Universidad de Guadalajara

Centro universitario del norte (CUNorte)

Caracterización del Diodo Semiconductor

Carrera: Ingeniería Mecánica Eléctrica

Alumnos:
 Jaime Sánchez González
 Juan Ramón Gordo Martínez
 Jorge Torres Torres
 Leonardo Martínez Navarro

Materia: Taller de mediciones Mecánicas y

Eléctricas

Docente: Ing. Rubén Alberto Torres Núñez

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Objetivo: obtener experimentalmente la curva característica 𝐼𝐷 (𝑉𝐷 ) del
diodo de unión p-n 1N4001.

Materiales:

 Protoboard.
 Resistencia de 1K.
 Multímetro.
 Diodo N4001.
 Fuente de Voltaje Variable.

Procedimiento: hacer un circuito de modo que el Diodo este

polarizado positivamente para que este se comporte como un
conductor, debemos proteger el diodo para no quemarlo con la
resistencia de 1K, empezaremos aumentando el voltaje de 0.1 hasta
12 en este caso, cada intervalo mediremos el Voltaje que consume el
diodo, así como la corriente circulando. Después se hará una tabla
para poder graficar los valores voltajes medidos en X y corrientes en Y
para observar la curva característica del diodo.

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Circuito Diodo

Datos Obtenidos
Datos obtenidos Diodo
Voltaje
Suministrado corriente D Voltaje D
0.1 2.53E-06 9.75E-02
0.2 1.29E-05 1.87E-01
0.3 4.15E-05 2.58E-01
0.4 9.23E-05 3.07E-01
0.5 1.59E-04 3.41E-01
0.6 2.34E-04 3.66E-01
0.7 3.16E-04 3.84E-01
0.8 4.01E-04 3.99E-01
0.9 4.89E-04 4.11E-01
1 5.78E-04 4.22E-01
1.5 1.04E-03 4.58E-01
2 1.52E-03 4.82E-01
2.5 2.00E-03 4.99E-01
3 2.49E-03 5.13E-01
3.5 2.98E-03 5.24E-01
4 3.47E-03 5.34E-01
5 4.45E-03 5.49E-01
6 5.44E-03 5.62E-01
7 6.43E-03 5.72E-01
8 7.42E-03 5.81E-01
9 8.41E-03 5.89E-01
10 9.40E-03 5.96E-01
11 1.04E-02 6.02E-01
12 1.14E-02 6.08E-01

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 Curva característica 𝑰𝑫 (𝑽𝑫 ) del diodo de unión p-n
1N4001

Caracteristica IDVD diodo

1.20E-02

1.00E-02

8.00E-03

6.00E-03
Caracteristica IV diodo

4.00E-03

2.00E-03

0.00E+00
0.00E+00 1.00E-01 2.00E-01 3.00E-01 4.00E-01 5.00E-01 6.00E-01 7.00E-01