionales se analizan de forma muy parecida, asi que
presta atención. Buscamos una ecuación matemática que nos relacione la entrada
con la salida. Primero hayamos la expresión de la corriente de entrada I1. Para ello
tienes que tener en cuenta la tensión a la que esta sometida R3. Que será Vin-0=Vin.
Siempre la tensión en una resistencia vendrá dada según la dirección en que
pintemos la corriente, y será: la tensión del lado de la resistencia por donde entra la
corriente menos la tensión del lado de la resistencia por donde sale. Por lo tanto
según la ecuación:
Vin = I1 * R3
I1 =Vin / R3
0 - Vout = I2 * R2
- Vout = I2 * R2
I2 =- Vout / R2
Igualando I2 = I1:
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I2 = I1
- Vout / R2 = Vin / R3
- Vout = Vin * (R2 / R3)
Vout = -Vin * (R2 / R3)
Amplificador no Inversor:
Este circuito presenta como característica más destacable su capacidad para
mantener la fase de una señal, el análisis se realiza de forma análoga al anterior.
Ejemplo:
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Ahora vamos a hallar la relación entra la salida y la entrada. Recuerda una vez más
que las tensiones en la entrada no inversora y la entrada inversora son iguales y que
la corriente de entrada al operacional es cero, por lo tanto I1 es igual a I2. Así que
no tenemos más que calcular las dos por separado y luego igualarlas:
Tensión de R2 = Vi
Vi = I2 * R2
I2 = Vi / R2
Tensión de R1 = Vo - Vi
Vo - Vi = I1 * R1
I1 = (Vo - Vi) / R1
Igualando I1 e I2
I1 = I2
(Vo - Vi) / R1 = Vi / R2
Vo - Vi = Vi (R1 / R2)
Vo = Vi (1 + R1 / R2)
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Para comprender el circuito, primero se estudiarán las dos señales de entrada por
separado, y después combinadas. Como siempre Vd = 0 y la corriente de entrada en
los terminales es cero.
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está a masa. Esta muy útil propiedad del amplificador diferencial, puede utilizarse
para discriminar componentes de ruido en modo común no deseables, mientras que
se amplifican las señales que aparecen de forma diferencial. Si se cumple la relación
La ganancia para señales en modo común es cero, puesto que, por definición, el
amplificador no tiene ganancia cuando se aplican señales iguales a ambas entradas.
Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. Para la entrada (+), la
impedancia de entrada es R1 + R2. La impedancia para la entrada (-) es R3. La
impedancia de entrada diferencial (para una fuente flotante) es la impedancia entre
las entradas, es decir, R1+R3.
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Con un termómetro electrónico estos problemas no existen, esto sin hablar de otras
posibilidades de uso como: control de temperatura de estufas, ambientes con aire
acondicionado, calentamiento de agua, baños en laboratorios fotográficos, control
de temperatura de líquidos en laboratorios químicos, etc.
El punto más importante del termómetro electrónico es el sensor, que debe tener
rapidez para traducir rápidamente las variaciones de temperatura en señales
eléctricas que sean indicadas por un medidor analógico.
El sensor utilizado es un diodo 1N4148, pero los que puedan conseguir termistores
NTC como el M841 (Siemens) la precisión y prontitud obtenida serán mucho
mayores.
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𝑅𝐹 𝑉1 . 𝑅3
𝑉𝐶 = ( − [𝑉𝐷 − 2(𝑇2 − 𝑇1 )]𝑚𝑉)
𝑅 𝑅2 + 𝑅3
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𝑅𝐹 10000. 𝑅3
𝑉𝐶 = ( 𝑚𝑉 − 700𝑚𝑉 + 2𝑇2 − 50𝑚𝑉)
𝑅 𝑅2 + 𝑅3
𝑅𝐹 10000. 𝑅3
𝑉𝐶 = ( 𝑚𝑉 − 750𝑚𝑉 + 2𝑇2 )
𝑅 𝑅2 + 𝑅3
10000.𝑅3
Podemos igualar 𝑚𝑉 = 750𝑚𝑉 para eliminar la parte DC y determinar
𝑅2 +𝑅3
valores para 𝑅3 y 𝑅2 .
𝑅𝐹
Con esto nos queda 𝑉𝐶 = (2𝑇2 ).
𝑅
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Mejoras en el circuito
El circuito puede requerir de dos partes: alimentación estabilizada y medición
propiamente dicha. La estabilización de la alimentación es muy importante, pues las
variaciones de tensión afectan las lecturas.
Este diodo para pequeñas señales (de silicio) tiene una resistencia inversa que
depende de la temperatura, así como la directa. En esta configuración trabaja
polarizado en el sentido directo, presentando por esto una ddp del orden de 0,6
Volts. Esta tensión no es rigurosamente constante, variando en torno de 2,1
milivolts por grado centígrado de variación de la temperatura de la unión.
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Esta gota de soldadura será Iimada para presentar una superficie plana. Esto es
importante, porque el contacto de esta pequeña superficie metálica será la que
conducirá las variaciones de temperatura, debiéndose, si es posible, usar una
soldadura rica en estaño.
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